專利名稱:半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及例如作為移動電話的光源被使用的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。 此外,本發(fā)明涉及這樣的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法。
背景技術(shù):
圖5表示以往的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的一例(例如參照專利文獻1)。 該圖所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置X構(gòu)成為在形成有一對電極92A、 92B的 基板91上接合有LED芯片93。 LED芯片93和接合引線94被樹脂封 裝95覆蓋。電極92A包括芯片接合墊92Aa。 LED芯片93通過銀漿 96與芯片接合墊92Aa芯片接合(die bonding)。電極92B包括用于將 接合引線94接合的接合墊92Ba。
近年來,例如移動電話重點向小型化或薄型化發(fā)展。因此,對于 作為移動電話的構(gòu)成部件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置,薄型化的要求也很高。 作為在半導(dǎo)體發(fā)光裝置X實現(xiàn)薄型化的一個方法,考慮使LED芯片 93變薄。但是,當要將薄的LED芯片93芯片接合在芯片接合墊92Aa 上時,擔心銀漿96上溢到LED芯片93的上表面。如果這樣,則存在 電極92A與接合引線94短路的問題。
專利文獻1:日本特開2001-196641號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的。本發(fā)明的目的在于提供適于實 現(xiàn)薄型化的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
本發(fā)明提供的半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括基板;形成在上述基板的電 極;和在上述電極所包括的芯片接合墊上通過導(dǎo)電性漿料芯片接合的 半導(dǎo)體發(fā)光元件。上述芯片接合墊在上述基板的厚度方向看時,其外 緣位于上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的外緣的內(nèi)側(cè)。此外,上述電極包括從上 述芯片接合墊向上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的外側(cè)伸出的伸出部。
3根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),上述導(dǎo)電性漿料的大部分存在于被上述芯片接 合墊和上述半導(dǎo)體發(fā)光元件夾著的空間內(nèi)。因為上述芯片接合墊不具 有從上述半導(dǎo)體發(fā)光元件超出(溢出、凸出)的部分,所以能夠抑制 上述導(dǎo)電性漿料從上述半導(dǎo)體發(fā)光元件超出的情況。此外,即使在上 述導(dǎo)電性漿料的量較多的情況下,多余的上述導(dǎo)電性漿料也會沿著上 述伸出部擴展。從而,能夠防止上述導(dǎo)電性漿料上溢至上述半導(dǎo)體發(fā) 光元件的上表面。因此,能夠使上述半導(dǎo)體發(fā)光元件較薄,實現(xiàn)上述 半導(dǎo)體發(fā)光裝置的薄型化。
優(yōu)選上述半導(dǎo)體發(fā)光元件為矩形形狀,上述伸出部在上述半導(dǎo)體 發(fā)光元件的對角線方向上延伸,并且具有與上述芯片接合墊連接的帶 狀部,和與該帶狀部相比位于前端側(cè)、且寬度比上述帶狀部寬的寬幅 部。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),即使上述導(dǎo)電性漿料從上述半導(dǎo)體發(fā)光元件超 出,該上述導(dǎo)電性漿料也從上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的角部朝向上述伸出 部溢出。因此,能夠防止上述導(dǎo)電性漿料沿著上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的 側(cè)面上溢。此外,根據(jù)上述結(jié)構(gòu),能夠使沿著上述伸出部溢出的上述 導(dǎo)電性漿料滯留在上述較寬部。這樣對于避免溢出的上述導(dǎo)電性漿料 沿著上述基板進一步擴展而引起短路等是有利的。
優(yōu)選上述導(dǎo)電性漿料的厚度和上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的厚度之比為 1: 5 1: 15。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),能夠抑制上述導(dǎo)電性漿料的上溢,并 且為了實現(xiàn)上述半導(dǎo)體發(fā)光裝置的薄型化,能夠采用足夠薄的元件作 為上述半導(dǎo)體發(fā)光元件。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點根據(jù)參照附圖進行的以下的詳細說明能 夠更加明白。
圖1是表示基于本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面圖。
圖2是沿著圖1的II-II線的截面圖。
圖3是表示上述第一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的主要部分的截面圖。
圖4是表示基于本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的平面圖。 圖5是表示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的一例的平面圖。
具體實施例方式
圖1 圖3表示基于本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖示 的半導(dǎo)體發(fā)光裝置A1包括基板l, 一對電極2A、 2B, LED芯片3, 接合引線4,和樹脂封裝5。在圖1中,為了便于理解,用假想線表示 樹脂封裝5。半導(dǎo)體發(fā)光裝置A1的寬度為0.6mm,長度為l.Omm,厚 度為0.2mm左右,小型且非常薄型。
基板1在平面視圖中為大致矩形形狀,是由例如玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu) 成的絕緣基板。在基板1的表面搭載有LED芯片3?;?的背面是 在將半導(dǎo)體發(fā)光裝置Al面安裝在電路基板等上時使用的安裝面。在基 板1的四角,形成有在基板1的厚度方向(圖2的上下方向)上延伸 的凹槽?;?的厚度例如為0.08 0.1mm左右。
一對電極2A、 2B夾著基板1的中央部分分別分開配置在基板1 的兩端邊緣。電極2A、 2B分別從基板1的表面經(jīng)上述凹槽延伸至背 面。各電極2A、 2B中的覆蓋基板1的背面的部分,被用作用于對半 導(dǎo)體發(fā)光裝置Al進行面安裝的安裝端子。 一對電極2A、 2B例如被形 成為由Cu/Ni/Au構(gòu)成的疊層有各鍍層的結(jié)構(gòu)。
在電極2A上形成有芯片接合墊2Aa和四個伸出部21。芯片接合 墊2Aa是用于使用例如銀漿6對LED芯片3進行芯片接合的部分,為 大致正方形。芯片接合墊2Aa的中心與LED芯片3的中心大致一致, 芯片接合墊2Aa的尺寸比LED芯片3的尺寸小。由此,在基板1的厚 度方向看時,芯片接合墊2Aa的外緣位于LED芯片3的外緣的內(nèi)側(cè)(參 照圖1)。
伸出部21從接合墊2Aa在LED芯片3的對角線方向上延伸,具 有帶狀部21a和寬幅部21b。帶狀部21a與接合墊2Aa連接,寬度大致 一定。寬幅部21b形成在伸出部21的前端,其最大寬度比帶狀部21a 的寬度大。在圖示的例子中,寬幅部21b為菱形,但也可以為圓形等 其他形狀。
在電極2B形成有接合墊2Ba。接合墊2Ba是用于將接合引線4接 合的部分。
LED芯片3是半導(dǎo)體發(fā)光裝置Al的光源,例如能夠發(fā)出可見光。具體而言,LED芯片3例如為pn型的半導(dǎo)體發(fā)光元件,在低面形成的 n側(cè)電極(省略圖示)通過銀漿6與電極2A導(dǎo)通。此外,形成在LED 芯片3的上表面的p側(cè)電極(省略圖示)通過接合引線4與電極2B導(dǎo) 通。LED芯片3為矩形形狀。
如圖3所示,芯片接合墊2Aa和LED芯片3例如通過銀漿6接合。 銀漿6的厚度tl和LED芯片3的厚度t2為1: 5 1: 15的范圍。例 如,厚度tl為5 7um,與此相對,厚度t2為40 75um左右。
樹脂封裝5用于保護LED芯片3和接合引線4。樹脂封裝5使用 對來自LED芯片3的光具有透光性的樹脂(例如環(huán)氧樹脂)被模塑成 型。其中,作為樹脂封裝5,整體不限于由具有透光性的材質(zhì)構(gòu)成的樹 脂封裝,例如也可以構(gòu)成為具有反射從LED芯片3向側(cè)面發(fā)出的光使 其射向基板1的厚度方向的反射器。
接著,對半導(dǎo)體發(fā)光裝置A1的作用進行說明。
根據(jù)上述第一實施例,如圖3所示,銀漿6的大部分存在于被芯 片接合墊2Aa和LED芯片3夾著的空間內(nèi)。因為芯片接合墊2Aa不具 有從LED芯片3超出的部分,所以能夠抑制銀漿6從LED芯片3超 出。此外,即使在銀漿6的量較多的情況下,多余的銀漿6也會如圖1 所示那樣沿著伸出部21擴展。從而,能夠防止銀漿6上溢至LED芯 片3的側(cè)面,附著在與上表面連接的接合引線4上。因此,作為LED 芯片3,能夠使用較薄的芯片,實現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā)光裝置A1的薄型化。
此外,即使銀漿6從LED芯片3超出,該銀漿6也從LED芯片3 的角部向伸出部21溢出。因此,能夠防止銀漿6沿著LED芯片3的 側(cè)面上溢。此外,能夠使沿著伸出部21溢出的銀漿6滯留在寬幅部21b。 這適于防止溢出的銀漿6沿著基板1到達電極2B。
進而,通過使銀槳6的厚度tl和LED芯片3的厚度t2的比為1: 5 1: 15,能夠抑制銀漿6的上溢,并且為了實現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā)光裝置A1 的薄型化能夠采用足夠薄的LED芯片3。即,當厚度tl、 t2之比小于 1: 5時,銀漿6上溢至LED芯片3的上表面的可能性較大。另一方面, 當厚度tl、 t2的比大于l: 15時,銀漿6的厚度不足以對LED芯片3 適當?shù)剡M行芯片接合?;蛘?,LED芯片3的厚度變大,無法實現(xiàn)半導(dǎo) 體發(fā)光裝置A1的薄型化。圖4表示基于本發(fā)明的第2實施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。此外,在 本圖中,對與上述第一實施例相同或者相似的元素標注相同的符號。
圖示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置A2在電極2A設(shè)置有兩個伸出部21這點 與上述第一實施例不同。這些伸出部21沿著LED芯片3的一方的對 角線方向延伸。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),也能夠適當?shù)胤乐广y漿6的上溢, 實現(xiàn)半導(dǎo)體發(fā)光裝置A2的薄型化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置,其包括基板;在所述基板上形成的電極;和半導(dǎo)體發(fā)光元件,其使用導(dǎo)電性漿料與形成于所述電極的芯片接合墊芯片接合,該半導(dǎo)體發(fā)光裝置的特征在于在所述基板的厚度方向上看時,所述芯片接合墊的外緣位于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的外緣的內(nèi)側(cè),所述電極還包括從所述芯片接合墊向所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的外側(cè)伸出的伸出部。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置,其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件為矩形形狀,所述伸出部在所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的對角線方向上延伸,并且具有與所述芯片接合墊連接的帶狀部,和與該帶狀部相比位于前端側(cè)、且寬度比所述帶狀部寬的寬幅部。
3. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置,其特征在于所述導(dǎo)電性漿料的厚度與所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的厚度之比為1:5 1 : 15。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。半導(dǎo)體發(fā)光裝置(A1)包括基板(1)、在基板(1)上形成的兩個電極(2A,2B)。在電極(2A)上,形成有芯片接合墊(2Aa),LED芯片(3)通過銀漿(6)與芯片接合墊(2Aa)芯片接合。芯片接合墊(2Aa)在基板(1)的厚度方向看時,其外緣位于LED芯片(3)的外緣的內(nèi)側(cè)。電極(2A)具備從芯片接合墊(2Aa)向LED芯片(3)的外側(cè)延伸的伸出部(21)。
文檔編號H01L33/62GK101675537SQ20088001427
公開日2010年3月17日 申請日期2008年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者田中靖 申請人:羅姆股份有限公司