專利名稱：改進(jìn)熔結(jié)密封的玻璃封裝體的方法和裝置的制作方法
改進(jìn)熔結(jié)密封的玻璃封裝體的方法和裝置
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及適合保護(hù)薄膜器件，尤其是對周圍環(huán)境敏感的薄膜器件的氣密封的封 裝體(package)。這種器件的一些例子是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器、傳感器及其它光 學(xué)器件。本發(fā)明將通過舉例的方式結(jié)合OLED顯示器展開討論，但不限于此種顯示器。
近年來，OLED得到相當(dāng)多的研究，因?yàn)樗鼈冊谠S多電致發(fā)光器件中具有現(xiàn)實(shí)和潛 在應(yīng)用。例如，單個(gè)OLED可用于孤立的發(fā)光器件，而OLED陣列可用于照明應(yīng)用或平板顯示 器應(yīng)用(例如0LED顯示器)。已知傳統(tǒng)OLED顯示器非常亮，具有良好的色對比，可產(chǎn)生真 色，具有寬視角。然而，傳統(tǒng)OLED顯示器，特別是位于其中的電極和有機(jī)層，容易與從周圍 環(huán)境漏入OLED顯示器的氧氣和水分相互作用，從而發(fā)生劣化。眾所周知，若OLED顯示器內(nèi) 的電極和有機(jī)層同周圍環(huán)境隔絕，則OLED顯示器的壽命可顯著延長。 遺憾的是，要開發(fā)對OLED顯示器進(jìn)行氣密封的密封工藝非常困難。給適當(dāng)密封 OLED顯示器造成困難的一些因素包括 (i)氣密封應(yīng)當(dāng)隔斷氧氣(10—3CC/m2/天)和水(10—6g/m7天)； (ii)氣密封的尺寸應(yīng)當(dāng)盡可能小(例如< 2mm)，避免對OLED顯示器的尺寸造成
不利影響； (iii)在密封過程中產(chǎn)生的溫度不應(yīng)損壞OLED顯示器內(nèi)的材料(例如電極和有機(jī) 層)(例如，在密封過程中，距OLED顯示器內(nèi)密封處約l-2mm的OLED第一像素不應(yīng)受熱至 超過IO(TC ); (iv)密封過程中釋放的氣體不應(yīng)污染OLED顯示器內(nèi)的材料；以及 (v)氣密封不應(yīng)當(dāng)造成電連接(例如薄膜鉻)無法進(jìn)入OLED顯示器。 在上述挑戰(zhàn)中，最大的困難之一是針對有機(jī)分子與氧氣和水分之間的強(qiáng)反應(yīng)性而
進(jìn)行的氣密封。 密封OLED顯示器的常規(guī)技術(shù)之一是使用不同類型的環(huán)氧化物、無機(jī)材料和/或有 機(jī)材料，它們經(jīng)紫外光固化后形成密封。維特克斯系統(tǒng)公司(VitexSystems)生產(chǎn)并銷售一 款商標(biāo)為Batrix 的涂料，它提供了一種基于復(fù)合物的技術(shù)，即利用無機(jī)材料和有機(jī)材料 的交替層密封OLED顯示器。雖然這些類型的密封通常具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，但它們很貴， 而且在許多情況下，它們不能防止氧氣和水分?jǐn)U散到OLED顯示器中。密封OLED顯示器的另 一種常規(guī)技術(shù)是采用金屬焊接或軟焊；然而，所得密封無法經(jīng)受寬溫度范圍，因?yàn)镺LED顯 示器中玻璃板與金屬之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)差異較大。 已轉(zhuǎn)讓給康寧股份有限公司(Corning Incorporated)的美國專利第6998776號 披露了密封玻璃封裝體(如OLED顯示器)的另一種技術(shù)，該專利的整體內(nèi)容通過參考并入 本文。此技術(shù)涉及激光熔結(jié)密封技術(shù)，它相比于常規(guī)環(huán)氧化物密封方法具有許多優(yōu)點(diǎn)，如氣 密性高得多，在固定基材尺寸上具有高顯示密度，可用于頂端發(fā)射器件。然而，該技術(shù)要利 用大功率激光熔化玻璃料，這可能帶來一個(gè)或多個(gè)不利結(jié)果。實(shí)際上，加熱過程帶來的熱循 環(huán)可能在OLED器件內(nèi)造成熱破壞。 在激光熔結(jié)密封技術(shù)中，玻璃料可結(jié)合到許多器件材料上，如陰極金屬引線、氧化
4銦錫(IT0)和其它保護(hù)性材料。器件邊上的每種材料具有不同的熱性質(zhì)(例如CTE、熱容和 熱導(dǎo)率)。在完成激光密封過程之后，器件邊上的不同熱性質(zhì)可能導(dǎo)致玻璃料與器件周邊 之間的結(jié)合強(qiáng)度發(fā)生顯著變化。此外，激光熔結(jié)密封之后，陰極金屬引線可能脫層。由于陰 極通常由兩種或三種不同金屬元素的多層組成，每層可能具有不同的CTE，所以激光熔結(jié)密 封中采用的較快加熱和冷卻工藝有時(shí)可能損害金屬陰極，如"閃耀"效應(yīng)(winkle effect)。 金屬引線的高熱導(dǎo)率也是降低結(jié)合強(qiáng)度的一個(gè)可能誘因，這是因?yàn)橛么蠊β始す饧訜岵Ａ?料的過程中熱分散較快。 因此，本領(lǐng)域需要克服與玻璃封裝體如0LED顯示器的公知密封技術(shù)相關(guān)的前述
問題及其它缺陷。 發(fā)明概述 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，提供了用于氣密封的封裝體的方法和設(shè)備， 所述氣密性封裝體包括包含內(nèi)表面和外表面的第一板；包含內(nèi)表面和外表面的第二板； 設(shè)置于第二板內(nèi)表面上的玻璃料；以及直接或間接設(shè)置在以下兩個(gè)內(nèi)表面中至少一個(gè)內(nèi)表 面上的至少一個(gè)介電層(i)至少與玻璃料相對的第一板內(nèi)表面，(ii)至少直接或間接位 于玻璃料上的第二板內(nèi)表面。玻璃料受熱后形成抵靠介電層的氣密封。
封裝體還可包括位于第一玻璃板內(nèi)表面上的一個(gè)或多個(gè)電子組件。
介電層可包含氮化硅?；蛘?，介電層可包含位于氮化硅上的氧化硅層。介電層可 具有以下厚度之一 約10-600nm之間；約100-500nm之間；以及約10-50nm之間。氧化硅 層的厚度可為約10nm，氮化硅層的厚度可為約400nm。 第一和第二板中的至少一個(gè)由金屬、合金、陶瓷、玻璃、石英和/或聚合物形成。本 領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，封裝體(特別是玻璃封裝體)可用于液晶顯示器(LCD)、熒光 屏、太陽能電池以及其它任何需要在環(huán)境不友好的氣氛中運(yùn)行和/或需要防備腐蝕、意外 損傷、刮擦等的電子器件。 結(jié)合附圖閱讀下面對本發(fā)明的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不難明白本發(fā)明的其它方
面、特征、優(yōu)點(diǎn)等。 附圖簡要說明 為了闡明本發(fā)明的各個(gè)方面，圖中示出了可采用的簡化形式，其中相同的標(biāo)記表 示相同的部分，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于恰好在圖中示出的設(shè)置和方式，而是僅受公告的權(quán) 利要求限制。附圖可能不是按比例繪制，附圖所示的各個(gè)方面可能在不同附圖中不是按相 同比例繪制。為了幫助相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)和利用本發(fā)明的主題內(nèi)容，給出以下 附圖作為參考，其中

圖1A是將要根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，用玻璃料密封的封裝體的部分剖開 的截面圖； 圖1B是圖1所示封裝體在密封后的截面圖；
圖2是圖1B所示封裝體的俯視圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，對圖1B所示封裝體和/或本文所披露的其 它實(shí)施方式進(jìn)行密封的方法流程圖； 圖4是將要根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)其它方面，用玻璃料密封的封裝體的部分剖 開的截面5
圖5是根據(jù)本發(fā)明的其它方面的介電層和引線的截面圖。
發(fā)明詳述 本發(fā)明的不同實(shí)施方式總體上涉及氣密封的封裝體。雖然該封裝體可由例如金 屬、合金、陶瓷、玻璃、石英和/或聚合物中的至少一種形成，但是下面將借助用于密封OLED 顯示器的玻璃封裝體討論本發(fā)明。 參見圖l-3，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，它們披露了玻璃封裝體IOO及其制造 方法。玻璃封裝體100可以是氣密封的OLED顯示器100。圖1A是玻璃封裝體(或OLED顯 示器)100的部分剖開的截面圖，圖1B是密封的玻璃封裝體100的截面圖，圖2是其俯視圖。
OLED顯示器100是包含第一基板102和第二基板104的多層結(jié)構(gòu)，它們當(dāng)中的一 個(gè)或兩個(gè)可以是玻璃板(圖3中步驟202)。同樣，在其它實(shí)施方式中，基板102、 104中的 一個(gè)或多個(gè)可由金屬、合金、陶瓷、石英和/或聚合物形成。第一和第二基板102、104可以 是透明玻璃板，如康寧股份有限公司以商標(biāo)Codel737玻璃或Eagle 2000 玻璃制造和銷 售的玻璃，或者其它公司如旭硝子玻璃公司(Asahi Glass Co.)(例如0A10玻璃和0A21玻 璃)、日本電氣玻璃公司(Nippon Electric Glass Co. ) 、NHTechno和三星康寧精密玻璃公 司(Samsung Corning Precision Glass Co.)銷售的玻璃。 第一和第二基板102、 104分別包含內(nèi)表面和外表面102A、 102B。要?dú)饷芊庠诎?02 與104之間的至少一個(gè)器件103 (例如電子器件，如OLED陣列)設(shè)置在第一基板102的內(nèi)表 面102A上(圖3中步驟204)。典型的OLED 103包括陽極(或引線)110A、一個(gè)或多個(gè)有 機(jī)層和陰極(或引線)110B;然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不難明白，任何已知的0LED 103或此 后開發(fā)的OLED均可用于玻璃封裝體100中。同樣，任何其它器件也可用于玻璃封裝體100， 只要不背離本發(fā)明的精神和范圍。 玻璃料106設(shè)置在第二基板104的內(nèi)表面104A上(圖3中步驟206)。玻璃料106 可有利地沿第二基板104邊緣沉積，例如距離板104的自由邊緣約lmm。玻璃料的分配寬 度約為0. 3-3mm(優(yōu)選0. 7-1. 0mm)，高度約為10-20 y m(優(yōu)選14-16 y m)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí) 施方式中，玻璃料106可以是低溫玻璃料，它包含一種或多種選自鐵、銅、釩和釹的吸收離 子。所述離子選來吸收特定波長(或其范圍)的能量(例如光能或其它輻射能)，從而利 用此波長的能源加熱玻璃料106。玻璃料106中也可摻雜填料[例如轉(zhuǎn)化填料(inversion filler)、添加劑填料等]，減小玻璃料106的熱膨脹系數(shù)，以便與兩塊基板102和104的熱 膨脹系數(shù)匹配或基本匹配。幾種示例性玻璃料106的組合物可參見美國專利第6998776號。
任選地，玻璃料106可預(yù)燒結(jié)到第二基板104上。為此，將玻璃料106沉積到第二 基板104上(步驟206)，然后加熱，使其附著到第二基板104上。有關(guān)預(yù)燒結(jié)任選步驟的更 詳細(xì)討論可參見美國專利第6998776號。 接下來，將介電層108直接或間接設(shè)置到第一基板102的內(nèi)表面102A上，至少與 玻璃料106相對(圖3中步驟208)。介電層108用作鈍化層，保護(hù)封裝體100中的組件，例 如0LED器件，使之免受機(jī)械和化學(xué)破壞以及其它潛在損害。如圖所示，介電層108設(shè)置在 引線110上。參見圖5，介電層108可包含單層材料如氮化硅，也可以是多層結(jié)構(gòu)，如位于起 始層108A(例如氮化硅)上的氧化硅層108B。 介電層108可以許多方式沉積。例如，可將介電層108僅沉積在密封邊界上，與玻 璃料106相對(如圖所示)，這樣介電層108不會覆蓋一個(gè)或多個(gè)器件103。或者，也可將介電層108沉積在玻璃料邊界以內(nèi)，這樣介電層108至少部分覆蓋一個(gè)或多個(gè)器件103。在 0LED器件103的情況中，當(dāng)介電層108至少部分覆蓋陽極和陰極110中的至少一個(gè)時(shí)，可獲 得額外的益處，如圖所示。 介電層108可用任何薄膜沉積技術(shù)沉積，如濺射、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相 沉積(CVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。介電層108的厚度可在約10-600nm 之間。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)約10-50nm的厚度可產(chǎn)生更好的密封效果。根 據(jù)其它實(shí)施方式，介電層108的厚度可在約100-500nm之間。例如，當(dāng)介電層108是多層 結(jié)構(gòu)時(shí)，氧化硅層108B的厚度約為10-100nm，氮化硅層108A的厚度約為200-500nm，優(yōu)選 400nm。涂布均勻的介電層108可在一定程度上抵消玻璃料106中的高度波動，從而提高氣 密封效果。 介電層108的壓縮強(qiáng)度可能是封裝體100的重要特性，特別是當(dāng)介電層108由陶 瓷材料(如前述SiNx/SiO)形成時(shí)。舉例而言，介電層的壓縮應(yīng)力可為約0.01-700MPa，約 200-500MPa，或優(yōu)選約400-500MPa。用于形成介電層108的一種或多種材料如陶瓷可吸收 大量壓縮應(yīng)力，但未必吸收拉伸應(yīng)力。因此，當(dāng)基板102、104受熱時(shí)(在密封過程中)，由 于基板102、 104的CTE高于玻璃料106和/或介電層108，導(dǎo)致拉伸應(yīng)力產(chǎn)生，這樣的任何 拉伸應(yīng)力可由介電層108的內(nèi)在壓縮應(yīng)力抵消，因?yàn)樵搩?nèi)在壓縮應(yīng)力抑制了玻璃料106和 /或基板102、104膨脹所產(chǎn)生的拉伸應(yīng)力的負(fù)面影響。 雖然上面對沉積多層介電層108 (例如氮化硅加氧化硅)的討論似乎暗示了不連 續(xù)層108A、108B，但在其它實(shí)施方式中，可構(gòu)想在氮化硅到氧化硅的界面中存在一個(gè)梯度 (即逐漸過渡)。該梯度可陡也可緩，取決于需求狀況。該梯度可通過例如在沉積過程中將 涂布?xì)夥諒腘H3 (氮源)逐漸變到02來獲得。 在步驟210中，通過從玻璃料到介電層的界面，將第一和第二基板102、 104連接起 來。在步驟212中，玻璃料106用輻射源(例如激光、紅外燈等)加熱，使玻璃料106形成氣 密封。所述密封將第一基板102連接并結(jié)合到第二基板104上。氣密封保護(hù)OLED 103 (和 /或其它器件)，防止環(huán)境中的氧氣和水分進(jìn)入封裝體100。 由于存在介電層108，從熔融玻璃料106傳入器件103如金屬電極110的熱較少。 因此，熱損害預(yù)計(jì)顯著減少。 介電層108應(yīng)具有非常高的熔點(diǎn)，因?yàn)樗诓ＡЯ厦芊膺^程中應(yīng)具有熱穩(wěn)定性。 如上所討論的，介電層108可由氮化硅(SiNx)以非常薄的膜的形式形成，其中x可為約 0. 1-3。與在其上設(shè)置OLED器件103的玻璃(特別是Eagle 2000 )相比，氮化硅的性質(zhì)包 括低密度、高溫強(qiáng)度、優(yōu)越的抗熱沖擊性、優(yōu)異的耐磨損性、良好的斷裂韌性、較高的抗機(jī)械 疲勞性和抗蠕變性、優(yōu)異的抗氧化性和耐蝕性以及高熱導(dǎo)率。介電層108(例如陶瓷)相對 于玻璃料106和基板102、 104 (例如玻璃)的高熱導(dǎo)率有助于密封過程，因?yàn)椴ＡЯ?06中 產(chǎn)生的熱不會集中在局部區(qū)域；相反，熱借助于較高的熱導(dǎo)率分散到其它區(qū)域。集中出現(xiàn)在 低熱導(dǎo)率材料中的熱(未得到良好分散)可能導(dǎo)致引線110和/或其它重要組件熔化或受 到其它損害。采用氮化硅作為介電層108的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是削平玻璃料106與基板102U04 之間的CTE差異。SiNx的CTE在約3X 10—7°C -4X 10—6/°C的范圍內(nèi)。這縮小了玻璃料106 與基板102U04如玻璃之間的顯著CTE差異，避免了密封的破裂和/或脫層。
應(yīng)當(dāng)指出，基板102、 104與其它組件如玻璃料和電介質(zhì)108之間的CTE不匹配。這
7方面的考慮隨著用于基板102、104的具體材料如金屬、合金、玻璃、陶瓷、石英和/或聚合物 的使用而復(fù)雜化。 器件側(cè)的介電材料層可提供非常均勻的熱性質(zhì)，這與激光密封過程中的玻璃料相 反。介電層可防止OLED器件上的電引線材料在密封前發(fā)生腐蝕。由于對應(yīng)的玻璃料是 單一材料(電介質(zhì))，玻璃料與介電層之間的材料相容性可得到改進(jìn)，并且有可能得到優(yōu) 化。由于OLED器件側(cè)存在介電材料，激光密封過程的復(fù)雜性[由于定制材料(customer material)變化]大為降低。薄介電層可防止電引線在激光密封過程中受到熱損害。
在用來通過加熱玻璃料密封玻璃封裝體的波長上，當(dāng)薄介電層不吸收光(例如激 光或其它輻射)時(shí)，該薄介電層還具有另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。在這種情況下，介電材料不干擾玻璃料 的熔化，因?yàn)樗鼪]有減弱激光能向玻璃料的有效轉(zhuǎn)移。舉例而言，一些玻璃料可利用激光在 約810nm的波長上加熱。因此，當(dāng)介電材料在810nm處不吸收光能時(shí)，即可獲得所述優(yōu)點(diǎn)。
由于薄層在玻璃料與器件之間提供了緩沖，一些玻璃料厚度波動可得到抵消。低 介電材料的沉積容易在OLED制造過程的最后實(shí)施，因?yàn)椴恍枰硗獾谋∧こ练e系統(tǒng)。
現(xiàn)在參見圖4，該圖是顯示玻璃封裝體100A的可選特征的側(cè)視圖，此處玻璃封裝 體同樣可以是氣密封的OLED顯示器。由于與圖1-3中相同的標(biāo)記表示相同的部分，所以下 面不重復(fù)敘述已經(jīng)討論過的部分。封裝體100A可包括直接和/或間接設(shè)置在第二基板104 內(nèi)表面上的介電層108A。介電層108A可僅沉積在密封邊界上，覆蓋玻璃料106，僅直接覆蓋 第二基板的一部分(或不直接覆蓋其任何部分)?；蛘撸殡妼?08A可沉積(如圖所示) 在玻璃料106上，也可直接(或間接)沉積在第二基板104的內(nèi)表面上。
上述特征產(chǎn)生了其它的替代設(shè)計(jì)形式。具體而言，介電層108和108A可組合使用， 或者層108、108A可單獨(dú)使用。
實(shí)施例 利用上述技術(shù)制備了一些結(jié)構(gòu)。例如，這樣一種結(jié)構(gòu)包括位于OLED陣列上的 400nm SiNx介電層，其上還有10nm SiO,外敷層。沉積介電層，使得它在40(TC退火后具有 493MPa的殘余壓縮應(yīng)力。在OLED陣列的一半底板結(jié)構(gòu)(backplane architecture)(包括 所有電引線)上涂布介電層(SiNx+SiOx)。隨后，將所得結(jié)構(gòu)放到85/85濕度箱(humidity chamber)中。在此環(huán)境中暴露約73小時(shí)后，對該結(jié)構(gòu)所作檢測顯示了以下組合優(yōu)點(diǎn)(i) 電介質(zhì)防止了對底板結(jié)構(gòu)的腐蝕，而且不吸收用于加熱玻璃料的光能。具體而言，無介電層 的區(qū)域發(fā)生強(qiáng)烈腐蝕，而另一半涂布了電介質(zhì)的區(qū)域不受影響，沒有任何腐蝕跡象。對波長 為810nm的激光能向玻璃料的傳輸過程進(jìn)行監(jiān)控，結(jié)果表明，介電層的吸收非常少。
雖然上面結(jié)合氣密封的OLED顯示器100描述了本發(fā)明各種實(shí)施方式中的密封方 法和設(shè)備，但應(yīng)當(dāng)理解，在其它需要將兩塊玻璃板密封到一起的應(yīng)用中，可使用相同或類似 的密封方法。因此，不應(yīng)以限制性思維理解本發(fā)明。 雖然本文參考特定實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，這些實(shí)施方式僅僅是為 了說明本發(fā)明的原理和應(yīng)用。因此，應(yīng)當(dāng)理解，可對示例性實(shí)施方式作出許多改進(jìn)，可設(shè)計(jì) 其它設(shè)置形式，只要不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。
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權(quán)利要求
一種氣密封的封裝體，其包括包含內(nèi)表面和外表面的第一板；包含內(nèi)表面和外表面的第二板；設(shè)置于第二板內(nèi)表面上的玻璃料；以及直接或間接設(shè)置在以下兩個(gè)內(nèi)表面中至少一個(gè)內(nèi)表面上的至少一個(gè)介電層(i)至少與玻璃料相對的第一板內(nèi)表面，以及(ii)至少直接或間接位于玻璃料上的第二板內(nèi)表面，其中玻璃料受熱后形成抵靠介電層的氣密封。
2. 如權(quán)利要求1所述的封裝體，其特征在于，所述第一和第二板中的至少一個(gè)由選自 金屬、合金、陶瓷、玻璃、石英和聚合物的材料形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的封裝體，其特征在于，所述介電層包含氮化硅。
4. 如權(quán)利要求3所述的封裝體，其特征在于，所述介電層具有以下厚度之一 約 10-600nm之間，約100_500nm之間，約200_500nm之間，約10_50nm之間，約400nm。
5. 如權(quán)利要求3所述的封裝體，其特征在于，所述介電層包括位于氮化硅上的氧化硅層。
6. 如權(quán)利要求5所述的封裝體，其還包括從氮化硅層到氧化硅層的梯度。
7. 如權(quán)利要求5所述的封裝體，其特征在于 氧化硅層的厚度約為10-100nm;以及氮化硅層的厚度為以下之一 約10-500nm之間，約100-500nm之間，約200-500nm之 間，約10-50nm之間，約400nm。
8. 如權(quán)利要求l所述的封裝體，其特征在于，所述介電層的壓縮應(yīng)力為以下之一 約 0. 01-700MPa，約200-500MPa，約400-500MPa，約500MPa。
9. 如權(quán)利要求1所述的封裝體，其還包括設(shè)置在第一板內(nèi)表面上的一個(gè)或多個(gè)電子組件。
10. 如權(quán)利要求9所述的封裝體，其具有以下特征之一 所述至少一個(gè)介電層不覆蓋所述一個(gè)或多個(gè)電子組件；以及所述至少一個(gè)介電層覆蓋所述一個(gè)或多個(gè)電子組件，從而減少對電子組件的腐蝕。
11. 如權(quán)利要求9所述的封裝體，其特征在于，所述一個(gè)或多個(gè)電子組件包括一個(gè)或多 個(gè)有機(jī)發(fā)光器件(OLED)。
12. 如權(quán)利要求ll所述的封裝體，其特征在于 所述一個(gè)或多個(gè)OLED包括陽極和陰極；以及所述至少一個(gè)介電層至少部分地覆蓋陽極和陰極中的至少一個(gè)，從而減小對電極的腐 蝕和損害中的至少一種影響。
13. 如權(quán)利要求1所述的封裝體，其具有以下特征中的至少一個(gè) 所述介電層覆蓋玻璃料并且直接覆蓋第二板內(nèi)表面的至少一部分； 所述介電層覆蓋玻璃料并且直接覆蓋第二板的幾乎全部內(nèi)表面； 所述介電層覆蓋玻璃料并且不覆蓋第二板內(nèi)表面的顯著部分。
14. 如權(quán)利要求1所述的封裝體，其具有以下特征之一 所述至少一個(gè)介電層直接或間接設(shè)置在第一板和第二板兩者的內(nèi)表面上；以及 所述至少一個(gè)介電層直接或間接設(shè)置在第一板和第二板之一的內(nèi)表面上。
15. —種方法，其包括提供第一板和第二板，各板分別包含內(nèi)表面和外表面； 將玻璃料設(shè)置在第二板內(nèi)表面上；將至少一個(gè)介電層直接或間接設(shè)置在以下內(nèi)表面中的至少一個(gè)內(nèi)表面上(i)至少與 玻璃料相對的第一板內(nèi)表面，以及(ii)至少直接或間接位于玻璃料上的第二板內(nèi)表面； 使玻璃料與介電層接觸；以及加熱玻璃料，使之至少部分熔化，形成抵靠介電層的氣密封，從而形成氣密封的封裝體。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其還包括在玻璃料接觸介電層之前燒結(jié)玻璃料。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，將介電層設(shè)置在第一板內(nèi)表面上的步驟 包括沉積第一層氮化硅并在氮化硅上沉積第二層氧化硅。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其還包括從氮化硅層到氧化硅層形成梯度。
19. 如權(quán)利要求15所述的方法，其還包括在設(shè)置介電層之前，在第一板內(nèi)表面上設(shè)置 一個(gè)或多個(gè)電子組件。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，設(shè)置介電層的步驟包括沉積介電層，使 得(i)所述介電層不覆蓋所述一個(gè)或多個(gè)電子組件；或者(ii)所述介電層覆蓋所述一個(gè) 或多個(gè)電子組件，從而至少在加熱步驟中減少對電子組件的腐蝕。
21. 如權(quán)利要求19所述的封裝體，其特征在于所述一個(gè)或多個(gè)電子組件包括一個(gè)或多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件(0LED)，各器件包括陽極和陰 極；以及設(shè)置介電層的步驟包括在陽極和陰極中的至少一個(gè)上至少部分地沉積介電層，從而減 小對電極的腐蝕和損害中的至少一種影響。
22. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，設(shè)置介電層的步驟包括濺射、物理氣相沉 積(PVD)、化學(xué)氣相沉積和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)中的至少一種。
23. —種有機(jī)發(fā)光器件(0LED)，其包括 第一和第二玻璃板，各玻璃板分別包含內(nèi)表面和外表面； 設(shè)置在第一玻璃板內(nèi)表面上的一個(gè)或多個(gè)0LED ; 設(shè)置在第二玻璃板內(nèi)表面上的玻璃料；以及直接或間接設(shè)置在以下兩個(gè)內(nèi)表面中至少一個(gè)內(nèi)表面上的至少一個(gè)介電層(i)至少 與玻璃料相對的第一玻璃板內(nèi)表面，以及(ii)至少直接或間接位于玻璃料上的第二玻璃 板內(nèi)表面，其中玻璃料受熱后形成抵靠介電層的氣密封。
24. 如權(quán)利要求23所述的OLED，其特征在于 所述一個(gè)或多個(gè)0LED包括陽極和陰極；以及 所述介電層至少部分地覆蓋陽極和陰極中的至少一個(gè)。
全文摘要
一種氣密封的封裝體，它包括包含內(nèi)表面和外表面的第一板(102)；包含內(nèi)表面和外表面的第二板(104)；設(shè)置于第二板內(nèi)表面上的玻璃料(106)；以及直接或間接設(shè)置在以下兩個(gè)內(nèi)表面中至少一個(gè)內(nèi)表面上的至少一個(gè)介電層(108)(i)至少與玻璃料相對的第一板內(nèi)表面，(ii)至少直接或間接位于玻璃料上的第二板內(nèi)表面，其中玻璃料受熱后形成抵靠介電層的氣密封。
文檔編號H01L51/52GK101711438SQ200880010064
公開日2010年5月19日 申請日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月23日
發(fā)明者D·K·查特濟(jì), K·恩古耶 申請人:康寧股份有限公司