專利名稱：集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，尤指一種可使晶粒上的絕緣單元達(dá) 到薄型化、耐電壓、耐電流、耐干擾及散熱佳功效的結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景
一般現(xiàn)有集成電路組件上的絕緣結(jié)構(gòu)，通常是于晶粒的一面上層疊一金屬層，且于該金 屬層的適當(dāng)位置處設(shè)置有多數(shù)光阻，使該金屬層配合各光阻以蝕刻方式形成多數(shù)空間區(qū)域， 之后再配合化學(xué)方式(CVD)以二氧化硅(Si02)于各空間區(qū)域中長(zhǎng)出所需的絕緣結(jié)構(gòu)層； 藉以于集成電路組件上形成相關(guān)的絕緣結(jié)構(gòu)。
但是，由于該絕緣結(jié)構(gòu)層是以化學(xué)方式(CVD)長(zhǎng)出于集成電路組件上，因此當(dāng)制作完 成之后，則會(huì)導(dǎo)致該絕緣結(jié)構(gòu)層的整體厚度較厚，而無(wú)法達(dá)到薄型化的功效，且相對(duì)的于使 用時(shí)造成該絕緣結(jié)構(gòu)層無(wú)法達(dá)到耐電壓、耐電流及耐干擾的特性，更會(huì)導(dǎo)致該絕緣結(jié)構(gòu)層有 散熱較差的情形發(fā)生
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種集成電路組件 堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，可使晶粒上的絕緣單元達(dá)到薄型化、耐電壓、耐電流、耐干擾及散熱佳的 功效。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是 一種集成電路組件堆棧的絕緣 結(jié)構(gòu)，其包括晶粒、金屬層、及多數(shù)絕緣單元，該金屬層層疊于上述晶粒的一面上，且該金 屬層上具有多數(shù)連通晶粒的置放區(qū)；其特點(diǎn)是所述數(shù)絕緣單元分別設(shè)于所述各置放區(qū)中， 且各絕緣單元由鋁合金制成。
如此，可使晶粒上的絕緣單元達(dá)到薄型化、耐電壓、耐電流、耐干擾及散熱佳的功效。


圖1是本實(shí)用新型的剖面狀態(tài)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型晶粒的剖面狀態(tài)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型晶粒結(jié)合金屬層的剖面示意圖。
圖4是本實(shí)用新型金屬層上設(shè)置光阻的剖面示意圖。
圖5是本實(shí)用新型置放區(qū)形成后的剖面狀態(tài)示意圖。圖6是本實(shí)用新型置于絕緣槽中的剖面狀態(tài)示意圖。
圖7是本實(shí)用新型拋光狀態(tài)的剖面示意圖。
圖8是本實(shí)用新型運(yùn)用狀態(tài)的剖面示意圖。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明:
晶粒1 、 1 a
金屬層2
置放區(qū)2 1
絕緣單元3
光阻4
絕緣槽5
工具6
拋光面具體實(shí)施方式
請(qǐng)，參閱圖1所示，本實(shí)用新型為一種集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，其至少由一晶粒 1、 一金屬層2以及多數(shù)絕緣單元3所構(gòu)成；可使晶粒上的絕緣單元達(dá)到薄型化、耐電壓、
耐電流、耐干擾及散熱佳的功效。
上述所提的晶粒1可為所需的集成電路系統(tǒng)。
該金屬層2層疊于上述晶粒1的一面上，且該金屬層2上具有多數(shù)連通晶粒1的置放區(qū)
各絕緣單元3分別設(shè)于上述各置放區(qū)2 l中，各絕緣單元3可為鋁合金物體。如是，藉 由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成一全新的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參閱圖2至圖6所示，制作時(shí)，是取一所需的晶粒l (如圖2所示)，且于晶粒l的一 面上層疊一金屬層2 (如圖3所示)，并于該金屬層2的適當(dāng)位置處設(shè)置有多數(shù)光阻4 (如 圖4所示)，使該金屬層2上配合各光阻4以蝕刻方式形成多數(shù)連通晶粒l的置放區(qū)2 1 ( 如圖5所示)，之后再將該晶粒1設(shè)置于一絕緣槽5中(如圖6所示)，并配合鋁或鋁合金的 材質(zhì)進(jìn)行氧化或陽(yáng)極處理，進(jìn)而于置放區(qū)2 l中形成數(shù)絕緣單元3 (如圖l所示)，如此， 即可完成本實(shí)用新型的制作，而使晶粒1上的絕緣單元3達(dá)到薄型化、耐電壓、耐電流、耐 干擾及散熱佳的功效。
請(qǐng)參閱圖7所示，當(dāng)制作完成后欲進(jìn)行后續(xù)運(yùn)用時(shí)，可依所需于該金屬層2與各絕緣單 元3的頂面上以所需的工具6進(jìn)行研磨，使該金屬層2與各絕緣單元3的頂面上進(jìn)一步形成 有一拋光面7 。
請(qǐng)參閱圖8所示，另，當(dāng)制作完成后欲進(jìn)行后續(xù)運(yùn)用時(shí)，可依所需于該金屬層2與各絕 緣單元3的頂面上以物理或化學(xué)方式層疊有另一晶粒1 a，藉以達(dá)到不同晶粒1 、 1 a的相互 堆棧結(jié)合。綜上所述，本實(shí)用新型的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)可有效改善現(xiàn)有技術(shù)的種種缺 點(diǎn)，可使晶粒上的絕緣單元達(dá)到薄型化、耐電壓、耐電流、耐干擾及散熱佳的功效。
權(quán)利要求權(quán)利要求1一種集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，其包括晶粒、金屬層、及多數(shù)絕緣單元，該金屬層層疊于上述晶粒的一面上，且該金屬層上具有多數(shù)連通晶粒的置放區(qū)；其特征在于所述數(shù)絕緣單元分別設(shè)于所述各置放區(qū)中，且各絕緣單元由鋁合金制成。
2.如權(quán)利要求l所述的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述各置放區(qū)由金屬層配合光阻形成。
3.如權(quán)利要求l所述的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述各絕緣單元于一絕緣槽中形成。
4.如權(quán)利要求l所述的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述金屬層與各絕緣單元的頂面上進(jìn)一步設(shè)有拋光面。
專利摘要一種集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)，包含一晶粒；一層疊于晶粒一面上的金屬層，該金屬層上具有多數(shù)連通晶粒的置放區(qū)；以及多數(shù)分別設(shè)于各置放區(qū)中的絕緣單元，各絕緣單元可為鋁合金物體。藉此，可使晶粒上的絕緣單元達(dá)到薄型化、耐電壓、耐電流、耐干擾及散熱佳的功效。
文檔編號(hào)H01L23/48GK201307592SQ20082030216
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2008年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月18日
發(fā)明者鄒尚志, 馬嵩荃 申請(qǐng)人:茂邦電子有限公司