專利名稱：：帶有接合膜的基材、接合方法及接合體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及帶有接合膜的基材、接合方法及接合體。
背景技術(shù)：
：在將兩個部件(基材)彼此接合(粘接)時，目前多采用使用環(huán)氧類粘接劑、氨基甲酸酯(Urethane)類粘接劑、硅酮類粘接劑等粘接劑進行接合的方法。粘接劑通常是不論接合的部件的材質(zhì)如何仍顯示優(yōu)良的粘接性的粘接劑。因此，可將由各種材料構(gòu)成的部件彼此以各種組合粘接。例如，噴墨式打印機所具備的液滴噴頭(噴墨式記錄頭)通過將由樹脂材料、金屬材料及硅類材料等不同種類的材料構(gòu)成的部件彼此用粘接劑粘接而組裝起來。在這樣使用粘接劑將部件彼此粘接時，在粘接面涂敷液狀或膏狀的粘接劑，經(jīng)由涂敷了的粘接劑將部件彼此粘合。之后，利用熱或光的作用使粘接劑硬化(固化)，由此將部件彼此粘接起來。但是，在采用了這種粘接劑的接合中，存在如下問題。粘接強度低尺寸精度低，硬化時間長，因此粘接需要長時間另外，多數(shù)情況下為提高粘接強度而需要使用底漆，因此帶來的成本及時間導(dǎo)致粘接工序的高成本化、復(fù)雜化。另一方面，作為不采用粘接劑的接合方法，有固體接合的方法。固體接合是不經(jīng)由粘接劑等中間層而將部件彼此直接接合的方法(例如參照專利文獻l)。根據(jù)這樣的固體接合，由于不使用粘接劑那樣的中間層，故可得到尺寸精度高的接合體。但是，固體接合存在如下問題。對接合的部件的材質(zhì)有限制'接合工藝中伴隨有高溫(例如70080(TC左右)下的熱處理接合工藝中的環(huán)境氣體限定在減壓環(huán)境氣體受到這樣的問題，尋求不根據(jù)供接合的部件的材質(zhì)而將部件彼此以高的尺寸精度、牢固且在低溫下高效接合的方法專利文獻l:日本特開平5-82404號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供具備可以以高的尺寸精度牢固且在低溫下高效地對粘附體進行接合的帶有接合膜的基材、在低溫下高效地將這樣的帶有接合膜的基材和粘附體接合的接合方法、將所述帶有接合膜的基材和粘附體以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合體。這樣的目的通過下述的本發(fā)明實現(xiàn)。本發(fā)明提供一種帶有接合膜的基材，其特征在于，其具有基材以及接合膜，所述接合膜設(shè)于該基材上且包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基，通過對所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，使在所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基從該接合膜脫離，由此在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯現(xiàn)與其它粘附體的粘接性。由此，得到具備可以以高的尺寸精度牢固且在低溫下高效地對粘附體進行接合的接合膜的帶有接合膜的基材。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述接合膜是以有機金屬材料為原材料并使用有機金屬化學(xué)氣相成長法成膜的。根據(jù)這樣的方法，可以以較簡單的工序成膜均勻膜厚的接合膜。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述接合膜是在低還原性環(huán)境氣體下成膜的。由此，可以在不在基板上形成純粹的金屬膜而殘留著有機金屬材料中包含的有機物的一部分的狀態(tài)下進行成膜。即，可形成作為接合膜及金屬膜的這兩者的特性優(yōu)良的接合膜。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述脫離基是殘存了所述有機金屬材料中包含的有機物的一部分的脫離基。通過形成為在這樣成膜時將膜中殘存的殘存物作為脫離基使用的構(gòu)成，可不需要向形成的金屬膜中導(dǎo)入脫離基，而以較簡單的工序成膜接合膜。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述脫離基由原子團構(gòu)成，所述原子團以碳原子為必需成分，并包含氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子中的至少一種。這些脫離基在能量賦予得到的結(jié)合/脫離的選擇性方面比較優(yōu)良。因此，通過賦予能量，得到較簡單且均勻地脫離的脫離基，可使帶有接合膜的基材的粘接性更高。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述脫離基是烷基。由烷基構(gòu)成的脫離基化學(xué)穩(wěn)定性高，因此，具備烷基作為脫離基的接合膜在耐候性及耐藥品性方面優(yōu)良。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述有機金屬材料是金屬絡(luò)合物。通過使用金屬絡(luò)合物成膜接合膜，可以在金屬絡(luò)合物中包含的有機物的一部分殘存的狀態(tài)下，可靠地形成接合膜。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述金屬原子是銅、鋁、鋅及鐵中的至少一種。通過將接合膜設(shè)為包含所述金屬原子的結(jié)構(gòu)，接合膜發(fā)揮優(yōu)良的導(dǎo)電性。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述接合膜中的金屬原子和碳原子的存在比為3:77:3。通過將金屬原子和碳原子的存在比設(shè)定在所述范圍內(nèi)，接合膜的穩(wěn)定性變高，可將帶有接合膜的基材和對置基板更牢固地接合。另外，可使接合膜發(fā)揮優(yōu)良的導(dǎo)電性。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述接合膜具有導(dǎo)電性。由此，在將本發(fā)明的帶有接合膜的基材對其它粘附體接合時，可將接8合膜應(yīng)用于配線基板所具備的配線或其端子等。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述接合膜至少在其存在于表面附近的所述脫離基從該接合膜脫離后產(chǎn)生活性鍵。由此，能夠得到基于化學(xué)結(jié)合可對其它粘附體牢固地接合的帶有接合膜的基材。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述活性鍵是未結(jié)合鍵或羥基。由此，可對其它粘附體進行特別牢固的接合。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述接合膜的平均厚度為11000nm。由此，可防止將帶有接合膜的基材和其它粘附體接合的接合體的尺寸精度顯著降低，并且可將它們更牢固地接合。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述接合膜呈沒有流動性的固體狀。由此，使用帶有接合膜的基材得到的接合體的尺寸精度與現(xiàn)有技術(shù)相比，極其高。另外，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可在短時間內(nèi)進行牢固的接合。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述基材呈板狀。由此，基材容易撓曲，基材沿其它粘附體的形狀可充分地變形，因此，它們的密接性變得更高。另外，通過基材的撓曲，可在某種程度上緩和在接合界面產(chǎn)生的應(yīng)力。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主材料構(gòu)成。由此，即使不實施表面處理，也能夠得到足夠的接合強度。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述基材的具備所述接合膜的面被預(yù)先實施提高與所述接合膜的密接性的表面處理。由此，可將基材的表面清潔化及活性化，可提高接合膜和對置基板的接合強度。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述表面處理是等離子體處理。由此，為形成接合膜，尤其可將基材的表面最佳化。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，在所述基材和所述接合膜之間夾有中間層。由此，可得到可靠性高的接合體。本發(fā)明的帶有接合膜的基材中，優(yōu)選的是，所述中間層以氧化物系材料為主材料構(gòu)成。由此，可特別地提高基材和接合膜之間的接合強度。本發(fā)明提供一種接合方法，其特征在于，包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；對該帶有接合膜的基材中的所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附體密接的方式將所述帶有接合膜的基材和所述其它粘附體粘合，得到接合體的工序。由此，可以在低溫下高效地將帶有接合膜的基材和粘附體接合。本發(fā)明提供一種接合方法，其特征在于，包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附體密接的方式將所述帶有接合膜的基材和所述其它粘附體粘合，得到層疊體的工序；通過對該層疊體中的所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，將所述帶有接合膜的基材和所述其它粘附體接合，得到接合體的工序。由此，可以在低溫下高效地將帶有接合膜的基材和粘附體接合。另外，在層疊體的狀態(tài)下，由于帶有接合膜的基材和粘附體之間未接合，故在將帶有接合膜的基材和粘附體重合后，可容易地對它們的位置進行微調(diào)。其結(jié)果可提高接合膜的表面方向上的位置精度。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，所述能量的賦予通過對所述接合膜照射能量線的方法、加熱所述接合膜的方法及對所述接合膜賦予壓縮力的方法中的至少一種方法進行。由此，較簡單且高效地對接合膜賦予能量。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，所述能量線是波長126300nm的紫外線。由此，由于將賦予接合膜的能量最佳化，故能夠使接合膜中的脫離基可靠地脫離。其結(jié)果是可防止接合膜的特性(機械特性、化學(xué)特性等)降低，且可使接合膜顯現(xiàn)粘接性。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，所述加熱的溫度為2520(TC。由此，能夠可靠地防止接合體因熱而變質(zhì)、劣化，并且能夠可靠地提高接合強度。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，所述壓縮力為0.210MPa。由此，能夠防止壓力過高而對基板、粘附體造成損傷等，并且能夠可靠地提高接合體的接合強度。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，所述能量的賦予在大氣環(huán)境氣體中進行。由此，控制環(huán)境氣體不需要耗費時間、成本，可更簡單地進行能量的本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，所述其它粘附體具有預(yù)先實施了提高與所述接合膜的密接性的表面處理的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜相對于實施了所述表面處理的表面密接的方式被粘合。由此，可進一步提高帶有接合膜的基材和粘附體的接合強度。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，所述其它粘附體具有包含預(yù)先選自官能團、自由基、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素及過氧化物構(gòu)成的組中的至少一種基或物質(zhì)的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜相對于具有所述基或物質(zhì)的表面密接的方式被粘合。由此，可充分提高帶有接合膜的基材和粘附體的接合強度。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，還具有對所述接合體進行提高其接合強度的處理的工序。由此，可進一步提高接合體的接合強度。本發(fā)明的接合方法中，優(yōu)選的是，進行提高所述接合強度的處理的工序通過對所述接合體照射能量線的方法、加熱所述接合體的方法及對所述接合體賦予壓縮力的方法中的至少一種方法進行。由此，可容易實現(xiàn)接合體的接合強度的進一步提高。本發(fā)明提供一種接合體，其特征在于，具有本發(fā)明的帶有接合膜的基材和粘附體，將它們經(jīng)由所述接合膜接合而構(gòu)成所述接合體。由此，得到以高的尺寸精度將帶有接合膜的基材和粘附體牢固地接合而成的可靠性高的接合體。本發(fā)明提供一種接合體，其特征在于，具有兩個本發(fā)明的帶有接合膜的基材，使所述接合膜彼此對置地將所述基材接合而構(gòu)成所述接合體。由此，得到以高的尺寸精度將帶有接合膜的基材和粘附體牢固地接合而成的可靠性高的接合體。圖1是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第一實施方式的圖(縱剖面圖)；圖2是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第一實施方式的圖(縱剖面圖)；圖3是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材所具備的接合膜的能量賦予之前的狀態(tài)的局部放大圖4是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材所具備的接合膜的能量賦予之后的狀態(tài)的局部放大圖5是模式性表示制造本發(fā)明的帶有接合膜的基材時使用的成膜裝置的縱剖面圖6是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第二實施方式的圖(縱剖面圖)；圖7是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第三實施方式的圖(縱剖面圖)；圖8是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第三實施方式的圖(縱剖面圖)；圖9是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第四實施方式的圖(縱剖面圖)；圖10是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第五實施方式的圖(縱剖面圖)；圖11用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第六實施方式的圖(縱剖面圖)；圖12用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第七實施方式的圖(縱剖面圖)；圖13是表示應(yīng)用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解立體圖14是表示圖13所示的噴墨式記錄頭的主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖15是表示具備圖13所示的噴墨式記錄頭的噴墨式打印機的實施方式的概略圖16是表示應(yīng)用本發(fā)明的接合體得到的配線基板的立體圖。符號說明1—帶接合膜的基材；2、21、22—基板；25、251、252—上表面；3、30、31、32、3a、3b—接合膜；303—脫離基；304—活性鍵；3c—間隙；35、351、352—表面；350—規(guī)定區(qū)域；4一對置基板；5、5a、5a，、5b、5c、5d、5e—接合體；6—掩模；61—窗部；200—成膜裝置；211—腔室；212—基板支架；221—蓋；230—排氣裝置；31—排氣線；232—泵；233_閥；260—有機金屬材料供給裝置；261—氣體供給線；262—貯存槽；263—閥；264—泵；265—氣罐；270—氣體供給裝置；271—氣體供給線；273—閥；274—泵；275—氣罐；10—噴墨式記錄頭；ll一噴嘴板；111—噴嘴孔；114一覆膜；12—油墨室基板；121—油墨室；122—側(cè)壁；123—貯存室；124—供給口；13—振動板；131—連通孔；14一壓電元件；141一上部電極；142—下部電極；143—壓電體層；16—基體；161—凹部；162—臺階；17—頭主體；9一噴墨式打印機；92—裝置主體；921—紙盤；922—排紙口；93—頭單元；931—墨盒；932—滑架；94一印刷裝置；941一滑架電動機；942—往復(fù)動作機構(gòu)；943—滑架導(dǎo)向軸；944一定時帶；95—給紙裝置；951—給紙電動機；952—給紙輥；952a—從動輥；952b—驅(qū)動輥；96—控制部；97—操作面板；P—記錄用紙；410—配線基板；412—電極；413—絕緣基板；414一引線；415—電極；具體實施例方式下面，基于附圖所示的最佳實施方式詳細說明本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合方法及接合體。本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有基板(基材)和設(shè)于該基板上的接合膜，用于對對置基板(其它粘附體)進行接合。該帶有接合膜的基材中的接合膜是包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基的有機金屬膜。具有這種接合膜的帶有接合膜的基材中，通過對接合膜的至少一部分區(qū)域、即俯視時的接合膜的整個面或一部分區(qū)域賦予能量，由此使上述接合膜的表面附近存在的脫離基從接合膜脫離。而且，該接合膜具有如下特征通過脫離基的脫離，在其表面的賦予了能量的區(qū)域發(fā)現(xiàn)與其它粘附體的粘接性。具有這種特征的帶有接合膜的基材相對于對置基板可以以高的尺寸精度牢固地且在低溫下高效地接合。而且，通過使用這樣的帶有接合膜的基材，得到將基板和對置基板牢固接合而成的可靠性高的接合體。(第一實施方式)首先，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板(其它粘附體)接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第一實施方式進行說明。圖1及圖2是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第一實施方式的圖(縱剖面圖)，圖3是表示本發(fā)明的帶有接合膜的基材所具備的接合膜的能量賦予之前的狀態(tài)的局部放大圖，圖4是本發(fā)明的帶有接合膜的基材所具備的接合膜的能量賦予之后的狀態(tài)的局部放大圖。另外，以下的說明中，將圖1圖4中的上側(cè)稱作"上"，將下側(cè)稱作"下"。本實施方式的接合方法包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的工序；對帶有接合膜的基材的接合膜賦予能量，使脫離基從接合膜中脫離，由此使接合膜活性化的工序；準備對置基板(其它粘附體)，按照帶有接合膜的基材所具備的接合膜和對置基板密接的方式將它們粘合，得到接合體的工序。下面，對本實施方式的接合方法的各工序按順序進行說明。[l]首先，準備帶有接合膜的基材l(本發(fā)明的帶有接合膜的基材)。帶有接合膜的基材1如圖1(a)所示，具有呈板狀的基板(基材)2和設(shè)于基板2上的接合膜3。其中，基板2只要具有支承接合膜3的程度的鋼性，就可以用任何材料構(gòu)成。具體而言，基板2的構(gòu)成材料可以舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)等聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚(4-甲基戊烯-l)、離聚物、丙烯酸類樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚對苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺、聚縮醛(POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟類樹脂、苯乙烯類、聚烯烴類、聚氯乙烯類、聚氨基甲酸乙酯類、聚酯類、聚酰胺類、聚丁二烯類、反式-聚異戊二烯類、氟橡膠類、氯化聚乙烯類等各種熱塑性橡膠，環(huán)氧樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、密胺樹脂、芳族聚酰胺類樹脂、不飽和聚酯、硅酮樹脂、聚氨基甲酸乙酯等或以它們?yōu)橹鞯墓簿畚铩⒒旌象w、聚合物合金等樹脂類材料，F(xiàn)e、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm之類的金屬，或包含這些金屬的合金、碳鋼、不銹鋼、銦錫氧化物(ITO)、砷化鎵之類的金屬類材料，單晶硅、多晶硅、非晶硅之類的硅酮類材料，硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸堿玻璃、堿石灰玻璃、鉛(堿)玻璃、鋇玻璃、硼硅酸玻璃之類的玻璃類材料，氧化鋁、氧化鋯、鐵素體、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鎢之類的陶瓷類材料，石墨之類的碳類材料，或?qū)⑦@些材料的一種或兩種以上組合而成的復(fù)合材料等。另外，基板2也可以是對其表面實施了鍍Ni那樣的鍍敷處理、鉻酸鹽處理那樣的不動態(tài)化處理、或氮化處理等的基板。另外，基板(基材)2的形狀只要具有支承接合膜3的面那樣的形狀即可，不限于板狀。即，基材的形狀例如可以是塊狀(block)、棒狀等。另外，本實施方式中，由于基板2為板狀，故基板2容易撓曲，基板2可沿后述的對置基板4的形狀充分地變形，因此，它們的密接性變得更高。另外，在帶有接合膜的基材l中，基板2和接合膜3的密接性提高，并且基板2撓曲，由此可某種程度上緩和接合界面上產(chǎn)生的應(yīng)力。該情況下，基板2的平均厚度沒有特別限定，但優(yōu)選0.0110mm左右，更優(yōu)選0.13mm左右。另外，對置基板4的平均厚度也優(yōu)選在與上述的基板2的平均厚度相同的范圍內(nèi)。另一方面，接合膜3是位于基板2和后述的對置基板4之間且承擔(dān)所述基板2、4的接合的接合膜。這樣的接合膜3包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基303(參照圖3)。本發(fā)明的帶有接合膜的基材主要在該接合膜3的構(gòu)成方面具有特征。另外，后面對該接合膜3進行詳細敘述。另外，優(yōu)選對在基板3的至少要形成接合膜3的區(qū)域，根據(jù)基板2的構(gòu)成材料在形成接合膜3之前，預(yù)先實施提高基板2和接合膜3的密接性的表面處理。作為這樣的表面處理，例如有濺射處理、噴丸處理那樣的物理表面處理、采用氧等離子體、氮等離子體等的等離子體處理、電暈放電處理、蝕刻處理、電子線照射處理、紫外線照射處理、臭氧暴露處理那樣的化學(xué)表面處理、或者將它們組合的處理等。通過實施這樣的處理，可將基板2的要形成接合膜3的區(qū)域清潔化，并且可使該區(qū)域活性化。由此，可提高接合膜3和對置基板4的接合強度。另外，通過使用這些各表面處理中的等離子體處理，形成接合膜3，因此，可將基板2的表面特別最佳化。另外，在實施表面處理的基板2由樹脂材料(高分子材料)構(gòu)成的情況下，特別優(yōu)選使用電暈放電處理、氮等離子體處理等。另外，即使因基板2的構(gòu)成材料而不實施上述那樣的表面處理，也可以使接合膜3的接合強度足夠高。作為得到這種效果的基板2的構(gòu)成材料，例如有以上述那樣的各種金屬類材料、各種硅類材料、各種玻璃類材料等為主材料的材料。由這樣的材料構(gòu)成的基板2其表面由氧化膜覆蓋，且在該氧化膜的表面結(jié)合有活性較高的羥基。因此，若使用由這樣的材料構(gòu)成的基板2，則即使不實施上述那樣的表面處理，也可以將帶有接合膜的基材1(接合膜3)和對置基板4牢固地接合。而且在該情況下，基板2的整體也可以不由上述那樣的材料構(gòu)成，只要至少要形成接合膜3的區(qū)域的表面附近由上述那樣的材料構(gòu)成即可。另外，代替表面處理，也可以在基板2的至少要形成接合膜3的區(qū)域預(yù)先形成中間層。該中間層可以具有任何功能，沒有特別限定，但例如優(yōu)選具有提高與接合膜3的密接性的功能、緩沖性(緩沖功能)、緩和應(yīng)力集中的功能、成膜接合膜3時促進接合膜3的膜成長的功能(籽晶(sead)層)、保護接合膜3的功能(保護層)等。經(jīng)由這樣的中間層將基板2和接合膜3接合，可得到可靠性高的接合體。作為這種中間層的構(gòu)成材料，例如有鋁、鈦、鎢、銅及其合金等金屬類材料，金屬氧化物、金屬氮化物、硅氧化物那樣的氧化物類材料，金屬氮化物、硅氮化物那樣的氮化物類材料，石墨、金剛石那樣的碳類材料，硅垸偶聯(lián)劑、硫醇類化合物、金屬醇鹽、金屬一鹵素化合物那樣的自組織化膜材料，樹脂類粘接劑，樹脂薄膜，樹脂涂敷材料，各種橡膠材料，各種人造橡膠那樣的樹脂類材料等，可將它們中的一種或兩種以上組合使用。另外，由這些各種材料構(gòu)成的中間層中，根據(jù)由氧化物類材料構(gòu)成的中間層，可特別提高基板2和接合膜3之間的接合強度。其次，對帶接合膜的基板1的接合膜3的表面35賦予能量。在此，對接合膜3賦予能量時，在接合膜3上，如圖3及圖4所示，脫離基303的結(jié)合鍵被切斷，從接合膜3的表面35附近脫離，在脫離基303脫離后，活性鍵產(chǎn)生在接合膜3的表面35附近。由此，在接合膜3的表面35顯現(xiàn)與對置基板4的粘接性。這種狀態(tài)的帶有接合膜的基材1基于化學(xué)結(jié)合可與對置基板4牢固地接合。在此，賦予接合膜3的能量可以使用任何方法賦予，例如有對接合膜3照射能量線的方法、加熱接合膜3的方法、對接合膜3賦予壓縮力(物理能量)的方法、將接合膜3暴露于等離子體中(賦予等離子體能量)的方法、將接合膜3暴露于臭氧氣體中(賦予化學(xué)能量)的方法等。其中，本實施方式中，作為對接合膜3賦予能量的方法，特別優(yōu)選對接合膜3照射能量線的方法。這樣的方法能夠?qū)雍夏ぽ^簡單且高效地賦予能量，因此，最好用作賦予能量的方法。其中，作為能量線，例如有紫外線、激光那樣的光、X線、Y線、電子線、離子束那樣的粒子線等、或?qū)⑦@些能量線組合兩種以上的線。這些能量線中，特別優(yōu)選使用波長126300nm左右的紫外線(參照圖l(b))。根據(jù)這樣的范圍內(nèi)的紫外線，賦予的能量被最適化，因此，可使接合膜3中的脫離基303可靠地脫離。由此，可防止接合膜3的特性(機械特性、化學(xué)特性等)降低，并且接合膜3上能夠可靠地發(fā)現(xiàn)粘接性。另外，根據(jù)紫外線，可均勻地在短時間內(nèi)對寬的范圍進行處理，因此，可高效地進行脫離基303的脫離。另外，紫外線也具有例如可通過UV燈等簡單的設(shè)備產(chǎn)生的優(yōu)點。另外，紫外線的波長更優(yōu)選為126200nm左右。另外，在使用UV燈時，其輸出根據(jù)接合膜3的面積而不同，但優(yōu)選lmW/cm21W/cm2左右，更優(yōu)選5mW/cm250mW/cm2左右。另外，該情況下，UV燈和接合膜3的離開距離優(yōu)選110mm左右，更優(yōu)選15mm左右。另外，照射紫外線的時間優(yōu)選可將接合膜3的表面35附近的脫離基303脫離的程度的時間、即不會對接合膜3照射所需以上的紫外線的程度的時間。由此，能夠有效地防止接合膜3變質(zhì)、劣化。具體而言，雖然根據(jù)紫外線的光量、接合膜3的構(gòu)成材料等而稍微不同，但優(yōu)選0.530分鐘左右，更優(yōu)選110分鐘左右。另外，紫外線也可以時間性地連續(xù)照射，但也可以間歇地(脈沖狀)地照射。另一方面，作為激光，例如有受激準分子激光器那樣的脈沖振蕩激光器(脈沖激光器)、碳酸氣激光器、半導(dǎo)體激光器那樣的連續(xù)振蕩激光器等。其中，優(yōu)選脈沖激光器。在脈沖激光器中，接合膜3的被照射了激光的部分難以經(jīng)時性地蓄積熱，因此，能夠可靠地防止蓄積的熱造成的接合膜3的變質(zhì)、劣化。即，根據(jù)脈沖激光器，可防止蓄積的熱影響到接合膜3內(nèi)部。另外，脈沖激光器的脈沖寬度在考慮到熱的影響時，優(yōu)選盡可能的短。具體而言，優(yōu)選脈沖寬度為lps(微微秒)以下，更優(yōu)選500fs(飛秒)以下。若將脈沖寬度設(shè)在上述范圍內(nèi)，則能夠可靠地抑制伴隨激光照射在接合膜3產(chǎn)生的熱的影響。另外，將脈沖寬度減小到上述范圍內(nèi)程度的脈沖激光器被稱作"飛秒激光器"。另外，激光的波長沒有特別限定，例如優(yōu)選2001200nm作喲，更優(yōu)選4001000nm左右。另外，激光的峰值輸出在脈沖激光器的情況下因脈沖寬度而不同，但優(yōu)選0.110W左右，更優(yōu)選15W左右。另外，脈沖激光器的重復(fù)頻率優(yōu)選0.1100kHz左右，更優(yōu)選l10kHz左右。通過將脈沖激光器的頻率設(shè)定在上述范圍內(nèi)，照射了激光的部分的溫度顯著上升，在接合膜30中包含的有機成分的一部分殘存著的狀態(tài)下，能夠可靠地將脫離基303從接合膜3的表面35附近切斷。另外，這種激光的各種條件優(yōu)選適宜調(diào)節(jié)為照射了激光的部分的溫度優(yōu)選常溫(室溫)60(TC左右、更優(yōu)選200600'C左右、特別優(yōu)選30040(TC左右。由此，照射了激光的部分的溫度顯著上升，在接合膜30中包含的有機成分的一部分殘存著的狀態(tài)下，能夠可靠地將脫離基303從接合膜3切斷。另外，對接合膜3照射的激光優(yōu)選以使其焦點吻合于接合膜3的表面35的狀態(tài)，沿該表面35掃描。由此，通過激光的照射而產(chǎn)生的熱局部地蓄積在表面35附近。其結(jié)果是，可使在接合膜3的表面35存在的脫離基303選擇性地脫離。另外，能量線對接合膜3的照射也可以在任何環(huán)境氣體中進行，具體而言，例舉有大氣、氧那樣的氧化性環(huán)境氣體、氫那樣的還原性環(huán)境氣體、氮、氬那樣的惰性環(huán)境氣體、或?qū)⑦@些環(huán)境氣體減壓后的減壓(真空)環(huán)境氣體等，其中，特別優(yōu)選在大氣環(huán)境氣體中進行。由此，控制環(huán)境氣體不需要耗費時間及成本，可以更簡單地進行能量線的照射。這樣，根據(jù)照射能量線的方法，由于容易地進行對接合膜3的表面35附近選擇性地賦予能量，所以例如可防止能量賦予造成的基板2及接合膜3的變質(zhì)、劣化。另外，根據(jù)照射能量線的方法，可高精度且簡單地調(diào)節(jié)賦予的能量的大小。因此，可調(diào)節(jié)從接合膜3脫離的脫離基303的脫離量。這樣，通過調(diào)節(jié)脫離基303的脫離量，可容易控制帶有接合膜的基材1和對置基板4之間的接合強度。艮口，通過增大脫離基303的脫離量，在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生更多的活性鍵，因此，可進一步提高接合膜3上顯現(xiàn)的粘接性。另一方面，通過減小脫離基303的脫離量，可減少接合膜3的表面35附近產(chǎn)生的活性鍵，可抑制接合膜3上顯現(xiàn)的粘接性。另外，為調(diào)節(jié)賦予的能量的大小，例如只要調(diào)節(jié)能量線的種類、能量線的輸出、能量線的照射時間等條件即可。另外，根據(jù)照射能量線的方法，由于可在短時間內(nèi)賦予大的能量，故可更高效地進行能量的賦予。在此，賦予能量之前的接合膜3如圖3所示，在其表面35附近具有脫離基303。對這樣的接合膜3賦予能量的脫離基303(圖3中為甲基)從接合膜3脫離。由此，如圖4所示，在接合膜3的表面35產(chǎn)生活性鍵304并被活性化。其結(jié)果是，在接合膜3的表面顯現(xiàn)粘接性。在此，在本說明書中，接合膜3"被活性化"的狀態(tài)是指，如上所述，接合膜3的表面35及內(nèi)部的脫離基303脫離，在接合膜3的構(gòu)成原子中產(chǎn)生了沒有被終端化的結(jié)合鍵(下面也稱作"未結(jié)合鍵"或"懸空鍵")的狀態(tài)之外的，該未結(jié)合鍵通過羥基(OH基)被終端化了的狀態(tài)、進而包含這些狀態(tài)混合的狀態(tài)，接合膜3"被活性化"的狀態(tài)。因此，活性鍵304是指，如圖4所示，未結(jié)合鍵(懸空鍵)、或未結(jié)合鍵通過羥基而被終端化了的鍵。若這樣的活性鍵304存在，則可對對置基板4進行特別牢固的接合。另外，后者的狀態(tài)(未結(jié)合鍵通過羥基被終端化了的狀態(tài))通過如下這樣而容易產(chǎn)生，即例如通過對接合膜3在大氣環(huán)境氣體中照射能量線，由此大氣中的水分將未結(jié)合鍵終端化。另外，本實施方式中，說明在將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合之前，預(yù)先對帶有接合膜的基材l的結(jié)合鍵3賦予能量的情況，但這樣的能量賦予也可以在將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合(重合)時、或粘合(重合)后進行。另外，在這種情況下，對后述的第二實施方式進行說明。其次，準備對置基板(其它粘附體)4。然后，如圖1(c)所示，按照活性化了的接合膜3和對置基板4密接的方式將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合。由此，在上述工序(2)中，由于顯現(xiàn)了接合膜3對對置基板4的粘接性，故接合膜3和對置基板4化學(xué)結(jié)合，得到圖2(d)所示的接合體5。這樣得到的接合體5中，如現(xiàn)有的接合方法中使用的粘接劑那樣，主要不是基于錨固定(anchor)效果那樣的物理結(jié)合的粘接，而是基于共有結(jié)合那樣的在短時間產(chǎn)生的牢固的化學(xué)結(jié)合來將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合。因此，接合體5可在短時間內(nèi)形成，且極難剝離，且也難以產(chǎn)生接合不均。另外，根據(jù)得到使用這樣的帶有接合膜的基材1得到的接合體5的方法，如現(xiàn)有的固體接合那樣，由于不需要高溫(例如700。C以上)下的熱處理，故也可以將由耐熱性低的材料構(gòu)成的基板2及對置基板4供接合使用。另外，由于經(jīng)由接合膜3將基板2和對置基板4接合，故還具有對基板2、對置基板4的構(gòu)成材料沒有限制的優(yōu)點。如上，根據(jù)本發(fā)明，可分別加寬基板2及對置基板4的各構(gòu)成材料的選擇范圍。另外，在固體接合中，由于不是經(jīng)由接合膜，故在基板2和對置基板4之間的熱膨脹率有大的差的情況下，雖然基于該差的應(yīng)力容易在接合界面集中，可能會產(chǎn)生剝離，但在接合體(本發(fā)明的接合體)5中，可通過接合膜3緩和應(yīng)力集中，可靠地抑制或防止剝離的產(chǎn)生。另外，本實施方式中，在供接合的基板2及對置基板4中只是其中一個(本實施方式中為基板2)上設(shè)有接合膜3。因此，在基板2上形成接合膜3時，通過接合膜3的形成方法，基板2較長時間地暴露于等離子體中，但本實施方式中，對置基板4沒有暴露于等離子體中。因此，例如作為對置基板4，即使在選擇了對等離子體的耐久性明顯低的材料的情況下，根據(jù)本實施方式的方法，也可以將帶有接合膜的基材1和對置基板4牢固地接合。因此，構(gòu)成對置基板4的材料也不用怎么考慮對等離子體的耐久性，具有可從寬范圍的材料中進行選擇的優(yōu)點。在此，準備的對置基板4與基板2相同，也可以由任何材料構(gòu)成。具體而言，對置基板4可由與基板2的構(gòu)成材料相同的材料構(gòu)成。另外，對置基板4的形狀也與基板2相同，只要為具有接合膜3密接的面的形狀，就沒有特別限定，例如為板狀(層狀)、塊狀(塊狀)、棒狀等。但是，對置基板4的構(gòu)成材料可以與基板2不同、也可以相同，但優(yōu)選選擇基板2和對置基板4的各熱膨脹率大致相等的材料。若基板2和對置基板4的熱膨脹率大致相等，則在將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合時，在其接合界面難以產(chǎn)生伴隨熱膨脹的應(yīng)力。其結(jié)果是，在最終得到的接合體5中能夠可靠地防止剝離等不良情況產(chǎn)生。另外，后面詳細敘述，即使在基板2及對置基板4的各熱膨脹率彼此不同的情況下，也優(yōu)選將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合時的條件如下這樣最佳化。由此，可以以高的尺寸精度牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。艮P，在基板2和對置基板4的熱膨脹率彼此不同的情況下，優(yōu)選盡可能在低溫下進行接合。通過在低溫下進行接合，可實現(xiàn)在接合界面產(chǎn)生的熱應(yīng)力的進一步降低。具體而言，根據(jù)基板2和對置基板4的熱膨脹率之差，優(yōu)選在基板2及對置基板4的溫度為255(TC左右的狀態(tài)下將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合，更優(yōu)選在254(TC左右的狀態(tài)下進行粘合。若是這種溫度范圍，則即使基板2和對置基板4的熱膨脹率之差增大某種程度，也可以充分降低在接合界面產(chǎn)生的熱應(yīng)力。其結(jié)果是，能夠可靠地抑制或防止接合體5上的撓曲、剝離等的產(chǎn)生。該情況下，具體的基板2和對置基板4之間的熱膨脹系數(shù)之差為5X10_5/K以上的情況下，如上所述，特別推薦盡可能在低溫下進行接合。另外，基板2和對置基板4優(yōu)選彼此的鋼性不同。由此，可更牢固地接合帶有接合膜的基材1和對置基板4。另外，基板2和對置基板4中至少一個基板優(yōu)選其構(gòu)成材料由樹脂材料構(gòu)成。由于樹脂材料的柔軟性，在將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合時，可緩和在其接合界面產(chǎn)生的應(yīng)力(例如伴隨熱膨脹的應(yīng)力等)。因此，接合界面難以被破壞，其結(jié)果可得到接合強度高的接合體5。在以上說明的對置基板4的供與帶有接合膜的基材1接合的區(qū)域，優(yōu)選與基板2相同，根據(jù)對置基板4的構(gòu)成材料，在進行接合前預(yù)先實施提高對置基板4和接合膜3的密接性的表面處理。由此，可進一步提高帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合強度。另外，作為表面處理，可應(yīng)用與對基板2實施的上述的表面處理相同的處理。另外，根據(jù)對置基板4的構(gòu)成材料，即使不實施上述那樣的表面處理，也可以充分提高帶有接合膜的基材1和對置基梹4的接合強度。得到這種效果的對置基板4的構(gòu)成材料可使用與上述的基板2的構(gòu)成材料相同的材料、即各種金屬類材料、各種硅類材料、各種玻璃類材料等。另外，在對置基板4的供與帶有接合膜的基材1接合的區(qū)域，在具有以下的基、物質(zhì)的情況下，即使不實施上述那樣的表面處理，也可以充分提高帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合強度。作為這樣的基或物質(zhì)，例如有從氫原子、羥基、硫醇基、羧基、鋁基、硝基、咪唑基那樣的官能團，自由基，開壞分子，雙鍵、三鍵那樣的不飽和鍵，F(xiàn)、Cl、Br、I那樣的鹵素，過氧化物構(gòu)成的組中選擇的至少一種基或物質(zhì)。具有這樣的基或物質(zhì)的表面可實現(xiàn)帶有接合膜的基材1對接合膜3的接合強度的進一步提高。另外，為了得到具有這樣的結(jié)構(gòu)的表面，通過適當選擇性地進行上述那樣的各種表面處理，可得到能夠與帶有接合膜的基材1特別牢固地接合的對置基板4。另外，代替表面處理，優(yōu)選在對置基板4的供與帶有接合膜的基材1接合的區(qū)域預(yù)先形成具有提高與接合膜3的密接性的功能的中間層。由此，經(jīng)由這樣的中間層將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合，可得到接合強度更高的接合體5。這樣的中間層的構(gòu)成材料可使用與形成于上述基板2上的中間層的構(gòu)成材料相同的材料。在此，本工序中，對將帶有接合膜的基材1和對置基板4進行接合的機制進行說明。例如，以在對置基板4的供與帶有接合膜的基材1接合的區(qū)域露出羥基的情況為例進行說明，在本工序中，在按照帶有接合膜的基材1的接合膜3和對置基板4接觸的方式將它們粘合時，存在于帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35上的羥基和存在于對置基板4的上述區(qū)域上羥基，在氫結(jié)合的作用下彼此吸引，在羥基之間產(chǎn)生引力。推測通過該引力將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合。另外，通過該氫結(jié)合而相互吸引的羥基彼此之間根據(jù)溫度條件等伴隨脫水縮合而從表面切斷。其結(jié)果是，在帶有接合膜的基材1和對置基板4的接觸界面，結(jié)合有羥基的結(jié)合鍵彼此結(jié)合。由此，推測為帶有接合膜的基材1和對置基板4更牢固地接合。另外，上述工序(2)中被活性化了的接合膜3的表面，其活性狀態(tài)時效性地緩和。因此，優(yōu)選在上述工序(2)結(jié)束后，盡可能早地進行本工序(3)。具體而言，優(yōu)選在上述工序(2)結(jié)束后60分鐘以內(nèi)進行本工序(3)，更優(yōu)選在5分鐘內(nèi)進行。若在這樣的時間內(nèi)，則接合膜3的表面維持足夠的活性狀態(tài)，因此，在本工序中將帶有接合膜的基材1(接合膜3)和對置基板4粘合時，可在它們之間得到足夠的接合強度。換言之，活性化之前的接合膜3是包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基303的接合膜，因此，化學(xué)上較穩(wěn)定，且耐候性優(yōu)良。因此，活性化之前的接合膜3適宜長期保存。因此，若預(yù)先大量制造或購入具備這種接合膜3的基板2并進行保存，在進行本工序的粘合之前，只要對需要的個數(shù)進行上述工序(2)中記載的能量賦予，從接合體5的制造效率的觀點來看是有效的。如上可得到圖2(d)所示的接合體(本發(fā)明的接合體)5。另外，圖2(d)中，按照覆蓋帶有接合膜的基材1的接合膜3的整個面的方式將對置基板4重合，但這些相對的位置也可以彼此錯開。S卩，也可以按照對置基板4從接合膜3伸出的方式將帶有接合膜的基材1和對置基板4重合。這樣得到的接合體5優(yōu)選基板2和對置基板4之間的接合強度為5MPa(50kgf/cm2)以上，更優(yōu)選lOMPa(100kgf/cm2)以上。具有這種接合強度的接合體5可充分防止其剝離。而且，如后所述，在使用接合體5構(gòu)成例如液滴噴頭時，得到耐久性優(yōu)良的液滴噴頭。另外，根據(jù)本發(fā)明的帶有接合膜的基材1，可高效地制作將基板2和對置基板4以上述那樣以大的接合強度接合的接合體5。另外，在將現(xiàn)有的硅基板彼此直接接合的固體接合中，即使使供接合的基板的表面活性化，該活性狀態(tài)也只是在大氣中維持數(shù)秒數(shù)十秒這樣極短的時間。因此，存在著在進行了表面的活性化之后，不能充分確保使接合的兩個基板粘合等作業(yè)所需要的時間的問題。相對于此，根據(jù)本發(fā)明，可將活性狀態(tài)維持較長時間。因此，可充分確保粘合作業(yè)所需要的時間，可提高接合作業(yè)中的效率。另外，可將活性狀態(tài)維持較長時間，這認為是由于由有機成分構(gòu)成的脫離基303脫離后的活性化狀態(tài)穩(wěn)定。另外，在得到接合體5時，或得到接合體5后，也可以根據(jù)需要對該接合體5(帶有接合膜的基材1和對置基板4的層疊體)進行以下三個工序([4A]、[4B]及[4C])中的至少一個工序(提高接合體5的接合強度的工序)。由此，可實現(xiàn)接合體5的接合強度的進一步提高。如圖2(e)所示，將得到的接合體5向基板2和對置基板4彼此接近的方向加壓。由此，接合膜3的表面進一步分別接近基板2的表面及對置基板4的表面，可進一步提高接合體5的接合強度。另外，通過對接合體5加壓，壓破接合體5中的接合界面殘存的間隙，可進一步擴大接合面積。由此，可進一步提高接合體5的接合強度。此時，對接合體5加壓時的壓力為接合體不會受到損傷的程度的壓力，優(yōu)選盡可能高。由此，可與該壓力成正比地提高接合體5的接合強度。另外，該壓力只要根據(jù)基板2及對置基板4的各構(gòu)成材料、各厚度、接合裝置等條件適宜調(diào)節(jié)即可。具體而言，雖然根據(jù)基板2及對置基板4的各構(gòu)成材料、各厚度等稍有不同，但優(yōu)選0.210MPa左右，更優(yōu)選15MPa左右。由此，能夠可靠地提高接合體5的接合強度。另外，該壓力也可以超過上述上限值，但根據(jù)基板2及對置基板4的各構(gòu)成材料，存在在基板2及對置基板4上產(chǎn)生損傷的顧慮。另外，加壓的時間沒有特別限定，但優(yōu)選10秒30分鐘左右。另外，加壓的時間只要根據(jù)加壓時的壓力進行適當變更即可。具體而言，加壓接合體5時的壓力越高，即使縮短加壓的時間，也可以實現(xiàn)接合強度的提高。[4B]如圖2(e)所示，對得到的接合體5進行加熱。此時，加熱接合體5時的溫度比室溫高，只要不到接合體5的耐熱溫度，就沒有特別限定，優(yōu)選25200。C左右，更優(yōu)選510(TC左右。若以這樣的范圍的溫度進行加熱，則能夠可靠地防止接合體5因熱而變質(zhì)、劣化，并且可可靠地提高接合強度。另外，加熱時間沒有特別限定，但優(yōu)選130分鐘左右。另外，在進行上述工序[4A]、[4B]這兩者時，優(yōu)選將它們同時進行。即，如圖2(e)所示，優(yōu)選在對接合體5加壓的同時對其進行加熱。由此，可同時發(fā)揮加壓的效果和加熱的效果，可特別地提高接合體5的接合強度。[4C]如圖2(f)所示，對得到的接合體5照射紫外線。由此，可使接合膜3和基板2及接合膜3和對置基板4之間形成的化學(xué)結(jié)合增加，且可分別提高基板2及對置基板4和接合膜3之間的接合強度。其結(jié)果可特別地提高接合體5的接合強度。此時照射的紫外線的條件只要與上述工序[2]中所示的紫外線的條件相同即可。另外，在進行本工序[4C]時，需要基板2及對置基板4中任一方具有透光性。而且，通過從具有透光性的基板側(cè)照射紫外線，可對接合膜3可靠地照射紫外線。通過進行如上的工序，可容易地實現(xiàn)接合體5的接合強度的進一步提高。在此，如上所述，本發(fā)明的帶有接合膜的基材在接合膜3上具有特征。下面對接合膜3進行說明。如上所述，接合膜3如圖3及圖4所示，包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基303。這樣的接合膜3當被賦予能量時，脫離基303從接合膜3的至少表面35附近脫離，如圖4所示，在接合膜3的至少表面35附近產(chǎn)生活性鍵304。由此，在接合膜3的表面顯現(xiàn)粘接性。若顯現(xiàn)這樣的粘接性，則具備接合膜3的帶有接合膜的基材1可以以高的尺寸精度相對于對置基板4牢固且高效地接合。另外，由于接合膜3是包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基303的膜即有機金屬膜，故成為難以變形的牢固的膜。因此，接合膜3自身的尺寸精度高，即使對于最終得到的接合體5，也可以得到尺寸精度高的結(jié)構(gòu)。這樣的接合膜3呈沒有流動性的固體狀。因此，與目前使用的具有流動性的液狀或粘液狀(半固形狀)的粘接劑相比，粘接層(接合膜3)的厚度、形狀幾乎無變化。因此，使用帶有接合膜的基材1得到的接合體5的尺寸精度比現(xiàn)有技術(shù)的高很多。另外，由于不需要粘接劑的固化所需要的時間，故可在短時間內(nèi)實現(xiàn)牢固的接合。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選接合膜3具有導(dǎo)電性。由此，在后述的接合體中，可將接合膜3應(yīng)用于配線基板所具備的配線、其端子等。為了使作為以上那樣的接合膜3的功能最好地發(fā)揮，選擇金屬原子及脫離基303。具體而言，作為金屬原子，例如可列舉Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、各種鑭系元素、各種錒系元素那樣的過渡金屬元素、Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、Zn、Ga、Rb、Sr、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、Tl、Pd、Bi、Po那樣的典型金屬元素等。在此，過渡金屬元素在各過渡金屬元素間只是最外層電子的數(shù)量不同的差異，因此，物性類似。而且，過渡金屬通常其硬度、熔點高，導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性高。因此，在使用過渡金屬元素作為金屬原子時，可進一步提高接合膜3上顯現(xiàn)的粘接性。另外，同時可進一步提高接合膜3的導(dǎo)電性。另夕卜，作為金屬原子，在將Cu、Al、Zn及Fe中的一種或兩種以上組合使用時，接合膜3發(fā)揮優(yōu)良的導(dǎo)電性。另外，在使用后述的有機金屬化學(xué)氣相成長法成膜接合膜3時，可使用包含這些金屬的金屬絡(luò)合物等作為原料來成膜較容易且均勻的膜厚的接合膜3。另外，脫離基303如上所述，通過從接合膜3脫離，按照在接合膜3上產(chǎn)生活性鍵的方式動作。因此，通過對脫離基303賦予能量，雖然較簡單且均勻地進行脫離，但在未賦予能量時，優(yōu)選選擇按照不能脫離的方式可靠地與接合膜3接合的結(jié)構(gòu)。具體而言，作為脫離基303，優(yōu)選選擇以碳原子為必要成分且含有氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子中至少一種的原子團。這樣的脫離基303在賦予能量得到的結(jié)合/脫離的選擇性方面較為優(yōu)良。因此，這樣的脫離基303能夠充分滿足上述那樣的必要性，可進一步提高帶有接合膜的基材1的粘接性。更具體地說，作為原子團(基)，例如有甲基、乙基那樣的垸基、甲氧基、乙氧基那樣的烷氧基、羧基之外的上述烷基的末端以異氰酸酯基、氨基及磺基等為終端的基等。以上那樣的原子團中，脫離基303特別優(yōu)選烷基。由垸基構(gòu)成的脫離基303的化學(xué)穩(wěn)定性高，因此，作為脫離基303，具備烷基的接合膜3在耐候性及耐藥品性方面優(yōu)良。另外，在這樣構(gòu)成的接合膜3中，金屬原子和氧原子的存在比優(yōu)選3:77:3左右，更優(yōu)選4:66:4左右。通過將金屬原子和碳原子的存在比設(shè)定在上述范圍內(nèi)，接合膜3的穩(wěn)定性提高，可將帶有接合膜的基材l和對置基板4更牢固地接合。另外，可將接合膜3作成發(fā)揮優(yōu)良的導(dǎo)電性的膜。另外，接合膜3的平均厚度優(yōu)選11000nm左右，更優(yōu)選50800nm左右。通過將接合膜3的平均厚度設(shè)在上述范圍內(nèi)，可防止將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合而成的接合體5的尺寸精度顯著降低，并且可將它們更牢固地接合。即，在接合膜3的平均厚度低于上述下限值時，可能得不到足夠的接合強度。另一方面，在接合膜3的平均厚度超過上述上限值時，接合體5的尺寸精度可能顯著降低。另外，若接合膜3的平均厚度在上述范圍內(nèi)，接合膜3確保某種程度的形狀追隨性。因此，例如即使在基板2的接合面(與接合膜3鄰接的面)上存在凹凸的情況下，根據(jù)該凹凸的高度，也可以按照追隨凹凸的形狀的方式覆蓋接合膜3。其結(jié)果是，接合膜3可吸收凹凸并將其表面產(chǎn)生的凹凸的高度緩和。而且，在將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合時，可提高接合膜3相對于對置基板4的密接性。另外，上述那樣的形狀追隨性的程度是接合膜3的厚度越厚越顯著。因此，為充分確保形狀追隨性，只要使接合膜3的厚度盡可能厚即可。以上說明的接合膜3可以用任何方法成膜，例如有，I:將包含脫離基(有機成分)303的有機物賦予由金屬原子構(gòu)成的金屬膜的大致整體上而形成接合膜3的方法；II:將含有脫離基(有機成分)303的有機物選擇性地賦予(化學(xué)修飾)由金屬原子構(gòu)成的金屬膜的表面附近而形成接合膜3的方法；III:以具有金屬原子和包含脫離基(有機成分)303的有機物的有機金屬材料為原材料，使用有機金屬化學(xué)氣相成長法形成接合膜3的方法等。其中，優(yōu)選通過III的方法成膜接合膜3。根據(jù)這種方法，可以以較簡單的工序形成均勻膜厚的接合膜3。下面，以利用III的方法、即以具有金屬原子和含有脫離基(有機成分)303的有機物的有機金屬材料為原材料，使用有機金屬化學(xué)氣相成長法形成接合膜3的方法，得到接合膜3的情況為代表進行說明。首先，在說明接合膜3的成膜方法之前，對成膜接合膜3時使用的成膜裝置200進行說明。圖5是模式性表示制造本發(fā)明的帶有接合膜的基材時使用的成膜裝置的縱剖面圖。另外，以下的說明中，將圖5中上側(cè)稱為"上"、將下側(cè)稱為"下"。圖5所示的成膜裝置200構(gòu)成為，在腔室211內(nèi)進行有機金屬化學(xué)氣相成長法(以下也簡稱為"MOCVD法")的接合膜3的形成。具體而言，成膜裝置200具有腔室(真空腔室)211、設(shè)于該腔室211內(nèi)并保持基板2(成膜對象物)的基板支架(成膜對象物保持部)212、向腔室211內(nèi)供給氣化或霧化后的有機金屬材料的有機金屬材料供給裝置260、供給用于使腔室211內(nèi)成為低還原性環(huán)境氣體下的氣體的氣體供給裝置270、進行腔室211內(nèi)的排氣并控制壓力的排氣裝置230以及對基板支架212進行加熱的加熱裝置(未圖示)。基板支架212在本實施方式中安裝于腔室211的底部。該基板支架212通過電動機的動作可轉(zhuǎn)動。由此，可以在基板2上以均質(zhì)且均勻的厚度成膜接合膜。另外，在基板支架212的附近分別配設(shè)有可將它們覆蓋的蓋221。該蓋221用于防止基板2及接合膜3暴露于不需要的環(huán)境氣體等中。有機金屬材料供給裝置260與腔室211連接。該有機金屬材料供給裝置260由貯存固形狀的有機金屬材料的貯存槽262、貯存將氣化或霧化后的有機金屬材料向腔室211內(nèi)送氣的載氣的氣罐265、將載氣和氣化或霧化后的有機金屬材料導(dǎo)向腔室211內(nèi)的氣體供給線261、設(shè)于氣體供給線261的中途的泵264及閥263構(gòu)成。這樣構(gòu)成的有機金屬材料供給裝置260中，貯存槽262具有加熱裝置，通過該加熱裝置的動作可將固形狀的有機金屬材料加熱而使其氣化。因此，在閥263幵放的狀態(tài)下使泵264動作，將載氣從氣罐265向貯存槽262供給時，氣化或霧化后的有機金屬材料與該載氣一起通過供給線261內(nèi)而被供給到腔室211內(nèi)。另外，作為載氣，沒有特別限定，但例如最好使用氮氣、氬氣及氦氣等。另外，在本實施方式中，氣體供給裝置270與腔室211連接。氣體供給裝置270由貯存用于使腔室211內(nèi)處于低還原性環(huán)境氣體下的氣體的氣罐275、將用于形成上述低還原性環(huán)境氣體下的氣體導(dǎo)向腔室211內(nèi)的氣體供給線271、設(shè)于氣體供給線271的中途的泵274及閥273構(gòu)成。這樣構(gòu)成的氣體供給裝置270中，當在閥273開放的狀態(tài)下使泵274動作時，用于形成為上述低還原性環(huán)境氣體下的氣體從氣罐275經(jīng)由供給線271被供給到腔室211內(nèi)。通過將氣體供給裝置270作成這樣的構(gòu)成，相對于有機金屬材料可將腔室211內(nèi)可靠地形成為低還原的環(huán)境。其結(jié)果是，在以有機金屬材料為原材料并使用MOCVD法成膜接合膜3時，在使有機金屬材料中包含的有機成分中的至少一部分作為脫離基303殘存的狀態(tài)下，成膜接合膜3。作為用于將腔室211內(nèi)形成為低還原性環(huán)境的氣體，沒有特別限定，但例如有氮氣及氦氣、氬氣、氙氣那樣的稀有氣體等，可將它們中的一種或兩種以上組合使用。另外，作為有機金屬材料，在如后述的2,4-戊二酮一銅(II)、(Cu(hfac)(VTMS))等，使用分子構(gòu)造中含有氧原子的材料時，優(yōu)選在用于形成為低還原性環(huán)境氣體下的氣體中添加氫氣。由此，可提高對氧原子的還原性，可使接合膜3中不殘存過度的氧原子而成膜接合膜3。其結(jié)果是，該接合膜3在膜中的金屬氧化物的存在率低，發(fā)揮優(yōu)良的導(dǎo)電性。另外，作為載氣，在使用上述的氮氣、氬氣及氦氣中的至少一種的情況下，該載氣也可以發(fā)揮作為用于形成為低還原性環(huán)境下的氣體的功能。另外，排氣裝置230由泵232、將泵232和腔室211連通的排氣線231以及設(shè)于排氣線231的中途的閥233構(gòu)成，可將腔室211內(nèi)減壓到希望的壓力。使用如上那樣構(gòu)成的成膜裝置200，利用MOCVD法如下在基板2上形成接合膜3。首先，準備基板2。然后，將該基板2搬入成膜裝置200的腔室211內(nèi)，并安裝(安置)于基板支架212上。其次，在使排氣裝置230動作，即使泵232動作的狀態(tài)下，通過將閥233打開，由此腔室211內(nèi)成為減壓狀態(tài)。該減壓的程度(真空度)沒有特別限制，但優(yōu)選lXl(r7lX10-4Torr左右，更優(yōu)選1X10—61X10-5丁orr左右。另外，在使氣體供給裝置270動作，即，使泵274動作的狀態(tài)下，將闊273打開，由此向腔室211內(nèi)供給用于形成為低還原性環(huán)境下的氣體，使腔室211內(nèi)處于低還原性環(huán)境氣體下。氣體供給裝置270的上述氣體的流量沒有特別限制，但優(yōu)選為0.110sccm左右，更優(yōu)選為0.55sccm左右。此時，使加熱裝置動作，對基板支架212進行加熱?；逯Ъ?12的溫度根據(jù)形成的接合膜3的種類、即形成接合膜3時使用的原材料的種類的不同而有稍微的不同，但優(yōu)選在8030(TC左右，更優(yōu)選在100275°C左右。通過設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，可使用后述的有機金屬材料成膜具有優(yōu)良的粘接性的接合膜3。其次，將蓋221設(shè)為打開的狀態(tài)。然后，使貯存有固形狀的有機金屬材料的貯存槽262所具備的加熱裝置動作，由此在使有機金屬材料氣化了的狀態(tài)下，使泵264動作，同時打開閥263，由此將氣化或霧化后的有機金屬材料與載氣一起導(dǎo)入腔室內(nèi)。這樣，在由上述工序(2)加熱了基板支架212的狀態(tài)下，向腔室211內(nèi)供給氣化或霧化后的有機金屬材料時，通過在基板2上加熱有機金屬材料，可在有機金屬材料中包含的有機物的一部分殘存的狀態(tài)下，在基板2上形成接合膜3。艮口，根據(jù)MOCVD法，若按照有機金屬材料中包含的有機物的一部分殘存的方式形成包含金屬原子的膜，則可在基板2上形成該有機物的一部分發(fā)揮作為脫離基303的功能的接合膜3。這樣的MOCVD法中使用的有機金屬材料沒有特別限定，例如有2,4-戊二酮(pentadionate:^:/夕、^才氺一卜)一銅(II)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、三(4-甲基-8羥基喹啉)鋁(III)(Almq3)、(8-羥基喹啉)鋅(Znq2)、銅酞菁、銅(六氟乙酰丙酮)(乙烯基三甲基硅烷)[Cu(hfac)(VTMS)]、銅(六氟乙酰丙酮)(2-甲基-l-己烯-3-烯)[Cu(hfac)(MHY)]、銅(全氟乙酰丙酮)(乙烯基三甲基硅烷)[Cu(pfac)(VTMS)]、銅(全氟乙酰丙酮)(2-甲基-l-己烯-3-烯)[Cu(pfac)(MHY)]之類的金屬絡(luò)合物、三甲基鎵、三甲基鋁、二乙基鋅之類的烷基金屬、及其衍生物等。其中，作為有機金屬材料，優(yōu)選金屬絡(luò)合物。通過使用金屬絡(luò)合物，能在殘存有金屬絡(luò)合物中包含的有機物的一部分的狀態(tài)下可靠地形成接合膜另外，在本實施方式中，通過使氣體供給裝置270動作，將腔室211內(nèi)形成在低還原性環(huán)境氣體下，通過形成在這樣的環(huán)境氣體下，可以不在基板2上形成純粹的金屬膜而以殘存有有機金屬材料中包含的有機物的一部分的狀態(tài)進行成膜。即，可形成作為接合膜及金屬膜這兩者的特性優(yōu)良的接合膜3。氣化或霧化后的有機金屬材料的流量優(yōu)選為0.1100ccm左右，更優(yōu)選為0.560ccm左右。由此，可以以均勻的膜厚且殘存有有機金屬材料中包含的有機物的一部分的狀態(tài)成膜接合膜3。如上，通過形成將成膜接合膜3時膜中殘存的殘存物用作脫離基303的構(gòu)成，可不必將脫離基導(dǎo)入形成的金屬膜等，而可以以較簡單的工序成膜接合膜3。另外，使用有機金屬材料形成的接合膜3上殘存的上述有機物的一部分全部可以作為脫離基303起作用，也可以使其一部分作為脫離基303起作用。如上，可在基板2上成膜接合膜3，得到帶有接合膜的基材l。(第二實施方式)其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)、及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第二實施方式進行說明。圖6是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第二實施方式的圖(縱剖面圖)。另外，在以下的說明中，將圖6中的上側(cè)稱作"上"，將下側(cè)稱作"下"。下面，對第二實施方式的接合方法進行說明，以與上述第一實施方式的不同點為中心進行說明，關(guān)于相同的事項，省略其說明。本實施方式的接合方法除了將帶有接合膜的基材1和對置基板4重合后對接合膜3賦予能量之外，與上述第一實施方式相同。艮口，本實施方式的接合方法包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；準備對置基板(其它的粘附體)4并按照帶有接合膜的基材1所具備的接合膜3和對置基板4密接的方式將它們重合的工序；對重合而成的層疊體中的接合膜3賦予能量，使接合膜3活性化，由此得到將帶有接合膜的基材1和對置基板4接合而成的接合體5的工序。下面，對本實施方式的接合方法的各工序按順序迸行說明。首先，與上述第一實施方式相同，準備帶有接合膜的基材l(參照圖6(a))。其次，如圖6(b)所示，準備對置基板4，并按照接合膜3的表面35和對置基板4密接的方式將帶有接合膜的基材1和對置基板4重合，得到層疊體。另外，在該層疊體的狀態(tài)下，由于帶有接合膜的基材l和對置基板4之間未接合，因此，可調(diào)節(jié)帶有接合膜的基材1相對于對置基板4的相對位置。由此，在將帶有接合膜的基材1和對置基板4重合后，可容易地微調(diào)節(jié)它們的位置。其結(jié)果是可提高接合膜3的表面35方向上的位置精度。其次，如圖6(c)所示，對層疊體中的接合膜3賦予能量。當對接合膜3賦予能量時，在接合膜3上顯現(xiàn)與對置基板4的粘接性。由此，帶有接合膜的基材1和對置攪拌4接合，如圖6(d)所示，得到接合體5。在此，賦予接合膜3的能量可通過任何方法賦予，例如通過上述第一實施方式中舉出的方法賦予。另外，在本實施方式中，作為對接合膜3賦予能量的方法，特別優(yōu)選使用對接合膜3照射能量線的方法、將接合膜3加熱的方法及對接合膜3賦予壓縮力(物理能量)的方法中至少一種方法。這些方法可對接合膜3較簡單且高效地賦予能量，因此作為能量賦予方法合適。其中，作為對接合膜3照射能量線的方法，可使用與上述第一實施方式相同的方法。另外，在該情況下，能量線透過基板2或?qū)χ没?照射到接合膜3上。因此，基板2或?qū)χ没?中照射能量線的一側(cè)的基板由具有透光性的材料構(gòu)成。另一方面，在通過加熱接合膜3，對接合膜3賦予能量時，優(yōu)選將加熱溫度設(shè)定為25200'C左右，更優(yōu)選設(shè)定為50100'C左右。若以這樣的范圍的溫度進行加熱，則能夠可靠地防止基板2及對置基板4因熱而變質(zhì)、劣化，而且能夠可靠地使接合膜3活性化。另外，加熱時間只要是可使接合膜3的脫離基303脫離的程度的時間即可，具體而言，若加熱溫度在上述范圍內(nèi)，則優(yōu)選130分鐘左右。另外，接合膜3可用任何方法加熱，例如可用采用加熱器的方法、照射紅外線的方法、與火接觸的方法等各種方法加熱。另外，在使用照射紅外線的方法時，基板2或?qū)χ没?優(yōu)選由具有光吸收性的材料構(gòu)成。由此，照射了紅外線的基板2或?qū)χ没?高效地發(fā)熱。其結(jié)果是可高效地加熱接合膜3。另外，在使用采用加熱器的方法或與火接觸的方法時，基板2或?qū)χ没?中接觸加熱器或火的一惻基板優(yōu)選由導(dǎo)熱性優(yōu)良的材料構(gòu)成。由此，可經(jīng)由基板2或?qū)χ没?對接合膜3高效地傳遞熱，可高效地加熱接合膜3。另外，通過對接合膜3賦予壓縮力，在對接合膜3賦予能量時，優(yōu)選將帶有接合膜的基材1和對置基板4向彼此接近的方向以0.210MPa左右的壓力進行壓縮，更優(yōu)選以15MPa左右的壓力進行壓縮。由此，只通過簡單地進行壓縮，就可簡單地對接合膜3賦予適度的能量，在接合膜3上顯出與對置基板4足夠的粘接性。另外，該壓力也可以超過上述上限值，但因基板2和對置基板4的各構(gòu)成材料，在基板2以及對置基板4上可能產(chǎn)生損傷。另外，賦予壓縮力的時間沒有特別限定，優(yōu)選10秒30分鐘左右。另外，賦予壓縮力的時間只要根據(jù)壓縮力的大小適宜變更即可。具體而言，壓縮力的大小越大，越能夠縮短賦予壓縮力的時間。如上那樣可得到接合體5。(第三實施方式)其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第三實施方式進行說明。圖7及圖8是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第三實施方式的圖(縱剖面圖)。另外，以下的說明中，將圖7及圖8中的上側(cè)稱作"上"，將下側(cè)稱作"下"。下面，對第三實施方式的接合方法進行說明，以與上述第一實施方式以及上述第二實施方式的不同點為中心進行說明，關(guān)于相同的事項，省略其說明。本實施方式的接合方法除了將兩個帶有接合膜的基材1彼此接合之外，與上述第一實施方式相同。艮P，本實施方式的接合方法包括準備兩個本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；對各個帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32分別賦予能量，使各接合膜31、32活性化的工序；按照使各接合膜31、32彼此密接的方式將兩個帶有接合膜的基材彼此粘合，得到接合體5a的工序。下面，對本實施方式的接合方法的各工序按順序進行說明。[l]首先，與上述第一實施方式相同，準備兩個帶有接合膜的基材l(參照圖7(a))。另外，在本實施方式中，作為該兩個帶有接合膜的基材l，如圖7(a)所示，使用具有基板21和設(shè)于該基板21上的接合膜31的帶有接合膜的基材1和具有基板22和設(shè)于該基板22上的接合膜32的帶有接合膜的基材l。其次，如圖7(b)所示，對兩個帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32分別賦予能量。當對各接合膜31、32賦予能量時，在各接合膜31、32上，圖3所示的脫離基303從接合膜3脫離。而且，在脫離基303脫離后，如圖4所示，在各接合膜31、32的表面35附近產(chǎn)生活性鍵304，各接合膜31、32被活性化。由此，在各接合膜31、32上分別顯現(xiàn)粘接性。這種狀態(tài)的兩個帶有接合膜的基材1分別彼此能夠粘接。另外，作為能量賦予方法，可使用與上述第一實施方式相同的方法。在此，接合膜3"被活性化"的狀態(tài)是指，如上述第一實施方式中所說明的那樣，除了接合膜3的表面35及內(nèi)部的脫離基303脫離，產(chǎn)生了接合膜3的構(gòu)成原子未終端化的結(jié)合鍵(以下也稱作"未結(jié)合鍵"或"懸空鍵")的狀態(tài)之外，還包括該未結(jié)合鍵通過羥基(OH基)被終端化了的狀態(tài)，進而包含這些狀態(tài)混合的狀態(tài)，接合膜3"被活性化"的狀態(tài)。因此，本說明書中，活性鍵304是指，如圖4所示，未結(jié)合鍵(懸空鍵)、或未結(jié)合鍵通過羥基而被終端化了的鍵。其次，如圖7(c)所示，按照顯現(xiàn)了粘接性的各接合膜3彼此密接的方式將兩個帶有接合膜的基材1彼此粘合，得到接合體5a。在此，在本工序中，將兩個帶有接合膜的基材1彼此接合，推測該接合是基于以下兩個機制(i)、(ii)這兩者或之一的接合。(i)例如，以在各接合膜3K32的表面351、352露出了羥基的情況為例進行說明，本工序中，在按照各接合膜31、32彼此密接的方式將兩個帶有接合膜的基材1彼此粘合時，在各帶有接合膜的基材1的接合膜31、32的表面351、352上存在的羥基彼此通過氫結(jié)合而彼此吸引，在羥基彼此之間產(chǎn)生引力。通過該引力，推測兩個帶有接合膜的基材1彼此接合。另外，通過該氫結(jié)合而彼此吸引的羥基彼此由于溫度條件等，伴隨脫水縮合而從表面被切斷。其結(jié)果是，在兩個帶有接合膜的基材1彼此之間，羥基結(jié)合后的結(jié)合鍵彼此結(jié)合。由此，推測為兩個帶有接合膜的基材1彼此更牢固地接合。(ii)當將兩個帶有接合膜的基材1彼此粘合時，在各接合膜31、32的表面351、352附近產(chǎn)生的未終端化的結(jié)合鍵(未結(jié)合鍵)彼此再結(jié)合。該再結(jié)合按照彼此重合(絡(luò)合)的方式復(fù)雜地產(chǎn)生，因此，在接合界面產(chǎn)生網(wǎng)狀的結(jié)合。由此，通過構(gòu)成各接合膜31、32的金屬原子及氧原子任一個彼此直接接合，從而各接合膜31、32彼此形成一體。通過如上那樣的(i)或(ii)的機制，得到圖7(d)所示的接合體5a。另外，在得到接合體5a后，根據(jù)需要也可以對該接合體5a進行上述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序。例如圖8(e)所示，通過加壓并同時加熱接合體5a，接合體5a的各基板21、22彼此進一步接近。由此，促進各接合膜31、32的界面的羥基的脫水縮合、未結(jié)合鍵彼此的再結(jié)合。而且，各接合膜31、32彼此進一步一體化。其結(jié)果是，如圖8(f)所示，得到具有大致完全形成一體的接合膜30的接合體5a'。(第四實施方式)其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第四實施方式進行說明。圖9是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第四實施方式的圖(縱剖面圖)。另外，以下的說明中，將圖9中的上側(cè)稱作"上"，將下側(cè)稱作"下"。下面，對第四實施方式的接合方法進行說明，以與上述第一實施方式上述第三實施方式的不同點為中心進行說明，關(guān)于相同的事項，省略其說明。本實施方式的接合方法中，通過選擇性地僅使接合膜3的一部分的規(guī)定區(qū)域350活性化，將帶有接合膜的基材1和對置基板4在上述規(guī)定區(qū)域350局部地接合，除此之外，與上述第一實施方式相同。艮口，本實施方式的接合方法包括準備本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；對帶有接合膜的基材1的接合膜3，選擇性地對一部分規(guī)定區(qū)域350賦予能量，使上述規(guī)定區(qū)域350選擇性地活性化的工序；準備對置基板(另外的粘附體)4，按照帶有接合膜的基材1所具備的接合膜3和對置基板4密接的方式將它們粘合，得到帶有接合膜的基材1和對置基板4在上述規(guī)定區(qū)域350局部地接合而成的接合體5b的工序。下面，對本實施方式的接合方法的各工序按順序進行說明。[l]首先，準備帶有接合膜的基材1(本發(fā)明的帶有接合膜的基材)(參照圖9(a))。其次，如圖9(b)所示，對帶有接合膜的基材1的接合膜3的表面35中的一部分規(guī)定區(qū)域350選擇性地賦予能量。當賦予能量時，在接合膜3上，在規(guī)定區(qū)域350，圖3所示的脫離基303從接合膜3脫離。然后，在脫離基303脫離后，在規(guī)定區(qū)域350，如圖4所示，在接合膜3的表面35附近產(chǎn)生活性鍵304，使接合膜3活性化。由此，在接合膜3的規(guī)定區(qū)域350顯現(xiàn)與對置基板4的粘接性，另一方面，在接合膜3的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，該粘接性完全沒有顯現(xiàn)、或即使顯現(xiàn)也是稍微顯現(xiàn)。這種狀態(tài)的帶有接合膜的基材1在規(guī)定區(qū)域350可與對置基板4局部粘接。在此，賦予接合膜3的能量可以用任何方法賦予，例如用上述第一實施方式中舉出的方法賦予。另外，在本實施方式中，作為對接合膜3賦予能量的方法，特別優(yōu)選使用對接合膜3照射能量線的方法。該方法由于可以對接合膜3較簡單且高效地賦予能量，因此，作為能量賦予方法合適。另外，本實施方式中，作為能量線，特別優(yōu)選使用激光、電子線那樣的指向性高的能量線。若為這樣的能量線，則通過向目的方向進行照射，可選擇性地且簡單地對規(guī)定區(qū)域照射能量線。另外，即使是指向性低的能量線，若按照將接合膜3的表面35中要照射能量線的規(guī)定區(qū)域350之外的區(qū)域覆蓋(遮蔽)的方式進行照射，則38也可選擇性地對規(guī)定區(qū)域350照射能量線。具體而言，如圖9(b)所示，只要在接合膜3的表面35的上方設(shè)置掩模6，該掩模6具有形成與要照射能量線的規(guī)定區(qū)域350的形狀對應(yīng)的形狀的窗口61，并經(jīng)由該掩模6照射能量線即可。據(jù)此，可容易地對規(guī)定區(qū)域350選擇性地照射能量線。其次，如圖9(c)所示，準備對置基板(另外的粘附體)4。然后，按照使規(guī)定區(qū)域350選擇性地活性化的接合膜3和對置基板4密接的方式將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合。由此，得到圖9(d)所示的接合體5b。這樣得到的接合體5b不是將基板2和對置基板4的對置面整個面接合，而只是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)局部地接合而成。而且，在進行該接合時，只通過控制對接合膜3賦予能量的區(qū)域，就可簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如通過控制使帶有接合膜的基材l的接合膜3活性化的區(qū)域(本實施方式中為規(guī)定區(qū)域350)的面積，就可容易地調(diào)節(jié)接合體5b的接合強度。其結(jié)果是，例如得到可容易地將接合的位置分離的接合體5b。另外，通過適當控制圖9(d)所示的帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積、形狀，可緩和在接合部產(chǎn)生的應(yīng)力的局部集中。由此，例如即使在基板2和對置基板4之間熱膨脹率之差大的情況下，也能夠?qū)в薪雍夏さ幕?和對置基板4可靠地接合。另外，在接合體5b上，在帶有接合膜的基材1和對置基板4的間隙中接合的規(guī)定區(qū)域350之外的區(qū)域，產(chǎn)生(殘存)有微小的間隙。因此，通過適當調(diào)節(jié)該規(guī)定區(qū)域350的形狀，在帶有接合膜的基材1和對置基板4之間可容易形成閉空間、流路等。另外，如上所述，通過控制帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積，可調(diào)節(jié)接合體5b的接合強度，并且同時可調(diào)節(jié)將接合體5b分離時的強度(割裂強度)。從這樣的觀點考慮，在制作可容易分離的接合體5b時，接合體5b的接合強度優(yōu)選為人手可容易地進行分離的程度的大小。由此，在將接合體5b分離時，可不使用裝置等而簡單地進行。如上那樣可得到接合體5b。另外，在得到接合體5b后，根據(jù)需要也可以對該接合體5b進行上述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序。此時，在接合體5b的接合膜3和對置基板4的界面中，在規(guī)定區(qū)域350之外的區(qū)域(非接合區(qū)域)，產(chǎn)生(殘存)有微小的間隙。因此，在加壓并同時加熱接合體5b時，優(yōu)選在該規(guī)定區(qū)域350之外的區(qū)域在接合膜3和對置基板4不會接合的條件下進行。另外，考慮上述情況，在進行上述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中至少一個工序時，優(yōu)選對規(guī)定區(qū)域350選擇性地進行這些工序。由此，可防止接合膜3和對置基板4在規(guī)定區(qū)域350之外的區(qū)域接合。(第五實施方式)其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第五實施方式進行說明。圖10是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第五實施方式的圖(縱剖面圖)。另外，在以下的說明中，將圖IO中的上側(cè)稱作"上"，將下側(cè)稱作"下"。下面，對第五實施方式的接合方法進行說明，以與上述第一實施方式上述第四實施方式的不同點為中心進行說明，關(guān)于相同的事項，省略其說明。在實施方式的接合方法，通過選擇性地只在基板2的上表面25中的一部分規(guī)定區(qū)域350形成接合膜3a，將帶有接合膜的基材1和對置基板4在上述規(guī)定區(qū)域350局部地接合，除此之外，與上述第一實施方式相同。艮P，本實施方式的接合方法包括準備具有基板2以及只形成在基板2上的一部分的規(guī)定區(qū)域350上的接合膜3a的帶有接合膜的基材1的工序；對帶有接合膜的基材1的接合膜3a賦予能量，使接合膜3a活性化的工序；準備對置基板(另外的粘附體)4，按照帶有接合膜的基材1所具備的接合膜3a和對置基板4密接的方式將它們粘合，得到帶有接合膜的基材1和對置基板4經(jīng)由接合膜3a接合而成的接合體5c的工序。下面，對本實施方式的接合方法的各工序按順序進行說明。首先，如圖10(a)所示，在基板2的上表面25的上方設(shè)置掩模6，掩模6具有窗部61，窗部61形成為與規(guī)定區(qū)域350的形狀對應(yīng)的形狀。其次，經(jīng)由掩模6在基板2的上表面25成膜接合膜3a。例如圖10(a)所示，在經(jīng)由掩模6通過等離子體聚合法成膜接合膜3a時，通過等離子體聚合法生成的聚合物堆積在基板2的上表面25上，但此時由于設(shè)置掩模6，從而聚合物只是堆積在規(guī)定區(qū)域350。其結(jié)果是，在基板2的上表面25的一部分的規(guī)定區(qū)域350形成接合膜3a。其次，如圖10(c)所示，準備對置基板(另外的粘附體)4。然后，按照將接合膜3和對置基板4密接的方式將帶有接合膜的基材1和對置基板4粘合。由此，得到圖IO(d)所示的接合體5c。這樣得到的接合體5c不是將基板2和對置基板4的對置面整個面接合，而只是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)局部地接合。而且，在形成接合膜3a時，只通過控制形成區(qū)域，就可簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如通過控制形成接合膜3a的區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)的面積，就可容易地調(diào)節(jié)接合體5c的接合強度。其結(jié)果是，例如得到可容易地將接合的位置分離的接合體5c。另外，通過適當控制圖10(d)所示的帶有接合膜的基材1和對置基板4的接合部(規(guī)定區(qū)域350)的面積、形狀，可緩和在接合部產(chǎn)生的應(yīng)力的局部集中。由此，例如即使在基板2和對置基板4之間熱膨脹率之差大的情況下，也能夠?qū)в薪雍夏さ幕?和對置基板4可靠地接合。另外，在接合體5c的基板2和對置基板4之間，在規(guī)定區(qū)域350之外的區(qū)域形成有分開距離與接合膜3a的厚度相當?shù)拈g隙3c(參照圖10(d))。因此，通過適當調(diào)節(jié)規(guī)定區(qū)域350的形狀、接合膜3a的厚度，可在基板2和對置基板4之間容易形成所希望的形狀的閉空間、流路等。如上那樣可得到接合體5c。另外，在得到接合體5c后，根據(jù)需要也可以對該接合體5c進行上述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序。(第六實施方式)其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第六實施方式進行說明。圖11是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第六實施方式的圖(縱剖面圖)。另外，以下的說明中，將圖11中的上側(cè)稱作"上"，將下側(cè)稱作"下"。下面，對第六實施方式的接合方法進行說明，以與上述第一實施方式上述第五實施方式的不同點為中心進行說明，關(guān)于相同的事項，省略其說明。本實施方式的接合方法，準備兩個帶有接合膜的基材1，在其中一個帶有接合膜的基材1上，只選擇性地使接合膜3的一部分的規(guī)定區(qū)域350活性化之后，按照兩個帶有接合膜的基材1的各接合膜31、32彼此接觸的方式將它們重合，由此將兩個帶有接合膜的基材1彼此在上述規(guī)定區(qū)域350接合，除此之外，與上述第一實施方式相同。艮P，本實施方式的接合方法包括準備兩個本發(fā)明的帶有接合膜的基材1的工序；對各帶有接合膜的基材1的接合膜31、32，對分別不同的區(qū)域賦予能量，使該區(qū)域活性化的工序；將兩個帶有接合膜的基材1彼此粘合，得到兩個帶有接合膜的基材1彼此在上述規(guī)定區(qū)域350局部地接合而成的接合體5d的工序。下面，對本實施方式的接合方法的各工序按順序進行說明。首先，與上述第一實施方式相同，準備兩個帶有接合膜的基材K參照圖11(a))。另外，在本實施方式中，作為該兩個帶有接合膜的基材1，如圖11(a)所示，使用具有基板21和設(shè)于該基板21上的接合膜31的帶有接合膜的基材1以及具有基板22和設(shè)于該基板22上的接合膜32的帶有接合膜的基材l。其次，如圖ll(b)所示，對兩個帶有接合膜的基材l中的一個帶有接合膜的基材1的接合膜31的表面351的整個面賦予能量。由此，在接合膜31的表面351的整個面上顯現(xiàn)粘接性。另一方面，在兩個帶有接合膜的基材1中另一個帶有接合膜的基材1的接合膜32的表面352上，選擇性地對一部分的規(guī)定區(qū)域350賦予能量。作為選擇性地對規(guī)定區(qū)域350賦予能量的方法，例如可使用與上述第四實施方式相同的方法。當對各接合膜31、32分別賦予能量時，圖3所示的脫離基303從各接合膜31、32脫離。而且，脫離基303脫離后，如圖4所示，在各接合膜31、32的表面35附近產(chǎn)生活性鍵304，將各接合膜31、32活性化。由此，在接合膜31的表面351的整個面和接合膜32的表面352的規(guī)定區(qū)域350分別顯現(xiàn)粘接性。另一方面，在接合膜32的規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域幾乎未顯現(xiàn)該粘接性。這種狀態(tài)的兩個帶有接合膜的基材1在規(guī)定區(qū)域350可局部地粘接。其次，如圖11(c)所示，按照顯現(xiàn)了粘接性的各接合膜31、32彼此密接的方式將兩個帶有接合膜的基材1彼此粘合，由此，得到圖11(d)所示的接合體5d。這樣得到的接合體5d不是將兩個帶有接合膜的基材1彼此在對置面整個面上進行接合，而是只將--部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)局部地接合。而且，在進行該接合時，只通過控制對接合膜32賦予能量的區(qū)域，就可簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如可容易調(diào)節(jié)接合體5d的接合強度。如上可得到接合體5d。另外，在得到接合體5c之后，根據(jù)需要也可以對該接合體5c進行上述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序。例如，通過加熱并同時加壓接合體5c，接合體5c的各基板21、22彼此進一步接近。由此，促進各接合膜31、32的界面上的羥基的脫水縮合、未結(jié)合鍵彼此的再結(jié)合。而且，在形成于規(guī)定區(qū)域350的接合部，進一步一體化，最終大致完全形成一體。另外，此時，在接合膜31的表面351和接合膜32的表面352的界面中規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域(非接合區(qū)域)，在各表面351、352之間產(chǎn)生(殘存)有微小的間隙。因此，在加壓并同時加熱接合體5c時，優(yōu)選在該規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，在各接合膜31、32不會接合的條件下進行。另外，考慮上述情況，在進行上述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中至少一個工序時，優(yōu)選選擇性地對規(guī)定區(qū)域350進行這些工序。由此，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域，可防止各接合膜31、32接合。(第七實施方式)其次，對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、將該帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法(本發(fā)明的接合方法)及具備本發(fā)明的帶有接合膜的基材的接合體的各第七實施方式進行說明。圖12是用于說明使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材將帶有接合膜的基材和對置基板接合的接合方法的第七實施方式的圖(縱剖面圖)。另外，以下的說明中，將圖12中的上側(cè)稱作"上"，將下側(cè)稱作"下"。下面，對第七實施方式的接合方法進行說明，以與上述第一實施方式上述第六實施方式的不同點為中心進行說明，關(guān)于相同的事項，省略其說明。本實施方式的接合方法中，通過在各基板21、22的上表面251、252中，只選擇性地在各一部分的規(guī)定區(qū)域350形成接合膜3a，準備兩個帶有接合膜的基材l，將它們經(jīng)由各接合膜3a部分地接合，除此之外，與上述第一實施方式相同。艮P，本實施方式的接合方法包括準備具有各基板21、22和分別設(shè)于該基板21、22的各規(guī)定區(qū)域350的接合膜3a、3b的兩個帶有接合膜的基材1的工序；對各帶有接合膜的基材1的各接合膜3a、3b賦予能量，使各接合膜3a、3b活性化的工序；將兩個帶有接合膜的基材1彼此粘合，得到兩個帶有接合膜的基材1彼此在上述規(guī)定區(qū)域350上局部接合而成的接合體5e的工序。下面，對本實施方式的接合方法的各工序按順序進行說明。首先，如圖12(a)所示，在各基板21、22的上方分別設(shè)置掩模6，掩模6具有窗部61，窗部61形成為與規(guī)定區(qū)域350的形狀對應(yīng)的形狀。其次，經(jīng)由掩模6在各基板21、22的上表面251、252上分別成膜接合膜3a、3b。例如圖12(a)所示，在經(jīng)由掩模6例如使用MOCVD法成膜接合膜3a、3b時，有機金屬材料以其中含有的有機物的一部分殘存的狀態(tài)堆積在各基板21、22的上表面251、252上，此時，由于介有掩模6，從而只是在各規(guī)定區(qū)域350上堆積有機金屬材料的一部分。其結(jié)果是，在各基板2K22的上表面251、252的一部分的規(guī)定區(qū)域350上分別形成接合膜3a、3b。其次，如圖12(b)所示，對各接合膜3a、3b賦予能量。由此，在各帶有接合膜的基材1上，在接合膜3a、3b上顯現(xiàn)粘接性。另外，本工序中賦予能量時，也可以選擇性地對各接合膜3a、3b賦予能量，也可以對包含各接合膜3a、3b的基板21、22的上表面251、252的整體分別賦予能量。另外，賦予各接合膜3a、3b的能量可以用任何方法賦予，例如通過上述第一實施方式中舉出的方法賦予。其次，如圖12(c)所示，按照顯現(xiàn)了粘接性的各接合膜3a、3b彼此密接的方式將兩個帶有接合膜的基材1彼此粘合。由此，得到圖12(d)所示的接合體5e。這樣得到的接合體5e不是將兩個帶有接合膜的基材1彼此在對置面整個面上接合，而只是將一部分區(qū)域(規(guī)定區(qū)域350)局部接合。而且，在進行該接合時，只通過控制對接合膜32賦予能量的區(qū)域，就可簡單地選擇接合的區(qū)域。由此，例如可容易調(diào)節(jié)接合體5e的接合強度。另外，在接合體5e的各基板21、22之間，在規(guī)定區(qū)域350以外的區(qū)域形成有分開距離與接合膜3a的厚度相當?shù)拈g隙3c(參照圖12(d))。因此，通過適當調(diào)節(jié)規(guī)定區(qū)域350的形狀或各接合膜3a、3b的厚度，可容易在各基板21、22之間形成希望形狀的閉空間、流路等。如上可得到接合體5e。另外，在得到接合體5e之后，根據(jù)需要也可以對該接合體5c進行上述第一實施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一個工序。例如，通過加壓并同時加熱接合體5e，接合體5e的各基板21、22彼此進一步接近。由此，促進各接合膜3K32的界面上的羥基的脫水縮合、未結(jié)合鍵彼此的再結(jié)合。而且，在形成于規(guī)定區(qū)域350的接合部，進一步一體化，最終大致完全形成一體。如上那樣的上述各實施方式的接合方法可用于接合各種多個部件彼此。作為供這樣的接合的部件，例如有晶體管、二極管、存儲器那樣的半導(dǎo)體元件，水晶振蕩器那樣的壓電元件，反射鏡、光學(xué)透鏡、衍射光柵、濾光片那樣的光學(xué)元件，太陽電池那樣的光電變換元件，半導(dǎo)體基板和搭載于其上的半導(dǎo)體元件，絕緣性基板和配線或電極、噴墨式記錄頭、微反應(yīng)器、微反射鏡那樣的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)部件，壓力傳感器、加速度傳感器那樣的傳感器部件，半導(dǎo)體元件或電子部件的封裝部件，磁記錄介質(zhì)、光磁記錄介質(zhì)、光記錄介質(zhì)那樣的記錄介質(zhì)，液晶顯示元件、有機EL元件、電泳顯示元件那樣的顯示元件用部件，燃料電池用部件等。(液滴噴頭)在此，對噴墨式記錄頭中應(yīng)用了本發(fā)明的接合體時的實施方式進行說明。圖13是表示應(yīng)用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解立體圖，圖14是表示圖13所示的噴墨式記錄頭的主要部分的構(gòu)成的剖面圖，圖15是表示具備圖13所示的噴墨式記錄頭的噴墨式打印機的實施方式的概略圖。圖13中，通常的使用狀態(tài)上下顛倒顯示。圖13所示的噴墨式記錄頭IO搭載于圖15所示的噴墨式打印機9上。圖15所示的噴墨式打印機9具備裝置主體92，在上部后方設(shè)有設(shè)置記錄用紙P的紙盤921、在下部前方設(shè)有排出記錄用紙P的排紙口922、在上面部設(shè)有操作面板97。操作面板97例如由液晶顯示器、有機EL顯示器、LED燈等構(gòu)成，具備顯示錯誤信息等的顯示部(未圖示)和由各種開關(guān)等構(gòu)成的操作部(未圖示)。另外，在裝置主體92的內(nèi)部主要具有具備往復(fù)動作的頭單元93的印刷裝置(印刷機構(gòu))94、將記錄用紙P—張張送入印刷裝置94的給紙裝置(給紙機構(gòu))95以及控制印刷裝置94及給紙裝置95的控制部(控制機構(gòu))96。通過控制部96的控制，給紙裝置95將記錄用紙P—張張地間歇送出。該記錄用紙P通過頭單元93的下部附近。此時，頭單元93在與記錄用紙P的輸送方向大致正交的方向往復(fù)移動，對記錄用紙P進行印刷。即，頭單元93的往復(fù)動作和記錄用紙P的間歇輸送為印刷中的主掃描及副掃描，進行噴墨方式的印刷。印刷裝置94具備頭單元93、作為頭單元93的驅(qū)動源的滑架電動機941以及接受滑架電動機941的旋轉(zhuǎn)而使頭單元93往復(fù)動作的往復(fù)動作機構(gòu)942。頭單元93在其下部具有具備多個噴嘴孔111的噴墨式記錄頭10(以下簡稱為"頭10")、向頭10供給油墨的墨盒931和搭載頭10及墨盒931的滑架932。另外，墨盒931使用充填了黃色、氰色、品紅、黑色(黑)這四色油墨的墨盒，可進行全彩色印刷。往復(fù)動作機構(gòu)942具有將其兩端支承于機架(未圖示)的滑架導(dǎo)向軸943和與滑架導(dǎo)向軸943平行延伸的定時帶(timingbelt)944?；?32往復(fù)動作自如地被支承于滑架導(dǎo)向軸943，同時被固定于定時帶944的一部分上。通過滑架電動機941的動作，在經(jīng)由帶輪使定時帶944正倒行進時，頭單元93被滑架導(dǎo)向軸943引導(dǎo)并進行往復(fù)動作。而且，在其進行往復(fù)動作時，從頭10適當噴出油墨，對記錄用紙P迸行印刷。給紙裝置95具有成為其驅(qū)動源的給紙電動機951和通過給紙電動機951的動作而旋轉(zhuǎn)的給紙輥952。給紙輥952由隔著記錄用紙P的輸送路徑(記錄用紙P)而上下對置的從動輥952a和驅(qū)動輥952b構(gòu)成，驅(qū)動輥952b與給紙電動機951連結(jié)。由此，給紙輥952將設(shè)于紙盤921的多張記錄用紙P—張張地送入印刷裝置94。另外，代替紙盤921，也可以為可拆裝自如地安裝收容記錄用紙P的給紙盒?？刂撇?6基于例如從個人計算機或數(shù)碼相機等主機輸入的印刷數(shù)據(jù)，通過控制印刷裝置94或給紙裝置95等進行印刷。控制部96均未圖示，主要具備存儲控制各部分的控制程序等的存儲器、驅(qū)動壓電元件(振動源)14并控制油墨噴出時機的壓電元件驅(qū)動電路、驅(qū)動印刷裝置94(滑架電動機941)的驅(qū)動電路、驅(qū)動給紙裝置95(給紙電動機951)的驅(qū)動電路、接收來自主機的印刷數(shù)據(jù)的通信電路以及與它們電連接并進行各部分的各種控制的CPU。另外，CPU上例如分別電連接有可檢測墨盒931的油墨殘余量及頭單元93的位置等的各種傳感器等?？刂撇?6經(jīng)由通信電路得到印刷數(shù)據(jù)并將其存儲于存儲器中。CPU處理該印刷數(shù)據(jù)，并基于該處理數(shù)據(jù)及來自各種傳感器的輸入數(shù)據(jù)向各驅(qū)動電路輸出驅(qū)動信號。通過該驅(qū)動信號使壓電元件14、印刷裝置94及給紙裝置95分別動作。由此，對記錄用紙P進行印刷。下面，參照圖13及圖14對頭IO進行說明。頭10具有具備噴嘴板11、油墨室基板12、振動板13及與振動板13接合的壓電元件(振動源)14的頭主體17;和收納該頭主體17的基板16。另外，該頭10構(gòu)成請求形的壓電噴射式頭。噴嘴板11例如由Si02、SiN、石英玻璃那樣的硅類材料，Al、Fe、Ni、Cu或包含它們的合金那樣的金屬類材料，氧化鋁、氧化鐵那樣的氧化物類材料，碳黑、石墨那樣的碳類材料等構(gòu)成。在該噴嘴板11上形成有用于噴出墨滴的多個噴嘴孔111。這些噴嘴孔111之間的間距根據(jù)印刷精度而適當設(shè)定。在噴嘴板ll上粘固(固定)有油墨室基板12。該油墨室基板12通過噴嘴板11、側(cè)壁(隔壁)122及后述的振動板13而區(qū)劃形成有多個油墨室(腔室、壓力室)121、貯存從墨盒931供給的油墨的貯存室123以及從貯存室123分別向各油墨室121供給油墨的供給口124。各油墨室121分別形成為短片狀(長方體狀)，與各噴嘴孔lll對應(yīng)配設(shè)。各油墨室121構(gòu)成為通過后述的振動板13的振動而其容積可變，通過其容積變化，噴出油墨。作為用于得到油墨室基板12的母材，例如可使用單晶硅基板、各種玻璃基板、各種樹脂基板等。這些基板均為通用的基板，因此，通過使用這些基板，可降低頭10的制造成本。另一方面，在油墨室基板12的與噴嘴板11相反的一側(cè)接合有振動板13，進而在振動板13的與油墨室基板12相反的一側(cè)設(shè)有多個壓電元件14。另外，在振動板13的規(guī)定位置，貫穿振動板13的厚度方向形成有連通孔131?？梢越?jīng)由該連通孔131從上述的墨盒931向jC存室123供給油甲歪o各壓電元件14通過分別在下部電極142和上部電極141之間間插壓電體層143而成，與各油墨室121的大致中央部對應(yīng)配置。各壓電元件14與壓電元件驅(qū)動電路電連接，基于壓電元件驅(qū)動電路的信號進行動作(振動、變形)。各壓電元件14分別作為振動源起作用，振動板13通過壓電元件14的振動而振動，以瞬間提高油墨室121的內(nèi)部壓力的方式起作用?；w16例如由各種樹脂材料、各種金屬材料等構(gòu)成，在該基體16上固定、支承有噴嘴板ll。即，在基體16所具備的凹部161上以收納了頭主體17的狀態(tài)，通過形成于凹部161的外周部的臺階162支承噴嘴板11的緣部。在如上那樣的噴嘴板11和油墨室基板12的接合、油墨室基板12和振動板13的接合及噴嘴板11和基體16的接合時，至少一個部位應(yīng)用本發(fā)明的接合方法。換言之，噴嘴板11和油墨室基板12的接合體、油墨室基板12和振動板13的接合體及噴嘴板11和基體16的接合體中至少一個部位應(yīng)用本發(fā)明的接合體。這樣的頭IO其接合部的接合界面的接合強度及耐藥品性變高，由此，對貯存于各油墨室121內(nèi)的油墨的耐久性及液密性提高。其結(jié)果是頭10的可靠性提高。另外，由于可進行極低溫且可靠性高的接合，故即使是線膨脹系數(shù)不同的材料，在能夠得到大面積的頭這一點上也是有利的。這樣的頭IO在未經(jīng)由壓電元件驅(qū)動電路輸入規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)、即在壓電元件14的下部電極142和上部電極141之間未施加電壓的狀態(tài)下，在壓電體層143上不產(chǎn)生變形。因此，在振動板13上也不會產(chǎn)生變形，油墨室121也不發(fā)生容積變形。因此，不會從噴嘴孔111噴出墨滴。另一方面，在經(jīng)由壓電元件驅(qū)動電路輸入了規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)、即在壓電元件14的下部電極142和上部電極141之間施加了一定電壓的狀態(tài)下，在壓電體層143上產(chǎn)生變形。由此，振動板13大幅度彎曲，從而油墨室121的容積發(fā)生變化。此時，油墨室121內(nèi)的壓力瞬間變高，從噴嘴孔111噴出墨滴。當一次的油墨噴出結(jié)束后，壓電元件驅(qū)動電路就停止對下部電極142和上部電極141之間施加電壓。由此，壓電元件14大致恢復(fù)到原來形狀，油墨室121的容積增大。此時，在油墨上作用了從墨盒931向噴嘴孔111的壓力(向正方向的壓力)。因此，防止空氣從噴嘴孔lll進入油墨室121，將與油墨的噴出量對應(yīng)的量的油墨從墨盒931(貯存室123)供給向油墨室121。這樣，在頭10上，通過經(jīng)由壓電元件驅(qū)動電路向想要印刷的位置的壓電元件14順次輸入噴出信號，由此可印刷任意(所希望)的文字或圖形等。另外，頭10也可以代替壓電元件14而具有電熱變換元件。g卩，頭IO也可以是利用電熱變換元件實現(xiàn)的材料的熱膨脹來噴出油墨的結(jié)構(gòu)(所謂的"噴泡方式"("噴泡"為注冊商標))。在這樣構(gòu)成的頭10中，在噴嘴板11上設(shè)有以賦予防液性為目的而形成的覆膜114。由此，在從噴嘴孔111噴出墨滴時，能夠可靠地防止墨滴殘存在該噴嘴孔111的周邊。其結(jié)果可使從噴嘴孔111噴出的墨滴可靠地命中成為目的的區(qū)域。(配線基板)進一步對配線基板上應(yīng)用了本發(fā)明的接合體時的實施方式進行說明。圖16是表示應(yīng)用本發(fā)明的接合體得到的配線基板的立體圖。圖16所示的配線基板410具有絕緣基板413、配設(shè)于絕緣基板413上的電極412、引線414、按照與電極412對置的方式設(shè)于引線414一端的電極415。而且，在電極412的上表面和電極415的下表面分別形成有接合膜3。這些接合膜3彼此通過上述的本發(fā)明的接合方法進行粘合而接合在一起。由此，電極412、415之間通過一層接合膜3牢固地接合在一起，可靠地防止各電極412、415之間的層間剝離等、同時得到可靠性高的配線基板410。另外，接合膜3通過選擇具有導(dǎo)電性的物質(zhì)作為接合膜3中包含的金屬氧化物，也承擔(dān)使各電極412、415之間導(dǎo)通的功能。接合膜3即使非常薄，也能夠發(fā)揮足夠的接合力。因此，可使各電極412、415之間的間隙非常小，可實現(xiàn)各電極412、415之間的電阻成分(接觸電阻)的降低。其結(jié)果可進一步提高各電極412、415之間的導(dǎo)電性。另外，接合膜3如上所述，可以以高的精度容易控制其厚度。由此，配線基板410的尺寸精度更高，且各電極412、415之間的導(dǎo)電性也更容易控制。以上基于圖示的實施方式對本發(fā)明的帶有接合膜的基材、接合方法及接合體進行了說明，但本發(fā)明不限于此。例如，本發(fā)明的接合方法可以是將上述各實施方式中任一個或兩個以上進行組合的方法。另外，本發(fā)明的接合方法中，根據(jù)需要也可以追加一個以上的任意目的的工序。另外，上述各實施方式中，對將基板和對置基板這兩個基板接合的方法進行了說明，但在接合三個以上基材時，也可以使用本發(fā)明的帶有接合膜的基材及本發(fā)明的接合方法。(實施例)下面，對本發(fā)明的具體實施例進行說明。1、接合體的制造(實施例1)首先，作為基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的玻璃基板。其次，將單晶硅基板收納于圖5所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)，利用氧等離子體進行表面處理。其次，原材料采用2,4-戊二酮_銅(II)，使用MOCVD法在進行了表面處理的面上成膜平均厚度100nm的接合膜。另外，成膜條件如下所示。(成膜條件)腔室內(nèi)的環(huán)境氣體有機金屬材料(原材料)霧化后的有機金屬材料的流量載氣載氣的流量氫氣的流量腔室的達到真空度成膜時的腔室內(nèi)的壓力基板支架的溫度處理時間:氮氣+氫氣2,4-戊二酮一銅(II)lsccm氮氣500sccm0.2sccm2Xl(r6Torr1X1(T3Toit275。C10分鐘如上這樣成膜的接合膜，作為金屬原子含有銅原子，作為脫離基殘留有2,4-戊二酮—銅(II)中包含的有機物的一部分。由此，得到在單晶硅基板上形成有接合膜的本發(fā)明的帶有接合膜的基材。其次，以如下所示的條件對得到的接合膜照射紫外線。(紫外線照射條件)氮氣20。C大氣壓(100kPa)172nm5分鐘另一方面，對玻璃基板(對置基板)的單面進行基于氧等離子體的表面處理。其次，在照射了紫外線l分鐘后，按照接合膜的照射了紫外線的面和玻璃基板的實施了表面處理的面接觸的方式，將單晶硅基板和玻璃基板重合。由此得到接合體。其次，以10MPa對得到的接合體進行加壓，同時以12(TC加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例2)除將對接合體加壓并同時加熱時的加熱溫度從120。C變更為25。C之環(huán)境氣體的組成環(huán)境氣體的溫度環(huán)境氣體的壓力紫外線波長紫外線的照射時間:外，與上述實施例l相同，得到接合體。(實施例313)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料之外，與上述實施例l相同，得到接合體。(實施例14)首先，與上述實施例1相同，準備單晶硅基板和玻璃基板(基板及對置基板)，并分別對其進行基于氧等離子體的表面處理。其次，在硅基板的進行了表面處理的面上，與上述實施例l相同，成膜接合膜。由此，得到帶有接合膜的基材。其次，按照帶有接合膜的基材的接合膜和玻璃基板的進行了表面處理的面相接觸的方式，將帶有接合膜的基材和玻璃基板重合。然后，以如下所示的條件對重合了的各基板照射紫外線。(紫外線照射條件)氮氣20。C大氣壓(腦kPa)172nm環(huán)境氣體的組成環(huán)境氣體的溫度環(huán)境氣體的壓力紫外線波長紫外線的照射時間5分鐘由此，將各基板接合，得到接合體。接著，以lOMPa將得到的接合體加壓，同時以8(TC加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例15)首先，作為基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的玻璃基板。其次,將這些基板兩者分別收納于圖5所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)，進行基于氧等離子體的表面處理。其次，原材料采用2，4-戊二酮一銅(II)，使用MOCVD法在各基板的進行了表面處理的面上，成膜平均厚度100nm的接合膜。另外，成膜條件如下所示。(成膜條件)腔室內(nèi)的環(huán)境氣體有機金屬材料(原材料)霧化后的有機金屬材料的流:載氣載氣的流量氫氣的流量腔室的達到真空度成膜時的腔室內(nèi)的壓力基板支架的溫度處理時間氮氣+氫氣2,4-戊二酮一銅(II)lsccm500sccm0.2sccm2X10-6TorrlXl(T3Torr275。C10分鐘環(huán)境氣體的組成環(huán)境氣體的溫度環(huán)境氣體的壓力紫外線波長紫外線的照射時間:其次，以如下所示的條件對各基板上得到的接合膜照射紫外線。(紫外線照射條件)氮氣20。C大氣壓(100kPa)172nm分鐘接著，在照射了紫外線l分鐘后，按照照射了紫外線的面彼此接觸的方式將各基板重合。由此得到接合體。其次，以lOMPa對得到的接合體加壓，同時以12CTC加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例16)除將對接合體加壓并同時加熱時的加熱溫度從12(TC變更為8(TC之外，與上述實施例15相同，得到接合體。(實施例1727)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表1所示的材料之外，與上述實施例15相同，得到接合體。(實施例28)首先，與上述實施例15相同，準備單晶硅基板和玻璃基板(基板及對置基板)，并分別對它們進行基于氧等離子體的表面處理。其次，在硅基板和玻璃基板的進行了表面處理的面上，與上述實施例15相同，分別成膜接合膜。由此，得到兩個帶有接合膜的基材。其次，按照接合膜彼此接觸的方式將兩個帶有接合膜的基材重合，得到層疊體。而且，以如下所示的條件從層疊體的玻璃基板側(cè)照射紫外線。(紫外線照射條件)環(huán)境氣體的組成氮氣環(huán)境氣體的溫度20°C環(huán)境氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線波長172nm紫外線的照射時間5分鐘由此，將各基板接合，得到接合體。接著，以10MPa將得到的接合體加壓，同時以8(TC加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例29)首先，作為基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的玻璃基板。其次，將單晶硅基板和玻璃基板這兩者分別收納于圖5所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)，進行基于氧等離子體的表面處理。其次，原材料采用2，4-戊二酮_銅(II)，使用MOCVD法在單晶硅基板和玻璃基板的進行了表面處理的面上成膜平均厚度100nm的接合膜。另外，成膜條件如下所示。(成膜條件)腔室內(nèi)的環(huán)境氣體有機金屬材料(原材料)霧化后的有機金屬材料的流:載氣載氣的流量氮氣+氫氣2，4-戊二酮一銅(II)lsccm500sccm氫氣的流量腔室的達到真空度成膜時的腔室內(nèi)的壓力基板支架的溫度處理時間0.2sccm2X10-6TorrlXl(T3Torr275°C10分鐘其次，分別以如下所示的條件對各基板上得到的接合膜照射紫外線。另外，照射了紫外線的區(qū)域為單晶硅基板上形成的接合膜的整個表面和玻璃基板上形成的接合膜的表面中的周緣部寬度為3mm的框狀的區(qū)域。(紫外線照射條件)環(huán)境氣體的組成氮氣環(huán)境氣體的溫度20°C環(huán)境氣體的壓力大氣壓(100kPa)紫外線波長172nrn紫外線的照射時間5分鐘接著，按照接合膜的照射了紫外線的面彼此接觸的方式，將單晶硅基板和玻璃基板重合。由此得到接合體。其次，以10MPa對得到的接合體加壓，同時以12(TC加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例30)除將加熱溫度從120。C變更為8(TC之外，與上述實施例29相同，得到接合體。(實施例31、3537、39、40)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表2所示的材料之外，與上述實施例29相同，得到接合體。(實施例32)首先，作為基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板，作為對置基板，準備長20mmX寬20mmX平均厚度lmm的不銹鋼基板。其次，將硅基板收納于圖5所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)，進行基于氧等離子體的表面處理。其次，與上述實施例29相同，在進行了表面處理的面上成膜接合膜(平均厚度100nm)。其次，與上述實施例29相同，對接合膜照射紫外線。另外，照射了紫外線的區(qū)域為形成于硅基板上的接合膜的表面中周緣部的寬度為3mm的框狀的區(qū)域。其次，與硅基板相同，在不銹鋼基板上也進行基于氧等離子體的表面處理。其次，按照接合膜的照射了紫外線的面和不銹鋼基板的進行了表面處理的面相接觸的方式，將硅基板和不銹鋼基板重合。由此得到接合體。其次，以10MPa對得到的接合體加壓，同時以12(TC加熱，維持15分鐘。由此，實現(xiàn)了接合體的接合強度的提高。(實施例33)除將加熱溫度從120。C變更為8(TC之外，與上述實施例32相同，得到接合體。(實施例34、38、41)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別變更為表2所示的材料之外，與上述實施例32相同，得到接合體。(比較例13)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別設(shè)為表1所示的材料，并用環(huán)氧類粘接劑將各基板間粘接之外，與上述實施例l相同，得到接合體。(比較例46)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別設(shè)為表1所示的材料，用Ag膏將各基板間粘接之外，與上述實施例l相同，得到接合體。(比較例79)除將基板的構(gòu)成材料及對置基板的構(gòu)成材料分別設(shè)為表2所示的材料，用環(huán)氧類粘接劑將各基板間在周緣部的寬度3mm的框狀的區(qū)域局部粘接之外，與上述實施例l相同，得到接合體。2、接合體的評價2.1接合強度(割裂強度)的評價對各實施例128及各比較例16中得到的接合體分別測定接合強度。接合強度的測定通過在將各基材剝離時測定即將剝離前的強度來進行。而且，按照以下的基準評價接合強度。(接合強度的評價基準)◎:10MPa(100kgf/cm2)以上〇5MPa(50kgf/cm2)以上、不足10MPa(100kgPcm2)△:lMPa(10kgf/cm2)以上、不足5MPa(50kgf/cm2)X:不足1MPa(10kgf/cm2)2.2尺寸精度的評價對各實施例及各比較例得到的接合體分別測定厚度方向上的尺寸精度。尺寸精度的測定通過測定正方形的接合體的各角部的厚度、并算出四處的厚度的最大值和最小值之差來進行。而且，按照以下的基準評價該差。(尺寸精度的評價基準)〇不足10umX:10um以上2.3耐藥品性的評價將各實施例及各比較例得到的接合體以如下條件在維持在8(TC的噴墨式打印機用油墨(愛普生公司制"HQ4")中浸漬3周。之后，將各基材剝離，確認油墨有無侵入接合界面。之后，按照以下基準評價其結(jié)果。(耐藥品性的評價基準)完全未侵入〇稍侵入到角部沿緣部侵入X:侵入到內(nèi)側(cè)2.4電阻率的評價對各實施例12、13、26、27及各比較例5、6得到的層疊體分別測定接合部分的電阻率。而且，按照以下基準評價測得的電阻率。(電阻率的評價基準)〇不足lXl(T^^cmX:1Xl(T3Q'cm以上2.5形狀變化的評價對各實施例2941及各比較例79得到的接合體，測定各接合體接合前后的形狀變化。具體而言，在接合前后測定接合體的撓曲量，按照以下基準進行評價。(撓曲量的評價基準)在接合前后撓曲量幾乎沒有變化〇在接合前后撓曲量稍微變化在接合前后撓曲量稍大地變化X:在接合前后撓曲量大幅度變化表1及表2表示以上2.12.5的各評價結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>耐藥品性及電阻率中任何項目都顯示優(yōu)良的特性。另外，各實施例得到的接合體與各比較例得到的接合體相比，撓曲量的變化小。另一方面，各比較例得到的接合體其耐藥品性不充分。另外，尺寸精度確認為特別低。另外，電阻率高。權(quán)利要求1、一種帶有接合膜的基材，其特征在于，其具有基材以及接合膜，所述接合膜設(shè)于該基材上且包含金屬原子和由有機成分構(gòu)成的脫離基，通過對所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，使在所述接合膜的表面附近存在的所述脫離基從該接合膜脫離，由此在所述接合膜的表面的所述區(qū)域顯現(xiàn)與其它粘附體的粘接性。2、如權(quán)利要求l所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜是以有機金屬材料為原材料并使用有機金屬化學(xué)氣相成長法成膜的。3、如權(quán)利要求2所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜是在低還原性環(huán)境氣體下成膜的。4、如權(quán)利要求2所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述脫離基是殘存了所述有機金屬材料中包含的有機物的一部分的脫離基。5、如權(quán)利要求2所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述脫離基由原子團構(gòu)成，所述原子團以碳原子為必需成分，并包含氫原子、氮原子、磷原子、硫原子及鹵原子中的至少一種。6、如權(quán)利要求5所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述脫離基是烷基。7、如權(quán)利要求2所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述有機金屬材料是金屬絡(luò)合物。8、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述金屬原子是銅、鋁、鋅及鐵中的至少一種。9、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜中的金屬原子和碳原子的存在比為3:77:3。10、如權(quán)利要求l所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜具有導(dǎo)電性。11、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜至少在其存在于表面附近的所述脫離基從該接合膜脫離后產(chǎn)生活性鍵。12、如權(quán)利要求ll所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述活性鍵是未結(jié)合鍵或羥基。13、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜的平均厚度為11000nm。14、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜呈沒有流動性的固體狀。15、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述基材呈板狀。16、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主材料構(gòu)成。17、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述基材的具備所述接合膜的面被預(yù)先實施提高與所述接合膜的密接性的表面處理。18、如權(quán)利要求17所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述表面處理是等離子體處理。19、如權(quán)利要求1所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述基材和所述接合膜之間夾有中間層。20、如權(quán)利要求19所述的帶有接合膜的基材，其特征在于，所述中間層以氧化物系材料為主材料構(gòu)成。21、一種接合方法，其特征在于，包括-準備權(quán)利要求120中任一項所述的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；.對該帶有接合膜的基材中的所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附體密接的方式將所述帶有接合膜的基材和所述其它粘附體粘合，得到接合體的工序。22、一種接合方法，其特征在于，包括準備權(quán)利要求120中任一項所述的帶有接合膜的基材和所述其它粘附體的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附體密接的方式將所述帶有接合膜的基材和所述其它粘附體粘合，得到層疊體的工序；通過對該層疊體中的所述接合膜的至少一部分區(qū)域賦予能量，將所述帶有接合膜的基材和所述其它粘附體接合，得到接合體的工序。23、如權(quán)利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述能量的賦予通過對所述接合膜照射能量線的方法、加熱所述接合膜的方法及對所述接合膜賦予壓縮力的方法中的至少一種方法進行。24、如權(quán)利要求23所述的接合方法，其特征在于，所述能量線是波長126300nm的紫外線。25、如權(quán)利要求23所述的接合方法，其特征在于，所述加熱的溫度為25200°C。26、如權(quán)利要求23所述的接合方法，其特征在于，所述壓縮力為0.210MPa。27、如權(quán)利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述能量的賦予在大氣環(huán)境氣體中進行。28、如權(quán)利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述其它粘附體具有預(yù)先實施了提高與所述接合膜的密接性的表面處理的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜相對于實施了所述表面處理的表面密接的方式被粘合。29、如權(quán)利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述其它粘附體具有包含預(yù)先選自官能團、自由基、開環(huán)分子、不飽和鍵、鹵素及過氧化物構(gòu)成的組中的至少一種基或物質(zhì)的表面，所述帶有接合膜的基材以所述接合膜相對于具有所述基或物質(zhì)的表面密接的方式被粘合。30、如權(quán)利要求21所述的接合方法，其特征在于，還具有對所述接合體進行提高其接合強度的處理的工序。31、如權(quán)利要求30所述的接合方法，其特征在于，進行提高所述接合強度的處理的工序通過對所述接合體照射能量線的方法、加熱所述接合體的方法及對所述接合體賦予壓縮力的方法中的至少一種方法進行。32、一種接合體，其特征在于，具有權(quán)利要求120中任一項所述的帶有接合膜的基材和粘附體，將它們經(jīng)由所述接合膜接合而構(gòu)成所述接合體。33、一種接合體，其特征在于，具有兩個權(quán)利要求120中任一項所述的帶有接合膜的基材，使所述接合膜彼此對置地將所述基材接合而構(gòu)成所述接合體。全文摘要本發(fā)明提供具備可以以高的尺寸精度牢固且在低溫下高效地對粘附體進行接合的接合膜的帶有接合膜的基材、將這樣的帶有接合膜的基材和粘附體在低溫下高效地接合的方法及將上述帶有接合膜的基材和粘附體以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合體。本發(fā)明的帶有接合膜的基材具有基板(2)(基材)和設(shè)于該基板(2)上的接合膜(3)，相對于對置基板(4)(其它粘附體)可接合。這樣的接合膜(3)是導(dǎo)入了金屬原子和由有機分子構(gòu)成的脫離基的膜。另外，該接合膜(3)通過照射紫外線使表面(35)附近存在的脫離基脫離，由此在接合膜(3)的表面(35)可顯現(xiàn)與對置基板(4)的粘接性。文檔編號H01L21/02GK101386219SQ20081021385公開日2009年3月18日申請日期2008年9月11日優(yōu)先權(quán)日2007年9月12日發(fā)明者佐藤充申請人:精工愛普生株式會社