專利名稱：Smd發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，尤其是指一種借由設(shè)置凹陷部轉(zhuǎn) 折處所形成的虹吸現(xiàn)象，將水氣聚集于凹陷部轉(zhuǎn)折處的SMD發(fā)光二極管支 架改良結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有耗電量低、 元件壽命長(zhǎng)、無(wú)須暖燈時(shí)間及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，加上其體積小、耐震動(dòng)、 適合量產(chǎn)，因此發(fā)光二極管已普遍使用于信息、通訊及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的指 示燈與顯示裝置上，如行動(dòng)電話及個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant, PDA)屏幕背光源、各種戶外顯示器、交通號(hào)志燈及車(chē)燈等。
通常發(fā)光二極管芯片透過(guò)表面黏貼技術(shù)(Surface Mount Device, SMD ) 固接于SMD發(fā)光二極管支架內(nèi)，而SMD發(fā)光二極管支架的內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)于發(fā) 光二極管芯片的出光效果具有直接性的影響，以下將說(shuō)明一種現(xiàn)有的SMD 發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖1、圖2以及圖3所示，圖1為SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)立體 圖；圖2為SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)微小空隙立體放大圖；圖3為SMD發(fā) 光二極管支架結(jié)構(gòu)俯視圖。
現(xiàn)有SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其包含第一支架IO、第二支架20、 膠座30。
第一支架IO用以固接發(fā)光二極管芯片(圖中未繪示)于第一支架10 — 端，發(fā)光二極管芯片可以透過(guò)第一支架IO產(chǎn)生電性連接，以提供發(fā)光二極管 芯片所需的一種電性極性，或是可以與其它電子裝置(圖中未繪示)進(jìn)行電 性連接。
第二支架20 —端與發(fā)光二極管芯片透過(guò)打線接合(wire bonding)技術(shù) 形成電性連接，以提供發(fā)光二極管芯片所需的另外一種電性極性，或是可以與其它電子裝置進(jìn)行電性連接(圖中未繪示)。
其中，在第一支架10以及第二支架20兩側(cè)分別^:置至少一第一凹陷部
11以及至少一第一凹陷部21，第一支架IO以及第二支架20所設(shè)置的第一凹 陷部11以及第一凹陷部21部分地埋置于膠座30內(nèi)。
第一支架10所設(shè)置的第一凹陷部11以及第二支架20所設(shè)置的第一凹陷 部21，其作用將iJt明如下。
在將第一支架10以及第二支架20部分地埋置于膠座30時(shí)，由于膠座 30與第一支架10以及第二支架20兩側(cè)分別會(huì)產(chǎn)生微小空隙31(如圖2所示， 為加大示意效果，圖中以顯著方式表現(xiàn)出膠座30與第一支架10以及第二支 架20兩側(cè)所產(chǎn)生的微小空隙31 )， 一般來(lái)說(shuō)水氣會(huì)借由此微小空隙31滲入， 當(dāng)水氣滲入至發(fā)光二極管芯片(圖中未繪示)時(shí)，則會(huì)影響到發(fā)光二極管芯 片的發(fā)光效率，甚至?xí)沟冒l(fā)光二極管芯片的失效。
當(dāng)水氣沿著膠座30與第一支架10或是第二支架20兩側(cè)微小空隙31滲 入時(shí)，則可以借由于第一支架10所設(shè)置的第一凹陷部11，或是借由于第二 支架20所設(shè)置的第一凹陷部21，增加水氣的行進(jìn)路徑，并同時(shí)增加水氣所 滲入至發(fā)光二極管芯片的時(shí)間，以延長(zhǎng)發(fā)光二極管芯片的使用壽命，但是無(wú) 法有效的防止水氣的繼續(xù)滲入。
現(xiàn)有的SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)所使用的技術(shù)手段是增加水氣的行進(jìn) 路徑，并同時(shí)增加水氣所滲入至發(fā)光二極管芯片的時(shí)間，以延長(zhǎng)發(fā)光二極管 芯片的使用壽命，但是無(wú)法有效的防止水氣的繼續(xù)滲入，在長(zhǎng)時(shí)間使用發(fā)光 二極管時(shí)，在水氣滲入至發(fā)光二極管芯片即會(huì)影響到發(fā)光二極管的發(fā)光效率， 甚至?xí)沟冒l(fā)光二極管芯片失去效用。
綜上所述，可知現(xiàn)有技術(shù)中長(zhǎng)期以來(lái)一直存在SMD發(fā)光二極管支架結(jié) 構(gòu)無(wú)法有效防止水氣滲入的問(wèn)題，因此有必要提出改進(jìn)的技術(shù)手段，來(lái)解決 此一問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)無(wú)法有效防止水氣滲入 的問(wèn)題，本實(shí)用新型遂提供一種SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其中
本實(shí)用新型所提供的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其包含第一支架、第二支架以及膠座。
其中第 一支架是用以固接發(fā)光二極管芯片于第 一支架一端，第 一支架兩
側(cè)設(shè)置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；第二支架一端與發(fā)光二極管 芯片產(chǎn)生電性連接，第二支架兩側(cè)設(shè)置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷 部；膠座，第一支架及第二支架所設(shè)置的至少一第一凹陷部及至少一第二凹 陷部部分地埋置于膠座內(nèi)。
本實(shí)用新型所提供的結(jié)構(gòu)如上，與現(xiàn)有技術(shù)之間的差異在于本實(shí)用新型 將設(shè)置于第一支架以及第二支架兩側(cè)的第一凹陷部以及第二凹陷部部分地埋 置于膠座內(nèi)，由于膠座與第一支架以及第二支架兩側(cè)分別會(huì)產(chǎn)生微小空隙， 水氣則會(huì)借由此微小空隙滲入；首先，借由第一支架以及第二支架兩側(cè)分別 設(shè)置的第二凹陷部更能增加水氣的行進(jìn)路徑，以增加水氣滲入至發(fā)光二極管 芯片的時(shí)間，并延長(zhǎng)發(fā)光二極管芯片的使用壽命；接著，借由所設(shè)置的第二 凹陷部于第二凹陷部轉(zhuǎn)折處形成虹吸現(xiàn)象，由于產(chǎn)生虹吸現(xiàn)象即可以將水氣 聚集于第二凹陷部轉(zhuǎn)折處，使得水氣難以進(jìn)一步滲入至發(fā)光二極管芯片，可 以有效的防止發(fā)光二極管芯片受到水氣滲入的影響。
透過(guò)上述的技術(shù)手段，本實(shí)用新型可以達(dá)成SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu) 有效防止水氣滲入的技術(shù)功效。


圖1為SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)立體圖。
圖2為SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)微小空隙立體放大圖。
圖3為SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)俯視圖。
圖4A為本實(shí)用新型SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)第一實(shí)施態(tài)樣俯視圖。
圖4B為本實(shí)用新型SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)第一實(shí)施態(tài)樣第二凹陷部 局部方文大圖。
圖5A為本實(shí)用新型SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)第二實(shí)施態(tài)樣俯視圖。
圖5B為本實(shí)用新型SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)第二實(shí)施態(tài)樣第一凹陷部 及第二凹陷部局部力文大圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
10第一支架
11第一凹陷部
12第二凹陷部
13延伸區(qū)
20第二支架
21第一凹陷部
22第二凹陷部
23延伸區(qū)
30膠座
31微小空隙
32功能區(qū)
33端面
具體實(shí)施方式
以下將配合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，借此對(duì)本 實(shí)用新型如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題并達(dá)成技術(shù)功效的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充 分理解并據(jù)以實(shí)施。
在介紹本實(shí)用新型之前，首先要先說(shuō)明水氣滲入至發(fā)光二極管芯片的方 式，并說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)如何對(duì)于水氣滲入至發(fā)光二極管芯片的解決方式。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1、圖2、圖3所示，在將第一支架10以及第二支架20 部分地埋置于膠座30時(shí)，由于膠座30與第一支架10以及第二支架20兩側(cè) 分別會(huì)產(chǎn)生微小空隙31 (如圖2所示，為加大示意效果，圖中以顯著方式表 現(xiàn)出膠座30與第一支架10以及第二支架20兩側(cè)所產(chǎn)生的微小空隙31 )， 一般來(lái)說(shuō)水氣會(huì)借由此微小空隙31滲入，當(dāng)水氣滲入至發(fā)光二極管芯片(圖 中未繪示)時(shí)，則會(huì)影響到發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率，甚至?xí)沟冒l(fā)光二 極管芯片的失效。
當(dāng)水氣沿著膠座30與第一支架10或是第二支架20兩側(cè)微小空隙31滲 入時(shí)，則可以借由于第一支架10所設(shè)置的第一凹陷部11,或是借由于第二 支架20所設(shè)置的第一凹陷部21，增加水氣的行進(jìn)路徑，以增加水氣所滲入至發(fā)光二極管芯片的時(shí)間，并延長(zhǎng)發(fā)光二極管芯片的使用壽命，但是無(wú)法有 效的防止水氣的繼續(xù)滲入。
對(duì)于上述所產(chǎn)生的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種改良結(jié)構(gòu)，可以有效的解 決上述的問(wèn)題，以下將說(shuō)明本實(shí)用新型所提出的解決方式，本實(shí)用新型所提
供的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考圖4A所示，圖4A為本實(shí)用新 型SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)第一實(shí)施態(tài)樣俯視圖。
如圖4A所示，本實(shí)用新型所提供的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，于 第一實(shí)施態(tài)樣包含第一支架IO、第二支架20以及膠座30。
第一支架10以及第二支架20用以固接發(fā)光二體芯片(圖中未繪示)并 產(chǎn)生電性連接的方式如同現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再進(jìn)行贅述。
如圖4A所示，本實(shí)用新型主要在第一支架10以及第二支架20兩側(cè)分 別"i殳置至少一第一凹陷部11以及至少一第二凹陷部12,以及至少一第一凹 陷部21以及至少一第二凹陷部22，第一支架10以及第二支架20所設(shè)置的 第一凹陷部11及第二凹陷部12，以及第一凹陷部21及第二凹陷部22部分 地埋置于膠座30內(nèi)。
以下將以第二支架20所設(shè)置的第 一凹陷部21以及第二凹陷部22進(jìn)行說(shuō) 明，第一支架IO所設(shè)置的第一凹陷部11及第二凹陷部12其為相同功能，因 此不再進(jìn)行贅述，^E并不以此局限本實(shí)用新型，其作用"i兌明如下。
當(dāng)水氣沿著膠座30與第二支架20兩側(cè)微小空隙31 (請(qǐng)參考圖2)滲入 時(shí)，水氣首先會(huì)行進(jìn)至第二支架20所設(shè)置的第一凹陷部21其功用如同現(xiàn)有 技術(shù)相同，即為增加水氣的行進(jìn)路徑，以增加水氣所滲入至發(fā)光二極管芯片 的時(shí)間，并延長(zhǎng)發(fā)光二極管芯片的使用壽命，但無(wú)法防止水氣繼續(xù)的滲入。
接著，水氣會(huì)行進(jìn)至第二支架20所設(shè)置的第二凹陷部22時(shí)，第二凹陷 部22除了可以增加水氣的行進(jìn)路徑，以增加水氣所滲入至發(fā)光二極管芯片的 時(shí)間，并延長(zhǎng)發(fā)光二極管芯片的使用壽命之外，由于第二凹陷部22在轉(zhuǎn)折處 形成虹吸現(xiàn)象，由于產(chǎn)生虹吸現(xiàn)象即可以將水氣聚集于第二凹陷部12或第二 凹陷部22的轉(zhuǎn)折處，借由第二凹陷部12或第二凹陷部22則可以使得水氣難 以進(jìn)一步滲入至發(fā)光二極管芯片，可以有效的防止發(fā)光二極管芯片受到水氣 的影響。
在圖4A中，第一凹陷部21以及第二凹陷部22的配置為于第二支架20接近微小空隙31的端部配置有第一凹陷部21，并向內(nèi)配置第二凹陷部22， 使得水氣會(huì)先增加行進(jìn)路徑，再將水氣聚集于膠座30內(nèi)部，而不會(huì)影響到發(fā) 光二極管芯片；第一凹陷部21以及第二凹陷部22的配置亦可以先配置第二 凹陷部22再配置第一凹陷部21,第一凹陷部21以及第二凹陷部22的配置 方式在此4又為舉例，并不以此局限本實(shí)用新型。
接著，要說(shuō)明本實(shí)用新型的第二實(shí)施態(tài)樣，并請(qǐng)同時(shí)參考圖4A、圖4B、 圖5A以及圖5B所示。
圖4B為本實(shí)用新型SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)第一實(shí)施態(tài)樣第二凹陷部 局部放大圖；圖5A為本實(shí)用新型SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)第二實(shí)施態(tài) 樣俯視圖；圖5B為本實(shí)用新型SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)第二實(shí)施態(tài)樣第二 凹陷部局部》文大圖。
以下將說(shuō)明第二實(shí)施態(tài)樣與第一實(shí)施態(tài)樣差異之處，相同之處將不再進(jìn) 行贅述，第二實(shí)施態(tài)樣與第一實(shí)施態(tài)樣主要差別在于第一支架10以及第二支 架20所_沒(méi)置的第二凹陷部12，以及第二凹陷部22的形狀不同，以下將以第 二支架20所設(shè)置的第二凹陷部22進(jìn)行說(shuō)明，第一支架10所設(shè)置的第二凹陷 部12其為相同功能，因此不再進(jìn)行贅述，但并不以此局限本實(shí)用新型。
如圖4B所示，第一實(shí)施態(tài)樣的多個(gè)第二凹陷部22皆呈現(xiàn)梯形形狀，并 且直接由第二支架20兩側(cè)向內(nèi)凹i殳成形，并形成四處的轉(zhuǎn)4斤處。
如圖5B所示，第二實(shí)施態(tài)樣的多個(gè)第二凹陷部22所呈現(xiàn)的形狀包含有 梯形形狀、矩形形狀以及圓形形狀，因此，第二凹陷部22的組合事實(shí)上可以 選自梯形形狀、矩形形狀以及圓形形狀的組合中任意的組合。
除此之外，自第二支架20兩側(cè)透過(guò)延伸區(qū)23i殳置第二凹陷部22，延伸 區(qū)23為自第二支架20兩側(cè)直接設(shè)置，并于延伸區(qū)23底部直接設(shè)置第二凹陷 部22,透過(guò)增加設(shè)置的延伸區(qū)23借以增加轉(zhuǎn)折處。
如圖4B以及圖5B所示，在第二凹陷部22為梯形形狀并且未設(shè)置延伸 區(qū)23時(shí)，第二凹陷部22所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)折處為四處，而在第二凹陷部22為梯形 形狀并且設(shè)置延伸區(qū)23時(shí)，第二凹陷部22所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)折處為六處，增加了 二處的轉(zhuǎn)折處，其余第二凹陷部22的形狀不再進(jìn)行贅述。
借由延伸區(qū)23的設(shè)置更能將水氣借由虹吸現(xiàn)象將水氣聚集于轉(zhuǎn)折處，借 此使得水氣難以進(jìn)一步滲入至發(fā)光二極管芯片，更可以有效的防止發(fā)光二極管芯片受到水氣滲入的影響。
綜上所述，可知本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)之間的差異在于本實(shí)用新型將設(shè) 置于第一支架以及第二支架兩側(cè)的第一凹陷部以及第二凹陷部部分地埋置于 膠座內(nèi)，由于膠座與第一支架以及第二支架兩側(cè)分別會(huì)產(chǎn)生微小空隙，水氣
則會(huì)借由此空隙滲入；首先，借由第二凹陷部更能增加水氣的行進(jìn)路徑，以 增加水氣滲入至發(fā)光二極管芯片的時(shí)間，并延長(zhǎng)發(fā)光二極管芯片的使用壽命； 接著，借由所設(shè)置的第二凹陷部于第二凹陷部轉(zhuǎn)折處形成虹吸現(xiàn)象，由于產(chǎn) 生虹吸現(xiàn)象即可以將水氣聚集于第二凹陷部轉(zhuǎn)折處，使得水氣難以進(jìn)一步滲 入至發(fā)光二極管芯片，可以有效的防止發(fā)光二極管芯片受到水氣滲入的影響。
借由此一技術(shù)手段可以來(lái)解決現(xiàn)有技術(shù)所存在SMD發(fā)光二極管支架結(jié) 構(gòu)無(wú)法防止水氣滲入的問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)成SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)有效防止 水氣滲入的技術(shù)功效。
雖然本實(shí)用新型所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，惟所述的內(nèi)容并非用以直接限 定本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍。任何本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員， 在不脫離本實(shí)用新型所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及 細(xì)節(jié)上作些許的更動(dòng)。本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求 所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1. 一種SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其包含一第一支架，用以固接一發(fā)光二極管芯片于該第一支架一端，該第一支架兩側(cè)設(shè)置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；一第二支架，該第二支架一端與該發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生電性連接，該第二支架兩側(cè)設(shè)置至少一第一凹陷部及至少一第二凹陷部；及一膠座，該第一支架及該第二支架所設(shè)置的該些至少一第一凹陷部及該些第二凹陷部部分地埋置于該膠座內(nèi)。
2. 如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其中該第一支架 以及該第二支架兩側(cè)更包含設(shè)置至少一延伸區(qū)。
3. 如權(quán)利要求2所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其中該些第二凹 陷部分別設(shè)置于該些延伸區(qū)。
4. 如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其中該些第二凹 陷部選自梯形形狀、矩形形狀以及圓形形狀的組合中任意的組合。
5. 如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其中自該膠座由 外向內(nèi)先配置該些第一凹陷部，再配置該些第二凹陷部。
6. 如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其中自該膠座由 外向內(nèi)先配置該些第二凹陷部，再配置該些第一凹陷部。
專利摘要一種SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其透過(guò)將設(shè)置于第一支架以及第二支架兩側(cè)的凹陷部部分地埋置于膠座內(nèi)，當(dāng)水氣由膠座與第一支架以及第二支架兩側(cè)所產(chǎn)生微小空隙滲入時(shí)，借由凹陷部來(lái)增加水氣的行進(jìn)路徑，以增加水氣所滲入至發(fā)光二極管芯片的時(shí)間，并同時(shí)在凹陷部轉(zhuǎn)折處形成虹吸現(xiàn)象將水氣聚集于凹陷部轉(zhuǎn)折處，使得水氣難以進(jìn)一步滲入至發(fā)光二極管芯片，可以有效的防止發(fā)光二極管芯片受到水氣的影響，可以解決SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)無(wú)法有效防止水氣滲入的問(wèn)題，借此可以達(dá)成SMD發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)有效防止水氣滲入的技術(shù)功效。
文檔編號(hào)H01L33/00GK201307602SQ200820140129
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2008年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月14日
發(fā)明者朱新昌, 李廷璽 申請(qǐng)人:一詮精密工業(yè)股份有限公司