專利名稱：具有可調(diào)整特征阻抗和特征波長的微條狀線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微條狀線結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種具有可調(diào)整的特征阻抗和 可調(diào)整的特征波長的微條狀線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在微波電路應(yīng)用領(lǐng)域中，傳輸線為重要的構(gòu)件。這些元件提供微波電路 中有源元件和無源元件之間的互連，并且也用作阻抗匹配元件。微條狀線為
傳輸線的一種類型，其廣泛地用于單石化微波集成電路(monolithic microwave integrated circuit，簡稱MMIC)應(yīng)用中。
當(dāng)應(yīng)用于MMIC領(lǐng)域時(shí)，上述微條狀線具有許多優(yōu)點(diǎn)。首先，由于上述 微條狀線是由基底上的導(dǎo)電面所構(gòu)成，這些元件可輕易地相容于集成電路的 制造工藝中。有鑒于此，微條狀線可整合在一般集成電路，例如互補(bǔ)式金屬 氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路，所使用的基底上。
圖1顯示一傳統(tǒng)的微條狀線2設(shè)置于基底4上。微條狀線2包括信號(hào)線 6，接地面8其為一實(shí)心金屬面，以及(多層)介電層10，其將信號(hào)線6自接 地面8隔離，且因此降低該基底誘發(fā)的損失。然而，形成該接地面8已引發(fā) 許多缺點(diǎn)。隨著后段制造工藝持續(xù)地微縮化，信號(hào)線6與接地面8之間的垂 直距離H顯著地變小，且因此需要將信號(hào)線6逐漸地變窄，以達(dá)到所要的特 征阻抗。因此，在微條狀線中的歐姆損失逐漸地變得更為顯著。并且于微條 狀線2和網(wǎng)路裝置之間需要更佳的阻抗匹配。更有甚者，受限于信號(hào)線6與 接地面8之間的垂直距離D1，其距離具有小的空間供微調(diào)，接地面8變成 調(diào)整微條狀線2的特征阻抗的障礙。
此外，微條狀線一般占據(jù)大的芯片面積。例如，在50GHz， Si02介電材 料的電磁波長大約為3000微米0im)。有鑒于此，微條狀線2的長度L1需求 必須微至少該波長的四分之一，也就是說波長約750微米0im)，以匹配網(wǎng)路 阻抗，致使微條狀線2占據(jù)過多的面積。隨著集成電路持續(xù)地微縮化，該微條狀線的芯片面積需求變成瓶頸，阻礙微波元件和采用CMOS元件的集成電
路的集成化整合。
有鑒于此，業(yè)界亟需一種微條狀線，其可整合接地面的優(yōu)點(diǎn)，伴隨降低 基底損失，而同時(shí)以克服先前技術(shù)的缺失。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一形態(tài)， 一種微條狀線結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電接地面，其具有一 條狀開口被該接地面所環(huán)繞。該條狀開口自該接地面的一頂表面向一底表面 延伸，以及其中該接地面為一導(dǎo)體。該微條狀線結(jié)構(gòu)還包括一介電條填入該
條狀開口中； 一介電層位于該接地面之上且與其接觸；以及一信號(hào)線位于該 介電層之上。該信號(hào)線具有一部分直接地位于該介電條的一部分上。該信號(hào) 線和該介電條為非平行。
根據(jù)本發(fā)明另一形態(tài)， 一種微條狀線結(jié)構(gòu)包括一基底；以及一接地面于 該基底上。該接地面為導(dǎo)體且包括兩個(gè)接地條狀屏蔽件彼此間實(shí)質(zhì)地平行， 其中該兩個(gè)接地條狀屏蔽件由一介電條隔離；以及兩個(gè)接地導(dǎo)體物理性地接 觸所述兩個(gè)接地條狀屏蔽件的相對(duì)端。該兩個(gè)接地導(dǎo)體彼此間實(shí)質(zhì)地平行。 該微條狀線結(jié)構(gòu)還包括一介電層位于該接地面之上且與其接觸；以及一信號(hào) 線位于該介電層之上且與其接觸。該信號(hào)線具有一部分直接地位于所述兩個(gè) 接地條狀屏蔽件的每一個(gè)接地條狀屏蔽件上。該信號(hào)線和該兩個(gè)接地導(dǎo)體為 實(shí)質(zhì)地平行。
根據(jù)本發(fā)明又一形態(tài)， 一種集成電路元件包括一半導(dǎo)體基底； 一金屬化 層設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上；以及一接地面于該金屬化層中。該接地面包括多 個(gè)接地條狀屏蔽件彼此間實(shí)質(zhì)地平行，其中所述多個(gè)接地條狀屏蔽件由多個(gè) 介電條隔離，以及其中所述多個(gè)接地條狀屏蔽件的每一個(gè)接地條狀屏蔽件實(shí) 質(zhì)上地自該接地面的一頂表面向一底表面延伸；以及兩個(gè)接地導(dǎo)體物理性地 接觸所述多個(gè)接地條狀屏蔽件的相對(duì)端，其中該兩個(gè)接地導(dǎo)體彼此間實(shí)質(zhì)地 平行。該集成電路元件還包括多個(gè)金屬間介電層位于該接地面之上；以及一 信號(hào)線位于所述多個(gè)金屬間介電層之上。該兩個(gè)接地導(dǎo)體水平地位于該信號(hào) 線的相對(duì)邊。該信號(hào)線的長邊方向與該兩個(gè)接地導(dǎo)體的長邊方向平行。
通過本發(fā)明的微條狀線結(jié)構(gòu)可調(diào)變特征阻抗和特征波長；實(shí)現(xiàn)具有較大特征阻抗的微條狀線，而不增加微條狀線所占的芯片面積；各微條狀線可具
有較小的特征波長，導(dǎo)致較短的微條狀線，導(dǎo)致可進(jìn)一步降低所使用的芯片
面積；以及無需使用而外的光罩步驟形成微條狀線，因此并不會(huì)增加制造成 本。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施 例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下


圖1顯示一傳統(tǒng)的微條狀線包括一信號(hào)線和一實(shí)心的接地面，其中該實(shí)
心的接地面是位于該信號(hào)線和其下方的基底之間；
圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的透視圖，其中一微條狀線包括一 圖案化的接地面；
圖2B是顯示圖2A中的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，其中剖面圖為沿切割線A-A' 的垂直面；
圖2C是顯示圖2A中的結(jié)構(gòu)的上視圖3顯示該微條狀線的特征阻抗為頻率的函數(shù)關(guān)系；
圖4顯示該微條狀線的特征波長為頻率的函數(shù)關(guān)系；
圖5是顯示本發(fā)明又一實(shí)施例的示意圖，其中該接地面的接地導(dǎo)體向上 延伸超過該接地條狀屏蔽件的頂表面；以及
圖6顯示兩條微條狀線具有不同的特征阻抗和特征波長。
其中，附圖標(biāo)記說明如下 公知部分(圖1)
2 微條狀線；
4~基底；
6 信號(hào)線；
8 接地面；
H 垂直距離；
Wl 線寬；
Ll 長度。
本申請(qǐng)部分(圖2A至圖6)20 微條狀線； 20i和20廣微條狀線；
22~信號(hào)線；
24 接地面；
24廣接地條狀屏蔽件；
242 接地導(dǎo)體；
26~介電層；
28~基底； 30 集成電路；
32 層間介電層(ILD);
34 微波元件；
35 金屬間介電層(IMD);
36 開口；
37 蝕刻終止層；
39 介電條；
40-48和50-58~線;
Ot 夾角；
W2、 W3 線寬；
L2 長度；
Ml 底金屬化層；
Mtop 頂金屬化層；
SSH旬距；
SW 寬度；
Dl/D2和D17D2， 距離。
具體實(shí)施例方式
以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著

的實(shí)施例，作為本發(fā)明的參 考依據(jù)。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo) 示。再者，附圖中各元件的部分將被分別描述說明，另外，特定的實(shí)施例僅 為公開本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種具可調(diào)整特征阻抗和可調(diào)整特征波長的新穎 的微條狀線。以下所述多個(gè)較佳實(shí)施例的變化，在附圖或說明書描述中，皆 使用相同的圖號(hào)以表示相似或相同的構(gòu)件。
圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的透視圖。微條狀線20，其包括信 號(hào)線22，圖案化的接地面24、以及(多層)介電層26，形成于基底28上。在 一實(shí)施例中，基底28可為一半導(dǎo)體基底，并且可包括常用的半導(dǎo)體材料， 例如硅、鍺、或同類型的材料。在圖2A中所示的基底微半導(dǎo)體芯片的一部 分，其還包括其他無形成微條狀線于其上的區(qū)域。集成電路30，例如互補(bǔ)式 金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路，可形成于該基底28的表面上。集成電路30 可以一CMOS元件為代表，請(qǐng)參閱圖2B。 一微波元件34連接至信號(hào)線22， 如圖2C中所示。
圖2B是顯示圖2A中的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，其中剖面圖為沿切割線A-A' 的垂直面。接地面24，如其名稱所意涵，較佳為接地。在一實(shí)施例中，該接 地面24形成于一金屬化層中，較佳者為一較低的金屬化層，例如金屬化層l (Ml，其也可成為底金屬化層)，金屬化層2(M2)等金屬化層。有鑒于此，該 接地面24可形成于一層間介電層(ILD) 32上，其中該集成電路30可位于該 層間介電層(ILD)32下方?；蛘?，該接地面24可形成于層間介電層(ILD)32 的下方，且可由摻雜多晶硅或金屬所構(gòu)成。在此實(shí)施例中，該接地面24可 與集成電路30中的CMOS元件的柵極同時(shí)形成。
另一方面，信號(hào)線22為形成于一較上層的金屬化層中，例如頂金屬化 層(Mtop)，其可以是金屬化層10 (MIO)。在其他實(shí)施例中，信號(hào)線22可形 成于一金屬化層中，其位于頂金屬化層的下方，例如金屬化層9 (M9)等金 屬化層。在另外的其他實(shí)施例中，信號(hào)線22可形成于頂金屬化層(Mtop)的上 方，并且可由鋁構(gòu)成。大體而言，信號(hào)線22和接地面24可形成于任何金屬 化層中，只要有一(多)層介電層將信號(hào)線22和接地面24隔離。該信號(hào)線22 和接地面24的形成方法包括常用的鑲嵌式制造工藝，其中信號(hào)線22和接地 面24可由銅或同合金所構(gòu)成。該信號(hào)線22具有較小的線寬W3(如圖2C所 示)，其小于該接地面24的線寬W2。
請(qǐng)參閱圖2B，介電層26可包括公知的金屬間介電層(IMD) 35，蝕刻終 止層37，其設(shè)置于各金屬間介電層(IMD)35之間，或其他介電層。因此，介電層26可包括具低介電常數(shù)(low-k)的介電材料，例如其介電常數(shù)低于約3.0， 或者低于2.5，或更低。較佳者為，在該信號(hào)線22和該接地面24垂直方向 之間的區(qū)域，并無形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。也無導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接地形成于該接地面24 上。在此實(shí)施例中，該信號(hào)線22形成于該頂金屬化層上，介電層26可還包 括一(多)層保護(hù)層。
圖2C是顯示圖2A中的結(jié)構(gòu)的上視圖。為了簡明的緣故，只有信號(hào)線 22和接地面24顯示于圖2C中。由上方觀察可知，該接地面24可具有一長 方形的外觀，其具有長度L2 (在信號(hào)線22的長度方向，其為信號(hào)的傳遞方 向)以及寬度W2。另擇一地，接地面24可為不規(guī)則的形狀。至少一個(gè)，較 佳者為更多個(gè)，開口36形成于該接地面24中。開口 36較佳者為彼此平行， 并且因此形成多條(此后稱為接地條狀屏蔽件)2A于該接地面24上。在開口 36中，填入介電材料，例如， 一金屬間介電層(IMD)材料，其可以是具低介 電常數(shù)(low-k)的介電材料，以及其結(jié)果的介電條狀物稱為介電條39。
在一較佳實(shí)施例中，接地條狀屏蔽件為垂直于該信號(hào)線22的長度方 向，其間的夾角ot為90度。另擇一地，夾角oc可為其他非零的角度。接地導(dǎo) 體242，其為該接地面24的端點(diǎn)部分，相互連接至該接地條狀屏蔽件2+。 在該較佳的實(shí)施例中，接地導(dǎo)體242平行于，或至少實(shí)質(zhì)上地平行于該信號(hào) 線22。
為了能有效地將該信號(hào)線22中所承載的信號(hào)與該基底28屏蔽，該接地 條狀屏蔽件24,的總面積和該接地導(dǎo)體242的總面積較佳者為具有一比例約 大于1/3，且更加者為約大于1。該接地條狀屏蔽件的間距SS和寬度SW 可影響該信號(hào)線22的特征阻抗和特征波長的性能，并且其最佳值可通過實(shí) 驗(yàn)的方式獲得。
介電條39和接地條狀屏蔽件的數(shù)目較佳者為約大于2，且更佳者為 約大于4。于該較佳實(shí)施例中，接地條狀屏蔽件2+是以周期性的圖紋排列。 例如，接地條狀屏蔽件2+可具有相同的間距。在另外的擇一的實(shí)施例中， 位于兩相鄰的接地條狀屏蔽件2+之間的間距SS可與其他的間距SS不同。 該間距SS可被安排成一種由小至大的序列(例如，形成一算數(shù)級(jí)數(shù)或一幾何 級(jí)數(shù))，具有各間距SS大于先前的間距。
接地面24可包括多于一層，各接地面24位于一金屬化層中。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該接地面24的各層中是以周期性的導(dǎo)電柱(viacolumns)而形 成互連。在其他實(shí)施例中，所述多個(gè)導(dǎo)電柱(via columns)/導(dǎo)電條(via strips) 自垂直地重疊區(qū)域的實(shí)心條連接至該接地面24的不同層，且可能與其共邊 界(co-terminus)，并位于接地條狀屏蔽件2+的上方或下方。相似地，該信號(hào) 線22以可包括多于一層，各信號(hào)線22位于一金屬化層中，具有導(dǎo)電柱或?qū)?心的導(dǎo)電條連接至該信號(hào)線22的各層中。
在一較佳的實(shí)施例中，該信號(hào)線22可水平地位于接地導(dǎo)體242的中間， 其具有水平距離Dl等于水平距離D2，然而水平距離Dl和D2也可彼此不 相等。
在具有實(shí)心的接地面的一傳統(tǒng)的微條狀線結(jié)構(gòu)中，該信號(hào)回傳路徑是在 該實(shí)心的接地面中，且其位置直接位于該信號(hào)線的下方。其優(yōu)點(diǎn)在于，根據(jù) 本發(fā)明的一實(shí)施例，介電條39 (請(qǐng)參閱圖2C)切割直接位于該信號(hào)線22下方 的該信號(hào)回傳路徑。然而，該信號(hào)回傳路徑被迫使接地導(dǎo)體242接地，其距 離該信號(hào)線22的空間最遠(yuǎn)。有鑒于此，該特征阻抗和該特征波長可通過調(diào) 整該信號(hào)線22和接地導(dǎo)體242之間的距離而被調(diào)整，其調(diào)整方式可通過調(diào)整 該接地面24的長度W2 (對(duì)應(yīng)距離Dl和D2)。其優(yōu)點(diǎn)在于，接地條狀屏蔽件 2+導(dǎo)致一慢波特征(slow-wave feature)。
圖3顯示該微條狀線的特征阻抗為頻率的函數(shù)關(guān)系。其中線40是由一
微條狀的線的樣品所構(gòu)成，其具有一實(shí)心的接地面(請(qǐng)參閱圖1)，其中該實(shí)
心的接地面的寬度Wl為48微米(pm)。線42、 44、 46和48是由微條狀的
線的樣品所構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)如圖2A所示，且具有寬度W2分別為12,、 24,、
48pm及66iim。圖3顯示于任何微波頻率，本發(fā)明各實(shí)施例的特征阻抗會(huì)隨
著該接地面24的寬度W2增加而增加。有鑒于此，如圖2A所示的具有圖案
化的接地面的該微條狀線的特征阻抗，可通過調(diào)整寬度W2而調(diào)變。更有甚
者，應(yīng)注意的是由線42，其寬度為12pm，所表示樣品的特征阻抗明顯地大
于由線40，其寬度為48,，所表示樣品的特征阻抗。也就是說，本發(fā)明的
實(shí)施利可提供明顯較大的阻抗，而使相對(duì)的微條狀線所占的芯片面積小于傳 統(tǒng)具實(shí)心的接地面的微條狀線所占的芯片面積。
圖4顯示該微條狀線的特征波長為頻率的函數(shù)關(guān)系。其中線50是由一 微條狀的線的樣品所構(gòu)成，其具有一實(shí)心的接地面(請(qǐng)參閱圖1)，其中該實(shí)心的接地面的寬度Wl為48微米Oim)。線52、 54、 56和58是由微條狀的 線的樣品所構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)如圖2A所示，且具有寬度W2分別為12pm、24iam、 48pm及66^im。圖4顯示于任何微波頻率，本發(fā)明各實(shí)施例的特征波長會(huì)隨 著該接地面24的寬度W2增加而降低。有鑒于此，如圖2A所示的具有圖案 化的接地面的該微條狀線的特征波長，可通過調(diào)整寬度W2而調(diào)變。更有甚 者，應(yīng)注意的是由線52，其寬度W2為12pm，所表示樣品的特征波長明顯 地小于由線40，其寬度為48pm，所表示樣品的特征波長。也就是說，本發(fā) 明的實(shí)施利可提供明顯較小的特征波長，而使相對(duì)的微條狀線所占的芯片面 積小于傳統(tǒng)具實(shí)心的接地面的微條狀線所占的芯片面積。因此，本發(fā)明各實(shí) 施例的微條狀線(當(dāng)用做阻抗匹配元件時(shí))可具有較短的長度，然而仍可滿足 四分之一波長要件(quarter-wavelength requirement),其要求該微條狀線的長 度L2應(yīng)不小于其特征波長的四分之一。
圖5是顯示本發(fā)明又一實(shí)施例的示意圖。在此實(shí)施例中，接地導(dǎo)體242 向上延伸超過該金屬化層，且該接地條狀屏蔽件2+位于該金屬化層中。在 圖5所示的實(shí)施實(shí)施例中，該接地導(dǎo)體242的頂表面與信號(hào)線22的頂表面齊 高。在另一實(shí)施例中，該接地導(dǎo)體242的頂表面可延伸超過或低于該信號(hào)線 22的頂表面。
應(yīng)了解的是，在一半導(dǎo)體芯片中，可需要多條微條狀線具有不同的特征 阻抗和特征波長。本發(fā)明各實(shí)施例可輕易地滿足上述要求，在本發(fā)明的一實(shí) 施例中，如圖6所示，微條狀線20!和微條狀線202形成于同一基底28上。 各個(gè)微條狀線20i和微條狀線202具有相似的結(jié)構(gòu)如圖2C所示。位于信號(hào)線 20和接地導(dǎo)體242之間的水平距離Dl/D2可與信號(hào)線20'和接地導(dǎo)體242'之 間的水平距離D1VD2'不同。有鑒于此，微條狀線20i的特征阻抗和特征波長 可不同于微條狀線202的特征阻抗和特征波長。即使未圖示于圖6中，位于 信號(hào)線20和信號(hào)線20'之間的垂直距離也可與相對(duì)下方的接地面24和24'(請(qǐng) 參閱圖2B)不同。在此實(shí)施例中，當(dāng)微條狀線2(^和微條狀線202為阻抗匹配 元件時(shí)，通過采用不同的距離D1/D2和D1VD2，，可實(shí)現(xiàn)不同的特征阻抗。 如有需要，可增加更多的不同的特征阻抗和特征波長的微條狀線。
本發(fā)明各實(shí)施例具有許多優(yōu)越的技術(shù)特點(diǎn)。首先，可調(diào)變?cè)撎卣髯杩购?該特征波長，但并非限定通過改變信號(hào)線和位于其下方的接地面之"l司的垂直距離實(shí)現(xiàn)。其次，可實(shí)現(xiàn)具有較大特征阻抗的微條狀線，而不增加該微條狀 線所占的芯片面積。第三，各微條狀線可具有較小的特征波長，導(dǎo)致較短的 微條狀線，導(dǎo)致可進(jìn)一步降低所使用的芯片面積。第四，本發(fā)明的實(shí)施例無 需使用而外的光罩步驟形成微條狀線，因此并不會(huì)增加制造成本。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任 何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)， 當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以隨附的權(quán)利要求所界 定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種微條狀線結(jié)構(gòu)，包括一接地面具有一條狀開口被該接地面所環(huán)繞，其中該條狀開口自該接地面的一頂表面向一底表面延伸，以及其中該接地面為一導(dǎo)體；一介電條填入該條狀開口中；一介電層位于該接地面之上且與其接觸；以及一信號(hào)線位于該介電層之上，其中該信號(hào)線具有一部分直接地位于該介電條的一部分上，以及其中該信號(hào)線和該介電條為非平行。
2. 如權(quán)利要求1所述的微條狀線結(jié)構(gòu)，還包括一額外的條狀開口被該接地面所環(huán)繞，并且自該接地面的該頂表面向該 底表面延伸，其中該額外的條狀開口具有一部分直接地位于該信號(hào)線的一額 外的部分下方；以及一額外的介電條填入該額外的條狀開口中。
3. 如權(quán)利要求1所述的微條狀線結(jié)構(gòu)，其中該接地面包括一接地導(dǎo)體， 其實(shí)質(zhì)上地與該信號(hào)線平行，其中該接地導(dǎo)體物理性地與該介電條的一端接 觸。
4. 如權(quán)利要求l所述的微條狀線結(jié)構(gòu)，還包括一半導(dǎo)體基底，其中該接 地面與該信號(hào)線中的每一個(gè)為位于該半導(dǎo)體基底上的一金屬化層中。
5. 如權(quán)利要求1所述的微條狀線結(jié)構(gòu)，其中該信號(hào)線連接至一微波元件。
6. —種微條狀線結(jié)構(gòu)，包括 ~"基底；一接地面于該基底上，其中該接地面為導(dǎo)體且包括兩個(gè)接地條狀屏蔽件彼此間實(shí)質(zhì)地平行，其中該兩個(gè)接地條狀屏蔽件由 一介電條隔離；以及兩個(gè)接地導(dǎo)體物理性地接觸所述兩個(gè)接地條狀屏蔽件的相對(duì)端，其中該兩個(gè)接地導(dǎo)體彼此間實(shí)質(zhì)地平行；一介電層位于該接地面之上且與其接觸；以及一信號(hào)線位于該介電層之上且與其接觸，其中該信號(hào)線具有一部分直接 地位于所述兩個(gè)接地條狀屏蔽件的每一個(gè)接地條狀屏蔽件上，以及該兩個(gè)接地導(dǎo)體為實(shí)質(zhì)地平行。
7. 如權(quán)利要求6所述的微條狀線結(jié)構(gòu)，還包括多層金屬化層于該基底上，其中該信號(hào)線是位于所述多層金屬化層的一頂層金屬化層中，以及其中 該接地面是位于所述多層金屬化層的一底層金屬化層中。
8. 如權(quán)利要求6所述的微條狀線結(jié)構(gòu)，其中該接地面還包括多個(gè)額外的 接地條狀屏蔽件實(shí)質(zhì)地平行于該兩個(gè)接地條狀屏蔽件，其中所述多個(gè)額外的 接地條狀屏蔽件由多個(gè)額外的介電條隔離，以及其中該兩個(gè)接地導(dǎo)體為物理 性地接觸所述多個(gè)額外的接地條狀屏蔽件的相對(duì)端。
9. 一種集成電路元件，包括一半導(dǎo)體基底；一金屬化層設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上； 一接地面于該金屬化層中，其中該接地面包括多個(gè)接地條狀屏蔽件彼此間實(shí)質(zhì)地平行，其中所述多個(gè)接地條狀屏蔽件 由多個(gè)介電條隔離，以及其中所述多個(gè)接地條狀屏蔽件的每一個(gè)接地條狀屏 蔽件實(shí)質(zhì)上地自該接地面的一頂表面向一底表面延伸；以及兩個(gè)接地導(dǎo)體物理性地接觸所述多個(gè)接地條狀屏蔽件的相對(duì)端，其中該 兩個(gè)接地導(dǎo)體彼此間實(shí)質(zhì)地平行；多個(gè)金屬間介電層位于該接地面之上；以及一信號(hào)線位于所述多個(gè)金屬間介電層之上，其中該兩個(gè)接地導(dǎo)體水平地 位于該信號(hào)線的相對(duì)邊，以及其中該信號(hào)線的長邊方向與該兩個(gè)接地導(dǎo)體的 長邊方向平行。
10. 如權(quán)利要求9所述的集成電路元件，其中該兩個(gè)接地導(dǎo)體具有多個(gè) 頂表面高于所述多個(gè)接地條狀屏蔽件的頂表面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種微條狀線結(jié)構(gòu)，其包括一導(dǎo)電接地面具有一條狀開口被接地面所環(huán)繞，其中條狀開口自接地面的一頂表面向一底表面延伸，以及其中接地面為一導(dǎo)體。微條狀線結(jié)構(gòu)還包括一介電條填入條狀開口中，一介電層位于接地面之上且與其接觸，以及一信號(hào)線位于介電層之上，其中信號(hào)線具有一部分直接地位于介電條的一部分上，以及其中信號(hào)線和介電條為非平行。本發(fā)明的微條狀線結(jié)構(gòu)可調(diào)變特征阻抗和特征波長；實(shí)現(xiàn)具有較大特征阻抗的微條狀線，而不增加微條狀線所占的芯片面積；各微條狀線可具有較小的特征波長，導(dǎo)致較短的微條狀線，導(dǎo)致可進(jìn)一步降低所使用的芯片面積；以及無需使用而外的光罩步驟形成微條狀線，因此并不會(huì)增加制造成本。
文檔編號(hào)H01P3/08GK101604781SQ200810213818
公開日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2008年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月9日
發(fā)明者卓秀英 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司