專利名稱：電連接器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
電連接器
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電連接器，尤其是指一種可簡(jiǎn)化加工工藝的電連接器。背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中用于電性連接一外接電子元件至一電路板上的電連接器一般由一絕緣 本體和至少一導(dǎo)電端子組成， 一般需要先通過(guò)至少一焊料(一般為錫球)將每一所述導(dǎo)電 端子焊接固定在所述電路板上，或先將所述導(dǎo)電端子和所述錫球預(yù)焊在一起再焊接至所 述電路板。因此，加工工藝比較復(fù)雜。
所述電連接器在焊接至所述電路板的過(guò)程中，所述焊料受熱溶化成焊錫，而由于所 述焊料的親金屬性，所述焊錫會(huì)沿著所述導(dǎo)電端子設(shè)有的一焊接部向上爬升，所以經(jīng)常 出現(xiàn)虹吸現(xiàn)象，從而影響所述導(dǎo)電端子的導(dǎo)電性能。
因?yàn)楹缥F(xiàn)象會(huì)使大量的所述焊錫爬升至所述導(dǎo)電端子上部，使所述焊接部附近的 所述焊錫減少，冷卻后與所述導(dǎo)電端子結(jié)合的所述焊錫過(guò)薄而導(dǎo)致所述導(dǎo)電端子焊接在 所述電路板上不牢靠，甚至造成空焊現(xiàn)象，導(dǎo)致無(wú)法與所述外接電子元件及所述電路板 實(shí)現(xiàn)正常的電性連接。
此外，由于虹吸現(xiàn)象經(jīng)常導(dǎo)致所述導(dǎo)電端子和所述焊料黏結(jié)在一起，增加了所述導(dǎo) 電端子的阻抗，同樣也會(huì)影響電性連接。
鑒于上述原因，有必要設(shè)計(jì)一種新的電連接器，以克服上述缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型電連接器的目的在于提供一種可簡(jiǎn)化加工工藝的電連接器。本實(shí)用新型電連接器的另一目的還在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且可以防止虹吸現(xiàn)象產(chǎn) 生的電連接器。
本實(shí)用新型電連接器，用以供至少一錫球設(shè)置，并焊接至一電路板，包括 一絕緣 本體，所述絕緣本體上貫設(shè)有至少一收容孔，所述收容孔具有一第一容置空間以及位于 所述第一容置空間下方并相連通的一第二容置空間，所述第二容置空間對(duì)應(yīng)容納一所述 錫球；至少一導(dǎo)電端子，每一所述導(dǎo)電端子對(duì)應(yīng)收容于一所述第一容置空間；至少一導(dǎo) 電金屬層，每一所述導(dǎo)電金屬層對(duì)應(yīng)設(shè)于一所述收容孔內(nèi)，自所述第一容置空間內(nèi)一側(cè) 延伸至所述第二容置空間內(nèi) 一側(cè)，所述導(dǎo)電金屬層分別電性接觸所述導(dǎo)電端子以及所述 錫球。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型電連接器設(shè)有所述第一容置空間和與其相連通的所述 第二容置空間并分別容置所述導(dǎo)電端子和所述錫球，所述導(dǎo)電金屬層自所述第一容置空 間內(nèi)一側(cè)延伸至所述第二容置空間內(nèi)一側(cè)，分別電性接觸所述導(dǎo)電端子和所述錫球，因 此，所述導(dǎo)電端子和所述錫球無(wú)須預(yù)煤在一起即可實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通，簡(jiǎn)化了加工工藝。
本實(shí)用新型電連接器，用以供至少一錫球設(shè)置，并焊接至一電路板，包括 一絕緣 本體，所述絕緣本體設(shè)有至少一第一容置空間、與所述第一容置空間相貫通的一第二容 置空間，所述第一容置空間至少設(shè)有一傾斜的第一側(cè)壁，所述第二容置空間至少設(shè)有一 傾斜的第二側(cè)壁，所述第二容置空間對(duì)應(yīng)容納所述錫球；至少一導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端 子對(duì)應(yīng)收容于所述第一容置空間；至少一導(dǎo)電金屬層，所述導(dǎo)電金屬層自所述第一側(cè)壁 內(nèi)一側(cè)連續(xù)延伸至所述第二側(cè)壁內(nèi)一側(cè)，所述導(dǎo)電金屬層分別電性接觸所述導(dǎo)電端子以 及所述錫球。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型電連接器的所述第一容置空間和所述第二容置空間分 別至少設(shè)有一傾斜的所述第一側(cè)壁和一傾斜的所述第二側(cè)壁，便于3D-MID(Three Dimensional Moulded Interco皿ect Device三維模塊互連器件)制程成型所述導(dǎo)電金屬層。
本實(shí)用新型電連接器，包括 一絕緣本體，所述絕緣本體內(nèi)設(shè)有至少一容納空間，自每一所述容納空間兩端分別朝所述絕緣本體表面延伸一插接空間和一收容空間，所述 插接空間和所述收容空間的寬度大于所述容納空間的寬度；至少一導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電 端子對(duì)應(yīng)設(shè)于所述插接空間；至少兩導(dǎo)電金屬層，兩所述導(dǎo)電金屬層設(shè)于一所述插接空 間內(nèi)兩相對(duì)側(cè)，所述導(dǎo)電金屬層沿所述插接空間經(jīng)過(guò)所述容納空間延伸至所述收容空間 內(nèi)，以及所述導(dǎo)電金屬層電性接觸所述導(dǎo)電端子。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型電連接器設(shè)有至少一容納空間，自每一所述容納空間 兩端分別朝所述絕緣本體表面延伸小于所述容納空間的一所述插接空間和一所述收容 空間，形成一狹窄段，可以起到防虹吸的作用。


圖1為本實(shí)用新型電連接器第一實(shí)施例的電連接器的立體剖面示意圖； 圖2為圖1所示電連接器的正視圖3為本實(shí)用新型電連接器第二實(shí)施例的電連接器的立體剖面示意圖。 附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明
絕緣本體l 第一容置空間11
第一側(cè)壁111 第二側(cè)壁112 第一平面113 第二平面123 導(dǎo)通段22 彈性段23
錫球具體實(shí)施方式
為便于更好的理解本實(shí)用新型電連接器，現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型 電連接器作進(jìn)一歩說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1至圖2，為本實(shí)用新型電連接器的第一實(shí)施例，所述電連接器利用激光
第二容置空間12 第三側(cè)壁121 導(dǎo)電端子2 接觸段24
結(jié)合段13 第四側(cè)壁122 主體部21
導(dǎo)電金屬層3直接成型法(Laser Direct Structuring ，以下簡(jiǎn)稱LDS)技術(shù)加工成型而成。
所述電連接器用以焊接至一電路板(未圖示)，包括一絕緣本體1、收容于所述絕緣 本體1的多個(gè)導(dǎo)電端子2和設(shè)于所述絕緣本體1中的多個(gè)導(dǎo)電金屬層3，以及收容于所 述絕緣本體l的多個(gè)錫球4。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中也可以用其它焊料代替所述錫球4。
所述絕緣本體l是以可激光活化的改性塑料為原料，采用普通的注塑成型設(shè)備、模 具等技術(shù)注射成型而成。所述絕緣本體1上貫設(shè)有多數(shù)收容孔，每一所述收容孔分為結(jié) 構(gòu)類似且相互貫通的一第一容置空間11和一第二容置空間12，所述第二容置空間12 位于所述第一容置空間11下方，且所述第一容置空間11為對(duì)應(yīng)插接一所述導(dǎo)電端子2 的插接空間，所述第二容置空間12為對(duì)應(yīng)容納一所述錫球4的容納空間。
所述第一容置空間11具有一第一側(cè)壁111和一第二側(cè)壁112，所述第二容置空間 12具有一第三側(cè)壁121和一第四側(cè)壁122，所述第一側(cè)壁111、所述第二側(cè)壁112、所 述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè)壁122均為斜面。在采用LDS技術(shù)成型時(shí)，其中很關(guān)鍵 的一個(gè)歩驟為用激光束(未圖示)將線路圖形轉(zhuǎn)化到所述絕緣本體1的所述第一側(cè)壁111、 所述第二側(cè)壁112、所述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè)壁122，使所述第一側(cè)壁111、所述 第二側(cè)壁112、所述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè)壁122用于制作線路圖形的部位活化、 粗糙，而因?yàn)樗龅谝粋?cè)壁111、所述第二側(cè)壁112、所述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè) 壁122皆為斜面設(shè)置，所以便于利用LDS技術(shù)在所述第一側(cè)壁111、所述第二側(cè)壁112、 所述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè)壁122的表面加工成型所述導(dǎo)電金屬層3。
此外，所述絕緣本體1于所述第一容置空間11和所述第二容置空間12內(nèi)分別設(shè)有 兩第一平面113以及兩第二平面123，其中，兩所述第一平面113分別自所述第一側(cè)壁 111和所述第二側(cè)壁112靠近所述絕緣本體1表面一端延伸形成，兩所述第二平面123 分別自所述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè)壁122靠近所述絕緣本體1表面一端延伸形成。 所述第一平面113和所述第二平面123也分別成型有所述導(dǎo)電金屬層3。
出于防虹吸的考慮，所述絕緣本體1設(shè)有相對(duì)所述第一容置空間11和所述第二容置空間12較狹窄的一結(jié)合段13，所述第一容置空間11朝相對(duì)所述第一側(cè)壁111的延伸 方向自上而下漸縮延伸至所述結(jié)合段13，所述第二容置空間12朝相對(duì)所述第三側(cè)壁121 的延伸方向自下而上漸縮延伸至所述結(jié)合段13。
所述導(dǎo)電端子2收容于所述第一容置空間11，并與所述第一側(cè)壁111和所述第二側(cè) 壁112上的所述導(dǎo)電金屬層3電性導(dǎo)通。所述導(dǎo)電端子2具有一主體部21，自所述主體 部21兩端分別延伸出兩個(gè)導(dǎo)通段22，自一所述導(dǎo)通段22—端延伸出一彈性段23，自 所述彈性段23 —端延伸出一接觸段24。所述接觸段24用以與外接電子元件(未圖示)電 性接觸。兩所述導(dǎo)通段22分別與兩所述第一平面113上設(shè)置的所述導(dǎo)電金屬層3電性 接觸，為增大與所述導(dǎo)電金屬層3的接觸面積，所述導(dǎo)通段22可設(shè)置為扁平狀，對(duì)應(yīng) 緊貼兩所述第一平面113上設(shè)置的所述導(dǎo)電金屬層3。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中所述導(dǎo)通 段22也可以為其它形狀。
所述導(dǎo)電金屬層3為通過(guò)化學(xué)方法在被激光活化的所述第一側(cè)壁111、所述第二側(cè) 壁112、所述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè)壁122表面用于制作線路圖形的部位沉積形成。 所述導(dǎo)電金屬層3其中一部分自所述第一平面113經(jīng)過(guò)所述第一側(cè)壁111、所述結(jié)合段 13、所述第三側(cè)壁121并連續(xù)延伸至所述第二平面123，另一部分自所述第一平面113 經(jīng)過(guò)所述第二側(cè)壁112、所述結(jié)合段13、所述第四側(cè)壁122并連續(xù)延伸至所述第二平面 123。
所述錫球4收容于所述第二容置空間12中，并與所述第三側(cè)壁121和所述第四側(cè) 壁122上的所述導(dǎo)電金屬層3電性導(dǎo)通。
為增加所述電連接器的導(dǎo)電率，所述導(dǎo)電金屬層3可以設(shè)計(jì)為由單一金屬元素構(gòu)成， 比如銅。當(dāng)然，所述導(dǎo)電金屬層3也可以為由不同單一金屬元素堆疊組成，例如，所述 導(dǎo)電金屬層3的底層可以選擇銅或鎳，選擇銅做底層時(shí)也可以在銅層上加一鎳層，所述 導(dǎo)電金屬層3的底層也可以直接鍍鎳，出于節(jié)省成本的考慮， 一般只選擇在所述接觸段 24的頂層選擇鍍金或鈀。組裝時(shí)，先將所述導(dǎo)電端子2裝設(shè)于所述絕緣本體1的所述第一容置空間11中， 使所述導(dǎo)電端子2與所述第一側(cè)壁111 、所述第二側(cè)壁112和兩所述第一平面113上的 所述導(dǎo)電金屬層3電性導(dǎo)通。
再將所述錫球4容置于所述第二容置空間12中，使所述錫球4與所述第三側(cè)壁121、 所述第四側(cè)壁122和所述第二平面123上的所述導(dǎo)電金屬層3電性導(dǎo)通。
如此一來(lái)，因所述導(dǎo)電端子2與所述錫球4分別收容于所述第一容置空間11和所 述第二容置空間12，所以所述導(dǎo)電端子2與所述錫球4并不直接電性接觸，而是通過(guò)分 別與所述導(dǎo)電金屬層3的電性導(dǎo)通實(shí)現(xiàn)彼此的電性連接，因此所述導(dǎo)電端子2和所述錫 球4無(wú)須預(yù)焊在一起即可實(shí)現(xiàn)電性連接，可以大大簡(jiǎn)化加工工藝。
另外，因所述導(dǎo)電金屬層3分別電性接觸所述導(dǎo)電端子2以及所述錫球4，由此形 成兩個(gè)導(dǎo)電線路。如此一來(lái)，在其中一個(gè)所述導(dǎo)電線路不導(dǎo)通的情況下，另一所述導(dǎo)電 線路仍然可以發(fā)揮電性導(dǎo)通作用，從而可以有效降低故障率。
然后，將所述電連接器通過(guò)所述錫球4焊接至所述電路板(未圖示)。因所述結(jié)合段 13相比所述第一容置空間11和所述第二容置空間12較狹窄，所以在將所述電連接器焊 接至所述電路板(未圖示)上時(shí)，可以防止虹吸現(xiàn)象的產(chǎn)生，同時(shí)避免造成熔化的所述錫 球4較易集中在所述結(jié)合段13而不致粘著在所述導(dǎo)電端子2上，而導(dǎo)致增加所述導(dǎo)電 端子2的阻抗而影響所述電連接器與所述電路板(未圖示)的電性連接。
請(qǐng)參閱圖3，為本實(shí)用新型電連接器的第二實(shí)施例，其與上述第一實(shí)施例的區(qū)別在 于所述第一側(cè)壁111和所述第二側(cè)壁112—部分涂設(shè)所述導(dǎo)電金屬層3，所述結(jié)合段 13兩側(cè)橫向涂設(shè)一所述導(dǎo)電金屬層3，這樣一來(lái)，在所述第一側(cè)壁111和所述第二側(cè)壁 112形成一空白地帶，在將所述電連接器焊接至所述電路板(未圖示)上時(shí)，所述錫球4 到達(dá)空白地帶后無(wú)法繼續(xù)向上爬，因此，可以起到更好的防虹吸作用。
綜上所述，本實(shí)用新型電連接器具有下列有益效果
1.本實(shí)用新型電連接器通過(guò)在所述第一容置空間和所述第二容置空間內(nèi)壁設(shè)置所述導(dǎo)電金屬層分別與所述導(dǎo)電端子和所述錫球電性導(dǎo)通，從而使得所述導(dǎo)電端 子和所述錫球無(wú)需預(yù)焊，同樣可實(shí)現(xiàn)良好的電性導(dǎo)通，由此簡(jiǎn)化了加工工藝。
2. 本實(shí)用新型電連接器通過(guò)將所述收容空間設(shè)置為上、下兩個(gè)容置空間，連通上、 下兩所述容置空間的所述結(jié)合部為一狹窄段，在將所述電連接器焊接至所述電 路板時(shí)，有效避免了虹吸等問(wèn)題的發(fā)生。
3. 本實(shí)用新型電連接器的所述第一容置空間和所述第二容置空間側(cè)壁分別設(shè)置兩 個(gè)連續(xù)的所述導(dǎo)電金屬層，形成兩個(gè)導(dǎo)電通路，其中一個(gè)所述導(dǎo)電線路不導(dǎo)通 的情況下，另一所述導(dǎo)電線路仍然可以發(fā)揮電性導(dǎo)通作用，從而降低故障率。
4. 本實(shí)用新型電連接器的所述第一容置空間和所述第二容置空間內(nèi)壁設(shè)置為斜 面，便于利用LDS技術(shù)加工成型。
5. 本實(shí)用新型電連接器的所述導(dǎo)電金屬層由單一金屬元素組成或是由不同的單一 金屬元素堆疊組成，可以降低所述電連接器的阻抗，增加所述電連接器的導(dǎo)電 率。
以上所述僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例，非因此局限本實(shí)用新型的專利范圍，所以， 凡運(yùn)用本創(chuàng)作說(shuō)明書及圖示內(nèi)容所為之等效技術(shù)變化，均包含于本創(chuàng)作之范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電連接器，用以供至少一錫球設(shè)置，并焊接至一電路板，其特征在于，包括一絕緣本體，所述絕緣本體上貫設(shè)有至少一收容孔，所述收容孔具有一第一容置空間以及位于所述第一容置空間下方并相連通的一第二容置空間，所述第二容置空間對(duì)應(yīng)容納一所述錫球；至少一導(dǎo)電端子，每一所述導(dǎo)電端子對(duì)應(yīng)收容于一所述第一容置空間；至少一導(dǎo)電金屬層，每一所述導(dǎo)電金屬層對(duì)應(yīng)設(shè)于一所述收容孔內(nèi)，自所述第一容置空間內(nèi)一側(cè)延伸至所述第二容置空間內(nèi)一側(cè)，所述導(dǎo)電金屬層分別電性接觸所述導(dǎo)電端子以及所述錫球。
2. 如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于所述絕緣本體設(shè)有相對(duì)所述第一容置空 間和所述第二容置空間較狹窄的一結(jié)合段。
3. 如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于所述導(dǎo)電金屬層經(jīng)過(guò)所述結(jié)合段內(nèi)一側(cè) 延伸至所述第二容置空間內(nèi) 一側(cè)。
4. 如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于所述第一容置空間自上而下漸縮延伸至 所述結(jié)合段。
5. 如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于所述第二容置空間自下而上漸縮延伸至 所述結(jié)合段。
6. 如權(quán)利要求l所述的電連接器，其特征在于所述第一容置空間至少一側(cè)壁為斜面。
7. 如權(quán)利要求l所述的電連接器，其特征在于所述第二容置空間至少一側(cè)壁為斜面。
8. 如權(quán)利要求l所述的電連接器，其特征在于所述導(dǎo)電金屬層由單一金屬元素組成。
9. 如權(quán)利要求8所述的電連接器，其特征在于所述單一金屬元素為銅。
10. 如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于所述導(dǎo)電金屬層由不同的單一金屬元素堆疊組成。
11. 如權(quán)利要求10所述的電連接器，其特征在于所述導(dǎo)電金屬層的底層為銅或鎳。
12. 如權(quán)利要求10所述的電連接器，其特征在于所述導(dǎo)電金屬層中間層為鎳。
13. 如權(quán)利要求10所述的電連接器，其特征在于所述導(dǎo)電金屬層的頂層為金或鈀。
14. 一種電連接器，用以供至少一錫球設(shè)置，其特征在于，包括一絕緣本體，所述絕緣本體設(shè)有至少一第一容置空間、與所述第一容置空間相貫通的 一第二容置空間，所述第一容置空間至少設(shè)有一傾斜的第一側(cè)壁，所述第二容置空間至 少設(shè)有一傾斜的第二側(cè)壁，所述第二容置空間對(duì)應(yīng)容納所述錫球；至少一導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子對(duì)應(yīng)收容于所述第一容置空間；至少一導(dǎo)電金屬層，所述導(dǎo)電金屬層自所述第一側(cè)壁內(nèi)一側(cè)連續(xù)延伸至所述第二側(cè)壁 內(nèi) 一側(cè)，所述導(dǎo)電金屬分別電性接觸所述導(dǎo)電端子以及所述錫球。
15. 如權(quán)利要求14所述的電連接器，其特征在于所述絕緣本體設(shè)有相對(duì)所述第一容置 空間和所述第二容置空間較狹窄的一結(jié)合段。
16. 如權(quán)利要求15所述的電連接器，其特征在于所述第一容置空間朝相對(duì)所述第一側(cè) 壁方向漸縮延伸至所述結(jié)合段。
17. 如權(quán)利要求15所述的電連接器，其特征在于所述第二容置空間朝相對(duì)所述第二側(cè) 壁方向漸縮延伸至所述結(jié)合段。
18. —種電連接器，其特征在于，包括一絕緣本體，所述絕緣本體內(nèi)設(shè)有至少一容納空間，自每一所述容納空間兩端分別朝 所述絕緣本體表面延伸一插接空間和一收容空間，所述插接空間和所述收容空間的寬度 大于所述容納空間的寬度；至少一導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子對(duì)應(yīng)設(shè)于所述插接空間；至少兩導(dǎo)電金屬層，兩所述導(dǎo)電金屬層設(shè)于一所述插接空間內(nèi)兩相對(duì)側(cè)，所述導(dǎo)電金 屬層沿所述插接空間經(jīng)過(guò)所述容納空間延伸至所述收容空間內(nèi)，以及所述導(dǎo)電金屬層電 性接觸所述導(dǎo)電端子。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種電連接器，用以供至少一錫球設(shè)置，并焊接至一電路板，包括一貫設(shè)有至少一收容孔的絕緣本體，收容孔具有一第一容置空間以及位于第一容置空間下方并相連通的一第二容置空間，第二容置空間對(duì)應(yīng)容納一錫球；至少一導(dǎo)電端子，每一導(dǎo)電端子對(duì)應(yīng)收容于一第一容置空間；至少一導(dǎo)電金屬層，每一導(dǎo)電金屬層對(duì)應(yīng)設(shè)于一收容孔內(nèi)，自第一容置空間內(nèi)一側(cè)延伸至第二容置空間內(nèi)一側(cè)，導(dǎo)電金屬層分別電性接觸導(dǎo)電端子以及錫球。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型電連接器通過(guò)一導(dǎo)電金屬層分別電性接觸導(dǎo)電端子和錫球，因此，導(dǎo)電端子和錫球無(wú)須預(yù)焊在一起即可實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通，簡(jiǎn)化了加工工藝。
文檔編號(hào)H01R4/02GK201311971SQ200820204169
公開日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2008年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月27日
發(fā)明者朱德祥 申請(qǐng)人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司