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一種聚合物太陽(yáng)能電池的陰極界面修飾方法

文檔序號(hào):6905439閱讀:137來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種聚合物太陽(yáng)能電池的陰極界面修飾方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域,涉及一種聚合物太陽(yáng)能電池
(Polymer Solar Cells; PSCs)的修飾技術(shù),尤其是一種聚合物太陽(yáng)能 電池的陰極界面修飾方法。
背景技術(shù)
聚合物太陽(yáng)能電池是一種利用太陽(yáng)光中波長(zhǎng)不大于材料禁帶寬 度的光子,當(dāng)太陽(yáng)光照射到聚合物半導(dǎo)體上時(shí),聚合物材料吸收光子 后產(chǎn)生束縛在一起的電子--空穴對(duì)(激子),激子擴(kuò)散到金屬陰極和 聚合物界面時(shí)離解為電子和空穴(載流子)。在半導(dǎo)體內(nèi)建電場(chǎng)的作 用下,載流子向相反電極方向移動(dòng)并在電極上得以收集,從而在外電 路產(chǎn)生光電流,其特點(diǎn)是制備方法簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,可以制成超薄、 大面積的柔性器件。
公知的聚合物太陽(yáng)能電池,其結(jié)構(gòu)至少包含陽(yáng)極和陰極,其中陽(yáng) 極至少包含陽(yáng)極玻璃基板、陽(yáng)極導(dǎo)電層IT0 (氧化銦錫)和陽(yáng)極修飾 層;陰極至少包含金屬電極。陽(yáng)極和陰極之間的夾心層為光活性層, 其功能為吸收太陽(yáng)光子,產(chǎn)生激子并分離成電子和空穴,在正負(fù)電極 的內(nèi)建電場(chǎng)作用下,電子和空穴傳輸進(jìn)入外電路產(chǎn)生光電流。該聚合 物太陽(yáng)能電池,陽(yáng)極修飾層PEDOT:PSS (聚(3, 4-二氧乙基噻吩)聚 (對(duì)苯乙烯磺酸))厚度在30nm左右,金屬陰極厚度在100nm左右, 即可得到較好的太陽(yáng)能電池器件,至于中間的光活性層材料特性則依
所選用的光伏材料而定。
在通過(guò)溶液旋涂制備的聚合物太陽(yáng)能電池中,光活性層制備后, 在轉(zhuǎn)移到真空蒸鍍室時(shí)需暴露于空氣中,陰極結(jié)構(gòu)即為不同功函數(shù)的 金屬,通過(guò)真空蒸鍍的方式沉積在光活性層上。電極材料的功函數(shù)是
非常重要的,因?yàn)樗芨鶕?jù)半導(dǎo)體材料的LUMO/HOMO (在分子軌 道中,電子未占有的能量最低的分子軌道叫做最低未占有分子軌道 LUM0,電子占有的能量最高的分子軌道叫做最高占有分子軌道LUM0) 和費(fèi)米能級(jí)確定電極是否與電子、空穴(導(dǎo)帶電子、價(jià)帶空穴)形成 歐姆接觸或阻斷接觸。有機(jī)層和金屬層界面的接觸情況將直接影響太 陽(yáng)能電池器件即有機(jī)光伏器件的性能。
為了提高電子的傳輸效率,要求選用功函數(shù)盡可能低的材料作陰 極。實(shí)驗(yàn)證明,有機(jī)光伏器件的效率、使用壽命與陰極的功函數(shù)有密 切的聯(lián)系。
公知技術(shù)制作的聚合物太陽(yáng)能電池,在陰極蒸鍍之前光活性層 會(huì)與周圍環(huán)境接觸,水蒸氣和氧氣有可能影響光活性層,陰極蒸鍍時(shí) 金屬原子很容易打進(jìn)光活性層的聚合物中,破環(huán)光活性層的形貌,金 屬陰極和光活性層的界面串聯(lián)電阻較大,導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換 效率降低,而且金屬陰極均是采用真空蒸鍍的方式沉積在光活性層 上。因此需要提供一種簡(jiǎn)單及低成本的陰極界面的修飾材料,以利于 隔絕周圍環(huán)境與光活性層的接觸,提高電池的穩(wěn)定性;并且可以保護(hù) 光活性層不在金屬蒸鍍時(shí)被破環(huán),改善界面的性能,降低界面串聯(lián)電 阻,提高電池的能量轉(zhuǎn)化效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種聚合物 太陽(yáng)能電池的陰極界面修飾方法,此方法可以改善太陽(yáng)能電池陰極界 面的性能,降低金屬陰極和聚合物界面的電阻,從而提高聚合物太陽(yáng) 能電池的能量轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)解決的 這種聚合物太陽(yáng)能電池的陰極界面修飾方法,包括如下步驟 1)配制涂敷溶液
首先以乙腈為溶劑,以有機(jī)鉬化合物為溶質(zhì),在氮?dú)夥諊?br> 手套箱中配成質(zhì)量濃度為1%~2%的溶液,然后在40 5(TC下,在
磁力攪拌器上攪拌2~4小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液;所述乙 腈溶劑為光譜純級(jí)別;
上述有機(jī)鉬化合物的分子結(jié)構(gòu)為
上式中R為氫基或者正烷烴基,其中所述的正烷烴基的碳直 鏈長(zhǎng)度不超過(guò)6個(gè); 2)旋涂修飾層
將聚合物太陽(yáng)能電池置于勻膠機(jī)上,給其光活性層旋涂上述 配制的涂敷溶液,其中先以500r/min的轉(zhuǎn)速旋涂4-6s,再以
3500 4000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂1 3min,將涂敷厚度控制在40~50 nm, 然后將旋涂后的太陽(yáng)能電池置于充滿氮?dú)夥諊氖痔紫渲校⒃?加熱臺(tái)上加熱30 50min,加熱溫度為65 85°C ,直至將乙腈溶劑 完全揮發(fā),最后得到涂敷于太陽(yáng)能電池活性層上的陰極界面修飾 層。
上述有機(jī)鉬化合物為C3H6M004、 C5H1()M004、 C7H14M004、 CnH22Mo04或者C15H3QM004。
本發(fā)明以旋涂的方式制作太陽(yáng)能陰極界面修飾層的技術(shù)具有如 下有益效果
(a) 以溶液旋涂的方式制作的陰極界面修飾層可以控制修飾層 的厚度和分布的均勻性,利于電子傳輸;
(b) 采用鉬的化合物配成的涂敷溶液所涂敷的陰極界面修飾 層,不會(huì)破壞下層的光活性層并且旋涂制備方法簡(jiǎn)單,制作成本低廉。


圖1為本發(fā)明的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意其中1為玻璃基板;2為陽(yáng)極導(dǎo)電層;3為陽(yáng)極修飾層;4為 光活性層;5為陰極;6為陰極界面修飾層。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述-
參見(jiàn)圖1,為按照本發(fā)明的方法制造的太陽(yáng)能電池構(gòu)造示意圖, 其基本結(jié)構(gòu)不變,都包含有陽(yáng)極和陰極5,其中陽(yáng)極包含玻璃基板l、 陽(yáng)極導(dǎo)電層2 (即ITO-氧化銦錫)和陽(yáng)極修飾層3;光活性層4處于
陽(yáng)極和陰極5之間,本發(fā)明是在光活性層4上涂敷了一層陰極界面修 飾層6,其中涂敷陰極界面修飾層6的涂敷溶液的溶質(zhì)為鉬的化合物, 溶劑為乙腈,乙腈具有極性,大多數(shù)共軛聚合物在這類溶劑中都不溶 解,所以不用擔(dān)心在制備上層陰極界面修飾層6時(shí)會(huì)破壞下層的光活 性層4。
實(shí)施例1
1) 配制涂敷溶液
首先以光譜純級(jí)別的乙腈為溶劑,以C3H6Mo04為溶質(zhì),在氮
氣氛圍的手套箱中配成質(zhì)量濃度為1%的溶液,然后在4(TC下,在 磁力攪拌器上加熱攪拌2小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液;
2) 旋涂修飾層
將聚合物太陽(yáng)能電池置于勻膠機(jī)上,給其光活性層旋涂上述 配制的涂敷溶液,其中先以500r/min的轉(zhuǎn)速旋涂4s,再以3500r/min 的轉(zhuǎn)速旋涂lmin,將涂敷厚度控制在40nm,然后將旋涂后的太陽(yáng)能 電池置于充滿氮?dú)夥諊氖痔紫渲?,并在加熱臺(tái)上加熱30min,加熱 溫度為65°C,直至將乙腈溶劑完全揮發(fā),最后得到涂敷于太陽(yáng)能電 池活性層上的陰極界面修飾層。 實(shí)施例2
1)配制涂敷溶液
首先以光譜純級(jí)別的乙腈為溶劑,以C諷oM。04為溶質(zhì),在 氮?dú)夥諊氖痔紫渲信涑少|(zhì)量濃度為1.2%的溶液,然后在43 °C下, 在磁力攪拌器上加熱攪拌2.5小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液; 2)旋涂修飾層
將聚合物太陽(yáng)能電池置于勻膠機(jī)上,給其光活性層旋涂上述 配制的涂敷溶液,其中先以500r/min的轉(zhuǎn)速旋涂5s,再以3800r/min 的轉(zhuǎn)速旋涂2min,將涂敷厚度控制在45 nm,然后將旋涂后的太陽(yáng)能 電池置于充滿氮?dú)夥諊氖痔紫渲?,并在加熱臺(tái)上加熱40min,加熱 溫度為70°C,直至將乙腈溶劑完全揮發(fā),最后得到涂敷于太陽(yáng)能電 池活性層上的陰極界面修飾層。 實(shí)施例3
1) 配制涂敷溶液 首先以光譜純級(jí)別的乙腈為溶劑,以C7HwMo04為溶質(zhì),在
氮?dú)夥諊氖痔紫渲信涑少|(zhì)量濃度為1.5Q/。的溶液,然后在45-C下, 在磁力攪拌器上加熱攪拌3小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液;
2) 旋涂修飾層
將聚合物太陽(yáng)能電池置于勻膠機(jī)上,給其光活性層旋涂上述 配制的涂敷溶液,其中先以500r/min的轉(zhuǎn)速旋涂6s,再以4000r/min 的轉(zhuǎn)速旋涂3min,將涂敷厚度控制在45 nm,然后將旋涂后的太陽(yáng)能 電池置于充滿氮?dú)夥諊氖痔紫渲?,并在加熱臺(tái)上加熱45min,加熱 溫度為75°C,直至將乙腈溶劑完全揮發(fā),最后得到涂敷于太陽(yáng)能電 池活性層上的陰極界面修飾層。 實(shí)施例4
1)配制涂敷溶液
首先以光譜純級(jí)別的乙腈為溶劑,以CnH22Mo04為溶質(zhì),在
氮?dú)夥諊氖痔紫渲信涑少|(zhì)量濃度為1.7。/。的溶液,然后在48'C下, 在磁力攪拌器上加熱攪拌3.5小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液; 2)旋涂修飾層
將聚合物太陽(yáng)能電池置于勻膠機(jī)上,給其光活性層旋涂上述 配制的涂敷溶液,其中先以500r/min的轉(zhuǎn)速旋涂6s,再以4000r/min 的轉(zhuǎn)速旋涂3min,將涂敷厚度控制在50 nm,然后將旋涂后的太陽(yáng)能 電池置于充滿氮?dú)夥諊氖痔紫渲?,并在加熱臺(tái)上加熱50min,加熱 溫度為S(TC,直至將乙腈溶劑完全揮發(fā),最后得到涂敷于太陽(yáng)能電 池活性層上的陰極界面修飾層。 實(shí)施例5
1) 配制涂敷溶液
首先以光譜純級(jí)別的乙腈為溶劑,以Q5H3。Mo04為溶質(zhì),在
氮?dú)夥諊氖痔紫渲信涑少|(zhì)量濃度為2%的溶液,然后在5(TC下, 在磁力攪拌器上加熱攪拌4小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液;
2) 旋涂修飾層
將聚合物太陽(yáng)能電池置于勻膠機(jī)上,給其光活性層旋涂上述 配制的涂敷溶液,其中先以500r/min的轉(zhuǎn)速旋涂6s,再以4000r/min 的轉(zhuǎn)速旋涂3min,將涂敷厚度控制在50 nm,然后將旋涂后的太陽(yáng)能 電池置于充滿氮?dú)夥諊氖痔紫渲?,并在加熱臺(tái)上加熱50min,加熱 溫度為85°C,直至將乙腈溶劑完全揮發(fā),最后得到涂敷于太陽(yáng)能電 池活性層上的陰極界面修飾層。
權(quán)利要求
1.一種聚合物太陽(yáng)能電池的陰極界面修飾方法,其特征在于包括如下步驟1)配制涂敷溶液首先以乙腈為溶劑,以有機(jī)鉬化合物為溶質(zhì),在氮?dú)夥諊氖痔紫渲信涑少|(zhì)量濃度為1%~2%的溶液,然后在40~50℃下,在磁力攪拌器上攪拌2~4小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液;所述乙腈溶劑為光譜純級(jí)別;上述有機(jī)鉬化合物的分子結(jié)構(gòu)為上式中R為氫基或者正烷烴基,其中所述的正烷烴基的碳直鏈長(zhǎng)度不超過(guò)6個(gè);2)旋涂修飾層將聚合物太陽(yáng)能電池置于勻膠機(jī)上,給其光活性層旋涂上述配制的涂敷溶液,其中先以500r/min的轉(zhuǎn)速旋涂4~6s,再以3500~4000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂1~3min,將涂敷厚度控制在40~50nm,然后將旋涂后的太陽(yáng)能電池置于充滿氮?dú)夥諊氖痔紫渲?,并在加熱臺(tái)上加熱30~50min,加熱溫度為65~85℃,直至將乙腈溶劑完全揮發(fā),最后得到涂敷于太陽(yáng)能電池活性層上的陰極界面修飾層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物太陽(yáng)能電池的陰極界面修飾方法,其特征在于: 所述有機(jī)鉬化合物為C3H6M004、 C5H1()M004、 C7H14M004、 C H22M004或 者C15H30MOO4。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種聚合物太陽(yáng)能電池的陰極界面修飾方法,其特征在于,首先以光譜純級(jí)別的乙腈為溶劑,以有機(jī)鉬化合物為溶質(zhì),在氮?dú)夥諊氖痔紫渲信涑少|(zhì)量濃度為1%~2%的溶液,然后在40~50℃下,在磁力攪拌器上攪拌2~4小時(shí),得到攪拌均勻的涂敷溶液;然后利用勻膠機(jī)給太陽(yáng)能電池的光活性層旋涂上述配制的涂敷溶液,涂敷厚度控制在40~50nm,最后加熱將乙腈溶劑完全揮發(fā)得到陰極界面修飾層。本發(fā)明的陰極界面修飾層可形成厚度薄且致密性高的陰極界面修飾層,適用于聚合物太陽(yáng)能電池修飾陰極的要求,并且涂敷溶液制備簡(jiǎn)單,實(shí)施旋涂方法制備器件常見(jiàn)。
文檔編號(hào)H01L51/48GK101373815SQ20081023173
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2008年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月14日
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