專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其涉及一種能夠提高電容 器的可靠性和電容并改善器件集成度的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器半 導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在存儲(chǔ)器部分和數(shù)字/模擬邏輯部分被同時(shí)制造的復(fù)雜芯片的制造過程 中，在實(shí)現(xiàn)所有必需工藝的理想特性的同時(shí)，限制附加工藝的增加是非常重 要的。
當(dāng)前正在進(jìn)行努力以通過半導(dǎo)體器件的更高速度和更高集成度來降低 制造成本和減少電能消耗。 一個(gè)方面的努力是已經(jīng)開發(fā)了在單個(gè)芯片中同時(shí) 包括低電壓器件和高電壓器件的芯片上系統(tǒng)(System-On-Chip， SOC)器件。
在SOC器件中，雖然數(shù)字器件的特性重要，但是諸如電阻器、電感線 圈和電容器之類的模擬器件的特性尤其重要。因此需要一種器件制造方法， 其通過改善模擬器件尤其是電容器來制造具有更高器件集成水平的器件。
圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的MIM電容器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。參照圖1，現(xiàn)有技 術(shù)的MIM電容器1可包括硅(Si)半導(dǎo)體襯底10和依次形成于半導(dǎo)體襯底 10上方的第一硅絕緣層20和下金屬層30。第二氮化硅(SiN)絕緣層22可 形成于下金屬層30的上方。電容器下金屬層40和42可依次形成在部分第 二 SiN絕緣層22的上方。電容器介電層24可形成在電容器下金屬層40和 42的上方。電容器上金屬層44可形成為通過插置在電容器上金屬層44和電 容器下金屬層40、 42之間的電容器介電層24而與電容器下金屬層40、 42
重疊。絕緣層26可形成在電容器介電層24和電容器上金屬層44的整個(gè)表 面的上方。可省略在MIM電容器1的金屬層上形成的接合金屬層、接觸塞、 連接布線等的圖示。
具有上述結(jié)構(gòu)的MIM電容器1必須包括具有高介電常數(shù)的電容器介電 層24，以提高器件的集成度。近來， 一直需要具有更高介電常數(shù)的增強(qiáng)的電 容器介電層24，以提供具有約2fF/cn^至4fF/cr^范圍的電容密度，并且在 極端情況下提供高于4fF/cm2的電容密度。
為了獲得4fF/cn^或更高的電容密度，在電容器介電層24由商業(yè)上廣泛 使用的等離子體增強(qiáng)氮化硅(PE-SiN)制成的情況下，電容器介電層24必 須具有30nm或更薄的厚度。
然而，具有30nm或更薄厚度的PE-SiN電容器介電層會(huì)導(dǎo)致SiN的異常 沉積和導(dǎo)致器件的可靠性變差。為了克服這種問題，嘗試替代SiN而使用 A1203或HfO基材料形成介電層。然而，這些材料需要實(shí)施原子層沉積(ALD) 工藝，結(jié)果由于該工藝固有的特性會(huì)不可避免地產(chǎn)生粒子(particles)。
此外，當(dāng)使用Al203或HfO基材料實(shí)施ALD工藝時(shí)，總體制造方法是 復(fù)雜的。必須增加用于去除在ALD工藝期間產(chǎn)生的粒子的工藝。結(jié)果，該 復(fù)雜的總體制造方法表現(xiàn)出低的制造效率和增加最終半導(dǎo)體器件的成本的 缺點(diǎn)。為了解決上述問題，需要一種能夠提高制造效率的電容器介電層的新 結(jié)構(gòu)及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其涉及一種能夠提高電容 器的可靠性和電容并最大化器件集成密度的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容 器半導(dǎo)體器件及其制造方法。實(shí)施例涉及一種MIM電容器半導(dǎo)體器件及其 制造方法，其中電容器介電層可具有30nm或更薄的厚度，從而能夠提高M(jìn)IM 電容器的電容并最大化半導(dǎo)體器件的集成密度，同時(shí)能夠防止半導(dǎo)體器件的 漏電流。
實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件，其包括半導(dǎo)體襯底；電容器下金屬層， 形成在該半導(dǎo)體襯底的上方；SIN電容器介電層，形成在該電容器下金屬層 的上方并具有約30nm或更薄的厚度；以及電容器上金屬層，形成在該電容器介電層的一部分的上方并與該電容器下金屬層重疊。
可通過SiN層表面與一混合物之間的遠(yuǎn)程等離子體反應(yīng)形成該電容器介
電層，其中該混合物為柳3或,3氣體與氬(Ar)氣體的混合物。該半導(dǎo)體
襯底可包括氟摻雜的硅酸鹽玻璃(FSG)層、第一SiH4氧化物絕緣層和SiN
層。該電容器下金屬層和該電容器上金屬層中的每一個(gè)可由Ti層或TiN層
形成，或者由Ti層和TiN層形成。該Ti層可具有1000A至1600A的厚度，
該TiN層可具有200A至800A的厚度。
實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括如下步驟在包括多個(gè)層 的半導(dǎo)體襯底的上方形成電容器下金屬層；在該電容器下金屬層的上方形成
SiN層；通過遠(yuǎn)程等離子體工藝使SiN層的表面與一混合物發(fā)生反應(yīng)，以形 成具有約30nm或更薄厚度的電容器介電層，其中該混合物為鄉(xiāng)3和皿3氣 體中的至少一種與Ar氣體的混合物；以及在該電容器介電層的上方形成電 容器上金屬層。
可使用約1000sccm至3000sccm的NF3或NH3氣體與約500sccm至 3000sccm的Ar氣體的混合物，在大約4Torr至30Torr的壓力和大約100W 至400W的功率下，對該SiN層的表面實(shí)施該遠(yuǎn)程等離子體工藝。


圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的MIM電容器的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 示例圖2是示出根據(jù)實(shí)施例的MIM電容器半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 示例圖3A至圖3H是示出根據(jù)實(shí)施例制造MIM電容器半導(dǎo)體器件的方 法的過程剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖描述根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法。示例圖2 是示出根據(jù)實(shí)施例的MIM電容器半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。在示例圖2 中，僅示出了整個(gè)MIM電容器半導(dǎo)體器件的與實(shí)施例相關(guān)的電容器區(qū)。其 余區(qū)可具有與現(xiàn)有技術(shù)的MIM電容器半導(dǎo)體器件相同的結(jié)構(gòu)，因此省略了 它們的示圖。
參照示例圖2，根據(jù)實(shí)施例的MIM電容器半導(dǎo)體器件100包括半導(dǎo)體襯底110，半導(dǎo)體襯底110包括氟摻雜的硅酸鹽玻璃(Fluorine-doped Silicate Glass, FSG)層112。第一 SiH4氧化物絕緣層114和SiN層124可依次形成 在硅晶片的上方。包括多個(gè)金屬層142和144的電容器下金屬層140可形成 在半導(dǎo)體襯底110的上方。薄電容器介電層150可形成在電容器下金屬層140 的上方。包括多個(gè)金屬層162和164的電容器上金屬層160可形成在電容器 介電層150的部分區(qū)域的上方，以與電容器下金屬層140重疊。第二 SiH4 氧化物絕緣層118可形成為覆蓋包括電容器下金屬層140、電容器介電層150 和電容器上金屬層160的MIM電容器區(qū)?？稍诎雽?dǎo)體襯底110的整個(gè)表面 的上方依次形成FSG層126、第三二元原硅酸四乙酯(Dual-TetraEthyl OrthoSilicate，D-TEOS)絕緣層132、 SiN層128和第四D-TEOS絕緣層130。
MIM電容器半導(dǎo)體器件100還可以包括第一和第二接合金屬層170、 180，第一和第二接合金屬層170、 180可由導(dǎo)電金屬形成并穿透MIM電容 器區(qū)上方的第四絕緣層130和SiN層128?？捎蓪?dǎo)電金屬(例如銅(Cu)) 形成的第一接觸層172可穿透第二和第三絕緣層118、 132，從而使第一接合 金屬層170與電容器上金屬層160彼此電連接?？捎蓪?dǎo)電金屬(例如Cu) 形成的第二接觸層182可穿透第二和第二絕緣層118、 132以及電容器介電 層150，從而使第二接合金屬層180與電容器下金屬層140彼此電連接。電容器下金屬層140和電容器上金屬層160可分別包括由鈦(Ti)制成的第一 金屬層142、 164和由氮化鈦(TiN)制成的第二金屬層144、 162。
雖然上面的描述教導(dǎo)了包括由Ti和TiN形成的多個(gè)金屬層的上、下電 容器金屬層140和160的實(shí)例，但是上、下電容器金屬層140和160中的至 少一個(gè)可以僅包括由Ti或TiN形成的單個(gè)金屬層而非多個(gè)層。
根據(jù)實(shí)施例的MIM電容器半導(dǎo)體器件100具有SiN電容器介電層150， 其可形成為具有30nm或更薄的厚度，從而實(shí)現(xiàn)了 MIM電容器中的增強(qiáng)電容 密度處于約2ff/cm2至4fF/cm2或更大的范圍。
此外，實(shí)施例使電容器的物理尺寸(即面積)減小，因此具有更高的器 件集成密度。參照下面的公式1能夠理解這個(gè)特征。
公式l
此處，"C"表示電容器的電容，"SQ"表示真空介電常數(shù)，"&"表示 介電層的介電常數(shù)，"A"表示介電層的面積，以及"t"表示介電層的厚度。
如圖2所示以及公式1，電容器的電容根據(jù)電容器介電層150的厚度以及電 容器金屬層140和160的面積發(fā)生變化。
更具體地說，為提高電容器的電容，需要減小電容器介電層150的厚度 或者需要增大電容器金屬層140和160的面積。雖然上述兩種方法均能提高 電容器的電容，但是增大電容器金屬層140和160的面積會(huì)導(dǎo)致整個(gè)半導(dǎo)體 器件的面積增大，使得不可能改善器件的集成密度。因此，在根據(jù)實(shí)施例的 MIM電容器半導(dǎo)體器件100中，希望通過最小化電容器介電層150的厚度來 提高M(jìn)IM電容器的電容。通過這種結(jié)構(gòu)，能夠提高電容器的電容同時(shí)改善 半導(dǎo)體器件的集成密度。
然而，當(dāng)試圖形成具有30nm或更薄厚度的MIM電容器介電層150時(shí)， 如上面關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)問題的描述，電容器介電層150可能表現(xiàn)出由于制造過 程中的問題而產(chǎn)生的晶格擊穿(lattice breakdown)現(xiàn)象，由此導(dǎo)致漏電流 (currentleakage)。不利地，漏電流會(huì)降低半導(dǎo)體器件的特性。另外，當(dāng)電 容器介電層150由Al203或HfO基材料形成時(shí)，必須實(shí)施ALD工藝，從而 使整個(gè)制造過程變得復(fù)雜并降低了制造效率。
根據(jù)實(shí)施例的MIM電容器半導(dǎo)體器件100可具有由SiN制成的、并具 有30nm或更薄厚度的電容器介電層150。為了實(shí)現(xiàn)這些特征，在實(shí)施例中， 可使用NF3或NH3氣體與氬(Ar)氣體的混合物對SiN電容器介電層150進(jìn) 行等離子體反應(yīng)。
在等離子體反應(yīng)中，可對SiN電容器介電層150實(shí)施遠(yuǎn)程等離子體工藝 (remote plasma process)，以僅使NF3或NH3氣體與Ar氣體的混合物中的 N+與SiN層的表面發(fā)生反應(yīng)。由此，SiN電容器介電層150能被形成為具有 30nm或更薄的厚度。SiN電容器介電層150是穩(wěn)定的而不存在晶格擊穿的風(fēng) 險(xiǎn)。與在近距離實(shí)施的常規(guī)等離子體工藝相比，遠(yuǎn)程等離子體工藝以自動(dòng)的 方式在遠(yuǎn)范圍執(zhí)行。因此，能夠遠(yuǎn)程實(shí)施使用有毒氣體的工藝，實(shí)現(xiàn)了操作
的穩(wěn)定性。
在實(shí)施例中，對遠(yuǎn)程等離子體工藝的實(shí)施舉例說明如下。為形成如上所
述的SiN電容器介電層150，可使用約1000sccm至3000sccm的NF3或NH3 氣體。工藝壓力(process pressure)的范圍約為4Torr至30Torr。與鄉(xiāng)3或 NH3氣體一起，可使用500sccm至3000sccm的Ar氣體。此處，"sccm"是 每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升的縮寫形式。可使用100W至400W的RF功率。
能夠理解，根據(jù)實(shí)施例的具有上述結(jié)構(gòu)的MIM電容器半導(dǎo)體器件100 能夠提高電容器的電容并改善器件的集成度。此外，MIM電容器半導(dǎo)體器件 100表現(xiàn)出優(yōu)良的漏電壓特性以及上述優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了器件的安全性。
示例圖3A至圖3H是示出根據(jù)實(shí)施例制造MIM電容器半導(dǎo)體器件的方 法的過程剖視圖，下面將對其進(jìn)行描述。如示例圖3A所示，在半導(dǎo)體硅晶 片的上方依次形成FSG層112、第一SiH4氧化物絕緣層114和SiN層124， 以形成半導(dǎo)體襯底110。
此處，三個(gè)層112、 114禾t1 124是分別通過氟化反應(yīng)、氧化反應(yīng)和硅(Si) 的氮化反應(yīng)制備的FSG、 SiH4氧化物和SiN層。接下來如示例圖3B所示， 在半導(dǎo)體襯底110的部分區(qū)域的上方依次形成Ti層142和TiN層144，以形 成電容器下金屬層140?？蓪i層142形成為厚度約1000A至1600A，而將 TiN層144形成為厚度約200A至800A。
接下來，可在電容器下金屬層140的上方形成SiN電容器介電層150。 此處，電容器介電層150可通過如下步驟形成，即沉積30nm或更薄厚度的 SiN層，隨后使用遠(yuǎn)程等離子體器件152通過遠(yuǎn)，呈等離子體工藝使該SiN層 與這樣的混合物(即NF3或皿3氣體154與Ar氣體的混合物)發(fā)生反應(yīng)。 當(dāng)通過遠(yuǎn)程等離子體工藝使具有30nm或更薄厚度的薄SiN層暴露于術(shù)3或 NH3氣體154與Ar氣體的混合物時(shí)，該混合物中的N+與SiN層的表面發(fā)生 反應(yīng)而沒有等離子體損傷，從而能夠穩(wěn)定地形成SiN電容器介電層150，而 不會(huì)發(fā)生SiN層的晶格擊穿現(xiàn)象。
如下給出舉例說明遠(yuǎn)程等離子體工藝條件的實(shí)施例。在形成SiN電容器 介電層150的過程中，可以使用1000sccm至3000sccm的NF3或NH3氣體。 工藝壓力的范圍為4Torr至30Torr。與NF3或NH3氣體一起，可使用500sccm 至3000sccm的Ar氣體?？墒褂?00W至400W的RF功率。
之后，如示例圖3C所示，可在電容器介電層150的部分區(qū)域的上方依 次形成TiN層162和Ti層164，以形成電容器上金屬層160。 Ti層164可被 形成為具有1000A至1600A的厚度，而TiN層被形成為具有200A至800A 的厚度。
接下來，可形成第二 SiH4氧化物絕緣層118，以覆蓋MIM電容器區(qū)140、 150和160?？稍诎雽?dǎo)體襯底110的上方依次形成FSG層126和第三D-TEOS 絕緣層132。
如示例圖3D所示，根據(jù)實(shí)施例可執(zhí)行使用第一光致抗蝕劑190作為掩 模的蝕刻工藝，以暴露電容器上金屬層160的部分區(qū)域和電容器下金屬層140 的部分區(qū)域。從而可在這兩個(gè)暴露區(qū)域中分別形成溝槽126a和126b。用以 暴露電容器下金屬層140的部分區(qū)域的第一溝槽126a可穿透電容器介電層 150、第二SiH4氧化物絕緣層118、 FSG層126和第三D-TEOS絕緣層132。 用以暴露電容器上金屬層160的第二溝槽126b可穿透第二 SiH4氧化物絕緣 層118、 FSG層126和第三D-TEOS絕緣層132?？捎弥T如Cu的金屬填充第 一和第二溝槽126a、126b，以形成如示例圖3E所示的第一和第二接觸層172、 182。
如示例圖3F所示，可在半導(dǎo)體襯底110的整個(gè)表面的上方依次形成SiN 層128和第四D-TEOS絕緣層130。接下來，如示例圖3G所示，可執(zhí)行使 用第二光致抗蝕劑194作為掩模的蝕刻工藝，以在電容器下金屬層140的上 方和電容器上金屬層160的上方分別形成溝槽128a和128b。
這里，第三溝槽128a可穿透電容器下金屬層140上方的SiN層128和 第四D-TEOS絕緣層130。第四溝槽128b可穿透電容器上金屬層160上方的 SiN層128和第四D-TEOS絕緣層130。
之后，如示例圖3H所示，可用諸如Cu的金屬填充第三和第四溝槽128a、 128b，以形成與第一和第二接觸層172、 182電連接的第一和第二接合金屬 層170、 180。由此電容器上金屬層160和第一接合金屬層170可通過插置在 它們之間的第一接觸層172彼此電連接。電容器下金屬層140和第二接合金 屬層180可通過插置在它們之間的第二接觸層182彼此電連接。
利用根據(jù)實(shí)施例的MIM電容器半導(dǎo)體器件的制造方法，能夠形成具有 30nm或更薄厚度的MIM電容器的SiN電容器介電層150，而不會(huì)產(chǎn)生晶格
擊穿現(xiàn)象。這能夠防止由于晶格擊穿而導(dǎo)致的漏電流(current leakage)，從 而提高了器件的可靠性。
此外，利用根據(jù)實(shí)施例的MIM電容器半導(dǎo)體器件的制造方法，具有30nm 或更薄厚度的SiN電容器介電層150能夠?qū)崿F(xiàn)所需的2flF/cr^至4ff/cn^或更 大的MIM電容器電容，而不會(huì)增大器件的面積。因此能夠改善器件的集成 度，從而提高器件的制造效率。
從上面的描述可清楚，根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件具有提高M(jìn)IM電容器 的電容和最大化器件集成密度的效果。此外，該半導(dǎo)體器件能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的 漏電壓特性，確保了器件的安全性。
另外，利用根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，能夠形成厚度為30nm 或更薄的MIM電容器的電容器介電層，而不會(huì)發(fā)生晶格擊穿現(xiàn)象。這能夠 防止由于晶格擊穿而導(dǎo)致的漏電流，從而實(shí)現(xiàn)了提高器件的可靠性。
此外，在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法中，通過形成具有30nm 或更薄厚度的電容器介電層，能夠?qū)IM電容器的電容提高到2fF/ci^至 4fF/ci^或更大，而不會(huì)增大器件的面積。從而具有最大化器件的集成密度并 因此最大化器件的制造效率的效果。
對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯地和顯然地，可對所公開的實(shí)施例進(jìn)行各種 修改和改變。因此，如果這些修改和改變處于所附權(quán)利要求及其等效的范圍 內(nèi)，則意味著所公開的實(shí)施例覆蓋了這些明顯的或顯然的修改和改變。
權(quán)利要求
1. 一種裝置，包括半導(dǎo)體襯底；電容器下金屬層，形成在該半導(dǎo)體襯底的上方；SiN電容器介電層，具有約30nm或更薄的厚度，并形成在該電容器下金屬層的上方；以及電容器上金屬層，形成在該電容器介電層的一部分的上方，并且該電容器上金屬層與該電容器下金屬層重疊。
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該電容器介電層是通過SiN層表面與 NF3氣體和氬氣體的混合物之間的遠(yuǎn)程等離子體反應(yīng)形成的。
3. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該電容器介電層是通過SiN層表面與 NH3氣體和氬氣體的混合物之間的遠(yuǎn)程等離子體反應(yīng)形成的。
4. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該半導(dǎo)體襯底包括氟摻雜的硅酸鹽玻 璃層、第一SiH4氧化物絕緣層和SiN層。
5. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該電容器下金屬層和該電容器上金屬 層中的每一個(gè)由Ti層和TiN層中至少一個(gè)形成。
6. 如權(quán)利要求1所述的裝置，包括第二絕緣層，形成為覆蓋金屬-絕緣體-金屬的電容器區(qū)，該金屬-絕緣體 -金屬的電容器區(qū)包括該電容器下金屬層、該電容器介電層和該電容器上金屬 層；以及氟摻雜的硅酸鹽玻璃層、第三二元原硅酸四乙酯絕緣層、SiN層和第四 二元原硅酸四乙酯絕緣層，在該半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面的上方依次形成。
7. 如權(quán)利要求6所述的裝置，包括第一接合金屬層和第二接合金屬層，由導(dǎo)電金屬形成并穿透該第四絕緣 層和該SiN層。
8. 如權(quán)利要求7所述的裝置，包括第一接觸層，由導(dǎo)電材料形成并穿透該第二絕緣層和該第三絕緣層，以 使該第一接合金屬層與該電容器上金屬層彼此電連接。
9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，包括第二接觸層，由導(dǎo)電材料形成并穿透該第二絕緣層、該第三絕緣層和該 電容器介電層，以使該第二接合金屬層與該電容器下金屬層彼此電連接。
10. —種方法，包括如下步驟在包括多個(gè)層的半導(dǎo)體襯底的上方形成電容器下金屬層； 在該電容器下金屬層的上方形成SiN層；通過遠(yuǎn)程等離子體工藝使該SiN層的表面與一混合物發(fā)生反應(yīng)，以形成 具有約30nm或更薄厚度的電容器介電層，其中該混合物為NF3和NH3氣體 中的至少一種與Ar氣體的混合物；以及在該電容器介電層的上方形成電容器上金屬層。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中使用NF3和NH3氣體至少之一的混 合物對該SiN層的表面實(shí)施該遠(yuǎn)程等離子體工藝。
12. 如權(quán)利要求ll所述的方法，其中使用Ar氣體對該SiN層的表面實(shí) 施該遠(yuǎn)程等離子體工藝。
13. 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中該半導(dǎo)體襯底包括摻雜的硅酸鹽玻 璃層、SiHt氧化物層和SiN層。
14. 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中該電容器下金屬層和該電容器上金 屬層中的每一個(gè)由Ti層和TiN層中至少一個(gè)形成。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該Ti層具有約IOOOA至1600A的 厚度。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該TiN層具有約200A至800A的厚度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種能夠提高電容器的可靠性和電容并最大化器件的集成密度的MIM電容器半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底；電容器下金屬層，形成在該半導(dǎo)體襯底的上方；SiN電容器介電層，具有約30nm或更薄的厚度并形成在該電容器介電層的上方；以及電容器上金屬層，形成在該電容器介電層的一部分的上方并與該電容器下金屬層重疊。
文檔編號H01L23/522GK101383381SQ20081021381
公開日2009年3月11日 申請日期2008年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月7日
發(fā)明者李漢春 申請人:東部高科股份有限公司