專利名稱：制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，且更具體地，涉及一種 制造其中安裝有半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
隨著電子器件的重量、厚度和尺寸的減小，半導(dǎo)體器件趨于以小 型化的形式來制作。半導(dǎo)體器件的封裝件已經(jīng)在尺寸和重量上日益減 小，且封裝件已經(jīng)變得更緊湊。
圖10A至10C是均示出了具有小封裝件的半導(dǎo)體器件的相關(guān)技術(shù) 示例的視圖。圖10A是示出了相關(guān)技術(shù)示例的半導(dǎo)體器件的平面圖。 圖10B是圖10A中的半導(dǎo)體器件從X方向看的側(cè)視圖，圖10C是圖 IOA中的半導(dǎo)體器件從Y方向看的側(cè)視圖。在圖10A至10C中，相關(guān) 技術(shù)示例中的半導(dǎo)體器件包括封入在封裝件100中的半導(dǎo)體芯片(未 示出)。封裝件100具有基本上為四角柱的形狀。在封裝件100的彼 此面對的兩個短的側(cè)表面上，設(shè)置了用作端子的扁平引線(flat lead) 101。扁平引線101均連接到封裝件100中的半導(dǎo)體芯片，并均從封裝 件100的側(cè)表面中的每個沿著X方向突出。圖IOA至IOC所示的相關(guān) 技術(shù)示例的半導(dǎo)體芯片被稱作2引腳XSOF (Extremely thin Small Outline Flat Lead,極薄型小尺寸扁平引線)。
通過采用與普通的半導(dǎo)體芯片的制造方法相近似的制造方法來制 造2引腳XSOF。首先，通過將形成在半導(dǎo)體管芯上的多個半導(dǎo)體芯片 切割成單獨的片(piece)來分離這些半導(dǎo)體芯片，然后，每個單獨的 半導(dǎo)體芯片電連接到扁平引線101。接著，與扁平引線101連接的每個 單獨的半導(dǎo)體芯片被設(shè)定在塑模中并用樹脂模塑。以這種方式，半導(dǎo)
體芯片和扁平引線101被封入在每個封裝件中。
如上所述，通過進(jìn)行將單獨的半導(dǎo)體芯片連接到扁平引線101的
操作，來制造傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片。同時，日本專利申請?zhí)亻_2005-51130 號公布公開了一種通過以集中(collective)方式連接半導(dǎo)體芯片來制造 半導(dǎo)體芯片的方法。圖11是示出了如在日本未審專利申請公布 2005-51130中公開的、具有小封裝件的半導(dǎo)體芯片的示例的剖面圖。 在圖11中，第一M0S芯片MC1和第二MOS芯片MC2平面地布置在 下部電極L1上。
MOS芯片MC1的漏極電極Dl和MOS芯片MC2的漏極電極D2 均連接到下部電極L1，由此形成公共外部漏極電極TD。另外，MOS 芯片MC1的柵極電極Gl和MOS芯片MC2的柵極電極G2均直接連 接到上部電極L2，由此形成第一外部柵極電極TG1和第二外部柵極電 極TG2。此外，MOS芯片MC1和MC2的源極電極Sl和S2 (未示出) 均直接連接到上部電極L2，由此形成第一外部源極電極TS1和第二外 部源極電極TS2 (未示出)。在上部電極Ll和下部電極L2之間填充 樹脂R，由此形成無引線封裝LLP。
以下面的方式來制造日本專利申請?zhí)亻_2005-51130號公布中所公 開的半導(dǎo)體器件。通過將形成在半導(dǎo)體管芯上的多個MOS芯片切割成 單獨的片來分離這些MOS芯片，然后，MOS芯片MC1和MC2被安 裝在用作下部電極L2的引線框架板上。此后，用形成在MOS芯片MC1 和MC2上的金凸點，將用作上部電極Ll的引線框架板連接到MOS芯 片MC1和MC2中的每個。樹脂R被提供在上部電極Ll和下部電極 L2之間并被模塑，隨后通過將所得產(chǎn)物切割成單獨的封裝件來分離所 得產(chǎn)物。以這種方式，用如日本專利申請?zhí)亻_2005-51130號公布所公 開的技術(shù)，上部電極L2以集中方式連接到MOS芯片，從而減少了制 造步驟的數(shù)目。
順帶地，為了提高每個電極和焊料之間的粘附力，半導(dǎo)體器件的
電極通常要經(jīng)受外部電鍍。如日本未審專利申請公布2005-51130中所 公開的，當(dāng)形成半導(dǎo)體器件的方式是將多個半導(dǎo)體芯片以集中方式連 接到引線框架板且通過將多個半導(dǎo)體芯片切割成單獨的封裝件來分離 這多個半導(dǎo)體芯片時，通常在通過切割來分離之前進(jìn)行電鍍。這是因
為如果在通過切割來分離之前進(jìn)行電鍍，則電鍍可以施加到每個引
線框架板。在電鍍之后，通過將多個半導(dǎo)體芯片切割成單獨的封裝件 來分離這多個半導(dǎo)體芯片，并且進(jìn)行特性檢査以篩選次品(特性篩選)。 然后，對通過切割而分離的每個單獨的封裝件進(jìn)行特性檢查。換言之， 對每個封裝件進(jìn)行用于篩選次品的特性檢查，這需要大量的時間和勞 動。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，
該方法包括將多個半導(dǎo)體芯片平面地布置在彼此相對放置的第一引 線框架板和第二引線框架板之間，以將多個半導(dǎo)體芯片連接到第一引 線框架板和第二引線框架板中的每個；將樹脂填充在第一引線框架板 和第二引線框架板之間，以密封多個半導(dǎo)體芯片；對相鄰的半導(dǎo)體芯 片之間的包括第一引線框架板、樹脂和第二引線框架板的疊層體進(jìn)行
第一劃片，以通過切割來分離至少第一引線框架板；對于具有通過切 割而分離的至少所述第一引線框架板的所述疊層體施加電鍍；；對相 鄰的半導(dǎo)體芯片之間的疊層體的剩余部分進(jìn)行第二劃片，以將疊層體 分離成單獨的半導(dǎo)體器件。
在本發(fā)明中，在第一劃片中通過切割而分離至少第一引線框架板 之后來進(jìn)行電鍍。因此，電鍍層沒有沉積在第二引線框架板的、出現(xiàn) 半導(dǎo)體器件的連接故障或沒有半導(dǎo)體器件的區(qū)域上，由此能夠觀察到 外部顏色的差異。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠容易地篩選出次品的半導(dǎo)體器件
的方法。


從下面結(jié)合附圖對特定優(yōu)選實施例的描述，本發(fā)明的以上以及其 它目的、優(yōu)點和特征將更清楚，在附圖中
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的制造工藝的流程 的流程圖2A至2E是均示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的制造工 藝的剖面圖3A和圖3B是均示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的制造 工藝的剖面圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的倒裝芯片鍵合的半導(dǎo)體器件的 透視圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的透視圖； 圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的剖面圖； 圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的安裝示例1的視
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的安裝示例2的視
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的安裝示例3的視
圖IOA是示出了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的示例的平面圖，圖IOB和10C 是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的側(cè)視圖；以及
圖11是示出了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的另一示例的剖面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在在此將參照說明性實施例來描述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員 將認(rèn)識到，利用本發(fā)明的教導(dǎo)可以實現(xiàn)許多可選的實施例，本發(fā)明不 限于為了說明目的而示出的實施例。
下文中，描述了本發(fā)明的示例性實施例。以下描述了本發(fā)明的實 施例，但是本發(fā)明不限于下面的實施例。為了說明的簡便起見，省略 和簡化了下面的描述和附圖。另外，為了說明的簡便起見，適當(dāng)?shù)厥?略了對其的重復(fù)描述。注意的是，在整個對附圖的描述中，相同的部 件用相同的標(biāo)號來表示，而適當(dāng)?shù)厥÷詫@些相同部件的描述。
首先，參照圖1、圖2A至2E、圖3A和圖3B來詳細(xì)描述根據(jù)本 發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施 例的半導(dǎo)體器件的制造工藝的流程的流程圖。在這種情況下，適當(dāng)?shù)?參照圖2A至2E、圖3A和圖3B來進(jìn)行描述。圖2A至2E、圖3A和 圖3B是均示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的制造工藝的剖面 圖。
首先，如圖l所示，對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行劃片(ST301)，由此制作 管芯。通過采用晶圓劃片將形成在半導(dǎo)體晶圓中的多個管芯切割成單 獨的片來分離這些管芯。每個管芯均包括構(gòu)建到硅襯底等上的電子電 路，管芯也被稱作半導(dǎo)體芯片或芯塊(pellet)。在本發(fā)明的實施例中， 可以使用具有兩個輸入/輸出端的管芯，例如由二極管等形成的管芯。
接著，被分離成單獨的片的管芯均安裝在第一引線框架板上 (ST302)。如圖2A所示，第一引線框架板lla是扁平的金屬板比如 銅板。在第一引線框架板lla上，多個管芯13彼此分離開以布置成矩 陣狀，并且用焊料12將管芯13都固定到第一引線框架板lla上。在這 種情況下，安裝每個管芯13，使得預(yù)先形成在每個管芯13的表面上的 突起電極14與第一引線框架板lla背向。換言之，安裝每個管芯13， 使得與上面形成有突起電極14的表面相對的表面面向第一引線框架板 lla?？梢允褂脤?dǎo)電膏比如銀膏來代替焊料12。結(jié)果，如圖2A所示， 第一引線框架板lla和管芯13彼此電連接。
接著，將第二引線框架板15a倒裝芯片鍵合到每個管芯13
(ST303)。為了覆蓋安裝在第一引線框架板lla上的所有管芯13，第 二引線框架板15a與第一引線框架板Ua對齊并彼此相對。與第一引線 框架板lla—樣，第二引線框架板15a是金屬板比如由單個平板形成的 銅板。通過采用加熱的施壓，每個突起電極14和第二引線框架板15a 被熱壓縮鍵合。使用焊料球、Au凸點等來作為突起電極14。結(jié)果，如 圖2B所示，管芯13和第二引線框架板15a通過集中倒裝芯片技術(shù)彼 此連接。
現(xiàn)在參照圖4，給出對倒裝芯片鍵合的半導(dǎo)體器件的描述。圖4 是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的倒裝芯片鍵合的半導(dǎo)體器件的透視圖， 并且圖4是與圖2B的剖面圖相對應(yīng)的透視圖。在圖4中，多個管芯13 夾在彼此相對放置的第一引線框架板lla和第二引線框架板15a之間。 多個管芯13電連接到第一引線框架板lla和第二引線框架板15a中的 每個。在這種情況下，多個管芯13布置成矩陣狀。
接著，進(jìn)行樹脂密封(ST304)。在第一引線框架板lla和第二引 線框架板15a之間，填充樹脂16比如底部填充樹脂，然后將樹脂16 固化。結(jié)果，如圖2C所示，用第一引線框架板lla和第二引線框架板 15a之間的樹脂16來密封管芯13。在例如制備第一引線框架板lla和 第二引線框架板15a的步驟中，優(yōu)選地，在與樹脂16接觸的表面上的 預(yù)定位置處預(yù)先形成多個凹凸(irregularities,未示出)。這導(dǎo)致由于 錨固效應(yīng)(anchor effect)而使得第一引線框架板1 la或第二引線框架 板15a與樹脂16之間的粘附力增強。
在樹脂密封后，通過集中劃片工藝進(jìn)行半切割(half-cut) (ST305)。例如從第二引線框架板15a上方沿著厚度方向?qū)ο噜彽墓?芯13進(jìn)行劃片(第一劃片)。在這種情況下，對包括第一引線框架板 lla、樹脂16和第二引線框架板15a的疊層體(laminated body)進(jìn)行 半切割，留下第一引線框架板lla沿著厚度方向的一部分未切割，并且 上述疊層體被劃片成格子狀。具體來說，在第一劃片時，第二引線框
架板15a和樹脂16被完全切割，從而形成上部電極15，并且第一引線 框架板lla被通過其厚度部分切割。結(jié)果，如圖2D所示，切割相鄰的 管芯13，留下第一引線框架板lla的一部分未切割，上述相鄰的管芯 13被分割成用作半導(dǎo)體器件的區(qū)域。因此，在該步驟中，多片半導(dǎo)體 器件通過第一引線框架板lla的一部分彼此連接成矩陣狀。
然后，利用錫(Sn)、鉍(Bi)等來施加外部電鍍(ST306)。在 本發(fā)明的實施例中，疊層體的第一引線框架板lla用作陰極，并被浸沒 在陽極電鍍?nèi)芤褐校渲校枠O電鍍?nèi)芤喊糜陔婂兊牟牧系娜芙?的金屬離子。結(jié)果，如圖2E所示，電鍍層(plating) 18沉積在第一引 線框架板lla和上部電極15中的每個的暴露表面上。具體來說，第一 引線框架板lla的與形成有樹脂16的表面相對的表面(圖2E下側(cè)的 表面)和通過ST305中進(jìn)行的半切割而得到的切割表面，通過電解電 鍍而經(jīng)受電鍍層18。在與第一引線框架板lla電導(dǎo)通的區(qū)域中，上部 電極15的與形成有樹脂16的表面相對的表面(圖2E上側(cè)的表面)和 切割表面經(jīng)受電鍍層18。
換言之，只要在每個用作半導(dǎo)體器件的區(qū)域中由第一引線框架板 lla形成的下部電極11電連接到由第二引線框架板15a形成的上部電 極15，通過電解電鍍，上部電極15的表面就覆蓋有電鍍層18。因此， 在用作半導(dǎo)體器件的區(qū)域之中，在發(fā)生管芯13的連接故障或沒有管芯 13的區(qū)域中，電鍍層18沒有沉積在上部電極15上。在例如沉積有電 鍍層18的區(qū)域中，引線框架板的顏色從銅的顏色改變成電鍍層的顏色 (例如，白色)，而在沒有沉積電鍍層18的區(qū)域中，引線框架板的顏 色保持不變。用眼睛來觀察上部電極15的外部顏色，從而可以判定下 部電極11和上部電極15是否電連接。
此后，進(jìn)行特性篩選(ST307)。公共電極21連接到第一引線框 架板lla，以便提供公共電勢。然后，如圖3A所示，在每個用作半導(dǎo) 體器件的區(qū)域中，使測試探針22順序地與上部電極15接觸，從而進(jìn)
行對電特性的更詳細(xì)的檢查。判定電特性是否滿足預(yù)定條件，從而將
半導(dǎo)體器件判定為次品或良品。然后，將識別標(biāo)記23加到次品區(qū)域。
由于所連接的半導(dǎo)體器件的下部電極11側(cè)用作公共的地，因此使設(shè)置
在上部電極15側(cè)的測試探針22能夠移動，由此，可以判定每個半導(dǎo) 體器件的電特性。此外，可以對彼此連接且尚未分離成片的半導(dǎo)體器 件進(jìn)行特性篩選，即對每個引線框架板進(jìn)行特性篩選，由此，可以容 易地進(jìn)行電特性篩選。
另外，在該情況下，在本發(fā)明的實施例中，上部電極15的外部顏 色保持不變的區(qū)域不經(jīng)受電特性檢查，只是僅需要將識別標(biāo)記23加到 所述區(qū)域?？蛇x地，在ST306中進(jìn)行電鍍之后，另外進(jìn)行外觀檢査， 并且預(yù)先加上識別標(biāo)記23。然后，在ST307中，可以只對沒有加上識 別標(biāo)記23的區(qū)域進(jìn)行電特性的檢查。因此，對上部電極15的除了外 部顏色保持不變的區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行詳細(xì)的電特性檢査，由此可以 縮短檢査所需的時間，并可容易地篩選出次品。
在完成特性篩選之后，通過集中劃片工藝來進(jìn)行單獨的分離 (ST308)。用劃片器24從第一引線框架板lla的底側(cè)沿著厚度方向 來對疊層體進(jìn)行劃片(第二劃片)。在這種情況下，在與ST305中經(jīng) 受半切割的區(qū)域?qū)?yīng)的位置處對疊層體進(jìn)行切割，疊層體被分離為半 導(dǎo)體器件l的單獨的片(如圖3B所示)。在單獨的分離之后，廢棄在 ST307或ST306中被判定為次品的半導(dǎo)體器件1。
注意的是，當(dāng)劃片器24的刀片寬度被設(shè)定成比ST305中使用的劃 片器20的刀片寬度略寬時，可以可靠地進(jìn)行分離，下部電極11的下 部的尺寸變得比下部電極11的上部的尺寸略小。結(jié)果，在下部電極11 的上部和下部之間形成階梯。在步驟ST308中經(jīng)受劃片的區(qū)域，艮P， 通過用劃片器24切割得到的切割表面，沒有被電鍍層18覆蓋。為此， 可以基于存在或不存在階梯和電鍍層18來區(qū)分上部電極15和下部電 極11。
通過上述步驟制造的半導(dǎo)體器件1被載帶封裝，例如被鍵合到載
帶(ST309)，并被打包成適于裝運的形態(tài)。此后，封裝后的半導(dǎo)體器 件1被打包并裝運(ST310)。
參照圖5和圖6，給出了對根據(jù)本發(fā)明實施例的由此形成的半導(dǎo)體 器件的描述。圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的透視圖。圖6 是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的剖面圖，并示出了沿著圖5中的X 方向或Y方向的半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明實 施例的半導(dǎo)體器件1具有如下結(jié)構(gòu)管芯13夾在彼此相對放置的上部 電極15和下部電極11之間，且上部電極15、管芯13和下部電極11 彼此電連接。除此之外，半導(dǎo)體器件1還包括填充在上部電極15和下 部電極11之間的樹脂16，并具有四角柱的外形。
具體來說，如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1包括 管芯13，其中，管芯13通過焊料12而位于下部電極11上方。每個管 芯13都是具有構(gòu)建在硅襯底等上的電子電路的半導(dǎo)體芯片。管芯13 通過焊料12直接連接到下部電極11，并電連接到下部電極11?？梢?將粘合劑比如導(dǎo)電膏用作焊料12。在管芯13上方，通過突起電極14 來設(shè)置上部電極15。管芯13通過突起電極14直接連接到上部電極15， 并且管芯13與上部電極15彼此電連接。簡言之，通過倒裝芯片技術(shù)， 上部電極15連接到管芯13。焊料球、Au凸點等被形成為突起電極14。
在上部電極15和下部電極11之間填充樹脂16。因此，在下部電 極11和上部電極15之間，管芯13覆蓋有樹脂16。優(yōu)選地，下部電極 11在其與樹脂16接觸的區(qū)域中具有不平坦部分17。由于不平坦部分 17的錨固效應(yīng)，導(dǎo)致與樹脂16的粘附力可以得以提高。類似地，上部 電極15優(yōu)選地在與樹脂16接觸的區(qū)域中具有不平坦部分17。
如圖5和圖6所示，上部電極15的在圖5和圖6的下側(cè)的表面覆蓋有樹脂16，而上部電極15的其它表面被暴露。類似地，下部電極
11的在圖5和圖6的上側(cè)的表面覆蓋有樹脂16，而下部電極11的其 它表面被暴露。因此，在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1中，在底 表面處暴露了下部電極11，在頂表面處暴露了上部電極15。此外，在 半導(dǎo)體器件1的每個側(cè)表面處，暴露了上部電極15和下部電極11。換 言之，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1具有四角柱的形狀，并具有 如下結(jié)構(gòu)在每個側(cè)表面處暴露上部電極15和下部電極11。在半導(dǎo)體 器件1的四個側(cè)表面的每個處，暴露了上部電極15和下部電極11。因 此，通過沿著板厚度方向切割而分離第一引線框架板lla和第二引線框 架板15a，形成根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1。結(jié)果，在切割表面 處暴露了由第一引線框架板lla形成的下部電極11和由第二引線框架 板15a形成的上部電極15。
外部電鍍層18被涂覆到上部電極15和下部電極11中的每個的表 面，從而能夠進(jìn)行安裝。換言之，除形成有樹脂16的表面之外的表面 覆蓋有外部電鍍層18。上部電極15的頂表面和側(cè)表面覆蓋有外部電鍍 層18。下部電極11的底表面和側(cè)表面的一部分(上部部分111)覆蓋 有外部電鍍層18。下部電極11的下部部分112的側(cè)表面沒有覆蓋外部 電鍍層18。此外，在下部電極11中，下部部分112在X方向和Y方 向上的尺寸比上部部分111的略小，且在上部部分111和下部部分112 之間形成有階梯。因此，具有未涂覆外部電鍍層18的部分且具有階梯 的帶狀表面被形成到下部電極11，從而可以通過外觀識別出半導(dǎo)體器 件1的每個電極的極性。
另外，可以將上部電極15和下部電極11在Z方向上的尺寸設(shè)定 成彼此不同。如圖6所示，假設(shè)上部電極15和下部電極11具有不同 的厚度，即是說，假設(shè)上部電極15的厚度為tts且下部電極11的厚度 為tu，則在該情況下，定義t 〉t15。具體來說，利用第一引線框架板 lla來制造半導(dǎo)體器件1，其中，第一引線框架板lla的厚度大于第二 引線框架板15a的厚度。以這種方式，使上部電極15的厚度與下部電
極11的厚度不同，從而可以通過外觀來識別出半導(dǎo)體器件1的每個電 極的極性。能夠基于外部電鍍層的有無、階梯的有無或上部電極與下 部電極之間的厚度差，或者基于它們的組合，來區(qū)分上部電極和下部 電極。
半導(dǎo)體器件1安裝在襯底比如印刷布線板上。接下來，參照圖7 和圖9，給出對根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1的安裝方法的描述。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的安裝示例1的視 圖。如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1可以相對于如圖7 所示的襯底30橫向安裝。將完全暴露了上部電極15的表面設(shè)定為頂 表面的四角柱的側(cè)表面(即，四角柱的切割表面)可以連接到襯底30， 從而使該側(cè)表面與襯底30彼此面對。在根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器 件1中，在所有的側(cè)表面處暴露上部電極15和下部電極11，因而所有 的側(cè)表面都可以用作安裝表面。因此，可以使側(cè)表面中的任一個面對 襯底30來安裝半導(dǎo)體器件1。
具體來說，在安裝方法中，優(yōu)選地，半導(dǎo)體器件1具有正四角柱 的形狀，該正四角柱的外部尺寸為寬度(沿著圖5中的X方向的尺 寸A)和深度(沿著圖5中的Y方向的尺寸B)基本上彼此相等。另 外，當(dāng)高度(沿著圖5中的Z方向的尺寸C)被設(shè)定成大于外部尺寸 中的寬度和深度時，半導(dǎo)體器件1可以被橫向安裝成穩(wěn)定狀態(tài)。換言 之，如圖5所示，有利地，半導(dǎo)體器件1具有正四角柱的形狀，該正 四角柱滿足例如尺寸A^寸B〈尺寸C。
這樣，當(dāng)半導(dǎo)體器件i具有將完全暴露了上部電極15的表面設(shè)定 為頂表面的、具有彼此基本上相等的寬度和深度的尺寸的正四角柱形 狀時，側(cè)表面中的任何一個可以被用作安裝表面。因此，只需要判定 上部電極15和下部電極11相對于襯底30的方向，這樣做可以有利于 安裝。
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的安裝示例2的視
圖。如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1可以相對于襯底 30縱向安裝。具體來說，完全暴露了下部電極11的表面電連接到襯底 30，從而該表面與襯底30彼此面對，暴露了上部電極15的表面通過 鍵合引線31電連接到襯底30。因此，在設(shè)計階段，可以合適地如圖7 所示的橫向安裝或如圖8所示的縱向安裝，由此可以提高布線設(shè)計的 可能性。上部電極15側(cè)可以連接到襯底30，從而該面與襯底30彼此 面對，且下部電極11可以通過鍵合引線31連接到襯底30。
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的安裝示例3的視 圖。如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件1可以被安裝成 多個半導(dǎo)體器件1彼此平行地安裝并相對于襯底30縱向安裝。具體來 說，以與圖8的安裝示例2類似的方式，完全暴露了下部電極11的表 面連接到襯底30，從而該表面與襯底30彼此面對。在這種情況下，由 于多個半導(dǎo)體器件1的電極沿著相同方向定位，所以采用導(dǎo)電膏等將 多個半導(dǎo)體器件1連接到襯底30，且多個半導(dǎo)體器件1的下部電極11 彼此連接。多個半導(dǎo)體器件1可以布置在襯底30上，使得半導(dǎo)體器件 1的相鄰的側(cè)表面彼此接觸。
然后，完全暴露了上部電極15的表面通過鍵合引線31電連接到 襯底30。在這種情況下，當(dāng)連續(xù)地形成導(dǎo)電膏等使得多個半導(dǎo)體器件 1的上部電極15彼此連接時，所述多個半導(dǎo)體器件1的上部電極15可 以通過單個鍵合引線31連接到襯底30。結(jié)果，可以增加襯底30上布 線設(shè)計的可能性。上部電極15面可以連接到襯底30，從而該面與襯底 30彼此面對，且下部電極11可以通過鍵合引線31連接到襯底30。
以這種方式，可以通過如圖7至9所示的各種方法來安裝半導(dǎo)體 器件l，由此可以提高安裝的自由度。
如上所述，在本發(fā)明的實施例中，在多個管芯13夾在第一引線框
架板lla和第二引線框架板15a之間且彼此電連接的狀態(tài)下，利用樹脂 16進(jìn)行密封，其中，第一引線框架板lla和第二引線框架板15a彼此 相對放置。然后，第二引線框架板15a通過半切割完全被切割，并經(jīng)受 電鍍，而將要被分離為單獨的片的多個半導(dǎo)體器件在第一引線框架板 11a的側(cè)表面上彼此連接。通過這樣的方法，只要由第一引線框架板lla 形成的下部電極11電連接到由第二引線框架板15a形成的上部電極 15，電鍍層18就沉積在上部電極15的表面上。結(jié)果，用眼睛來觀察 上部電極15的外部顏色，從而可以判定下部電極11是否電連接到上 部電極15。因此，檢查所需的時間縮短，并可以容易地篩選出次品。
另外，在本發(fā)明的實施例中，在引線框架板的狀態(tài)下，可以集中 地進(jìn)行每個管芯13和上部電極15之間的連接以及樹脂密封。此后， 通過集中劃片工藝，將半導(dǎo)體器件1分離成單獨的片。結(jié)果，可以減 少制造步驟的數(shù)目，并且可以容易地形成半導(dǎo)體器件1。
注意的是，在本發(fā)明的實施例中，示出的情況是在ST305中從 第二引線框架板15a的這一側(cè)進(jìn)行半切割，且在ST308中從第一引線 框架板lla的這一側(cè)進(jìn)行單獨的分離。然后，本發(fā)明不限于此，本發(fā)明 可以是其它相反的方式。具體來說，從第一引線框架板lla這一側(cè)沿著 厚度方向?qū)ΟB層體劃片，通過第二引線框架板15a的厚度來部分切割第 二引線框架板15a。然后，在ST308中，從第二引線框架板15a的這一 側(cè)沿著厚度方向來對疊層體劃片，疊層體被分離成半導(dǎo)體器件1的單 獨的片。結(jié)果，在上部電極15的頂表面這一側(cè)，形成了不經(jīng)受電鍍層 18的帶狀表面和階梯。
此外，在ST305中，只要第一引線框架板lla和第二引線框架板 15a中的至少一個被完全切割，則另一個引線框架板就沒有必要通過其 厚度部分來劃片。具體來說，在ST305中，可以進(jìn)行用于完全切割第 一引線框架板lla和第二引線框架板15a中的一個的半切割，在ST308
中，通過將另一個引線框架板切割成半導(dǎo)體器件1的單獨的片可以將 這另一個引線框架板分離開。
然后，在完全切割第一引線框架板lla和第二引線框架板15a中 的一個且多個半導(dǎo)體器件1在另一個引線框架的整體上彼此連接的狀 態(tài)下，在ST306中，可以進(jìn)行外部電鍍。在這種情況下，另一個引線 框架板用作陰極。另外，在這種情況下，只要在每個用作半導(dǎo)體器件1 的區(qū)域中由第一引線框架板lla形成的下部電極11電連接到由第二引 線框架板15a形成的上部電極15，則形成在切割表面上的電極的表面 就覆蓋有電鍍層18。因此，用眼睛來觀察切割表面上形成的電極的外 部顏色，由此能夠判定下部電極11是否電連接到上部電極15。在這種 情況下，在ST308中，可以切割另一個引線框架板。
另外，在本發(fā)明的實施例中，沿著與ST305中的方向相反的方向， 在ST308中進(jìn)行劃片，但是也可以沿著與ST305中的方向相同的方向 來進(jìn)行劃片。另外，在ST305和ST308中，半導(dǎo)體器件1被劃片成格 子狀，并被形成為四角柱形狀，但是每個半導(dǎo)體器件1的形狀不限于 此?？梢赃m當(dāng)?shù)夭捎酶鞣N棱柱形狀。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括第一電極；第二電極，與第一電 極相對放置；半導(dǎo)體芯片，位于第一電極和第二電極之間并連接到第 一電極和第二電極中的每個；以及樹脂，填充在第一電極和第二電極 之間，以密封半導(dǎo)體芯片。在半導(dǎo)體器件中，在沿著第一電極和第二 電極的疊層方向延伸的至少兩個表面中的每個處暴露第一電極和第二 電極。例如，在圖5和圖6所示的半導(dǎo)體器件1中，Z方向是第一電極 和第二電極的疊層方向。在沿著該Z方向延伸的至少兩個表面中的每 個(即，在半導(dǎo)體器件1的至少兩個側(cè)表面中的每個)處，暴露了半 導(dǎo)體器件1的第一電極和第二電極。結(jié)果，兩個表面都可以用作安裝 表面，由此可以提高安裝的自由度。雖然在上述的實施例中通過示例 的方式描述了通過劃片來形成暴露了第一電極和第二電極的四個切割
表面的情況，但是本發(fā)明不限于此。如果半導(dǎo)體器件1通過劃片而具 有暴露了第一電極和第二電極的兩個或更多個切割表面，則可以得到 上述的效果。
在該情況下，優(yōu)選地，第一電極在沿著疊層方向的方向上的尺寸 與第二電極在沿著疊層方向的方向上的尺寸不同。例如，在如圖5和 圖6所示的半導(dǎo)體器件1中，兩個電極的厚度tu、 t,5優(yōu)選被設(shè)定成彼
此不同。另外，優(yōu)選地，第一電極和第二電極經(jīng)受電鍍，還優(yōu)選地， 第一電極和第二電極中的一個具有不經(jīng)受電鍍并形成在沿著第一電極 和第二電極的疊層方向延伸的表面上的區(qū)域。結(jié)果，能夠通過外觀來 區(qū)分第一電極和第二電極。
以上描述了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明不限于上述的實施例。 在本發(fā)明的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地修改、添加或者改 變上述實施例的部件。
顯然，本發(fā)明不限于上述實施例，而是在不脫離本發(fā)明的范圍和 精神的情況下，可以被修改和變化。
權(quán)利要求
1. 一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括將多個半導(dǎo)體芯片平面地布置在彼此相對放置的第一引線框架板和第二引線框架板之間，以將所述多個半導(dǎo)體芯片連接到所述第一引線框架板和所述第二引線框架板中的每個；將樹脂填充在所述第一引線框架板和所述第二引線框架板之間，以密封所述多個半導(dǎo)體芯片；對相鄰的半導(dǎo)體芯片之間的疊層體進(jìn)行第一劃片，以通過切割來分離至少所述第一引線框架板，其中所述疊層體包括所述第一引線框架板、所述樹脂和所述第二引線框架板；對于具有通過切割而分離的至少所述第一引線框架板的所述疊層體施加電鍍；對所述相鄰的半導(dǎo)體芯片之間的所述疊層體的剩余部分進(jìn)行第二劃片，以將該疊層體分離成單獨的半導(dǎo)體器件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，將所述 第二引線框架板用作陰極來施加電鍍。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，進(jìn)行所 述第一劃片以使得在所述相鄰的半導(dǎo)體芯片之間通過進(jìn)行切割來分離 所述第一引線框架板和所述樹脂，只留下所述第二引線框架板的一部 分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，利用第 二劃片器來進(jìn)行所述第二劃片，其中該第二劃片器具有比在所述第一 劃片中所用的第一劃片器的刀片寬度寬的刀片寬度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，相對于 所述疊層體，沿著與所述第一劃片的方向相反的方向來進(jìn)行所述第二 劃片。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，利用第 二劃片器來進(jìn)行所述第二劃片，其中該第二劃片器具有比在所述第一 劃片中所用的第一劃片器的刀片寬度寬的刀片寬度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，其中，相對于所述疊層體，沿著與所述第一劃片的方向相反的方向來進(jìn)行所 述第二劃片。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，使用具 有與所述第一引線框架板的厚度不同的厚度的第二引線框架板。
9. 一種半導(dǎo)體器件，包括第一電極；第二電極，與所述第一電極相對地放置；半導(dǎo)體芯片，位于所述第一電極和所述第二電極之間，并連接到 所述第一電極和所述第二電極中的每個；以及樹脂，填充在所述第一電極和所述第二電極之間，以密封所述半 導(dǎo)體芯片，其中，所述第一電極和所述第二電極在沿著所述第一電極和所述 第二電極的疊層方向延伸的至少兩個表面中的每個表面處暴露。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一電極的 沿著所述層疊方向所形成的尺寸不同于所述第二電極的尺寸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述第一電極和所述第二電極中的每個的表面經(jīng)受電鍍；以及 所述第一電極和所述第二電極中的一個在沿著所述第一電極和所述第二電極的疊層方向延伸的表面上具有不經(jīng)受電鍍的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括將多個半導(dǎo)體芯片平面地布置在彼此面對的第一引線框架板和第二引線框架板之間，以將多個半導(dǎo)體芯片連接到第一引線框架板和第二引線框架板中的每個；將樹脂填充在第一引線框架板和第二引線框架板之間，以密封多個管芯；對相鄰的管芯之間的、包括第一引線框架板、樹脂和第二引線框架板的疊層體進(jìn)行第一劃片，以通過切割來分離至少第一引線框架板；對于具有通過切割而分離的至少所述第一引線框架板的所述疊層體施加電鍍；對相鄰的管芯之間的疊層體的剩余部分進(jìn)行第二劃片，以將疊層體分離成單獨的半導(dǎo)體器件。
文檔編號H01L21/50GK101383296SQ20081021515
公開日2009年3月11日 申請日期2008年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月3日
發(fā)明者金田芳晴 申請人:恩益禧電子股份有限公司