專利名稱：：通過無電鍍形成金屬薄膜的鍍敷物及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及通過無電鍍形成了金屬薄膜的鍍敷物及其制造方法。特別是涉及通過無電鍍形成了金屬薄膜來作為形成ULSI超微細(xì)銅配線(大馬士革銅配線)時(shí)的籽晶層(晶種層；seedlayer)的鍍敷物及其制造方法。
背景技術(shù)：
：作為ULSI超微細(xì)銅配線(大馬士革銅配線)的銅的成膜方法，無電鍍銅法作為代替現(xiàn)行的濺射法、電鍍銅法的方法被寄予厚望。以往，在半導(dǎo)體晶片之類的鏡面上進(jìn)行無電鍍銅的場(chǎng)合，析出的鍍膜難以得到充分的密著性。另外，鍍敷的反應(yīng)性低，也難以在基板整個(gè)面上進(jìn)行均勻的鍍敷。以往，例如在采用無電鍍法在氮化鉭等的阻擋金屬層上形成銅籽晶層的場(chǎng)合，存在難以均勻地形成鍍層、密著力不充分的問題。本發(fā)明者們已發(fā)現(xiàn)，在無電鍍銅液中添加重均分子量(Mw)小的水溶性含氮聚合物作為添加劑，另一方面在鍍液浸漬前使催化劑金屬附著于被鍍物的基板上，或者預(yù)先在最表面將催化劑金屬成膜后，浸漬在鍍液中，借助于氮原子使聚合物吸附在該催化劑金屬上，由此抑制鍍層的析出速度，并且結(jié)晶非常地微細(xì)化，能夠在晶片之類的鏡面上形成膜厚15nm以下的均勻薄膜(專利文獻(xiàn)1)。另外，本發(fā)明者們?cè)谏鲜霭l(fā)明的實(shí)施例中還顯示出預(yù)先在最表面將催化劑金屬成膜后，浸漬在鍍液中，借助于氮原子使聚合物吸附在該催化劑金屬上，由此抑制鍍層的析出速度，并且結(jié)晶非常地微細(xì)化，能夠在晶片之類的鏡面上形成膜厚6nm以下的均勻薄膜。專利文獻(xiàn)1:日本專利申請(qǐng)2007-064348
發(fā)明內(nèi)容在這樣的方法中，即在大馬士革銅配線形成中，在成膜出催化劑金屬層后通過無電鍍?cè)O(shè)置銅籽晶層的場(chǎng)合，必須與催化劑金屬層分開地預(yù)先形成用于防止銅擴(kuò)散的阻擋層，因此，在成膜出銅籽晶層之前形成阻擋層和催化劑金屬層這二層的層，因此判明不能夠?qū)⒛ず裨龊竦某⒓?xì)配線難以適用于實(shí)際工序的問題。本發(fā)明的目的是提供消除在銅籽晶層成膜前形成這樣的兩層的煩雜，而且能夠形成超微細(xì)配線的、能夠以薄而均勻的膜厚成膜出籽晶層的預(yù)處理技術(shù)，還提供含有利用該技術(shù)通過無電鍍以薄而均勻的膜厚形成的籽晶層的鍍敷物、以及提供制造該鍍敷物的方法。本發(fā)明者們潛心進(jìn)行研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過將具有無電鍍的催化活性的金屬與具有阻擋功能并且能夠與無電鍍液中的金屬離子置換的金屬進(jìn)行合金化，形成為兼具阻擋功能和催化能力的單一的層，再通過并用無電解置換和還原鍍，能夠薄而均勻地形成在其上面形成的銅籽晶層的膜厚。從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明是如下的發(fā)明。根據(jù)[11~[31的任一項(xiàng)所述的鍍敷物，其特征在于，合金薄膜與通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的界面的氧濃度，采用俄歇電子光鐠法進(jìn)行分析為1原子％以下。根據(jù)[5I所述的鍍敷物，其特征在于，能夠置換鍍敷的金屬(B)，對(duì)通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的金屬具有防止擴(kuò)散的阻擋功能。的任一項(xiàng)所述的鍍敷物，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是釕；能夠置換鍍敷的金屬(B)是鴒；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是銅薄膜；配線部是銅。的任一項(xiàng)所述的鍍敷物，其特征在于，通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是大馬士革銅配線用籽晶層?！N鍍敷物的制造方法，是在基材上形成具有無電鍍的催化活性8的金屬(A)與能夠與無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，在該合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成金屬薄膜的鍍敷物的制造方法，其特征在于，該具有催化活性的金屬(A)與該能夠置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，是使具有催化活性的金屬(A)為5原子%~40原子％的組成；該通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜，是厚度為10nm以下、電阻率為10nQ.cm以下的金屬薄膜。根據(jù)[13或[14I所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，還在上述金屬薄膜上通過鍍敷而形成配線部。根據(jù)[13]~[15I的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，合金薄膜與通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的界面的氧濃度，釆用俄歇電子光譜法進(jìn)行分析為1原子％以下。根據(jù)117或18所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是選自銠、釕中的至少一種金屬；能夠置換鍍敷的金屬(B)是選自鵠、鈮中的至少一種金屬；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是銅薄膜或以銅為主成分的合金薄膜；配線部是銅或以銅為主成分的合金。~[19I的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是釕；能夠置換鍍敷的金屬(B)是鴒；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是銅薄膜；配線部是銅。根據(jù)[131~[20I的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是大馬士革銅配線用籽晶層。[221根據(jù)[13~[21的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，通過濺射而形成合金薄膜。根據(jù)本發(fā)明，采用無電鍍法在基材上的阻擋金屬層上形成籽晶層的場(chǎng)合，重要的是預(yù)備性地形成具有無電鍍的催化活性的金屬與能夠與無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬的具有特定組成的合金薄膜，由此在該合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成銅等的金屬薄膜時(shí)，不侵蝕成為基底的上述預(yù)備薄膜表面，能夠以充分薄、均勻的膜厚且以優(yōu)異的密著性成膜出在該合金薄膜上形成的銅等的金屬薄膜層。另外，在上述預(yù)形成的合金薄膜與其上的無電鍍層的界面，能夠成為實(shí)質(zhì)上不含有氧的狀態(tài)。此外，通過使能夠與上述無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬，為對(duì)通過無電鍍而形成的金屬薄膜的金屬具有防止擴(kuò)散的阻擋功能的金屬，上述合金薄膜能夠成為兼具阻擋功能和催化能力的單一的層，能夠消除在大馬士革銅配線形成中的形成阻擋層和催化劑金屬層這二層的煩雜，能夠進(jìn)一步薄膜化。具體實(shí)施例方式本發(fā)明是涉及在通過無電鍍形成金屬薄膜時(shí)，預(yù)先在基材上形成具有無電鍍的催化活性的金屬(A)與能夠與無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，通過并用無電鍍液的還原反應(yīng)和與無電鍍液中含有的金屬離子的置換反應(yīng)而形成金屬薄膜(籽晶層)的方法以及所得到的形成了籽晶層的鍍敷物的發(fā)明。在本發(fā)明中，無電鍍可并用還原型鍍敷和置換型鍍敷。通過置換鍍敷，上述合金薄膜表面的氧化物在置換鍍敷的過程中被除去，而且，由于同時(shí)地引起還原鍍，因此能夠使形成具有所期望的導(dǎo)電性的籽晶層所必需的膜厚均勻地減薄。其結(jié)果，能夠使籽晶層的厚度為10nm以下、并且電阻率為10^lil'cm以下。通過將籽晶層的膜厚減薄，能夠適用于線寬度為數(shù)十納米水平的大馬士革銅配線。另外，通過上述的作用，采用俄歇電子光譜法(AES)分析合金薄膜與銅等的通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的界面的氧濃度為1原子％以下(檢測(cè)極限以下)。另一方面，在使用置換鍍敷不作用的鉭作為具有阻擋功能的金屬的場(chǎng)合，在界面可顯著地檢測(cè)出氧。在界面存在氧的場(chǎng)合，具有配線的電阻升高，或阻擋功能降低等的不良影響。作為具有無電鍍的催化活性的金屬(A)，可舉出銠、釕、銥等，使用選自這些金屬中的至少一種以上的金屬，但其中優(yōu)選使用銠、釕，特別優(yōu)選釕。另外，也可以使用含有兩種以上的具有催化能力的金屬的合金。在本發(fā)明中，所謂上述具有無電鍍的催化活性，是指具有將無電鍍液中的銅等的金屬離子還原從而形成鍍膜的反應(yīng)的催化能力。作為能夠與無電鍍液中所含的金屬離子置換鍍敷的金屬(B)，可舉出鐵、鎳、鈷、鵠、鈮、錫、鎂、鋁、鋅、鉛。另外，通過使金屬(B)為對(duì)通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的金屬具有阻擋功能的金屬，能夠使上述合金薄膜成為兼具阻擋功能和催化能力的單一的層，能夠消除在大馬士革銅配線形成中的形成阻擋層和催化劑金屬層這二層的煩雜，能夠進(jìn)一步薄膜化，因此優(yōu)選。作為該具有阻擋功能的金屬(B)，可舉出鵠、鈮，使用選自這些金屬中的至少一種以上的金屬，但特別優(yōu)選鎢。能夠與無電鍍液中所含有的金屬離子置換鍍敷的金屬(B)與具有無電鍍的催化活性的金屬(A)的合金薄膜中的組成，一般優(yōu)選金屬(A)的組成比為5原子％~40原子％。當(dāng)金屬(A)少于5原子％時(shí)，與鍍液的還原反應(yīng)相比，置換反應(yīng)變?yōu)閮?yōu)勢(shì)，侵蝕被鍍材料，不能夠形成均勻的薄膜。而且，在金屬(B)是上述具有阻擋功能的金屬的場(chǎng)合，由于膜不均ii勻，因此產(chǎn)生膜厚極端地薄的部分，導(dǎo)致阻擋功能的降低。另外，當(dāng)多于40原子％時(shí)，在金屬(B)是上述具有阻擋功能的金屬的場(chǎng)合，金屬(B)的比率過低，仍會(huì)導(dǎo)致阻擋功能的降低。另外，還產(chǎn)生膜的成本增高的問題。在本發(fā)明中，上述合金薄膜，優(yōu)選使用含有上述金屬(A)和金屬(B)的賊射合金靼，通過濺射而在基材上形成。上述組成的合金薄膜，能夠使用與所希望的合金薄膜的組成大致相同的組成的含有金屬(A)和金屬(B)的賊射耙形成。合金薄膜的膜厚優(yōu)選為3~20nm，更優(yōu)選為5~15nm。作為在本發(fā)明中形成合金薄膜的基材，優(yōu)選半導(dǎo)體晶片，通過實(shí)施酸處理、堿處理、表面活性劑處理、超聲波清洗或?qū)⑺鼈兘M合的處理，能夠謀求基材的清潔、潤濕性提高。通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜，是通過無電鍍液中含有的金屬離子與金屬(B)的置換反應(yīng)，以及金屬(A)作為將無電鍍液的金屬離子還原的催化劑發(fā)揮作用，無電鍍液中含有的金屬離子以金屬形式析出從而形成的。作為該金屬薄膜，可舉出包含金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、錫中的至少一種金屬的薄膜，優(yōu)選是銅薄膜或以銅為主成分的合金的薄膜，特別優(yōu)選銅薄膜。作為使用本發(fā)明的阻擋兼催化劑層(合金薄膜)進(jìn)行無電解置換和還原鍍時(shí)采用的無電鍍方法，可以釆用一般的方法。同樣地，使用的鍍液也可以使用一般的鍍液。作為使用本發(fā)明的阻擋兼催化劑層(合金薄膜)進(jìn)行無電解置換和還原鍍時(shí)采用的無電鍍銅方法，可以采用一般的方法。同樣地，使用的鍍銅液也可使用一般的無電鍍銅液。無電鍍銅液，通常含有銅離子、銅離子的配位劑、還原劑和pH調(diào)節(jié)劑等。作為無電鍍銅液的還原劑，考慮到甲醛水(formalin)對(duì)人體和環(huán)境的不良影響，優(yōu)選使用乙醛酸。另外，次膦酸雖然在銅上不顯示還原作用，12但在鈀等的催化劑金屬上顯示較高的還原作用，因此具有提高借助于催化劑金屬的初期的鍍敷反應(yīng)性的效果。另外，這些還原劑不含有作為在半導(dǎo)體用途中希望避免的雜質(zhì)的鈉。因此，作為還原劑更優(yōu)選的是同時(shí)地使用乙醛酸和次膦酸。通過該并用，鍍敷反應(yīng)性比單獨(dú)地使用乙醛酸的情況高，其結(jié)果，能夠得到可在難以引起鍍敷反應(yīng)的半導(dǎo)體晶片之類的鏡面上，在更低溫下均勻鍍敷的無電鍍銅液。由于鍍敷反應(yīng)性變高，因此可在更低溫下鍍敷，而且，通過為更低溫，液體穩(wěn)定性增大，并且析出的銅粒子容易變得細(xì)而均勻。乙醛酸的濃度，優(yōu)選在鍍液中為0.005~0.5摩爾/L,更優(yōu)選為0.01~0.2摩爾/L。當(dāng)濃度不到0.005摩爾/L時(shí)，不引起鍍敷反應(yīng)，當(dāng)超過0.5摩爾/L時(shí)，鍍液變得不穩(wěn)定而分解。次膦酸的濃度，優(yōu)選在鍍液中為0.001~0.5摩爾/L，更優(yōu)選為0.005~0.2摩爾/L。當(dāng)濃度不到0.001摩爾/L時(shí)，看不到上述的效果，當(dāng)超過0.5摩爾/L時(shí)，鍍液變得不穩(wěn)定而分解。在本發(fā)明中作為無電鍍銅液的銅離子源，可以使用一般所使用的所有銅離子源，例如，可舉出硫酸銅、氯化銅、硝酸銅等。另外，作為銅離子的配位劑，也可以使用一般所使用的所有配位劑，例如，可舉出乙二胺四乙酸、酒石酸等。作為其他的添加劑，可以使用在鍍液中一般所使用的添加劑，例如2，2，-聯(lián)二吡啶、聚乙二醇、亞鐵氰化鉀等。另外，本發(fā)明中的無電鍍銅液，優(yōu)選在pH10~14下使用，更優(yōu)選在pH12~13下使用。作為pH調(diào)節(jié)劑，可以使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等的一般所使用的pH調(diào)節(jié)劑，但在半導(dǎo)體用途中希望避免鈉、鉀等的堿金屬的場(chǎng)合，優(yōu)選使用氫氧化四曱基銨。另外，本發(fā)明中的無電鍍銅液，從浴穩(wěn)定性和銅的析出速度的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選在浴溫4090。C下使用。在本發(fā)明中使用無電鍍銅液進(jìn)行鍍敷的場(chǎng)合，將被鍍材料浸漬在鍍?cè)≈?。被鍍材料是成膜出如上所述的合金薄膜的材料。本發(fā)明的通過無電解置換和還原鍍而制造的金屬薄膜的厚度，更優(yōu)選為3~10nm。本發(fā)明的通過無電解置換和還原鍍而制造的金屬薄膜，鍍膜薄、膜厚均勻。因此作為大馬士革銅配線用籽晶層使用的場(chǎng)合，在線寬度100nm以下的微細(xì)的孔、溝內(nèi)也能夠形成膜厚均勻的薄膜籽晶層，其結(jié)果，能夠得到不發(fā)生孔、縫等缺陷的半導(dǎo)體晶片。本發(fā)明的鍍敷物，能夠在通過無電鍍而形成的金屬薄膜上，再通過鍍敷來設(shè)置配線部。鍍敷可使用電鍍或無電鍍。配線部優(yōu)選是銅或以銅為主成分的合金，更優(yōu)選是銅。電鍍銅液只要是一般在大馬士革銅配線埋入用途中使用的組成即可，沒有特別限定，例如可以使用含有硫酸銅和硫酸作為主成分、含有氯、聚乙二醇、二硫化雙(3-磺丙基)二鈉、煙魯綠等作為微量成分的液體。另外，作為用于埋入的無電鍍銅液，例如可以^使用日本特開2005-038086號(hào)^^艮所述的銅配線埋入用鍍液。本發(fā)明的鍍敷物，具有在基材上形成的上述特定的合金薄膜，在該合金薄膜上具有通過無電解置換和還原鍍而形成的作為籽晶層發(fā)揮作用的金屬薄膜。上述特定的合金薄膜，如已述那樣可成為兼具催化能力和阻擋功能的單一的層，因此通常不需要形成膜厚為數(shù)十納米的阻擋層。這樣，在本發(fā)明的鍍敷物上，能夠使合金薄膜成為兼具阻擋功能和催化能力的單一的層，該作為籽晶層發(fā)揮作用的金屬薄膜的膜厚為10nm以下，因此通過采用常規(guī)方法在該金屬薄膜上鍍敷成為配線部的金屬，能夠制成可適用于線寬度為數(shù)十納米水平的大馬士革銅配線的半導(dǎo)體元件。而且，上述作為籽晶層發(fā)揮作用的金屬薄膜的電阻率為10nQ.cm以下，因此其后的電鍍初期的均勻成膜變得容易。上述金屬薄膜的電阻率優(yōu)選為5nft.cm以下。實(shí)施例以下通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明不被這些實(shí)施例限定。實(shí)施例1在半導(dǎo)體基板上，使用由作為具有無電鍍的催化活性的金屬的釕、和作為能夠與無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬的鎢形成的濺射合金靶，制造膜厚10nm的合金薄膜，采用無電鍍法在該合金薄膜上嘗試形成鍍銅薄膜。使用上述濺射合金靶形成的該合金薄膜的組成、以及通過無電鍍而形成的鍍銅薄膜的膜厚示于表1。另夕卜，通過無電鍍進(jìn)行銅的成膜時(shí)，使用以下組成的鍍液，在pH12.5、50°Cx30~40秒的條件下實(shí)施。pH12.5(用氫氧化鉀調(diào)節(jié))關(guān)于得到的鍍銅薄膜的膜厚、電阻率、銅有無向合金薄膜中擴(kuò)散、鍍銅薄膜剝離后有無孔進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，通過AES深度分布測(cè)定確認(rèn)鍍敷時(shí)的銅膜與合金膜的界面的氧化狀態(tài)。另外，對(duì)于帶有線寬度為卯nm、縱橫尺寸比為4的溝圖案的半導(dǎo)體基板，成膜出上述的濺射合金薄膜以及無電鍍銅薄膜后，將其作為籽晶層通過電鍍銅進(jìn)行配線的埋入。另外，通過電鍍銅來埋入配線時(shí)，使用以下組成的鍍液，在25°Cx60秒、電流密度1A/dm2下實(shí)施。硫酸銅0.25摩爾/L硫酸1.8摩爾/L鹽酸10毫摩爾/L微量添加劑(聚乙二醇、二硫化雙(3-磺丙基)二鈉、煙魯綠)通過得到的鍍銅膜的劈開截面SEM觀察，對(duì)線寬度卯nm溝部的埋入性進(jìn)行了評(píng)價(jià)。結(jié)果匯總于表l。鍍液組成硫酸銅乙二胺四乙酸鹽0.02摩爾/L0.21摩爾/L0.03摩爾/L0.09摩爾/L20mgAL乙醛酸次膦酸2，2，-聯(lián)二他咬實(shí)施例2~6、比較例1~4除了如表1所記載的那樣改變實(shí)施例1中的合金薄膜的組成以外，與實(shí)施例1同樣地制造合金薄膜，進(jìn)行無電鍍，進(jìn)行了評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表l。本發(fā)明中表示數(shù)值范圍的"以上"和"以下"均包括本數(shù)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>有無銅的擴(kuò)散通過AES深度分布測(cè)定來判定鍍銅薄膜剝離后有無孔將鍍銅薄膜在50%硝酸中在室溫下浸漬15秒鐘后，通過FE-SEM進(jìn)行表面觀察，判定有無10nm以上的凹坑。鍍銅薄膜的電阻率根據(jù)采用四端針法的薄膜電阻測(cè)定、以及由截面TEM觀察進(jìn)行的膜厚測(cè)定的結(jié)果來算出鍍銅薄膜的膜厚通過截面TEM觀察來判定線寬度90nm溝部埋入性通過截面TEM觀察來判定有無孔、縫，O:沒有孔、縫；x:有孔、縫權(quán)利要求1、一種鍍敷物，是在基材上形成了具有無電鍍的催化活性的金屬(A)與能夠與無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，并在該合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成了金屬薄膜的鍍敷物，其特征在于，該具有催化活性的金屬(A)與該能夠置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，其組成為具有催化活性的金屬(A)為5原子％～40原子％；該通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜，是厚度為10nm以下、電阻率為10μΩ·cm以下的金屬薄膜。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的鍍敷物，其特征在于，通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的厚度為10nm以下、電阻率為5nft.cm以下。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鍍敷物，其特征在于，還在所述金屬薄膜上通過鍍敷而形成了配線部。4、根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的鍍敷物，其特征在于，合金薄膜與通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的界面的氧濃度，采用俄歇電子光譜法進(jìn)行分析為1原子％以下。5、根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的鍍敷物，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是選自銠、釕、銥中的至少一種金屬；能夠置換鍍敷的金屬(B)是選自鐵、鎳、鈷、鵠、鈮、錫、鎂、鋁、鋅、鉛中的至少一種金屬；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是包含選自金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、錫中的至少一種金屬的薄膜；配線部是銅或以銅為主成分的合金。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍敷物，其特征在于，能夠置換鍍敷的金屬(B)，對(duì)通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的金屬具有防止擴(kuò)散的阻擋功能。7、根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的鍍敷物，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是選自銠、釕中的至少一種金屬；能夠置換鍍敷的金屬(B)是選自鵠、鈮中的至少一種金屬；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是銅薄膜或以銅為主成分的合金薄膜；配線部是銅或以銅為主成分的合金。8、根據(jù)權(quán)利要求5~7的任一項(xiàng)所述的鍍敷物，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是釕；能夠置換鍍敷的金屬(B)是鵠；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是銅薄膜；配線部是銅。9、根據(jù)權(quán)利要求1~8的任一項(xiàng)所述的鍍敷物，其特征在于，通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是大馬士革銅配線用籽晶層。10、根據(jù)權(quán)利要求1~9的任一項(xiàng)所述的鍍敷物，其特征在于，合金薄膜是通過濺射而形成的。11、一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，在構(gòu)成中包含權(quán)利要求1~10的任一項(xiàng)所述的鍍敷物。12、一種濺射靶，為了形成權(quán)利要求10所述的鍍敷物的合金薄膜而使用。13、一種鍍敷物的制造方法，是在基材上形成具有無電鍍的催化活性的金屬(A)與能夠與無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，并在該合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成金屬薄膜的鍍敷物的制造方法，其特征在于，該具有催化活性的金屬(A)與該能夠置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，其組成為具有催化活性的金屬(A)為5原子％~40原子％;該通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜，是厚度為10nm以下、電阻率為10nft'cm以下的金屬薄膜。14、根據(jù)權(quán)利要求13所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的厚度為10nm以下、電阻率為5nil.cm以下。15、根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，還在所述金屬薄膜上通過鍍敷而形成配線部。16、根據(jù)權(quán)利要求13~15的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，合金薄膜與通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的界面的氧濃度，采用俄歇電子光譜法進(jìn)行分析為1原子％以下。17、根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是選自銠、釕、銥中的至少一種金屬；能夠置換鍍敷的金屬(B)是選自鐵、鎳、鈷、鴒、鈮、錫、鎂、鋁、鋅、鉛中的至少一種金屬；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是包含選自金、銀、銅、鎳、鈷、鐵、錫中的至少一種金屬的薄膜；配線部是銅或以銅為主成分的合金。18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，能夠置換鍍敷的金屬(B)，對(duì)通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜的金屬具有防止擴(kuò)散的阻擋功能。19、根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是選自銠、釕中的至少一種金屬；能夠置換鍍敷的金屬(B)是選自鴒、鈮中的至少一種金屬；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是銅薄膜或以銅為主成分的合金薄膜；配線部是銅或以銅為主成分的合金。20、根據(jù)權(quán)利要求17~19的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，具有催化活性的金屬(A)是釕；能夠置換鍍敷的金屬(B)是鴒；在合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是銅薄膜；配線部是銅。21、根據(jù)權(quán)利要求13~20的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是大馬士革銅配線用籽晶層。22、根據(jù)權(quán)利要求13~21的任一項(xiàng)所述的鍍敷物的制造方法，其特征在于，通過濺射而形成合金薄膜。全文摘要本發(fā)明涉及一種鍍敷物以及該鍍敷物的制造方法。所述鍍敷物是能夠通過無電鍍而形成超微細(xì)配線的、具有以薄且均勻的膜厚形成的籽晶層的鍍敷物，而且，在形成籽晶層前能夠消除形成阻擋層和催化劑金屬層這二層的煩雜。本發(fā)明的鍍敷物，是在基材上形成具有無電鍍的催化活性的金屬(A)與能夠與無電鍍液中含有的金屬離子置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，并在該合金薄膜上通過無電解置換和還原鍍而形成了金屬薄膜的鍍敷物，該具有催化活性的金屬(A)與該能夠置換鍍敷的金屬(B)的合金薄膜，是使該金屬(A)為5原子％～40原子％的組成，該通過無電解置換和還原鍍而形成的金屬薄膜是厚度為10nm以下、電阻率為10μΩ·cm以下的金屬薄膜。優(yōu)選所述金屬(B)對(duì)金屬薄膜的金屬具有阻擋功能。文檔編號(hào)H01L23/52GK101578393SQ200880001378公開日2009年11月11日申請(qǐng)日期2008年7月18日優(yōu)先權(quán)日2007年7月31日發(fā)明者伊森徹,伊藤順一,關(guān)口淳之輔,日角義幸,矢部淳司申請(qǐng)人:日礦金屬株式會(huì)社