專利名稱：一種承片臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體為一種承片臺(tái)，在半導(dǎo)體工業(yè)中，需要旋轉(zhuǎn)加工的時(shí)
候所使用的承片臺(tái)，當(dāng)工藝要求只允許晶片邊緣和承片臺(tái)接觸時(shí)，可以使用本發(fā)明的承片 臺(tái)，保證晶片中心圖形區(qū)域和承片臺(tái)不接觸，防止因?yàn)槌衅_(tái)問(wèn)題給加工圖形造成的損壞。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，有些工藝要求在晶片加工時(shí)，只能提供邊緣幾個(gè)毫米的 范圍和承片臺(tái)接觸，在晶片的運(yùn)輸和加工中只能接觸邊緣允許的接觸區(qū)。傳統(tǒng)的承片臺(tái)會(huì) 直接接觸晶片的中心區(qū)域，因此在新的工藝中就變得不適用了，這就需要設(shè)計(jì)一種新的承 片臺(tái)，這種承片臺(tái)通過(guò)真空吸附，并且只能和晶片的規(guī)定區(qū)域接觸。

發(fā)明內(nèi)容
為了滿足工藝要求，承片臺(tái)只能和晶片的規(guī)定區(qū)域接觸，承片臺(tái)的設(shè)計(jì)要符合這 種需求。本發(fā)明的目的在于提供一種新型承片臺(tái)，只在晶片邊緣環(huán)形帶上進(jìn)行真空吸附，這 種承片臺(tái)不和晶片的圖形區(qū)域接觸，可靠性高，晶片吸附穩(wěn)定，不會(huì)出現(xiàn)偏移、掉片等情況。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是 —種承片臺(tái)，該承片臺(tái)設(shè)有環(huán)形臺(tái)、真空吸盤、槽、真空通道和本體，本體頂部設(shè)有 環(huán)形臺(tái)，環(huán)形臺(tái)開(kāi)有可以方便I形機(jī)械手進(jìn)入取送晶片的槽，環(huán)形臺(tái)上表面分布有真空吸 盤，本體內(nèi)開(kāi)設(shè)有與真空吸盤相通的真空通道。 所述的承片臺(tái)，槽為弧形槽，在環(huán)形臺(tái)上相對(duì)開(kāi)設(shè)。 所述的承片臺(tái)，環(huán)形臺(tái)頂部放置晶片，環(huán)形臺(tái)和晶片邊緣允許接觸的環(huán)形帶接觸。
本發(fā)明的有益效果是 1、在晶片的加工工程中，當(dāng)需要吸附的一面中心區(qū)域有圖形時(shí)，使用傳統(tǒng)的真空 吸附方法，承片臺(tái)和晶片中心會(huì)有接觸，會(huì)破壞圖形。在晶片的加工中，在晶片的邊緣通常 有一個(gè)沒(méi)有圖形，允許接觸的環(huán)形帶。本發(fā)明承片臺(tái)頂部設(shè)有環(huán)形臺(tái)，環(huán)形臺(tái)上設(shè)有真空吸 盤，環(huán)形臺(tái)中間有槽，可供I型機(jī)械手進(jìn)入取片。 2、本發(fā)明能夠使用晶片邊緣，把晶片牢牢的固定在承片臺(tái)上。
3、本發(fā)明結(jié)構(gòu)設(shè)有真空通道，可以使用真空吸附。 4、本發(fā)明結(jié)構(gòu)真空吸附時(shí)，只有晶片邊緣和承片臺(tái)接觸，可以使用I形機(jī)械手直
接在承片臺(tái)上取送晶片，減少傳統(tǒng)的需要調(diào)換機(jī)械手的時(shí)間。 5、本發(fā)明結(jié)構(gòu)在吸附晶片時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)變形、碎片的情況。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1的俯視圖。
圖中，1 :環(huán)形臺(tái)；2 :真空吸盤；3 :槽；4 :真空通道；5本體。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。 如圖l所示，本發(fā)明新型承片臺(tái)主要包括環(huán)形臺(tái)1、真空吸盤2、槽3、真空通道4 和本體5等，承片臺(tái)的本體5頂部設(shè)有環(huán)形臺(tái)l，晶片置于環(huán)形臺(tái)l頂部，在晶片的加工中， 在晶片的邊緣通常有一個(gè)沒(méi)有圖形，允許接觸的環(huán)形帶，環(huán)形臺(tái)1和晶片邊緣的環(huán)形帶接 觸，接觸區(qū)域略小于晶片提供的可接觸區(qū)域。環(huán)形臺(tái)1開(kāi)有槽3，槽3可以為弧形槽，在環(huán)形 臺(tái)1上相對(duì)開(kāi)設(shè)，槽3的開(kāi)設(shè)可以方便I形機(jī)械手進(jìn)入取送晶片。環(huán)形臺(tái)1上表面分布有 真空吸盤2 (孔形)，本體5內(nèi)開(kāi)設(shè)有與真空吸盤2相通的真空通道4，從而可以通過(guò)真空吸 附將晶片牢牢的吸附在承片臺(tái)上。 工作時(shí)，晶片放在環(huán)形臺(tái)l上，并且與環(huán)形臺(tái)1同心，真空閥打開(kāi)，真空通過(guò)真空通
道4到達(dá)真空吸盤2，把晶片牢牢的吸在承片臺(tái)上。當(dāng)機(jī)械手到達(dá)放晶片的位置時(shí)，承片臺(tái)
上升，把晶片從機(jī)械手上頂起，機(jī)械手正好處于槽3所在的空間，機(jī)械手退出后，真空閥打
開(kāi)，通過(guò)真空吸盤2把晶片吸在環(huán)形臺(tái)1上，承片臺(tái)下降，到達(dá)加工工位，開(kāi)始加工。 加工完成后，承片臺(tái)升起，機(jī)械手進(jìn)入槽3所在的空間，真空閥斷開(kāi)，承片臺(tái)下降，
把晶片放在機(jī)械手上，然后再由機(jī)械手把晶片傳輸?shù)絼e的工位進(jìn)行加工。
權(quán)利要求
一種承片臺(tái)，其特征在于該承片臺(tái)設(shè)有環(huán)形臺(tái)、真空吸盤、槽、真空通道和本體，本體頂部設(shè)有環(huán)形臺(tái)，環(huán)形臺(tái)開(kāi)有可以方便I形機(jī)械手進(jìn)入取送晶片的槽，環(huán)形臺(tái)上表面分布有真空吸盤，本體內(nèi)開(kāi)設(shè)有與真空吸盤相通的真空通道。
2. 按照權(quán)利要求1所述的承片臺(tái)，其特征在于槽為弧形槽，在環(huán)形臺(tái)上相對(duì)開(kāi)設(shè)。
3. 按照權(quán)利要求l所述的承片臺(tái)，其特征在于環(huán)形臺(tái)頂部放置晶片，環(huán)形臺(tái)和晶片邊 緣允許接觸的環(huán)形帶接觸。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體為一種承片臺(tái)。在半導(dǎo)體工業(yè)中，需要旋轉(zhuǎn)加工的時(shí)候所使用的承片臺(tái)，當(dāng)工藝要求只允許晶片邊緣和承片臺(tái)接觸時(shí)，可以使用本發(fā)明的承片臺(tái)，保證晶片中心圖形區(qū)域和承片臺(tái)不接觸，防止因?yàn)槌衅_(tái)問(wèn)題給加工圖形造成的損壞。該承片臺(tái)設(shè)有環(huán)形臺(tái)、真空吸盤、槽、真空通道和本體，本體頂部設(shè)有環(huán)形臺(tái)，環(huán)形臺(tái)開(kāi)有可以方便I形機(jī)械手進(jìn)入取送晶片的槽，環(huán)形臺(tái)上表面分布有真空吸盤，本體內(nèi)開(kāi)設(shè)有與真空吸盤相通的真空通道。本發(fā)明只在晶片邊緣環(huán)形帶上進(jìn)行真空吸附，這種承片臺(tái)不和晶片的圖形區(qū)域接觸，可靠性高，晶片吸附穩(wěn)定，不會(huì)出現(xiàn)偏移、掉片等情況。
文檔編號(hào)H01L21/683GK101728296SQ20081022837
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月29日
發(fā)明者王沖 申請(qǐng)人:沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備有限公司