專利名稱：一種陶瓷電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其指一種陶瓷電容。
背景技術(shù)：
陶瓷電容(參見圖1)在電子產(chǎn)品中使用非常廣泛，但是多數(shù)情況下該器件的失效 屬于惡性的短路失效，短路失效會造成電路無法正常工作，甚至引起火災(zāi)。
發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)現(xiàn)該陶瓷電容短路失效的原因是受到機械應(yīng)力 后產(chǎn)生了裂紋(參見圖2)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)被破壞，致使內(nèi)部正負電極因接觸而產(chǎn)生短路失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種陶瓷電容，能夠減小電容發(fā)生短路失效的機率。
—種陶瓷電容，包括電容基體以及覆蓋于電容基體兩端的端電極；所述電容基
體包括多層帶電極的陶瓷片；所述端電極包括第一端電極和第二端電極；所述電極包括第
一電極和第二電極；所述第一電極自所述第一端電極向所述第二端電極方向延伸，所述第
二電極自所述第二端電極向所述第一端電極方向延伸，帶有所述第一電極的所述陶瓷片與
帶有所述第二電極的所述陶瓷片交錯設(shè)置；在所述電容基體的邊側(cè)設(shè)置有至少一個避讓
區(qū)，在所述避讓區(qū)內(nèi)設(shè)有所述第一 電極或者所述第二電極。 上述技術(shù)方案中具有如下的優(yōu)點當(dāng)陶瓷電容受機械應(yīng)力發(fā)生裂紋時，一般都在 應(yīng)力集中的避讓區(qū)，由于兩類電極不會同時設(shè)在避讓區(qū)，因此，第一電極不會與第二電極接 觸，從而減小了發(fā)生短路事故的機率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為現(xiàn)有的陶瓷電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖； 圖2為現(xiàn)有的陶瓷電容受機械應(yīng)力受損后出現(xiàn)裂紋的示意圖；、 圖3為本發(fā)明實施例只有一個三角形避讓區(qū)時的示意圖； 圖4為本發(fā)明實施例有一個矩形避讓區(qū)時的示意圖； 圖5為本發(fā)明實施例有兩個三角形避讓區(qū)時的示意圖； 圖6為本發(fā)明實施例有另一種有兩個三角形避讓區(qū)時的示意圖； 圖7為本發(fā)明實施例有三個三角形避讓區(qū)時的示意圖； 圖8為本發(fā)明實施例有四個三角形避讓區(qū)時的示意圖； 圖9為本發(fā)明實施例有不同形狀避讓區(qū)時的示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下將通過具體實施例和相 關(guān)附圖，對本發(fā)明作進一步詳細說明。 參見圖3，為本發(fā)明一種陶瓷電容的實施例，包括電容基體以及覆蓋于電容基體 兩端的端電極；所述電容基體包括多層帶電極的陶瓷片5 ;所述端電極包括第一端電極l和 第二端電極2 ;所述電極包括第一電極3和第二電極4 ;所述第一電極3自所述第一端電極 1向所述第二端電極2方向延伸，所述第二電極4自所述第二端電極2向所述第一端電極l 方向延伸，帶有所述第一電極3的所述陶瓷片5與帶有所述第二電極4的所述陶瓷片5交 錯設(shè)置；在所述電容基體的邊側(cè)設(shè)置有至少一個避讓區(qū)8，在所述避讓區(qū)內(nèi)8設(shè)有所述第一 電極3或者所述第二電極4。 由于本發(fā)明實施例電容的兩類電極只有其中之一設(shè)在避讓區(qū)8，因此，當(dāng)在避讓區(qū) 內(nèi)發(fā)生裂紋6時，第一電極3不會與第二電極4接觸，從而減小了發(fā)生短路事故的機率。
在所述陶瓷電容的另一實施例中，在所述陶瓷電容外側(cè)，可以設(shè)置有連接部，所述 連接部用于與其它器件連接，所述其它器件例如電路板等等。所述連接部可以通過焊接的 方式與其它器件連接，或者通過螺栓等方式與其它器件連接。 當(dāng)電容焊接到電路板上之后，由于電路板材料與陶瓷材料在膨脹率上的巨大差 異，導(dǎo)致電容基體在連接部附近存在應(yīng)力集中的區(qū)域，當(dāng)該應(yīng)力集中的區(qū)域的應(yīng)力超過陶 瓷電容陶瓷體承受極限時，陶瓷電容即發(fā)生碎裂，所述應(yīng)力集中的區(qū)域稱為避讓區(qū)8。所述 避讓區(qū)8位于電容基體邊側(cè)、連接部附近，其形狀大小與端電極形狀，或者連接部附近的焊 料7位置有關(guān)。 如圖3所示，以第一端電極1處的避讓區(qū)8為例，如果第一端電極1呈"]"形，當(dāng) 電容通過連接部與電路板相焊接時，焊料7附著在第一端電極1靠近電路板的部分的外側(cè)， 焊料7在第一端電極1附著的位置的兩個端點連接起來，在電容基體上大致形成一個三角 形。 避讓區(qū)8的形狀大小根據(jù)應(yīng)力的大小和焊接位置的不同，而有所不同，例如避讓 區(qū)8的形狀也可以不僅僅是三角形，還可以是梯形、或矩形、或者圓形的一部分，一般來說， 避讓區(qū)8覆蓋的面積越大，預(yù)防短路的效果就越好。 在本發(fā)明實施例中，避讓區(qū)8的位置與連接部的位置相關(guān)，下面將分幾種情況進 行說明 (1)參見圖3及圖4，當(dāng)只有一個避讓區(qū)8時，如果避讓區(qū)8位于靠近第一端電極 1的一側(cè)，則第二電極4的延伸末端位于避讓區(qū)8夕卜，第一電極3可以自第一端電極1延 伸到避讓區(qū)8，并且在經(jīng)過避讓區(qū)8后，繼續(xù)向第二端電極2延伸；如果避讓區(qū)8位于靠近 第二端電極2的一側(cè)，則第一電極3的延伸末端位于避讓區(qū)8夕卜，第二電極4可以自第二 端電極2延伸到避讓區(qū)8，并且在經(jīng)過避讓區(qū)8后，繼續(xù)向第一端電極1延伸。在電容基體 位于避讓區(qū)8之外的部分，第一電極3和第二電極4都可以盡量延伸到最長長度，如根據(jù)器 件封裝和額定電壓的不同，電極的延伸末端距離避讓區(qū)8邊界或另一端電極的最近距離可 以為50 ii m、或60 ii m、或85 ii m或其它尺寸，在實際應(yīng)用中，也可以根據(jù)加工工藝或陶瓷電 容性能的需要，加大或縮小該距離。將第一電極3和第二電極4的長度盡量延伸到最長長 度可以加大電極間的正對面積，從而最大限度地保留電容容值。
參見圖3，以避讓區(qū)8為三角形，且位于靠近第一端電極1的一側(cè)為例，由于避讓 區(qū)8是三角形，且在電容基體位于避讓區(qū)8之外的部分，第一電極3和第二電極4都可以盡 量延伸到最長長度。隨著第二電極4與電容基體底部的靠近，其延伸長度會逐漸遞減，每次 遞減的值可以是一個不變的值，如每次遞減O. lmm;也可以是一個變化的值，如第一次遞減 0. lmm，第二次遞減O. llmm，第三次遞減O. 09mm等等；也可以隔幾個電極才遞減，如第一次 遞減O. lmm，第二次不遞減，其電極長度與第一次保持一致，第三次遞減O. lmm等等。
參見圖4，以避讓區(qū)8為矩形，且靠近第一端電極1的一側(cè)為例，向避讓區(qū)8方向延 伸的第一電極長度相等，并延伸到避讓區(qū)8的一條矩形邊外。 其它形狀的避讓區(qū)8相關(guān)電極的長度也可以參考上述兩個例子進行相應(yīng)的設(shè)置。
(2)當(dāng)有兩個避讓區(qū)8時，如果兩個避讓區(qū)8都位于靠近第一端電極1的一側(cè)，參 見圖5，則第二電極4的延伸末端位于避讓區(qū)8夕卜，第一電極3可以自第一端電極1延伸 到避讓區(qū)8，并且在經(jīng)過避讓區(qū)8后，繼續(xù)向第二端電極2延伸；如果兩個避讓區(qū)8都位于 靠近第二端電極2的一側(cè)，則第一電極3的延伸末端位于避讓區(qū)8夕卜，第二電極4可以自 第二端電極2延伸到避讓區(qū)8，并且在經(jīng)過避讓區(qū)8后，繼續(xù)向第一端電極1延伸。
參見圖6，如果所述避讓區(qū)包括第一避讓區(qū)81和第二避讓區(qū)82，第一避讓區(qū)81位 于電容基體底部，并且位于靠近第一端電極1的一側(cè)，第二避讓區(qū)82位于電容基體底部，并 且位于靠近第二端電極2的一側(cè)，則第一電極3的延伸末端都位于第二避讓區(qū)82夕卜，第二 電極4從第二端電極2延伸到第二避讓區(qū)82，并且在經(jīng)過第二避讓區(qū)82后，繼續(xù)向第一端 電極1延伸；第二電極4的延伸末端都位于第一避讓區(qū)81夕卜，第一電極3從第一端電極1 延伸到第一避讓區(qū)81，并且在經(jīng)過第一避讓區(qū)81后，繼續(xù)向第二端電極2延伸。
進一步地，在電容基體位于第一避讓區(qū)81和第二避讓區(qū)82之外的部分，第一電極 3和第二電極4都可以盡量延伸到最長長度。 參見圖6，以第一避讓區(qū)81和第二避讓區(qū)82位于電容基體底部，并且都為三角形 為例，由于在第一避讓區(qū)81之外的部分，第二電極4都可以盡量延伸到最長長度，在第二 避讓區(qū)82之外的部分，第一電極3盡量延伸到最長長度，因此，隨著第一電極3和第二電 極4與電容基體底部的靠近，第一電極3和第二電極4的延伸長度都會遞減，同第一種情況 相似，每類電極每次遞減的值可以是一個不變的值，如每次遞減O. lmm;也可以是一個變化 的值，如第一次遞減O. lmm，第二次遞減O. llmm，第三次遞減O. 09mm等等；也可以隔幾個電 極才遞減，如第一次遞減0. lmm，第二次不遞減，其電極長度與第一次保持一致，第三次遞減 0. lmm等等，同時，兩類電極的遞減規(guī)律可以是相同，也可以不同，如第一電極3依次遞減， 而第二電極4隔一個或多個電極再遞減。 如果第一避讓區(qū)81與第二避讓區(qū)82都位于電容基體頂部，則這種情況與第一避 讓區(qū)81和第二避讓區(qū)82都位于電容基體底部的情況類似，電極長度變化規(guī)律可以參考第 一避讓區(qū)81和第二避讓區(qū)82位都位電容基體底部的情況進行設(shè)置。 如果第一避讓區(qū)81位于電容基體底部，靠近第一端電極1的一側(cè)，第二避讓區(qū)82 位于電容基體頂部，靠近第二端電極2的一側(cè)，則第一電極3的延伸末端都位于第二避讓區(qū) 82夕卜，第二電極4從第二端電極2延伸到第二避讓區(qū)82，并且在經(jīng)過第二避讓區(qū)82后，繼 續(xù)向第一端電極1延伸；第二電極4的延伸末端都位于第一避讓區(qū)81夕卜，第一電極3從第 一端電極1延伸到第一避讓區(qū)81，并且在經(jīng)過第一避讓區(qū)81后，繼續(xù)向第二端電極2延伸。在電容基體位于第一避讓區(qū)81和第二避讓區(qū)82之外的部分，第一電極3和第二電極4的 長度都可以盡量延伸到最長長度。 如果第一避讓區(qū)81位于電容基體頂部靠近第一端電極1的一側(cè)，第二避讓區(qū)82 位于電容基體底部靠近第二端電極的一側(cè)，電極長度規(guī)律與第一避讓區(qū)81位于電容基體 底部靠近第一端電極1的一側(cè)，第二避讓區(qū)82位于電容基體頂部靠近第二端電極的一側(cè)的 情況類似。 另外，所述第一避讓區(qū)81與第二避讓區(qū)82的形狀大小都可以不同。 (3)當(dāng)有三個避讓區(qū)8時，在以下四個位置中的三個位置設(shè)置有避讓區(qū)，所述的四
個位置包括 電容基體頂部的靠近第一端電極1的一側(cè)
電容基體頂部的靠近第二端電極2的一側(cè)
電容基體底部的靠近第一端電極1的一側(cè)；以及
電容基體底部的靠近第二端電極2的一側(cè)。
另外，所述三個避讓區(qū)8的形狀大小都可以不同。 電極的延伸長度參照只有一個避讓區(qū)8，以及只有兩個避讓區(qū)8的情況進行組合， 例如電容基體的頂部設(shè)置一個避讓區(qū)8，底部設(shè)置兩個避讓區(qū)8 ;或者電容基體的底部設(shè) 置一個避讓區(qū)8，頂部設(shè)置兩個避讓區(qū)8。 (4)當(dāng)有四個避讓區(qū)8時，在以下四個位置設(shè)置有避讓區(qū)8，所述的四個位置包
括





三角形，
以及
電容基體頂部的靠近第一端電極1的一側(cè) 電容基體頂部的靠近第二端電極2的一側(cè) 電容基體底部的靠近第一端電極1的一側(cè) 電容基體底部的靠近第二端電極2的一側(cè)。 電極的延伸長度參照只有兩個避讓區(qū)8的情況進行組合。
另外，所述四個避讓區(qū)8的形狀大小都可以不同，參見圖9，電容的三個避讓區(qū)8為 -個避讓區(qū)8為矩形。 通過本發(fā)明實施例設(shè)計的電容優(yōu)點在于當(dāng)電容受到機械應(yīng)力后，由于電容與電 路板連接的關(guān)系，絕大多數(shù)裂紋6都發(fā)生在避讓區(qū)8的區(qū)域內(nèi)，而本發(fā)明實施例中第一電極 3和第二電極4不會同時設(shè)在避讓區(qū)8，因此，就可以避免兩類電極相互接觸而短路的情況 發(fā)生。 以上舉較佳實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點進行了進一步詳細說明，所 應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的 精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種陶瓷電容，其特征在于，包括電容基體以及覆蓋于電容基體兩端的端電極；所述電容基體包括多層帶電極的陶瓷片；所述端電極包括第一端電極和第二端電極；所述電極包括第一電極和第二電極；所述第一電極自所述第一端電極向所述第二端電極方向延伸，所述第二電極自所述第二端電極向所述第一端電極方向延伸，帶有所述第一電極的所述陶瓷片與帶有所述第二電極的所述陶瓷片交錯設(shè)置；在所述電容基體的邊側(cè)設(shè)置有至少一個避讓區(qū)，在所述避讓區(qū)內(nèi)設(shè)有所述第一電極或者所述第二電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極在所述避讓區(qū)外的部分，延伸到最長長度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容，其特征在于，所述避讓區(qū)形狀為三角形，或矩形，或梯形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容，其特征在于，所述陶瓷電容包括一個所述避讓區(qū)，如果所述避讓區(qū)位于靠近所述第一端電極的一側(cè)，則所述第二電極的延伸末端位于所述避讓區(qū)外，所述第一電極可以自所述第一端電極延伸到所述避讓區(qū)，并且在經(jīng)過所述避讓區(qū)后，繼續(xù)向所述第二端電極延伸；如果所述避讓區(qū)位于靠近所述第二端電極的一側(cè)，則所述第一電極的延伸末端位于所述避讓區(qū)外，所述第二電極可以自所述第二端電極延伸到所述避讓區(qū)，并且在經(jīng)過所述避讓區(qū)后，繼續(xù)向所述第一端電極延伸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容，其特征在于，所述陶瓷電容包括兩個所述避讓區(qū)，兩個所述避讓區(qū)都位于靠近所述第一端電極的一側(cè)，或者都位于靠近所述第二端電極的一側(cè)，或者一個所述避讓區(qū)位于靠近第一端電極一側(cè)，另一所述避讓區(qū)位于靠近第二端電極一側(cè)；或者，所述陶瓷電容包括三個所述避讓區(qū)，一個所述避讓區(qū)位于所述電容基體底部靠近所述第一端電極的一側(cè)，第二個所述避讓區(qū)位于所述電容基體底部靠近所述第二端電極的一側(cè)，第三個所述避讓區(qū)位于所述電容基體頂部靠近所述第二端電極的一側(cè)；或者，所述陶瓷電容包括四個所述避讓區(qū)，一個所述避讓區(qū)位于電容基體頂部的靠近第一端電極的一側(cè)；第二個所述避讓區(qū)位于電容基體頂部的靠近第二端電極的一側(cè)；第三個所述避讓區(qū)位于電容基體底部的靠近第一端電極的一側(cè)；第四個所述避讓區(qū)位于電容基體底部的靠近第二端電極的一側(cè)。
6. —種電路板組合，其特征在于，包括電路板，以及設(shè)在所述電路板的陶瓷電容，所述陶瓷電容包括電容基體以及覆蓋于電容基體兩端的端電極；所述電容基體包括多層帶電極的陶瓷片；所述端電極包括第一端電極和第二端電極；所述電極包括第一電極和第二電極；所述第一電極自所述第一端電極向所述第二端電極方向延伸，所述第二電極自所述第二端電極向所述第一端電極方向延伸，帶有所述第一電極的所述陶瓷片與帶有所述第二電極的所述陶瓷片交錯設(shè)置；在所述電容基體的邊側(cè)設(shè)置有至少一個避讓區(qū)，在所述避讓區(qū)內(nèi)設(shè)有所述第一 電極或者所述第二電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路板組合，其特征在于，所述陶瓷電容包括一個所述避讓區(qū)，如果所述避讓區(qū)位于靠近所述第一端電極的一側(cè)，則所述第二電極的延伸末端位于所述避讓區(qū)外，所述第一電極可以自所述第一端電極延伸到所述避讓區(qū)，并且在經(jīng)過所述避讓區(qū)后，繼續(xù)向所述第二端電極延伸；如果所述避讓區(qū)位于靠近所述第二端電極的一側(cè)，則所述第一電極的延伸末端位于所述避讓區(qū)外，所述第二電極可以自所述第二端電極延伸到所述避讓區(qū)，并且在經(jīng)過所述避讓區(qū)后，繼續(xù)向所述第一端電極延伸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板組合，其特征在于，所述陶瓷電容的所述第一電極和 所述第二電極在所述避讓區(qū)外的部分，延伸到最長長度。
9. 一種通信裝置，其特征在于，包括電路板組合，所述電路板組合包括電路板，以及設(shè) 在所述電路板的陶瓷電容，所述陶瓷電容包括電容基體以及覆蓋于電容基體兩端的端電 極；所述電容基體包括多層帶電極的陶瓷片；所述端電極包括第一端電極和第二端電極； 所述電極包括第一電極和第二電極；所述第一電極自所述第一端電極向所述第二端電極方 向延伸，所述第二電極自所述第二端電極向所述第一端電極方向延伸，帶有所述第一電極 的所述陶瓷片與帶有所述第二電極的所述陶瓷片交錯設(shè)置；在所述電容基體的邊側(cè)設(shè)置有 至少一個避讓區(qū)，在所述避讓區(qū)內(nèi)設(shè)有所述第一電極或者所述第二電極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的通信裝置，其特征在于，所述陶瓷電容包括一個所述避讓 區(qū)，如果所述避讓區(qū)位于靠近所述第一端電極的一側(cè)，則所述第二電極的延伸末端位于所 述避讓區(qū)外，所述第一電極可以自所述第一端電極延伸到所述避讓區(qū)，并且在經(jīng)過所述避 讓區(qū)后，繼續(xù)向所述第二端電極延伸；如果所述避讓區(qū)位于靠近所述第二端電極的一側(cè)，則 所述第一電極的延伸末端位于所述避讓區(qū)外，所述第二電極可以自所述第二端電極延伸到 所述避讓區(qū)，并且在經(jīng)過所述避讓區(qū)后，繼續(xù)向所述第一端電極延伸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的通信裝置，其特征在于，所述陶瓷電容的所述第一電極和所 述第二電極在所述避讓區(qū)外的部分，延伸到最長長度。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種陶瓷電容，包括電容基體以及覆蓋于電容基體兩端的端電極；電容基體包括多層帶電極的陶瓷片；端電極包括第一端電極和第二端電極；電極包括第一電極和第二電極；所述第一電極自所述第一端電極向所述第二端電極方向延伸，所述第二電極自所述第二端電極向所述第一端電極方向延伸，帶有所述第一電極的所述陶瓷片與帶有所述第二電極的所述陶瓷片交錯設(shè)置；且在所述電容基體的避讓區(qū)設(shè)有所述第一電極或者所述第二電極。上述技術(shù)方案中的優(yōu)點在于當(dāng)陶瓷電容受機械應(yīng)力發(fā)生裂紋時，一般都在應(yīng)力集中的避讓區(qū)，由于兩類電極只有其中之一設(shè)在避讓區(qū)，因此，第一電極不會與第二電極接觸，從而減小了發(fā)生短路事故的幾率。
文檔編號H01G4/30GK101752081SQ20081021804
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者張 成 申請人:華為技術(shù)有限公司