專利名稱：在面對(duì)晶片的電極上感應(yīng)直流電壓的方法和裝置的制作方法
在面對(duì)晶片的電極上感應(yīng)直流電壓的方法和裝置
背景技術(shù)：
等離子體處理的進(jìn)步促進(jìn)了半導(dǎo)體工業(yè)的增長(zhǎng)。等離子
體處理可涉及不同的等離子體產(chǎn)生4支術(shù)，例如，電感耦合等離子體 處理系統(tǒng)、電容耦合等離子體處理系統(tǒng)、樣l波產(chǎn)生等離子體處理系 統(tǒng)等。在涉及材料的刻蝕和/或沉積以制造半導(dǎo)體器件的處理中，制 造商經(jīng)常使用電容耦合等離子體處理系統(tǒng)?，F(xiàn)在制造的具有新的改進(jìn)材料、非均質(zhì)材一牛(dissimilar materials)的復(fù)雜堆棧、更薄的層、更小的特征和更緊密的容差的 下一代半導(dǎo)體器件要求等離子體處理系統(tǒng)具有對(duì)等離子體工藝參 數(shù)的更精確的控制和更寬的操作窗口。因此，基片的等離子體處理 的重要因素要求電容耦合等離子體處理系統(tǒng)具有控制多個(gè)與等離 子體相關(guān)的工藝參數(shù)的能力。控制與等離子體相關(guān)的工藝參數(shù)的現(xiàn) 有技術(shù)方法可包括外部射頻(RF)產(chǎn)生器或外部直流電源。為便于討-i侖，

圖1顯示了具有耦合于上電才及104的外部射 頻產(chǎn)生器124的現(xiàn)有l(wèi)支術(shù)等離子體處理系統(tǒng)100。等離子體處理系統(tǒng) IOO可以是單頻、雙頻(DFC)或三頻射頻電容》文電系統(tǒng)(discharge system )。在一個(gè)實(shí)施例中，射頻可包括 f旦不限于2、 27和60MHz。 等離子體處理系統(tǒng)100可以配置為包括，;故置于下電才及106上方的基 片108。考慮這種情況，例如，其中正在對(duì)基片108進(jìn)行處理。在 等離子體處理過程中，有接地通路的射頻產(chǎn)生器120可以通過射頻匹配118向下電極106供應(yīng)低射頻偏置功率。在一個(gè)實(shí)施例中，射頻 匹配118可一皮用來最大化向該等離子系統(tǒng)的功率輸送。來自射頻產(chǎn) 生器120的能量趨向于與氣體相互作用以在上電極104和下電極106 之間引燃(ignite)等離子體(沒有顯示該氣體和該等離子體以簡(jiǎn)化 視圖)。該等離子體可被用于在基片108上刻蝕和/或沉積材料以創(chuàng)建 電子器件。在圖1的實(shí)施例中，通過下絕緣體116將下電才及106與4妄地 的底部延伸114電性隔離。通過上部絕緣體112將上電極104與接地 的上外部電才及110電性隔離?？紤]這種情況，例如，其中制造商在等離子體處理過程 中想要調(diào)整上電極104的電壓以對(duì)等離子體工藝參數(shù)提供額外的控 制。可以通過具有接地通^各的射頻匹配122由外部產(chǎn)生器124調(diào)整上 電才及104的電壓。在圖l的實(shí)施例中，外部產(chǎn)生器124可以是高射頻 功率產(chǎn)生器。另夕卜，圖2顯示了具有連接到上電極104的外部直流電源 224的現(xiàn)有技術(shù)等離子體處理系統(tǒng)200的簡(jiǎn)圖。圖2的等離子體處理 系統(tǒng)200類似于圖1的上述多頻率電容耦合等離子體處理系統(tǒng)IOO。在圖2的實(shí)施例中，通過具有接地通路的射頻濾波器222 將外部直流電源224耦合于上電極104。射頻濾波器222通常用于對(duì) 不想要的諧波射頻能量提供衰減而不對(duì)直流電源224帶來損耗。不 想要的諧波射頻能量是在等離子放電中產(chǎn)生的，而且由射頻濾波器 222阻止其返回該直流電源?？紤]這種情況，例如，其中，制造商在等離子體處理過 程中想要調(diào)整上電極104的直流電勢(shì)以提供對(duì)等離子體工藝參數(shù)的附加控制。在圖2的實(shí)施例中，可以-使用外部直流電源224調(diào)整上電 才及104的直;危電勢(shì)。不幸的是，上述等離子體處理系統(tǒng)要求使用外部射頻電 源以改變上電4及的電壓或使用外部直流電源以改變上電4及的直流 電勢(shì)以獲得對(duì)與等離子體相關(guān)的參數(shù)的額外控制。外部電源的要求 實(shí)現(xiàn)起來是非常昂貴的，而且給器件制造商增加了不應(yīng)有的經(jīng)營(yíng)成 本。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種處理基片的方法。
該方法包括在配置有第 一 電極和第二電才及的等離子體處理室中支
撐該基片。該方法還包括將無源射頻(RF )電路耦合于該第二電才及， 該無源射頻電鴻4皮配置為調(diào)整該第二電4及的射頻阻抗、射頻電壓電 勢(shì)和直流偏置電勢(shì)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)。上述發(fā)明內(nèi)容<又<又涉及此處揭露的本發(fā)明的許多實(shí)施方 式中的一個(gè)，并不意在限制本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范圍在權(quán)利要 求加以闡釋。下面在本發(fā)明的實(shí)施方式部分，并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā) 明的這些以及其他特征估文出更加詳細(xì)的描述。
附圖i兌明本發(fā)明是以附圖各圖中的實(shí)施例的方式進(jìn)行描繪的，而 不是通過限制的方式，其中類似的參考標(biāo)號(hào)指示類似的元件，其中圖1顯示了具有耦合于上電才及的外部射頻產(chǎn)生器的現(xiàn)有 技術(shù)等離子體處理系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖。
圖2顯示了具有連接到上電極的外部直流電源的現(xiàn)有技 術(shù)等離子體處理系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖。圖3顯示了，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，在等離子體處 理系統(tǒng)中耦合于具有接直流地(DC ground)的通路的上電極的射 頻耦合電路布置的簡(jiǎn)圖。圖4顯示了，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，射頻耦合電路 布置的筒圖。圖5顯示了，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，在兩個(gè)不同的 電容值下，射頻耦合電路布置對(duì)該等離子體處理系統(tǒng)的與等離子體 相關(guān)的參數(shù)的測(cè)量到的影響的數(shù)值的圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參考附圖中所示的 一些實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì) 描述。在下面的描述中，闡明了許多的具體細(xì)節(jié)以^是供對(duì)本發(fā)明的 徹底了解。然而，顯然，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以在 沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部的情況下實(shí)現(xiàn)。在其它實(shí)例中， 沒有對(duì)熟知的處理步-驟和/或結(jié)構(gòu)進(jìn)4于詳細(xì)描述，以免不必要;也才莫糊 本發(fā)明。下面描述了各種實(shí)施方式，包括方法和4支術(shù)。應(yīng)當(dāng)i己住， 本發(fā)明還涵蓋包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的制造品，在該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì) 存儲(chǔ)有用于執(zhí)行本發(fā)明技術(shù)實(shí)施方式的計(jì)算機(jī)可讀指令。計(jì)算機(jī)可 讀介質(zhì)可包4舌，例如，用于存^f渚計(jì)算才幾可讀代;馬的半導(dǎo)體的、^茲的、 光磁的、光學(xué)的或其它的形式的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。而且，本發(fā)明還 包含用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施方式的裝置。這樣的裝置可包括用以4丸的裝置的例子包括恰當(dāng)編程過的通用計(jì)算才幾和/或?qū)Ｓ糜?jì)算裝置，也 可包括適于執(zhí)行與本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的計(jì)算機(jī)/計(jì)算裝置和專 用的/可編禾呈的電^各的結(jié)合。依照本發(fā)明的實(shí)施方式，提供等離子體處理系統(tǒng)中的射 頻接地耦合電路以控制等離子體工藝參數(shù)的方法和裝置。該射頻4妻 地耦合電^各可以連接于具有接直流地的通^各的上電極。本發(fā)明的實(shí) 施方式使得可以用射頻接地耦合電^各調(diào)整該上電極上的射頻電壓 電勢(shì)和/或直流偏置電壓。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，可以4吏用射頻4妻地 耦合電路控制等離子體工藝參數(shù)(例如，等離子體密度、離子能量 和^f匕學(xué)物質(zhì))。該射頻才妄:l也耦合電^各是無源(passive)電^各。例^口，
可以通過產(chǎn)生可變的阻抗豐lr出來進(jìn)^亍控制。在另一個(gè)實(shí)施例中，還
可以通過產(chǎn)生可變的電阻來進(jìn)行控制。在一個(gè)實(shí)施方式中，該等離子體處理室使用導(dǎo)電耦合構(gòu) 件以提供從上電極到地的直流電流回路。在一個(gè)實(shí)施例中，等離子 體處理室可包括耦合于射頻*接地耦合電^各的上電極。射頻接地耦合 電^各連接于該上電才及，具有到地的直流電流回^各，從而〗吏得該射頻 接地耦合電路能夠控制該上電極上的射頻電壓和/或直流偏置。在另 一個(gè)實(shí)施方式中，該導(dǎo)電耦合構(gòu)件是環(huán)形的，以使得直流電流回路 到該等離子體處理室底部的地的半徑一致。在一個(gè)實(shí)施例中，等離 子體處理室可包4舌導(dǎo)電耦合構(gòu)件，其可以是配置于該下部延伸環(huán)上 方的石圭環(huán)，以使得直流電流回^各到地的半徑 一致。在另一個(gè)實(shí)施方式中，該射頻接地耦合電路布置一皮配置 為提供可變阻抗輸出以使得該上電極的射頻電壓能夠被調(diào)整。在一 個(gè)實(shí)施例中，可以使用電容器(一個(gè)或多個(gè))和/或電感器(一個(gè)或 多個(gè))產(chǎn)生可變阻抗輸出。然而，也可以4吏用包括用于產(chǎn)生可變阻
9抗的相同和/或不同元件的其它裝置。與現(xiàn)有4支術(shù)不同，無需外部射 頻能量產(chǎn)生器也可以控制射頻電壓。因此，該射頻接地耦合電路布 置，也就是無源電路，能夠通過射頻電壓控制等離子體工藝參數(shù)而 不需要^f吏用昂貴的外部電源。在一個(gè)實(shí)施方式中，該射頻接地耦合電路布置一皮配置有 可變電阻器，以使得該上電極的直流電勢(shì)能夠被調(diào)整。在一個(gè)實(shí)施 方式中，該射頻接地耦合電路布置沒有外部直流電源。在本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施方式中，通過經(jīng)由可變電阻器調(diào)整電阻^t可以4空制該上電 極的直流偏置。因此，該上電極的直流偏置變化會(huì)影響等離子體參 數(shù)。參考下面的附圖和討論，可以更好地理解本發(fā)明的特征 和4尤點(diǎn)。圖3顯示了，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，等離子體處玉里 系統(tǒng)300中，耦合于具有到直流地的通路的上電極304的射頻耦合電 ^各布置324的簡(jiǎn)圖。等離子體處理系統(tǒng)300可以是單頻、雙頻或三頻 射頻電容放電系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，射頻可包括但不限于2、 27 和60MHz。等離子體處理系統(tǒng)300可被配置為包括置于下電極306上 方的基片308?？紤]這種情況，例如，其中，正在處理基片308。在等離 子體處理過禾呈中，具有到地的通^各的射頻產(chǎn)生器322通過射頻匹配 320向下電極306供應(yīng)低射頻偏置功率。來自射頻產(chǎn)生器320的射頻 能量可以與氣體相互作用以在上電極304和下電極306之間引燃等 離子體(沒有顯示該氣體和等離子體以簡(jiǎn)化-視圖)。等離子體可4皮 用來在基片308上刻蝕和/或沉積材料以創(chuàng)建電子器件。在圖3的具體實(shí)現(xiàn)中，絕》彖體312將上電極304與接地的上 部延伸環(huán)310電性隔離。接地的上部延伸310可以是由表面覆蓋了石 英層的導(dǎo)電的鋁材料制成的。
如圖3所示，絕緣體318將下電才及306與直流4妄地的下電才及延伸環(huán)314電性隔離，該延伸環(huán)314位于該等離子體處理室的底部。在圖3的具體實(shí)現(xiàn)中，下部延伸環(huán)314可以是由表面覆蓋了石英層的導(dǎo)電的鋁材并+制成的。其它的導(dǎo)電材并+還一皮用于制造下部延伸環(huán)314。在現(xiàn)有技術(shù)中，可以通過4吏用外部電源實(shí)現(xiàn)對(duì)該上電極的射頻耦合和直流偏置。與現(xiàn)有4支術(shù)方法不同，通過l是供到地的直流電流回路以及射頻耦合電路布置實(shí)現(xiàn)射頻耦合和直流偏置。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電耦合構(gòu)件316配置于下電才及延伸環(huán)314的鋁制部分的上方以提供到地的直流電流回^各。導(dǎo)電耦合構(gòu)件316可以是由硅制成的。或者，導(dǎo)電耦合構(gòu)件316還可以是由其它導(dǎo)電材料制成的。在圖3的具體實(shí)現(xiàn)中，導(dǎo)電耦合構(gòu)件316是環(huán)形的。環(huán)形有利地在該等離子體處理室底部提供了直流電流回路到的地的半徑的一致性。然而，導(dǎo)電耦合構(gòu)件316可以成形為可以提供直流電流回路到地的一致性的適當(dāng)?shù)男螤睿鐖A盤形、輪月臺(tái)形(doughnut shape )等。在一個(gè)實(shí)施方式中，上電才及304裝備有控制到地的射頻耦合的射頻耦合電路布置324。與現(xiàn)有4支術(shù)實(shí)施例不同，射頻耦合電路布置324不需要外部電源，也就是無源電路。該射頻耦合電^各布置324可以一皮配置有改變阻抗和/或電阻的電^各，分別改變上電極304上的射頻電壓電勢(shì)和/或直流偏置電勢(shì)。圖4顯示了，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，射頻耦合電路布置400的筒圖。圖4的射頻耦合電路布置400顯示了圖3的射頻耦合電路布置324的細(xì)節(jié)。因此，圖4是參考圖3進(jìn)行討論的以幫助理解。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，例如，可以通過用于產(chǎn)生
ii可變阻抗輸出的電容器(一個(gè)或多個(gè))和/或電感器(一個(gè)或多個(gè))來實(shí)現(xiàn)可變阻抗電路。然而，還可以使用包括用于產(chǎn)生可變阻抗的
相同和/或不同元件的其它裝置。在圖4的具體實(shí)現(xiàn)中，射頻耦合電路布置400被配置有與可變電容器(C) 404串聯(lián)的電感器(L) 402,該電容器具有"t妄;也通^各以產(chǎn)生可變阻抗^IT出。在一些實(shí)施方式中，電容器404可具有(但不限于)約20pF到約4，000pF的值(當(dāng)頻率為約2MHz時(shí))。在一些實(shí)施方式中，電感器402具有(但不限于)約14nH的值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，射頻耦合電路布置400進(jìn)一步配置有連接到可變電阻器(R) 408和開關(guān)410的射頻濾波器406
以產(chǎn)生可變電阻llr出。當(dāng)開關(guān)41(H殳置在打開4立置時(shí)，該上電才及浮4妄，；殳有電;危;i:危過i亥電^各。依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，當(dāng)開關(guān)410設(shè)置在閉合位置時(shí)，該電流通^各趨向于乂人上電才及304穿過等離子體(未示)經(jīng)由導(dǎo)電耦合構(gòu)件316流向直流地的下部延伸環(huán)314?？勺冸娙萜?04和電感器402可以配置在該電流通^各中，由此4是供該電流的阻抗?？梢酝ㄟ^改變可變電容器404的值調(diào)整射頻耦合電^各布置400的阻抗。通過由該射頻耦合電^各布置400的LC部分改變阻抗，可以控制圖3的上電極304的射頻電壓電勢(shì)。與現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施例不同，射頻耦合電^各布置400不需要外部電源。而且，可變電阻器408可以配置在該電流通^各中以提供該電流的電阻。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過改變可變電阻器408的1直調(diào)整射頻耦合電^各布置400的電阻。因此，圖3的上電才及304的直流電勢(shì)可以凈皮控制，以4是供直流浮接(其中圖4中的開關(guān)410打開)和直流地(其中圖4中的開關(guān)410閉合)之間的直流電勢(shì)值分級(jí)。圖5顯示了，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，在兩個(gè)不同的電容值下，射頻耦合電^各布置對(duì)該等離子體處理系統(tǒng)的與等離子體
相關(guān)的參數(shù)的測(cè)量到的影響的數(shù)值的圖500。圖5是參考圖3和圖4進(jìn)4亍討^侖的以幫助;里解。如圖5所示，橫軸顯示了上電極DC設(shè)置(setup )。點(diǎn)畫線502顯示了頂部直流浮4妄i殳置，其中圖4的開關(guān)410開啟。點(diǎn)畫線504顯示了頂部直流3也_沒置，其中圖4的開關(guān)410閉合。在圖5中，縱軸的左手側(cè)顯示了晶片直流偏置和上電極直流電壓電勢(shì)測(cè)量值(用伏特(V)表示)。圖5顯示了4艮據(jù)該縱軸左手側(cè)的伏特值用實(shí)線表示的標(biāo)出線(plot lines) (506、 508、 510和512)。另夕卜，該縱軸的右手側(cè)顯示了用安培(A)表示的上電極直流電流測(cè)量值。圖5還顯示了根據(jù)縱軸右手側(cè)的電流值用虛線表示的標(biāo)出線(514禾口516)?？紤]這種情況，例如，其中在等離子體處理過程中，圖4的射頻耦合電路布置400中的開關(guān)410打開。圖3的上電極304是浮接的，沒有直流電流通^各。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖5的標(biāo)出線514和516的點(diǎn)518所示，當(dāng)開關(guān)410打開時(shí)，上電才及304上的直流電流的測(cè)定值大體上為O。依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，例i口，當(dāng)開關(guān)410閉合時(shí)，圖3的上電才及3044妄;也，有直流電流通^各。在圖3的具體實(shí)5見中，直流電流從上電極304經(jīng)由該等離子體到達(dá)導(dǎo)電耦合環(huán)316 (其設(shè)置于該下部伸展314的鋁制部分上方)，返回地。與現(xiàn)有技術(shù)不同，無需
.頻耦合。在等離子體處理過程中，例如，其中圖4的開關(guān)410閉合，圖4的射頻耦合電^各布置400的可變電容器404可以;波調(diào)整以改變阻抗值。同時(shí)或者替代地，圖4的可變電阻器408可以被調(diào)整以改變電阻值。在一個(gè)實(shí)施例中，可變電容器404可以被i更置為0.8納法(nF)的第一電容值或10nF的第二電容值。在0.8和10nF電容設(shè)置下測(cè)量到的上電才及直流電壓電勢(shì)值分別用標(biāo)出線506和508表示。如圖5所示，與10nF的較大電容值的曲線508相比，0.8nF的較低電容值的標(biāo)出線506顯示了直流電壓電勢(shì)上更大的變化，也就是說，斜率的更大的變4t。另外，通過改變可變電阻器408的電阻值可以調(diào)整上電極直流電壓電勢(shì)的^f直。例如，通過改變可變電阻器408的值，標(biāo)出線506的0.8nF電容設(shè)置下直流電壓電勢(shì)值可以#皮調(diào)整為沿該標(biāo)出線506的任何值。在另一個(gè)實(shí)施例中，用圖5的標(biāo)出線510和512分別4戈表0.8或10nF電容設(shè)置下的晶片直流偏置值。依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，在等離子體處理過程中，當(dāng)圖4的開關(guān)410閉合時(shí)，與10nF4交大電容值的標(biāo)出線512相比，0.8nF的較低電容值的標(biāo)出線510顯示了直
流偏置的更大的變化，也就是斜率的更大的變化。相應(yīng)地，通過改變可變電阻器408的電阻值，可以調(diào)整晶片直流偏置的^f直。例如，通過改變可變電阻器408的4直，標(biāo)出線510的0.8nF電容設(shè)置下的晶片直流偏置值可以被調(diào)整為沿標(biāo)出線510的
任何值。在另一個(gè)實(shí)施方式中，在0.8和10nF電容i殳定下的上電極直流電流值分別用圖5的標(biāo)出線514和516表示。與10nF的較大電容值的曲線516相比，0.8nF的較低電容值的標(biāo)出線514顯示了直流電流
的更大的變化，也就是斜率的更大的變化。
從上文可以看出，本發(fā)明的實(shí)施方式提供通過使用具有 到地的直流電流通^各的射頻耦合電^各，調(diào)整上電極上的該射頻阻抗 和/或該直流偏置，而控制等離子體工藝參數(shù)(例如等離子體密度、 離子能量和化學(xué)物質(zhì))的方法和裝置。該射頻耦合電路和該直流地 通路相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)。而且，不需要外部直流電源即可實(shí)現(xiàn)控制。通 過消除對(duì)外部電源的需要，可以節(jié)省成本，同時(shí)保持在電容耦合等 離子體處理室中對(duì)等離子體處理的控制。盡管本發(fā)明是根據(jù)幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式來進(jìn)行描述的，然 而，存在落入本發(fā)明的范圍的變更、置換和等同。而且，此處所4是 供的名稱、發(fā)明內(nèi)容和摘要是為了方便，而不應(yīng)當(dāng)被用于解釋此處 權(quán)利要求的范圍。還應(yīng)當(dāng)注意，有許多實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置的 替代方式。盡管此處沖是供了各種實(shí)施例，這些實(shí)施例意在是對(duì)本發(fā) 明的i兌明而非限制。而且，在此申請(qǐng)中， 一組"n"個(gè)項(xiàng)目指的是 該組中的O個(gè)或O個(gè)以上的項(xiàng)目。因而，所附斥又利要求的范圍意在一皮 解讀為包括所有這些落入本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍的變更、置換和 等同。
權(quán)利要求
1.一種用于在等離子體處理室中處理基片的方法，包含在配置有第一電極和第二電極的所述等離子體處理室中支撐所述基片；配置至少一個(gè)電源以在所述第一電極和所述第二電極之間引燃等離子體；以及將無源射頻(RF)電路耦合于所述第二電極，所述無源射頻電路被配置為調(diào)整所述第二電極的射頻阻抗、射頻電壓電勢(shì)和直流偏置電勢(shì)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含直流地。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述直流地包括導(dǎo)電耦合構(gòu) 件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述導(dǎo)電耦合構(gòu)件是由硅制
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述導(dǎo)電耦合構(gòu)件是環(huán)形 的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述無源射頻電路包括電容 器和電感器中的至少一個(gè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述電容器是可變電容器。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述電感器是可變電感器。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述射頻耦合電路包括射頻 濾波器布置、電阻器和開關(guān)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述電阻器是可變電阻器。
11. 一種等離子體處理系統(tǒng)，包含第一電才及； 第二電才及；至少一個(gè)電源，所述至少一個(gè)電源^皮配置為在所述第一 電極和所述第二電極之間引燃等離子體；耦合于所述第二電極的無源射頻(RF)電路，所述無源 射頻電路一皮配置為調(diào)整所述第二電極的射頻阻抗、射頻電壓電 勢(shì)和直流偏置電勢(shì)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包含直流 地。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述直流地 包括導(dǎo)電耦合構(gòu)件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電耦 合構(gòu)件是由硅制成的。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電耦 合構(gòu)件是環(huán)形的。
16. 才艮據(jù)4又利要求11所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述無源射 頻電^各包4舌電容器和電感器中的至少一個(gè)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述電容器 是可變電容器。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述電感器 是可變電感器。
19. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述射頻耦 合電3各包括射頻濾波器布置、電阻器和開關(guān)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述電阻器 是可變電阻器。
全文摘要
揭露一種處理基片的方法。該方法包括在配置有第一電極和第二電極的等離子體處理室中支撐該基片。該方法還包括將無源射頻(RF)電路耦合于該第二電極，該無源射頻電路被配置為調(diào)整該第二電極的射頻阻抗、射頻電壓電勢(shì)和直流偏置電勢(shì)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101652839SQ200880010799
公開日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者埃里克·赫德森, 安德烈亞斯·菲舍爾, 拉金德爾·德辛德薩, 阿列克謝·馬拉赫塔諾夫 申請(qǐng)人:朗姆研究公司