專利名稱：具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種具有內(nèi)埋式 靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示，其為現(xiàn)有具有靜電防護(Electro-Static Discharge, ESD)
功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。由圖中可知，現(xiàn)有的發(fā)光二極 管芯片封裝結(jié)構(gòu)包括 一基底結(jié)構(gòu)1 、至少一設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)1上端的發(fā)光 二極管2、 一靜電防護裝置3、及一熒光膠體4。
其中，該發(fā)光二極管2上端的正電極端2 l及負電極端2 2由兩條導(dǎo)線W 1以電性連接于該基底結(jié)構(gòu)1的正電極端1 1及負電極端1 2 。此外，該靜電 防護裝置3也同樣設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)1上，并且該靜電防護裝置3的負電極端 3 2直接電性連接于該基底結(jié)構(gòu)1的正電極區(qū)域，而該靜電防護裝置3的正電 極端3 1通過一導(dǎo)線W 2以電性連接于該基底結(jié)構(gòu)1的負電極端1 2 。再者， 該熒光膠體4覆蓋于該發(fā)光二極管2及該靜電防護裝置3上端，以保護該發(fā)光 二極管2及該靜電防護裝置3 。
然而，上述現(xiàn)有具有靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)仍具有下列 幾項缺點
1、 因為該發(fā)光二極管2所處的位置過低，因此現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)無法有效地提 升該發(fā)光二極管2的發(fā)光效能。
2、 由于該靜電防護裝置3設(shè)置于該發(fā)光二極管2的鄰近區(qū)域，因此該發(fā) 光二極管2的發(fā)光效能會受到該靜電防護裝置3的影響。
3、 由于該靜電防護裝置3與該發(fā)光二極管2相鄰地設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)1 的同一導(dǎo)電接腳上，因此該發(fā)光二極管2的散熱效能會受到該靜電防護裝置3 的影響。發(fā)明內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種具有內(nèi)埋式靜電防護功能 的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)。本實用新型將一發(fā)光單元與一靜電防護單元彼此 分開(分層)設(shè)置，以避免該發(fā)光單元受到該靜電防護單元的干擾。
此外，本實用新型的熒光材料沒有直接接觸到發(fā)光單元，因此本實用新型 可避免因發(fā)光單元所產(chǎn)生的高溫而降低熒光材料的發(fā)光效率。
再者，本實用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計更適用于各種光源，諸如背光模塊、裝飾燈 條、照明用燈、或是掃描儀光源等應(yīng)用，皆為本實用新型所應(yīng)用的范圍與產(chǎn)品。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本實用新型的其中一種方案，提供一種具有 內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一導(dǎo)電單元、 一第 一封裝單元、 一靜電防護單元、 一第二封裝單元、 一發(fā)光單元、及一第三封裝 單元。其中，該導(dǎo)電單元具有至少兩個導(dǎo)電接腳，并且該至少兩個導(dǎo)電接腳彼 此相鄰排列以形成一凹陷空間。該第一封裝單元包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部 分，以產(chǎn)生一與該凹陷空間相連通的容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端 露出該第一封裝單元。該靜電防護單元容置于該凹陷空間內(nèi)并電性連接于上述 兩個導(dǎo)電接腳之間。該第二封裝單元容置于該凹陷空間內(nèi)以覆蓋該靜電防護單 元。該發(fā)光單元容置于該容置空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間。該 第三封裝單元容置于該容置空間內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元。
再者，依據(jù)不同的需要，該第三封裝單元可為下列不同的實施方式
1 、第一實施方式該第三封裝單元為一透明材料。
2 、第二實施方式該第三封裝單元為一熒光材料，并且該熒光材料由硅 膠與熒光粉混合而成或由環(huán)氧樹脂與熒光粉混合而成。
3 、第三實施方式該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的透明材 料及一成形在該透明材料上的熒光材料。
4、第四實施方式該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的熒光材 料及一成形在該熒光材料上的透明材料。
因此，本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)具 有下列的優(yōu)點
1、因為該發(fā)光單元通過該第二封裝單元的撐高，以使得該發(fā)光單元能處 于一較高的位置。因此，本實用新型的結(jié)構(gòu)可以有效地提升該發(fā)光單元的發(fā)光效能。
2、 由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位 置，因此該發(fā)光單元的發(fā)光效能不會受到該靜電防護單元的影響。
3、 由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位 置，因此該發(fā)光單元的散熱效能不會受到該靜電防護單元的影響。
4、 于上述第三實施方式中，因為該第三封裝單元由該透明材料及該熒光 材料兩層所組成，所以該熒光材料沒有直接接觸到該發(fā)光單元，因此本實用新 型可避免因該發(fā)光單元所產(chǎn)生的高溫而降低該熒光材料的發(fā)光效率。
5、 于上述第四實施方式中，通過該透明材料的使用， 一方面可減少該熒 光材料的使用量，另外一面可由該透明材料位于最上層來保護該熒光材料，以 達到免受外力的破壞的優(yōu)點。
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實 用新型的限定。


圖1為現(xiàn)有具有靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖； 圖2A至圖2E分別為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管
芯片封裝結(jié)構(gòu)的第--實施例的封裝流程立體示意圖3為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第二實施例的剖面示意圖4為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第三實施例的剖面示意圖5為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第四實施例的剖面示意圖；以及
圖6為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu) 的第五實施例的剖面示意圖。
其中，附圖標記
1 基底結(jié)構(gòu) 11 正電極端 12 負電極端
2 發(fā)光二極管 21 正電極端2 2 負電極端
3 靜電防護裝置
3 2 負電極端
4 熒光膠體 W 1 、 W 2導(dǎo)線
(第一實施例)
1 a 導(dǎo)電單元
1 0 0 a凹陷空間 101a延伸部
1 0 2 a彎折部
2 a 第一封裝單元
3 a 靜電防護單元
4 a 第二封裝單元
5 a 發(fā)光單元
6 a 第三封裝單元 W1 a 、 W 2 a導(dǎo)線
(第二實施例)
1 b 導(dǎo)電單元
2 b 第一封裝單元
3 b 靜電防護單元
4 b 第二封裝單元
5 b 發(fā)光單元
6 b 第三封裝單元 W 1 b 、 W 2 b導(dǎo)線
(第三實施例)
6 c 第三封裝單元 (第四實施例)
5 d 發(fā)光單元
6 d 第三封裝單元 6 1 d熒光材料
31 正電極端
1 0 a 導(dǎo)電接腳
2 0 0 a容置空間
1 0 b導(dǎo)電接腳
6 0 d 透明材料(第四實施例)
5 e 發(fā)光單元
6 e 第三封裝單元 6 0 e 透明材料 6 1 e熒光材料
具體實施方式
請參閱圖2A至圖2E所示，本實用新型第一實施例的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括下列歩驟
請參閱圖2A所示，提供一導(dǎo)電單元l a，其具有至少兩個導(dǎo)電接腳l 0 a，并且該至少兩個導(dǎo)電接腳l 0 a彼此相鄰排列以形成一凹陷空間l 0 0 a。其中，每一個導(dǎo)電接腳l 0 a具有一延伸部l 0 1 a及-一由該延伸部l 0 1 a向下彎折的彎折部1 0 2 a ，并且該等彎折部10 2a彼此相鄰排列以形 成該凹陷空間1 0 0 a 。
請參閱圖2A所示，將一第一封裝單元2 a包覆每一個導(dǎo)電接腳l 0 a的 一部分，以產(chǎn)生一與該凹陷空間l 0 0 a相連通的容置空間2 0 0 a，并使得 每一個導(dǎo)電接腳1 0 a的末端露出該第一封裝單元2 a 。換言之，每一個延伸 部1 0 1 a的一端外露于該第一封裝單元2 a的外部，并且該第一封裝單元2 a為一不透光材料。
請參閱圖2B所示，將一靜電防護單元3 a容置于該凹陷空間l 0 0 a內(nèi) 并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳l 0 a之間。以本實用新型第一實施例而言， 該靜電防護單元3 a電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳l 0 a上，并且該靜電防護 單元3 a通過一導(dǎo)線Wl a而電性連接于另外一導(dǎo)電接腳1 0 a。
請參閱圖2C所示，將一第二封裝單元4 a容置于該凹陷空間1 0 0 a內(nèi) 以覆蓋該靜電防護單元3 a，其中該第二封裝單元4 a可為一具有光反射物質(zhì)
的封裝材料，例如該光反射物質(zhì)可為高反射材料或全反射材料。
請參閱圖2D所示，將一發(fā)光單元5 a容置于該容置空間2 0 0 a內(nèi)并電 性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳l 0 a之間，其中該發(fā)光單元5 a可為一發(fā)光二極 管，并且該發(fā)光單元5 a設(shè)置于該第二封裝單元4 a上，而且該發(fā)光單元5 a 通過兩條導(dǎo)線W 2 a以分別電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳1 0 a 。再者，該發(fā) 光單元5 a可通過該第二封裝單元4 a的高反射性質(zhì)，以達到高反射的效果。此外，通過該第二封裝單元4 a的撐高，以使得該發(fā)光單元5 a能處于一較高
的位置，因此本實用新型的結(jié)構(gòu)可以有效地提升該發(fā)光單元的發(fā)光效能。另外，
由于該靜電防護單元3 a與該發(fā)光單元5 a彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位 置，因此該發(fā)光單元5 a的發(fā)光效能及散熱效能不會受到該靜電防護單元3 a 的影響。
請參閱圖2E所示，將一第三封裝單元6 a容置于該容置空間2 0 0 a內(nèi) 以覆蓋該發(fā)光單元5 a。以本實用新型第一實施例而言，該第三封裝單元6 a 可為一透明材料。
因此，如圖2E所示，本實用新型第一實施例提供一種具有內(nèi)埋式靜電防 護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括 一導(dǎo)電單元l a、 一第一封裝單 元2 a 、 一靜電防護單元3 a 、 一第二封裝單元4 a 、 一發(fā)光單元5 a 、及一 第三封裝單元6 a 。
其中，該導(dǎo)電單元l a具有至少兩個導(dǎo)電接腳l 0 a，并且該至少兩個導(dǎo) 電接腳l 0 a彼此相鄰排列以形成一凹陷空間1 0 0 a。該第一封裝單元2 a 包覆每一個導(dǎo)電接腳l 0 a的一部分，以產(chǎn)生一與該凹陷空間1 0 0 a相連通 的容置空間2 Q 0 a ，并使得每一個導(dǎo)電接腳1 0 a的末端露出該第一封裝單 元2 a 。該靜電防護單元3 a容置于該凹陷空間1 0 0 a內(nèi)(容置于上述至少 兩個導(dǎo)電接腳l 0 a之間)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳l 0 a之間。該第 二封裝單元4 a容置于該凹陷空間l 0 0 a內(nèi)(容置于上述至少兩個導(dǎo)電接腳
1 0 a之間)以覆蓋該靜電防護單元3 a 。該發(fā)光單元5 a容置于該容置空間
2 0 0 a內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳l 0 a之間。該第三封裝單元6 a 容置于該容置空間2 0 0 a內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元5 a 。
請參閱圖3所示，其為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管 芯片封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本實用新型第二實施 例提供一種具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一 導(dǎo)電單元1 b 、 一第一封裝單元2 b 、 一靜電防護單元3 b 、 一第二封裝單元 4 b 、 一發(fā)光單元5 b 、及一第三封裝單元6 b 。此外，本實用新型第二實施 例與第一實施例最大的差別在于在第二實施例中，該靜電防護單元3 b設(shè)置 于該第一封裝單元2 b上，因此該靜電防護單元3 b通過兩條導(dǎo)線W1 b以分 別電性連接于兩個導(dǎo)電接腳1 0 b 。再者，該發(fā)光單元5 b通過一條導(dǎo)線W 2b以電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳l 0 b上，并且該發(fā)光單元5 b通過另一條 導(dǎo)線W 2 b以電性連接于另外一導(dǎo)電接腳1 0 b 。
請參閱圖4所示，其為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管
芯片封裝結(jié)構(gòu)的第三實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本實用新型第三實施
例與第一實施例最大的差別在于在第三實施例中， 一第三封裝單元6 C為一 熒光材料，并且該熒光材料可由硅膠與熒光粉混合而成或由環(huán)氧樹脂與熒光粉 混合而成。
請參閱圖5所示，其為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管 芯片封裝結(jié)構(gòu)的第四實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本實用新型第四實施 例與第一實施例最大的差別在于在第四實施例中， 一第三封裝單元6 d具有 一用于覆蓋一發(fā)光單元5 d的透明材料6 0 d及一成形在該透明材料6 0 d 上的熒光材料6 .1 d 。因此，因為該第三封裝單元6 d由該透明材料6 0 d及 該熒光材料6 1 d兩層所組成，所以該熒光材料6 1 d沒有直接接觸到該發(fā)光 單元5 d ，因此本實用新型可避免因該發(fā)光單元5 d所產(chǎn)生的高溫而降低該熒 光材料61d的發(fā)光效率。
請參閱圖6所示，其為本實用新型具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管 芯片封裝結(jié)構(gòu)的第五實施例的剖面示意圖。由圖中可知，本實用新型第五實施 例與第一實施例最大的差別在于在第五實施例中， 一第三封裝單元6 e具有 一用于覆蓋一發(fā)光單元5 e的熒光材料6 1 e及一成形在該熒光材料6 1 e 上的透明材料6 0 e 。因此，于第五實施例中，通過該透明材料6 0 e的使用， 一方面可減少該熒光材料6 1 e的使用量，另外一面可由該透明材料6 0 e位 于最上層來保護該熒光材料61e，以達到免受外力的破壞的優(yōu)點。
綜上所述，本實用新型將一發(fā)光單元與一靜電防護單元彼此分開(分層) 設(shè)置，以避免該發(fā)光單元受到該靜電防護單元的干擾。因此，本實用新型具有 內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)具有下列的優(yōu)點
1 、因為該發(fā)光單元通過該第二封裝單元的撐高，以使得該發(fā)光單元能處 于一較高的位置。因此，本實用新型的結(jié)構(gòu)可以有效地提升該發(fā)光單元的發(fā)光 效能。
2 、由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位 置，因此該發(fā)光單元的發(fā)光效能不會受到該靜電防護單元的影響。3 、由于該靜電防護單元與該發(fā)光單元彼此分開(分層)設(shè)置于不同的位 置，因此該發(fā)光單元的散熱效能不會受到該靜電防護單元的影響。
4、 于上述第四實施例中，因為該第三封裝單元6 d由該透明材料6 0 d 及該熒光材料6 1 d兩層所組成，所以該熒光材料6 1 d沒有直接接觸到發(fā)光 單元5 d ，因此本實用新型可避免因發(fā)光單元5 d所產(chǎn)生的高溫而降低熒光材 料61d的發(fā)光效率。
5、 于上述第五實施例中，通過該透明材料6 0 e的使用， 一方面可減少 該熒光材料6 1 e的使用量，另外一面可由該透明材料6 0 e位于最上層來保 護該熒光材料61e，以達到免受外力的破壞的優(yōu)點。
當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其 實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本實用新型作出各種相應(yīng)的改 變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實用新型所附的權(quán)利要求的保 護范圍。
權(quán)利要求1、一種具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一導(dǎo)電單元，其具有至少兩個彼此相鄰排列的導(dǎo)電接腳；一第一封裝單元，其包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部分，以產(chǎn)生一容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端露出該第一封裝單元；一靜電防護單元，其容置于上述至少兩個導(dǎo)電接腳之間并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間；一第二封裝單元，其容置于上述至少兩個導(dǎo)電接腳之間以覆蓋該靜電防護單元；一發(fā)光單元，其容置于該容置空間內(nèi)并電性連接于上述兩個導(dǎo)電接腳之間；以及一第三封裝單元，其容置于該容置空間內(nèi)以覆蓋該發(fā)光單元。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該至少兩個導(dǎo)電接腳彼此相鄰排列以形成一凹陷空間， 該凹陷空間相連通于該容置空間，并且該靜電防護單元及該第二封裝單元皆容 置于該凹陷空間內(nèi)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每一個導(dǎo)電接腳具有 -延伸部及一由該延伸部向下彎折 的彎折部，該延伸部的一端外露于該第一封裝單元的外部，并且該等彎折部彼 此相鄰排列以形成該凹陷空間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該靜電防護單元電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳上或設(shè)置 于該第一封裝單元上。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光單元電性地設(shè)置于其中一導(dǎo)電接腳上或設(shè)置于該 第二封裝單元上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一封裝單元為一不透光材料，并且該第二封裝單元為 一具有光反射物質(zhì)的封裝材料。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三封裝單元為一透明材料或一熒光材料，并且該熒 光材料由硅膠與熒光粉混合而成或由環(huán)氧樹脂與熒光粉混合而成。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三封裝單元具有一用于覆蓋該發(fā)光單元的透明材料 及一成形在該透明材料上的熒光材料。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封 裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三封裝單元具有--用于覆蓋該發(fā)光單元的熒光材料 及一成形在該熒光材料上的透明材料。
專利摘要一種具有內(nèi)埋式靜電防護功能的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電單元、第一封裝單元、靜電防護單元、第二封裝單元、發(fā)光單元及第三封裝單元。導(dǎo)電單元具有至少兩個彼此相鄰排列以形成一凹陷空間的導(dǎo)電接腳。第一封裝單元包覆每一個導(dǎo)電接腳的一部分，以產(chǎn)生一與凹陷空間相連通的容置空間，并使得每一個導(dǎo)電接腳的末端露出封裝單元。靜電防護單元容置于凹陷空間內(nèi)并電性連接于兩個導(dǎo)電接腳之間。第二封裝單元容置于凹陷空間內(nèi)以覆蓋靜電防護單元。發(fā)光單元容置于容置空間內(nèi)并電性連接于兩個導(dǎo)電接腳之間。第三封裝單元容置于容置空間內(nèi)以覆蓋發(fā)光單元。
文檔編號H01L25/00GK201259892SQ20082012558
公開日2009年6月17日 申請日期2008年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月14日
發(fā)明者楊秉洲, 汪秉龍, 陳佳雯 申請人:宏齊科技股份有限公司