專利名稱：新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種導(dǎo)波結(jié)構(gòu)之間的相互轉(zhuǎn)換裝置，具體地說， 是涉及一種新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置。
背景技術(shù)：
基片集成波導(dǎo)作為一種新型的導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，有著低損耗、高Q值、 低成本和高密度平面集成微波毫米波電路及其子系統(tǒng)的優(yōu)點。由于微 波毫米波的其它導(dǎo)波結(jié)構(gòu)(如微帶線、槽線、共面線、矩形波導(dǎo)等) 也經(jīng)常得到使用，因此人們在使用基片集成波導(dǎo)這種導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的同時 必然遇到該導(dǎo)波結(jié)構(gòu)與其它導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的相互轉(zhuǎn)換問題。在毫米波系 統(tǒng)，經(jīng)常用到標準的矩形波導(dǎo)接口，因此基片集成波導(dǎo)與標準矩形波 導(dǎo)的相互轉(zhuǎn)換問題顯得尤為重要。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的 轉(zhuǎn)換裝置，實現(xiàn)基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的低反射和低損耗相互轉(zhuǎn) 換。
為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案如下 一種新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置，由兩個上半腔 體、 一個下半腔體和介質(zhì)基板組成，其中，上半腔體為金屬塊，在上 半腔體的下表面設(shè)置第一條形凹槽，下半腔體為一個長方體金屬塊， 并在下半腔體的上表面上設(shè)置兩條第二條形凹槽，兩條第二條形凹槽位于下半腔體上的同一直線上，兩個上半腔體分別設(shè)置于下半腔體的 兩端，且上半腔體下表面的第一條形凹槽與下半腔體上的兩條第二條 形凹槽完全正對設(shè)置；介質(zhì)基板設(shè)置于下半腔體上的凹槽上，在介質(zhì) 基板上還設(shè)有對極鰭線。
所述介質(zhì)基板的上、下表面均為金屬層。
所述下半腔體上表面設(shè)有用于安裝對極鰭線的凹槽，所述凹槽與 兩條第二條形凹槽連接為一體，介質(zhì)基板的兩端安裝于凹槽上。
所述介質(zhì)基板固定在兩條第二條形凹槽的凹槽上，并通過導(dǎo)電膠 粘聯(lián)在下半腔體的上表面上。
所述介質(zhì)基板上設(shè)有一組或兩組金屬化通孔，當介質(zhì)基板上只設(shè) 置一組金屬化通孔時，金屬化通孔設(shè)置于介質(zhì)基板的一個側(cè)邊邊緣；
當介質(zhì)基板上設(shè)置兩組金屬化通孔時，兩組金屬化通孔分別設(shè)置于介 質(zhì)基板的兩個側(cè)邊邊緣，且兩組金屬化通孔中金屬化通孔的形狀、大 小、數(shù)目均相同。
所述每組金屬化通孔中相鄰金屬化通孔之間的距離等于金屬化 通孔自身直徑的兩倍，或每組金屬化通孔中相鄰金屬化通孔之間的距
離至少比金屬化通孔自身直徑兩倍還小0. OOOOOlmm。
所述介質(zhì)基板上只設(shè)置一組金屬化通孔時，介質(zhì)基板下表面上在 該組金屬化通孔內(nèi)側(cè)還設(shè)有第一非金屬化槽；所述介質(zhì)基板上設(shè)置兩 組金屬化通孔時，介質(zhì)基板上、下表面分別設(shè)有第二非金屬化槽和第 一非金屬化槽，第一非金屬化槽設(shè)置于介質(zhì)基板下表面的一組金屬化 通孔內(nèi)側(cè)，第二非金屬化槽設(shè)置于介質(zhì)基板上表面并與第一非金屬化槽相對的另一組金屬化通孔內(nèi)側(cè)，且第一非金屬化槽和第二非金屬化 槽分別從介質(zhì)基板的中部延伸至介質(zhì)基板的兩邊邊沿。
所述第一非金屬化槽、第二非金屬化槽的長度為工作頻段的中心 頻率波長的四分之一，且第一非金屬化槽和第二非金屬化槽形狀大小 均相同。
所述每組金屬化通孔中至少包含兩個金屬化通孔。 所述上半腔體和下半腔體上分別設(shè)有固定螺孔，兩個上半腔體分 別通過固定螺釘固定于下半腔體的兩端。
所述兩條第二條形凹槽之間為實體，該實體的高度略小于兩條第 二條形凹槽的深度，這個深度差又使實體與下半腔體之間形成了凹 槽，這個深度即為介質(zhì)基板的厚度，介質(zhì)基板通過導(dǎo)電膠粘聯(lián)于該實 體之上，通過介質(zhì)基板使第二條形凹槽與下半腔體上表面連接為一 體。
本實用新型中所述基片集成波導(dǎo)包括全模基片集成波導(dǎo)(siw) 和半模基片集成波導(dǎo)(HMSIW)兩種。
全?；刹▽?dǎo)由介質(zhì)基板和設(shè)置于介質(zhì)基板兩側(cè)邊邊緣的 兩組金屬化通孔組成，介質(zhì)基板的上、下表面上的金屬層構(gòu)成了波導(dǎo) 的寬邊，兩組金屬化通孔可等效為金屬電壁，從而金屬化通孔則構(gòu)成 了該波導(dǎo)的窄邊，電磁波在介質(zhì)基板的上、下兩個金屬表面和兩排金 屬化通孔所圍成的矩形區(qū)域內(nèi)以類似于介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)中的電磁 場模式進行傳輸。其中，電磁場模式包括TE模式和TM模式。
半?；刹▽?dǎo)是從全模基片集成波導(dǎo)演變而來。在全?；刹▽?dǎo)中，當基片集成波導(dǎo)工作在主模時，電場的最強處位于沿電 磁波傳播方向的垂直中心面，因此基片集成波導(dǎo)的中心面可等效為磁 壁，基于此方法，我們沿著該等效的磁壁將全模基片集成波導(dǎo)等分成 兩半，每一半就成為一個半?；刹▽?dǎo)，并且在它各自部分里都 能保持原來的場分布以及在半開放結(jié)構(gòu)中同樣支持該導(dǎo)波模式，但尺 寸的大小大則只有全模的一半。
本實用新型中全?；刹▽?dǎo)導(dǎo)波結(jié)構(gòu)由介質(zhì)基板內(nèi)的兩排 金屬化通孔組成，如果每排金屬化通孔中相鄰金屬化通孔之間的距離 尸不大于金屬化通孔自身直徑D2的兩倍，同時金屬化通孔自身直徑D2 不大于電路的最大工作頻率的波長的十分之一，那么每排金屬化通孔 將等效于一個金屬電壁，此時，兩個金屬電壁和介質(zhì)基板共同形成一 個用介質(zhì)填充的矩形波導(dǎo)，兩排金屬化通孔之間的距離/f決定了基片 集成波導(dǎo)導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作頻率范圍。
其中/是波導(dǎo)工作頻率、義.是波導(dǎo)的截止頻率、^是介質(zhì)的介電 常數(shù)、v是光速、w是兩排金屬化通孔之間的距離。
基于上述關(guān)于全?；刹▽?dǎo)與半?；刹▽?dǎo)理論，本實 用新型中，當介質(zhì)基板上設(shè)置兩組金屬化通孔，并在介質(zhì)基板上、下 表面分別設(shè)置第二非金屬化槽和第一非金屬化槽時，本實用新型就是
一個全?；刹▽?dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置；當介質(zhì)基板上只設(shè)置
一組金屬化通孔，且在介質(zhì)基板下表面設(shè)置第一非金屬化槽時，本實 用新型則為一個半模基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置。在全模基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置中，第二非金屬化槽和第一非金屬 化槽分別設(shè)置于介質(zhì)基板的上、下表面，并在介質(zhì)基板的上、下兩個 表面上走向相反。
本實用新型中對極鰭線與介質(zhì)基板表面的金屬層連接為一體，并 設(shè)置于介質(zhì)基板的兩端，而介質(zhì)基板的兩端安裝在下半腔體上表面的 凹槽中，凹槽的高度剛好與介質(zhì)基板的厚度相同，同時，應(yīng)當注意凹 槽的深度不能太大，以避免矩形波導(dǎo)原來的電磁場結(jié)構(gòu)改變較大。
其轉(zhuǎn)換裝置的工作原理如下
對全模基片集成波導(dǎo)而言，首先分別在介質(zhì)基板的上下表面靠近 金屬化通孔的邊沿內(nèi)側(cè)各腐蝕一條較淺的非金屬槽，這樣形成了一個 邊緣去掉了一部分金屬表面的基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其傳輸?shù)氖菧蔜E
模式，從而完成了TE模到準TE模的轉(zhuǎn)換。其次是邊緣去掉了一部分
金屬表面的基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為對極鰭線結(jié)構(gòu)，該對極鰭線裝配 在下半腔體上表面的凹槽中，然后由對極鰭線過渡到矩形波導(dǎo)，其電
磁場模式也由準TE模過渡到了 TE模。由于基片集成波導(dǎo)或半?；?集成波導(dǎo)等效為一個介質(zhì)填充的矩形波導(dǎo)或半模矩形波導(dǎo)，其厚度就 是介質(zhì)基片的厚度且其厚度很薄，故其特性阻抗較低。同時非金屬槽 還使對極鰭線的金屬導(dǎo)帶的寬度按余弦函數(shù)實行漸變，實現(xiàn)了基片集 成波導(dǎo)的低阻抗到矩形波導(dǎo)的高阻抗的阻抗?jié)u變和阻抗匹配。
對半模基片集成波導(dǎo)而言，首先在介質(zhì)基板的下表面靠近金屬化 通孔的邊緣內(nèi)側(cè)腐蝕一條較淺的非金屬槽，這樣就形成了一個邊緣去 掉了一部分金屬表面的半模基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其傳輸?shù)氖菧蔜E模式，從而完成了TE模到準TE模的轉(zhuǎn)換。其次是邊緣去掉了一部分金 屬表面的半?；刹▽?dǎo)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為對極鰭線結(jié)構(gòu)，然后由對極鰭
線過渡到矩形波導(dǎo)，其電磁場模式也由準TE模過渡到了 TE模。同時 非金屬槽也使對極鰭線的金屬導(dǎo)帶的寬度按余弦函數(shù)實行漸變，完成 了半?；刹▽?dǎo)的低阻抗到矩形波導(dǎo)的高阻抗的阻抗?jié)u變和阻 抗匹配，從而實現(xiàn)了半模基片集成波導(dǎo)到矩形波導(dǎo)的低反射低損耗轉(zhuǎn) 換。
為實現(xiàn)基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的相互轉(zhuǎn)換，兩條第二條形凹槽 應(yīng)分別從下半腔體的兩端向中部伸展，直至與兩第二條形凹槽之間的 實體連為一體，第一條形凹槽也與上半腔體底面等長，本實用新型只 需要改變波導(dǎo)的輸入輸出端，就可以改變基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)之 間的轉(zhuǎn)換方向，實現(xiàn)兩者之間的相互轉(zhuǎn)換，不僅具有電路裝配簡單、 穩(wěn)定可靠性更高、與其他平面電路更易于集成的特點，同時使得基片 集成波導(dǎo)平面電路更易于與矩形波導(dǎo)接口。本實用新型主要用于微波 毫米波通信、雷達、導(dǎo)航制導(dǎo)、廣播電視及其測試系統(tǒng)。
圖1為本實用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1的A-A向示意圖。
圖3為本實用新型的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本實用新型中上半腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為本實用新型中下半腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為本實用新型-實施例1中介質(zhì)基板的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為本實用新型-實施例1中介質(zhì)基板的反面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8為本實用新型-實施例2中介質(zhì)基板的正面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9為本實用新型-實施例2中介質(zhì)基板的反面結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中標號對應(yīng)名稱l-上半腔體，2-下半腔體，3-介質(zhì)基板，
4-第一條形凹槽，5-第二條形凹槽，6-金屬化通孔，7-凹槽，8-第一 非金屬化槽，9-第二非金屬化槽，10-固定螺孔，l卜對極鰭線。
具體實施方式
實施例1
實施例1為全?；刹▽?dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置。 如圖3、圖4、圖5、圖6和圖7所示， 一種新型基片集成波導(dǎo) 與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置，其結(jié)構(gòu)主要包括兩個上半腔體l、 一個下半 腔體2和介質(zhì)基板3，上半腔體l為一個"L"形金屬塊，在"L"金 屬板的下表面開設(shè)有第一條形凹槽4，下半腔體2為一個長方體金屬 柱塊，并在該長方體金屬柱的上表面上開設(shè)有兩條第二條形凹槽5， 兩個上半腔體1分別設(shè)置于下半腔體2的兩端，第一條形凹槽4與兩 條第二條形凹槽5正對放置，在兩個上半腔體1和下半腔體2上分別 設(shè)有固定螺孔10，兩個上半腔體1分別通過固定螺釘固定于下半腔 體2的兩端，在正確安裝并用固定螺釘緊固后，兩條第一條形凹槽4 和兩條第二條形凹槽5就合并成了兩個波導(dǎo)槽。介質(zhì)基板3的兩端安 裝于下半腔體2上表面的凹槽7中，并用導(dǎo)電膠將介質(zhì)基板3與凹槽 7粘聯(lián)為一體。在介質(zhì)基板3兩側(cè)邊邊緣上，分別設(shè)有一組金屬化通 孔6，并在介質(zhì)基板3上、下表面上金屬化通孔6內(nèi)側(cè)的附近設(shè)有第二非金屬化槽9和第一非金屬化槽8。
首先，第一非金屬化槽8和第二非金屬化槽9的設(shè)置，使介質(zhì)基
板3的兩側(cè)邊邊緣各自形成了一個非金屬層，從而實現(xiàn)基片集成波導(dǎo) 從TE模到準TE模的轉(zhuǎn)換；其次，介質(zhì)基板3的兩端分別設(shè)有一條對 極鰭線11，該對極鰭線11與介質(zhì)基板3的金屬層表面連接為一體， 通過安裝于第二條形凹槽5上表面的凹槽7中的對極鰭線11，使邊 緣去掉一部分金屬表面的基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換為對極鰭線結(jié)構(gòu)，最 后由對極鰭線11過渡為矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)準TE模到TE模的轉(zhuǎn)換， 從而實現(xiàn)了全?；刹▽?dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換。
要實現(xiàn)矩形波導(dǎo)與全?；刹▽?dǎo)的轉(zhuǎn)換，只需要改變本實用 新型的輸入端和輸出端，將全模基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置 中的輸入端變?yōu)榫匦尾▽?dǎo)與全?；刹▽?dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置中的輸出 端，而全模基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置中的輸出端則變?yōu)榫?形波導(dǎo)與全?；刹▽?dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置中的輸入端。因此，本實用新 型在操作上十分方便。
本實用新型中，第一非金屬化槽8和第二非金屬化槽9的設(shè)置， 不僅實現(xiàn)了電磁場模式從TE模到準TE模的轉(zhuǎn)換，還使對極鰭線11 的金屬導(dǎo)帶的寬度按余弦函數(shù)實行漸變，實現(xiàn)了基片集成波導(dǎo)的低阻 抗到矩形波導(dǎo)的高阻抗的阻抗?jié)u變和阻抗匹配，對極鰭線中的準TE 模再轉(zhuǎn)化到矩形波導(dǎo)的TE模。同時，還完成了基片集成波導(dǎo)和矩形 波導(dǎo)二者的電磁場模式漸變。
在環(huán)境溫度25Y條件下，本實用新型的測試結(jié)果為兩個對稱的介質(zhì)基板背靠背連接成一體進行測試，頻率范圍在26. 5到40GHz， 其插入損耗大約1.6dB、回波損耗低于12dB，因此單個轉(zhuǎn)換裝置的 插損約為0.8 dB、回波損耗約為12 dB—28 dB。 實施例2
實施例2為半?；刹▽?dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置。 如圖l、圖2、圖4、圖5、圖8和圖9所示，實施例2與實施例 1的區(qū)別在于介質(zhì)基板3上只設(shè)置一組金屬化通孔6，同時，只在介 質(zhì)基板3反面設(shè)置第一非金屬化槽8，其他結(jié)構(gòu)均相同，實施效果也 類似。
在環(huán)境溫度25^條件下，本實用新型的測試結(jié)果為兩個對稱 的介質(zhì)基板背靠背連接成一體進行測試，頻率范圍在26. 5到40GHz， 其插入損耗大約1. 4 dB、回波損耗低于12 dB，因此單個轉(zhuǎn)換裝置的 插損約為0. 7 dB、回波損耗約為12 dB—28 dB。
權(quán)利要求1. 一種新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置包括兩個上半腔體(1)、一個下半腔體(2)和介質(zhì)基板(3)，上半腔體(1)為金屬塊，在上半腔體(1)的下表面設(shè)置第一條形凹槽(4)，下半腔體(2)為一個長方體金屬塊，并在下半腔體(2)的上表面上設(shè)置兩條第二條形凹槽(5)，兩條第二條形凹槽(5)位于下半腔體(2)上的同一直線上，兩個上半腔體(1)分別設(shè)置于下半腔體(2)的兩端，且上半腔體(1)下表面的第一條形凹槽(4)與下半腔體(2)上的兩條第二條形凹槽(5)完全正對設(shè)置；介質(zhì)基板(3)設(shè)置于下半腔體(2)上的凹槽(7)上，在介質(zhì)基板(3)上還設(shè)有對極鰭線(11)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述介質(zhì)基板(3)的上、下表面均為金屬層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述下半腔體(2)上表面設(shè)有用于安裝對極鰭 線(11)的凹槽(7)，所述凹槽(7)與兩條第二條形凹槽(5)連接 為一體，介質(zhì)基板(3)的兩端安裝于凹槽(7)上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述介質(zhì)基板(3)固定在兩條第二條形凹槽(5) 的凹槽(7)上，并通過導(dǎo)電膠粘聯(lián)在下半腔體(2)的上表面上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述介質(zhì)基板(3)上設(shè)有一組或兩組金屬化通 孔(6)，當介質(zhì)基板(3)上只設(shè)置一組金屬化通孔(6)時，金屬化通孔(6)設(shè)置于介質(zhì)基板(3)的一個側(cè)邊邊緣；當介質(zhì)基板(3) 上設(shè)置兩組金屬化通孔(6)時，兩組金屬化通孔(6)分別設(shè)置于介質(zhì)基板(3)的兩個側(cè)邊邊緣，且兩組金屬化通孔(6)中金屬化通孔的形狀、大小、數(shù)目均相同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述每組金屬化通孔(6)中相鄰金屬化通孔之 間的距離等于金屬化通孔自身直徑的兩倍，或每組金屬化通孔(6) 中相鄰金屬化通孔之間的距離至少比金屬化通孔自身直徑兩倍還小 0. OOOOOl咖。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述介質(zhì)基板(3)上只設(shè)置一組金屬化通孔(6) 時，介質(zhì)基板(3)下表面上在該組金屬化通孔(6)內(nèi)側(cè)還設(shè)有第一 非金屬化槽(8);所述介質(zhì)基板(3)上設(shè)置兩組金屬化通孔(6)時， 介質(zhì)基板(3)上、下表面分別設(shè)有第二非金屬化槽(9)和第一非金 屬化槽(8)，第一非金屬化槽(8)設(shè)置于介質(zhì)基板(3)下表面的一 組金屬化通孔(6)內(nèi)側(cè)，第二非金屬化槽(9)設(shè)置于介質(zhì)基板(3) 上表面并與第一非金屬化槽(8)相對的另一組金屬化通孔(6)內(nèi)側(cè)， 且第一非金屬化槽(8)和第二非金屬化槽(9)分別從介質(zhì)基板(3) 的中部延伸至介質(zhì)基板(3)的兩邊邊沿。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述第一非金屬化槽(8)、第二非金屬化槽(9) 的長度為工作頻段的中心頻率波長的四分之一。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置， 其特征在于，所述每組金屬化通孔(6)中至少包含兩個金屬化通孔。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1述的新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換 裝置，其特征在于，所述上半腔體(1)和下半腔體(2)上分別設(shè)有固定螺孔(10)，兩個上半腔體(1)分別通過固定螺釘固定于下半腔 體(2)的兩端。
專利摘要本實用新型公開了一種新型基片集成波導(dǎo)與矩形波導(dǎo)的轉(zhuǎn)換裝置，該轉(zhuǎn)換裝置包括兩個上半腔體、一個半下腔體和介質(zhì)基板，上半腔體為金屬板，在上半腔體的下表面設(shè)有第一條形凹槽，下半腔體為一個長方體金屬塊，并在下半腔體的上表面設(shè)有兩條第二條形凹槽，兩個上半腔體分別設(shè)置于下半腔體的兩端，且上半腔體下表面的第一條形凹槽與下半腔體上的兩條第二條形凹槽完全正對設(shè)置，此時第一條形凹槽和兩條第二條形凹槽合并形成兩條波導(dǎo)槽，介質(zhì)基板設(shè)置于下半腔體的上表面。本實用新型分別在全?；刹▽?dǎo)和半模基片集成波導(dǎo)兩種情況下實現(xiàn)了其與矩形波導(dǎo)的相互轉(zhuǎn)換，該裝置具有電路裝配簡單、穩(wěn)定可靠性更高、與其他平面電路更易于集成的特點。
文檔編號H01P5/08GK201270276SQ20082006490
公開日2009年7月8日 申請日期2008年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月28日
發(fā)明者喻志遠, 軍 徐, 鐘催林 申請人:電子科技大學(xué)