專利名稱：：N,n’-雙(三苯胺基)芴二胺類空穴注入材料的制備及其用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及N，N，-雙(三苯胺基)藥二胺類化合物，其制備方法，該化合物用作有機電致發(fā)光器件空穴注入層材料的用途，以及空穴注入層含有該化合物的有機電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機電致發(fā)光因為其優(yōu)良的發(fā)光性能吸引眾多研究者的注意。1987年，鄧青云(Tang，C.W.etAl.」p//.1987，52，913)研究小組首次提出了第一個非晶體的OLED。1990年Burroughes等人(Burroughes，J.H.etal.iVa/ww19卯，347,539)首次才艮道了第一個高分子發(fā)光二才及管，自此有機電致發(fā)光研究進(jìn)入一個全新的P介段。近幾十年，相應(yīng)快、亮度高、工作電壓低、面積大的有沖幾發(fā)光二極管，已經(jīng)^皮應(yīng)用于不同的平面顯示器中。OLED的發(fā)光機制在于電子和空穴分別從陰陽極注入后，通過在兩電極間的多層有機功能層(空穴注入層HJL，空穴傳輸層HTL，發(fā)光層EML,電子傳輸層ETL,電子注入層EJL)在發(fā)光分子中結(jié)合形成激發(fā)子，激子輻射衰變而發(fā)光。由于電子和空穴的輸送率一般很難均等，由此造成激發(fā)光效率降低。要保持電荷載體的平衡，各功能層的優(yōu)化是至關(guān)重要的。要獲得性能優(yōu)異的器件，首先要選一奪合適的材料。在組成有機發(fā)光二極管的諸多材料中，有機空穴注入材料的成膜性及其薄膜的熱穩(wěn)定性和厚度對提高有機電致發(fā)光器件的效率和壽命具有重要的作用(^2gew.C7ze肌/欣￡d1998，37，402;Huang,J.etal.J///.2002，79,139;Friend,R.Hetal.Atow",1999,397，121;Vanslykeetal.L/iSPafe^No.5061569)。ITO(氧化銦錫導(dǎo)電玻璃)基板表面的粗糙度直接影響元件的發(fā)光效率，造成驅(qū)動壽命降低，元件短路等。通常采用在ITO玻璃和空穴傳輸層間增加空穴注入層可降低界面的能障，進(jìn)而降低器件的起始電壓。但加入這一空穴注入層后又往往要增加器件在正常工作的工作電壓，從而縮短器件的使用壽命。目前常用的空穴注入材料有酞菁銅CuPc(最高占據(jù)電子軌道HOMO=4.8eV)，4，4'，4〃-三-[(N-苯基-N-2-萘基)胺基]三苯胺2-TNATA(HOMO=5.1eV),摻雜聚遙吩PEDOT(HOMO=5.0eV)等。盡管它們都能達(dá)到降低起亮電壓的效果，但其中大多材料的Tg低于100°C,PEDOT價格昂貴，CuPc會吸收紅光。2-TNATA具良好的熱穩(wěn)定性(Tg=110匸)和成膜性，無論以單一或P型摻雜作空穴注入材料，都能有效降低陽極和空穴傳輸層間勢壘和器件的驅(qū)動電壓，但其空穴注入能力受空穴注入層厚度的影響較大。因此優(yōu)選空穴注入材料是近年來OLED材料研究中的熱點之一。含芴環(huán)內(nèi)核的化合物具有高的HOMO能級且藥類衍生物具有高的熱氧穩(wěn)定性和剛硬性，化合物的Tg隨分子中三苯胺單元數(shù)的增加而升高，將多個三苯胺與藥二胺結(jié)合在一起，增加了分子的幾何構(gòu)型，提高分子體積和分子量，從而提高材料的耐熱性和成膜性。目前以芴為母體，含三苯胺功能團(tuán)的空穴注入材料多為含4個共平面的氮原子(US6541129B1;WO2006/0406441Al)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在提供一類新型的N，N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物。本發(fā)明的另一目的是提供N,N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物的制備方法。本發(fā)明的進(jìn)一步的目的是提供N,N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物用作空穴注入材津+的用途。本發(fā)明的另一目的是提供含該有機空穴注入材料的有機電致發(fā)光器件(OLED)。本發(fā)明所提供的新型N,N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物(編號為BUHI)具有如下的結(jié)構(gòu)通式(I):其中Ri,R2為n-dC2o的烷基、苯基或芐基，R工和R2可以相同也可以不同。當(dāng)R產(chǎn)Rfn-C4H9(正丁基)時，所述N，N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物(BUHI)為N,N，-雙(4-N，N-二苯氨基苯基)9，9-二正丁基芴-2，7-二胺(編號為BUHI3)，其結(jié)構(gòu)式如(II)所示6本發(fā)明所述的的N，N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物的合成步驟如下(1)藥的二卣化(產(chǎn)率為92-97%),其中卣化可以為溴化或碘化；(2)二卣代芴的二烴基化(產(chǎn)率為75-85%);(3)二卣代二烴基藥在釔催化下與Ph2NH的Buchwald-Hartwig偶聯(lián)反應(yīng)(產(chǎn)率為72%);(4)2,7-二苯氨基-9，9二烴基芴的NBS溴化(產(chǎn)率為97%);(5)步驟(4)所得化合物與Ph2NH在釔催化下發(fā)生Buchwald-Hartwig偶聯(lián)反應(yīng)獲得N，N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物(產(chǎn)率為85-90%)。上述合成步驟中，步驟1的芴的二鹵化以及步驟2的二鹵代芴的二烴基化是為本領(lǐng)域的常規(guī)反應(yīng)。上述合成步驟3中，所述二卣代二烴基芴的鈀催化下的Buchwald-Hartwig偶耳關(guān)反應(yīng)為在含有有機石威的有機溶劑中，在有才幾把催化劑和有機磷配體的混合物的存在下，二S代二烴基藥與二苯胺按摩爾比1:2.1在85。C-100。C反應(yīng)8小時制備。在步驟4中，2，7-二苯氨基-9,9二烴基芴與NBS在氯仿中，室溫下攪拌4小時制得N,N，-雙(4-溴代苯基)-9,9-二正丁基芴-2,7-二胺。在步驟5中，步驟4所得的N，N，-雙(4-溴代苯基)-9,9-二烴基芴-2,7-二胺與Ph2NH溶于有機溶劑，加入叔丁醇鈉(或叔丁醇鉀)和有機鈀催化劑和有機磷配體的混合物為催化劑，在80-120。C下(最好在90。C)反應(yīng)8-15小時制得。合成中，N,N，-雙(4-溴代苯基)-9,9-二烴基芴-2，7-二胺與Ph2NH的摩爾比優(yōu)選1:6-1:8,有機鈀催化劑用量優(yōu)選為5-8mol。/。(相對于N,N，-雙(4-溴代苯基)-9，9-二烴基芴-2,7-二胺)，叔丁醇鈉(或叔丁醇鉀)摩爾比用量優(yōu)選為Ph2NH的兩倍。當(dāng)R尸R2=n-C4HJt,所述N，N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物(BUHI)為N，N，-雙(4-N,N-二苯氨基苯基)9,9-二正丁基芴-2,7-二胺(編號為BUHI3)，其合成步驟如下上述合成BUHI3的步驟3中，所述二溴二正丁基芴的鈀催化下的偶聯(lián)反應(yīng)為在含有有機堿的有機溶劑中，在有機鈀催化劑和有機磷配體的混合物的存在下，2，7-二溴代-9,9-二正丁基芴與二苯胺4姿摩爾比1:2.1在90'C反應(yīng)8小時制備。上述合成BUHI3的步驟4中，凡1^，>1，^-四苯基-9,9-二正丁基芴-2，7-二胺與NBS在氯仿中，室溫下攪拌4小時制得N，N，-雙(4-溴代苯基)-9,9-二正丁基芴-2,7-二胺。上述合成BUHI3的步驟5中，N,N，-雙(4-溴代苯基)-9，9-二正丁基藥-2,7-二胺與Ph2NH溶于有機溶劑，加入叔丁醇鈉(或叔丁醇鉀)和有機鈀催化劑和有機磷配體的混合物為催化劑，在80-120。C下(最好在90。C)反應(yīng)8-15小時制得。合成中，N，N，-雙(4-溴代苯基)-9，9-二正丁基芴-2,7-二胺與Ph2NH的摩爾比優(yōu)選1:6-1:8,有機鈀催化劑用量優(yōu)選為5-8加01%(相對于N，N，-雙(4-溴代苯基)-9，9-二正丁基芴-2,7-二胺)，叔丁醇鈉(或叔丁醇鉀)摩爾比用量優(yōu)選為Ph2NH的兩倍。本發(fā)明所述的有機溶劑優(yōu)選為干燥曱苯，所述的有機鈀催化劑和有機磷配體的混合物可以是Pd(dba)2/P0-Bu)3或者Pd(OAc)2/P(>Bu)3,最好是Pd(dba)2/P(>Bu)3,其中dba是對節(jié)基丙酮，^Bu為井又丁基。本發(fā)明合成的N，N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物分子內(nèi)含有處于共軛體系的6個共平面氮原子，具有比較低的氧化電位。本發(fā)明的化合物可用作有機電致發(fā)光器件的空穴注入層的注入材料。本發(fā)明所述的有機電致發(fā)光器件，包括夾在陰陽極之間的發(fā)光層，在所述陽極和發(fā)光層之間具有空穴注入層，所述空穴注入層填充包含N，N，-雙(三苯胺基)藥二胺類衍生物的注入材料。所述N,N，-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物為N,N，-雙(4-N，N-二苯氨基苯基)9，9-二烴基芴-2,7-二胺(BUHI)，當(dāng)R產(chǎn)R2=n-C4H9時，所述N,N，-雙(三苯胺基)芴二胺書亍生物為N,N，-雙(4-N，N-二苯氨基苯基)9,9-二正丁基芴-2,7-二胺(BUHD)。在所述空穴注入層中，所述N,N，-雙(三苯胺基)藥二胺類衍生物最好作為空穴注入層的主體材料，所述空穴注入層還包括還包括具有電子受體特征的P型摻雜材料，如常用摻雜材料為F4-TCNQ(2,3，5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二曱烷)。所述空穴注入層厚度為30-300nm。所述有機電致發(fā)光器件還包括基片層、空穴傳輸層、電子注入層和傳輸層，自下而上依次為所述基片層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層和傳輸層、陰極。所述陽極由功函數(shù)較高的金屬、金屬氧化物、碳黑、導(dǎo)電聚合物制得；陰極是由較低功函數(shù)的金屬或金屬合金構(gòu)成。在OLED中，P型摻雜的BUffl或BUHI3作為陽極載流子的注入層，不但能保證有機材料與電極的良好歐姆接觸，有利于空穴的注入，還可提高空穴的傳輸效率，降低器件的驅(qū)動電壓，使器件的效率得到提高。所述BUHI是一類熱穩(wěn)定性和形態(tài)穩(wěn)定的空穴注入材料，以BUHI3為例，其中R尸R2=n-C4H9，其Tg-126。C,Tdec=521°C。在BUHI3的氯仿溶液中加入具有電子受體特征的摻雜材料，例如為F4-TCNQ,由于BUHI3的HOMO(5.07eV)電子轉(zhuǎn)移到F4-TCNQ的LUMO(5.24eV),紫夕卜可見吸收光鐠的長波區(qū)出現(xiàn)明顯的吸收峰(見圖3)，其結(jié)果提高空穴注入能力。在純空穴器件1和2(器件1:ITO/BUHI3(60nm)/Au;器件2:ITO/BUHI3+2%F4-TCNQ(60nm)/Au其中ITO為方塊電阻1020歐的透明電極，BUHI3為空穴傳輸半導(dǎo)體，F(xiàn)4-TCNQ為摻雜材料)中，摻雜了F4-TCNQ的BUffl3電荷遷移率比單獨的BUHI3大兩個數(shù)量級(見圖2)。當(dāng)應(yīng)用于OLED器件后，與P型摻雜體系2-TNATA(F4-TCNQ)相比較，P型摻雜體系BUHI3(F4-TCNQ)增強了空穴傳輸層的導(dǎo)電性，提高了器件的熱穩(wěn)定性，降低工作電壓，提高發(fā)光效率。(見表l)表1:P型摻雜BUHI3和P型摻雜2-TNATA的器件性能比較<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>器件3:ITO/2-TNATA(1.5%F4-TCNQ)(150nm)/NPB(10nm)/Alq(60nm)/LiF(lran)/Al.器件4:ITO/BUHI3(1.5%F4-TCNQ)(150nm)/NPB(10nm)/Alq(60nm)/LiF(lnm)/Al.(BUHI3和2-TNATA的沉淀速率是0.2nm/s)在實驗中我們還發(fā)現(xiàn)器件的性能隨P型摻雜空穴注入層BUHI3(F4-TCNQ)的厚度變化甚微。(見表2)表2.P型摻雜BUHI3(F4-TCNQ)空穴注入材料的厚度對OLED性能的影<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>器件5:ITO/BUHI3:(l.6%F4-TCNQ)(500A)/NPB(l00A)/Alq(600A)/LiF(l0A)/Al器件6:ITO/BUHI3:(1.6%F4-TCNQ)(1000A)/NPB(100A)/Alq(600A)/LiF(10A)/Al器件7:ITO/BUHI3:(1.6%F4-TCNQ)(1500A)/NPB(100A)/Alq(600A)/LiF(10A)/Al器件8:ITO/BUHI3:(1.6%F4-TCNQ)(1700A)/NPB(100A)/Alq(600A)/LiF(10A)/A1此外，當(dāng)BUHI中R為苯基時，使用F4-TCNQ作為摻雜材料，其電荷移動率沒有明顯變化。圖l展示了摻雜的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)100。其中，101層代表基片，102層代表陽極，103層代表空穴注入層，該層為本發(fā)明的關(guān)鍵，其厚度為30-300nm，104層代表空穴傳輸層，105層代表發(fā)光層，106層代表電子注入層和傳輸層，107層代表陰極?；?01是器件100的支撐層，可以為石英片、玻璃片、金屬片或薄膜、塑料膜。陽極102置于基片101之上，一般地，由功函數(shù)較高的金屬(金、銀、鋁、鎳等)、金屬氧化物(氧化銦、氧化錫等)、碳黑、導(dǎo)電聚合物等制得。陰極107是由較低功函數(shù)的金屬或金屬合金構(gòu)成，例如鎂、鋁、銀、銦金屬或他們的合金。陰極107和陽極102—般的厚度為5-1000nm,其制作可以為真空蒸鍍或濺射；如果材料是4艮細(xì)的顆粒，如金屬、碳黑、金屬氧化物、導(dǎo)電聚合物等，電極可通過溶液的旋涂獲得；另外，電化學(xué)沉積也可以制得相應(yīng)的電極。更進(jìn)一步，陰極和陽極可以有多層結(jié)構(gòu)，例如，陰極107可以由0.1-1nm的氟化鋰和10-100nm的鋁構(gòu)成?；谧园l(fā)光的要求，至少要有一個電極是透明的，有60%以上的透過率。發(fā)光層105可以是主體材料發(fā)光，也可以是發(fā)光材料摻雜于主體材料中；可以是單發(fā)光層，也可以為多發(fā)光層；其中的發(fā)光材料既可以是熒光也可以是磷光。同樣地，電子注入和傳輸層106可以是單層，也可以為多層，其每層的組成即可以是單一材料也可以是混合材料。特別地，電子注入和傳輸材料要有良好的傳輸電子能力，有較大的電子親和能，例如，4,7-二苯基1，10-菲咯啉和8-羥基喹啉鋁。在該有機電致發(fā)光器件中，注入層采用P型摻雜的BUHI3，既能保證有機材料與電極的良好歐姆接觸，有利于空穴的注入，還可提高空穴的傳輸效率，降低器件的驅(qū)動電壓，使器件的效率得到提高。圖l.含P型摻雜的BUHI3材料的有機電致發(fā)光器件構(gòu)造圖圖2.使用F4-TCNQ摻雜的BUHI3空穴器件的電流電壓曲線圖圖3.F4-TCNQ，BUHI3和BUHI3/F4-TCNQ分別在CHC13溶液里的紫外可見光譜圖圖4.BUHB的循環(huán)伏安特性圖圖5.BUHI3的熱失重分析(TGA)圖圖6.BUHI3的示差掃描量熱分析(DSC)圖圖7.F4-TCNQ作為摻雜材料，BUHI3作為空穴注入主體材料制備的電致發(fā)光器件的工作壽命曲線圖圖8.BUHI3的iHNMR(C6D6)表征圖圖9.BUHB的13CNMR(C6D6)表征圖圖10.BUHI3的IR表4正圖圖11.BUHI3的MALDI—MS表征圖具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案，但這些實施例并不限制本
發(fā)明內(nèi)容，在發(fā)明本質(zhì)范圍內(nèi)的其它應(yīng)用以及變化和修飾也同樣包括在本發(fā)明中。實施例1:本發(fā)明所述的BUHI3可通過下列方法合成。在氮氣保護(hù)下，于100mL反應(yīng)瓶中依次加入2,7-二[N，N-二(4-溴苯基)]氨基-9,9-二正丁基芴(1.86g，2.0mmo1),二苯胺(2.04g，12.0mmo1)，叔丁醇鈉(1.54g，16.0mmo1)，將反應(yīng)瓶中的氣體置換為惰性氣體后加入40mL無水曱苯。在攪拌下，將預(yù)先準(zhǔn)備的Pd(dba)2(雙對千基丙酮92mg,0.16mmol),P(t-Bu)3(三誄又丁基磷33mg，0.16mmol)的無水曱苯(3mL)混合溶液快速加入到反應(yīng)瓶中，并于90。C下攪拌12h。反應(yīng)混合物冷卻到室溫后加入氯化銨溶液，用曱苯萃取二次。合并有機相，用飽和食鹽水洗滌和無水硫酸鈉干燥后，減壓蒸去部分溶劑，剩余溶液經(jīng)短硅膠柱快速過濾，并用甲苯?jīng)_洗。合并甲苯溶液，濃縮后，用乙酸乙酯/乙醇重結(jié)晶得到淡黃色粉末BUHB(2.26g)。收率88°/。。熱分解溫度(TGA)521。C,見圖5。示差掃描熱分析(DSC)Tg:126。C，見圖6。高分辨質(zhì)譜(MALDI-TOF,m/z)C93H80N6測定值1281.6514(M+)理論值1281.6471誤差3.35506ppm,見圖11。&NMR(400固z，C6D6，S);7.35-7.38(m，4H),7.21(dd,/=1.6，8.0Hz，2H)，7.12-7.16(m,24H),7.00-7.08(m，24H)，6.83(t，J=7.6Hz,8H),1.70-1.73(m,4H)，0.94-1.07(m,4H)，0.84-0.91(m，4H)，0.63(t，《/=7.6Hz,6H)見圖8.13C麗R(100麗z，C6D6，S);152.5，148.4,147.1，143.7，143.0，136.5，129.5，125.9,125.0，124.2，123.7,122.7,120.4，119.4，55.2，40.0，26.5,23.2，14.1見圖9。IR(KBr)見圖10。元素分析C93HsoN6測定值C87.30,H6.19，N6.40;理論值C87.15:H6.29,N6.56。實施例2:BUHI3(CHC13)，F(xiàn)4-TCNQ(CHC13),BUHI3+F4-TCNQ(CHC13)的UV-Vis見圖3。BUHB的循環(huán)伏安實驗見圖4。形成P型摻雜體系的主體材料分子BUHI3的最高占據(jù)電子軌道(HOMO)為5.07eV，摻雜分子F4-HCNQ的最低空置軌道(LUMO)為5.24eV,二者能級相近，電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移，增加了空穴傳輸?shù)膶?dǎo)電性。實施例3:本實例展示了分別由BUHI3和摻雜了F4-TCNQ的BUHB制備的純空穴傳輸器件。將ITO玻璃相繼地在清洗劑和去離子水中以超聲波清洗30分鐘。然后真空干燥2小時(120°C)，再將ITO玻璃做25分鐘的紫外/臭氧處理，傳送到真空室內(nèi)制備有機膜和金屬電極。本實驗包括兩個器件，結(jié)構(gòu)分別為器件l:ITO/BUHI3(60nm)/Au;器件2:ITO/BUHI3+2%F4-TCNQ(60nm)/Au其中ITO為方塊電阻10~20歐的透明電極，BUHI3為空穴傳輸半導(dǎo)體，F(xiàn)4-TCNQ為摻雜材料。由圖2可以看出BUHB摻雜了F4-TCNQ后，器件有良好空穴注入和導(dǎo)電性，其電流密度比器件1高出二個數(shù)量級。實施例4:本實例展示了F4-TCNQ作為摻雜材料，2-TNATA作為空穴注入主體材料而制備的電致發(fā)光器件。將no玻璃相繼地在清洗劑和去離子水中以超聲波清洗30分鐘。然后真空干燥2小時(120°C),再將ITO玻璃做25分鐘的紫外/臭氧處理，傳送到真空室內(nèi)制備有機膜和金屬電極。本實驗器件結(jié)構(gòu)為ITO/2-TNATA(1.5%F4-TCNQ)(150nm)/NPB(10nm)/Alq(60nm)/LiF(lnm)/Al(器件3)。其中ITO玻璃為陽極，2-TNATA(F4-TCNQ)作空穴注入層，NPB為空穴傳輸層，Alq為發(fā)光層和電子傳輸層，LiF為電子注入層，鋁為陽極。此器件的開起電壓為2.6V，電流密度為每平方厘米20毫安時電流效率為4.3cd/A,驅(qū)動電壓為6.7V。亮度為100尼特的工作壽命為15000小時。實施例5:本實例展示了F4-TCNQ作為摻雜材料，BUHI3作為空穴注入主體材料而制備的電致發(fā)光器件。將ITO玻璃相繼地在清洗劑和去離子水中以超聲波清洗30分鐘。然后真空干燥2小時(120°C)，再將ITO玻璃做25分鐘的紫外/臭氧處理，傳送到真空室內(nèi)制備有機膜和金屬電極。本實一驗器件結(jié)構(gòu)為ITO/BUHI3(1.5%F4-TCNQ)(150nm)/NPB(l0nm)/Alq(60nm)/LiF(1nm)/A1.(器件4)。其中ITO玻璃為陽極，BUHB(F4-TCNQ)作空穴注入層，NPB為空穴傳輸層，Alq為發(fā)光層和電子傳輸層，LiF為電子注入層，鋁為陽極。此器件的開起電壓為2.6V,電流密度為每平方厘米20毫安時電流效率為4.6cd/A，驅(qū)動電壓為6.1V。在亮度為100尼特時工作壽命為15300小時。盡管器件3與器件4的工作壽命相近，大約為15000小時，但器件4有較低的工作電壓和較高的發(fā)光效率，反映了P型摻雜BUHI3體系空穴注入性能更佳。實施例6:本實例展示了BUHI3為空穴注入主體材料，纟參雜不同厚度的F4-TCNQ制備的電致發(fā)光器件。將ITO玻璃相繼地在清洗劑和去離子水中以超聲波清洗30分鐘。然后真空干燥2小時U20。C)，再將ITO玻璃做25分鐘的紫外/臭氧處理，傳送到真空室內(nèi)制備有機膜和金屬電極。本.實驗包括器件5，6，7,8。其結(jié)構(gòu)差別僅是摻雜的F4-TCNQ厚度不同。由于粗糙的ITO陽極表面會增加元件短路幾率，通過摻雜物增加空穴層厚度，可緩減這種負(fù)面影響。但這又往往需要增加器件的工作電壓，從而縮短器件的使用壽命。由表2可知，BUHI3摻雜不同厚度的F4-TCNQ的空穴注入層對發(fā)光器件的工作電壓，色座坐標(biāo)沒有引起改變，由此可見，16采用P型摻雜BUHI3作空穴材料，其厚度對OLED器件性能沒有影響。器件5-8的構(gòu)成分別為器件5:ITO/BUHI3:(1.6%F4-TCNQ)(500A)/NPB(l00A)/Alq(600A)/LiF(l0A)/Al器件6:ITO/BUHI3:(1.6%F4-TCNQ)(1000A)/NPB(IOOA)/Alq(600A)/LiF(lOA)/Al器件7:ITO/BUHI3:(1.6%F4-TCNQ)(1500A)/NPB(100A)/Alq(600A)/LiF(lOA)/Al器件8:ITO/BUHI3:(1.6%F4-TCNQ)(1700A)/NPB(IOOA)/Alq(600A)/LiF(lOA)/Al其中，ITO:氧化銦錫導(dǎo)電玻璃；Alq3:三(8-羥基喹啉合鋁)BUHI32-TNATA權(quán)利要求1.下述通式(I)的化合物其中R1和R2為C1-C20烷基、苯基或芐基，R1和R2可以相同也可以不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征是所述的R4和R2均為正丁基。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物的制備方法，包含如下步驟在含有有機堿的有機溶劑中，在有機釔催化劑和有機磷配體的混合物存在下，N,N，-雙(4-溴苯基)-9,9-二烴基藥-2,7-二胺與Ph2NH反應(yīng)制備，其中N,N，-雙(4-渙苯基)-9，9-二烴基芴-2，7-二胺中的烴基如權(quán)利要求1中R4和R2所定義。4.才艮據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征是所述的反應(yīng)在80-120。C反應(yīng)6-12小時，所述的N，N，-雙(4-溴苯基)-9，9-二烴基芴-2，7-二胺與Ph2NH的摩爾比為1:6-1:8。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征是所述的N,N，-雙(4-溴苯基)-9，9-二烴基藥-2，7-二胺由下述方法制備N，N，N，，N，-四苯基-9,9-二烴基藥-2，7-二胺與NBS在氯仿溶液中，室溫下攪拌4小時制得，其中N,N，-雙(4-溴苯基)-9，9-二烴基芴-2，7-二胺以及N，N，N，，N，-四苯基-9,9-二烴基芴-2,7-二胺中的烴基如權(quán)利要求1中的和R2所定義。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征是所述的有機溶劑為干燥甲苯；所述的有機堿為叔丁醇鈉或叔丁醇鉀;所述的有機鈀催化劑和有機磷配體的混合物可以是Pd(dba)2與P0-Bu)3或者Pd(OAc)2與P(>Bu)3。7.如權(quán)利要求1或2所述的化合物用作具有多層有機功能層的電致發(fā)光器件的空穴注入材料的用途。8.—種有機電致發(fā)光器件包括夾在陰陽極之間的發(fā)光層，在所述陽極和發(fā)光層之間具有空穴注入層，其特征在于空穴注入層填充如權(quán)利要求1或2所述的化合物的注入材料。9.如權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述空穴注入層包含用作主體材料的如權(quán)利要求1或2所述的化合物的注入材料,還包括具有電子受體特征的P型摻雜材料。10.如權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于所述摻雜材料為·2，3，5,6-四氟-7，7，8,8-四氰基醌二曱步克。全文摘要本發(fā)明涉及通式(I)的N，N’-雙(三苯胺基)芴二胺衍生物，其中R₁和R₂表示C₁-C₂₀烷基、苯基或芐基，R₁和R₂可以相同也可以不同。本發(fā)明還涉及該化合物的制備方法，以及該化合物用作有機電致發(fā)光器件的空穴注入層材料的用途，以及含該有機空穴注入材料的有機電致發(fā)光器件。在有機電致發(fā)光器件注入層采用該化合物，既能保證有機材料與電極的良好歐姆接觸，有利于空穴的注入，還可提高空穴的傳輸效率，降低器件的驅(qū)動電壓，使器件的效率得到提高，且空穴注入材料的厚度不影響器件的性能。文檔編號H01L51/54GK101671256SQ20081021201公開日2010年3月17日申請日期2008年9月11日優(yōu)先權(quán)日2008年9月11日發(fā)明者夏萍芳,謝國偉,陳金鑫,高志強,黃文成申請人:香港浸會大學(xué)