專利名稱：：具有搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管的制作方法具有搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜晶體管對(duì)其它申請(qǐng)的交叉引用要求美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)60/929,338的優(yōu)先權(quán)，在此并入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及用來(lái)在玻璃襯底上形成高性能、高均勻性、和高可靠性低溫多晶薄膜器件的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：下列段落包括一些討論，其通過(guò)本申請(qǐng)中公開的創(chuàng)新來(lái)闡明，并且在這些段落中的實(shí)際的或被提議的或可能的方法的任何討論并不意味著那些方法是現(xiàn)有技術(shù)。例如在電視和計(jì)算機(jī)屏幕中使用的顯示裝置迅速發(fā)展成采用有源矩陣驅(qū)動(dòng)技術(shù)的高質(zhì)量平板顯示器。最新的顯示器技術(shù)，例如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、和電子墨水，全都受益于有源矩陣驅(qū)動(dòng)。有源矩陣驅(qū)動(dòng)允許實(shí)現(xiàn)串?dāng)_大大減小的全色和高分辨率。有源矩陣驅(qū)動(dòng)顯示器的基本關(guān)鍵技術(shù)是在平坦襯底上制造薄膜晶體管(TFT),所述平坦襯底通常是玻璃。在常規(guī)有源矩陣顯示器中，利用非晶硅(a-Si)形成TFT。這是由于它在大面積玻璃襯底上的低加工溫度和低制造成本。最近在高分辨率液晶顯示器的制造中正在采用多晶硅(poly-Si)。多晶硅也具有這樣的優(yōu)點(diǎn)電路也可以被集成到玻璃襯底上。多晶硅也對(duì)像素提供更大開口率的可能性，因此增加了顯示器的光利用效率并且減小了功耗。對(duì)于需要大電流的應(yīng)用而言，非晶硅不合適，仍然必須使用多晶硅。為實(shí)現(xiàn)多晶硅TFT有源矩陣顯示器面板的工業(yè)化制造，需要很高質(zhì)量的多晶硅膜。它需要滿足以下要求低溫加工、可以在大面積玻璃襯底上實(shí)現(xiàn)、低制造成本、穩(wěn)定的制造工藝、高性能、一致的特性、以及多晶硅TFT的高可靠性。高溫多晶硅技術(shù)可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能TFT，但是它不能用于商業(yè)顯示器面板中使用的普通玻璃襯底。在這樣的情形下必須使用低溫多晶硅(LTPS)。有三種主要的LTPS技術(shù)(1)通過(guò)在600°C長(zhǎng)時(shí)間退火的固相結(jié)晶(SPC);(2)準(zhǔn)分子激光晶化(ELC)或閃光燈退火；以及(3)金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)及其有關(guān)變體。ELC產(chǎn)生最好的結(jié)果但是昂貴。SPC成本最低但是花的時(shí)間長(zhǎng)。這些技術(shù)都不能滿足上述低成本和高性能的所有要求。所有多晶薄膜材料所共有的是，膜的晶粒在尺寸、晶體取向和形狀上基本上隨機(jī)分布。晶界通常也對(duì)優(yōu)良TFT的形成有害。當(dāng)該多晶薄膜被用作TFT中的有源層時(shí)，電特性取決于在有源溝道中存在多少晶粒和晶界。所有現(xiàn)有技術(shù)的共同問(wèn)題是，它們以不可預(yù)料的模式(pattern)在TFT有源溝道內(nèi)形成許多晶粒。晶粒的分布是隨機(jī)的，使得TFT的電特性在襯底上有些不均勻。該電特性的寬分布對(duì)顯示器的性能有害并且導(dǎo)致問(wèn)題，例如mura缺陷和亮度不均勻。多晶薄膜晶體管的晶粒形成隨機(jī)的網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于任何半導(dǎo)體材料例如硅、鍺、硅鍺合金、三五族化合物半導(dǎo)體、以及有機(jī)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，事實(shí)都是如此。晶粒內(nèi)部的傳導(dǎo)幾乎與晶體材料相同，而跨過(guò)晶界的傳導(dǎo)更差并且造成遷移率的總體損失并且增加的閾值電壓。在由這種多晶薄膜制成的薄膜晶體管(TFT)的有源溝道內(nèi)部，晶粒結(jié)構(gòu)幾乎是二維隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)。隨機(jī)性以及相應(yīng)而生的可變電導(dǎo)不利地影響顯示器性能和圖像質(zhì)量。如圖la所示的典型多晶硅結(jié)構(gòu)，低溫多晶硅膜101包括晶粒102。在相鄰的晶粒102之間有明顯的晶界103。每個(gè)晶粒102的長(zhǎng)度大小從數(shù)十納米到幾微米并且被認(rèn)為是單晶。許多位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)以及懸掛鍵的缺陷分布在所述晶界103中。由于不同的制備方法，低溫多晶硅膜101內(nèi)部的晶粒102可以隨沖幾分布或沿確定的取向。至于常規(guī)的低溫多晶硅膜101,在晶界103中有嚴(yán)重的缺陷，如圖lb中所示。在晶界103中的嚴(yán)重缺陷將引入高勢(shì)壘104。垂直于載流子105的輸運(yùn)方向的所述勢(shì)壘104(或傾斜勢(shì)壘的垂直分量)將影響載流子的初始狀態(tài)和能力。對(duì)于在該低溫多晶硅膜101上制造的薄膜晶體管，閾值電壓和場(chǎng)效應(yīng)遷移率受晶界勢(shì)壘104限制。當(dāng)高的反向柵電壓施加在TFT中時(shí)分布在結(jié)區(qū)域中的晶界103也引起大的漏電流。改善晶界103(即減小晶界勢(shì)壘104)的有效方法是在90(TC到1100。C下對(duì)所述低溫多晶硅執(zhí)行另外的后期退火(參考美國(guó)專利6225197和日本專利2001244198)或用準(zhǔn)分子激光器或閃光燈照射多晶硅101(參考美國(guó)專利2005040402和日本專利2004179195)。在后期退火或照射之后，所述低溫多晶硅膜101被變成后期退火多晶硅膜201,如圖2a中所示。圖2a是如圖lb中所示的ELC退火的低溫多晶硅膜201和相應(yīng)的勢(shì)壘分布的示意圖。通常，晶粒202的內(nèi)部基本上與原始晶粒102的相同。后期退火或照射可以大大改善晶界203。同時(shí)圖2b中所示的晶界勢(shì)壘204顯著減小。載流子205的遷移率也被大大提高。與常規(guī)多晶硅TFT相比，將后期退火或照射的多晶硅201膜用作TFT的有源層大大改善了場(chǎng)效應(yīng)遷移率并且減小了TFT的閾值電壓和漏電流。然而，該技術(shù)仍舊有一些限制。后期退火的溫度是大約90(TC到IIO(TC,所述溫度不能應(yīng)用到商業(yè)顯示器面板中使用的普通玻璃襯底。僅石英或其它耐高溫的材料可以用作所述襯底，這限制了顯示器的尺寸以及面4反的成本。如果利用準(zhǔn)分子激光器或閃光燈對(duì)所述低溫多晶硅膜101進(jìn)行后期退火，則可以獲得優(yōu)良的遷移率。但是該方法成本高。此外，眾所周知的是，由于激光束的不均勻性，準(zhǔn)分子激光器退火導(dǎo)致不均勻的薄膜。而且，LTPS的后期退火比非晶硅的直接退火更復(fù)雜。降低晶界103(即晶界勢(shì)壘104)的影響的另一個(gè)有效方法是利用低劑量的雜質(zhì)注入本征LIPS,并且將其調(diào)整到如圖3a中所示的輕p型或n型多晶娃。該方法在"High畫PerformancePoly-SiTFTsWithMultipleSelectivelyDopedRegionsInTheActiveLayer"(Min-CheolLee、Juhn-SukYoo、Kee畫ChanPark、Sang-NoonJung、Min-KooHan、以及Hyun畫JaeKim在2000MaterialsResearchSociety的"High-PerformancePoly誦SiTFTsWithMultipleSelectivelyDopedRegionsInTheActiveLayer")和"ANovelPoly-SiTFTswithSelectivelyDopedRegionsFabricatedbyNewExcimerLaserAnnealing"(M.C.Lee、J.H.Jeon、I.H.Song、K.C.Park以及M.K.Han在SID01Digest第1246到1249頁(yè)的"ANovelPoly-SiTFTswithSelectivelyDopedRegionsFabricatedbyNewExcimerLaserAnnealing")中被公開。低溫多晶硅膜301包括分布式晶粒302。晶界303仍舊擁有如圖3中所示的較高的晶界勢(shì)壘304,盡管它由于輕微摻雜了低溫多晶硅膜301而被大大減小。載流子305的遷移率由于減小的勢(shì)壘304也被大大提高。通過(guò)將雜質(zhì)注入晶粒302中由降低晶界電勢(shì)304的輕劑量離子注入實(shí)現(xiàn)了觀察到的減小。例如，如果離子B+以5x1012原子/cn^的劑量被注入到所述低溫多晶硅101中去，則閾值電壓可以降低幾伏。然而，隨著摻雜劑量的增加，漏電流將會(huì)增加。注入可以在一定范圍內(nèi)調(diào)整閾值電壓，但是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)遷移率以及漏電流的減小幾乎沒(méi)有幫助。因此，它僅是部分解決方案。爐內(nèi)退火是低于600。C獲得低溫多晶硅的常用方法。它應(yīng)用于固相結(jié)晶(SPC)或金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)的情形。然而，SPC和MIC不能實(shí)現(xiàn)具有與利用ELA后期退火或高溫后期退火多晶硅獲得的那樣的高性能的TFT。在本技術(shù)中，我們利用低溫多晶硅的爐內(nèi)退火來(lái)實(shí)現(xiàn)具有高性能、高均勻性、以及高穩(wěn)定性的TFT。該類型的LTPSTFT的質(zhì)量可以和通過(guò)高溫退火或ELA退火獲得的LTPSTFT的一樣優(yōu)良。所述新技術(shù)也可以;波應(yīng)用到ELA或閃光燈退火TFT,以同樣改善它的均勻性。多晶薄膜晶體管的晶粒在由任何半導(dǎo)體材料例如硅、鍺、硅鍺合金、三五族化合物半導(dǎo)體、以及有機(jī)半導(dǎo)體制成的常^見(jiàn)TFT中形成隨才幾網(wǎng)絡(luò)?？邕^(guò)晶界的傳導(dǎo)比晶體材料的內(nèi)部更差并且造成遷移率的總損失以及閾值電壓的增加。在由這種多晶薄膜制成的薄膜晶體管(TFT)的有源溝道內(nèi)部，晶粒結(jié)構(gòu)幾乎是二維隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)。在本發(fā)明中，我們公開改善利用所有以上技術(shù)制造的TFT的特性的方法。重要特性例如閾值電壓、通斷電流比、器件遷移率、整個(gè)襯底的器件均勻性以及亞閾值斜率都可以利用本發(fā)明來(lái)改善?？梢砸缘统杀緦?shí)現(xiàn)所述改善，因而可以使便宜、高性能LTPSTFT成為現(xiàn)實(shí)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明公開制造和形成多晶硅TFT膜的方法和系統(tǒng)，所述多晶硅TFT膜結(jié)合了橫向的導(dǎo)電帶("橋，，)以增強(qiáng)TFT有源溝道內(nèi)流過(guò)多晶硅薄膜中晶粒結(jié)構(gòu)的電流。這些橋不僅使整個(gè)溝道寬度內(nèi)的電流密度更均勻，而且提供從晶粒到晶粒的連接，這允許電流繞過(guò)晶界。在多個(gè)實(shí)施例中公開的創(chuàng)新提供至少以下優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)-改善的電性能。-改善的場(chǎng)效應(yīng)遷移率。-改善的接通電流的均勻性。-降低的成本。-減小的閾值電壓和漏電流。-晶粒遷移率和晶界電阻的隨機(jī)性減小。-在"接通"狀態(tài)中降低的勢(shì)壘和改善的載流子遷移率。-在"關(guān)斷"狀態(tài)中減小的漏電流。將參考附圖描述所公開的創(chuàng)新，所述附圖示出本發(fā)明的重要實(shí)例實(shí)施例并且在此將其并入說(shuō)明書中作為參考。圖la是低溫多晶硅膜的示意圖lb是圖la的相應(yīng)勢(shì)壘的圖2a是ELC退火低溫多晶硅膜的示意圖2b是圖2a的相應(yīng)勢(shì)壘的圖3a是輕微摻雜的低溫多晶硅膜的示意圖3b是圖3a的相應(yīng)勢(shì)壘的圖4a是搭橋晶粒結(jié)構(gòu)多晶硅膜的示意圖4b和4c是圖4a的相應(yīng)勢(shì)壘分布的圖5是示出在玻璃襯底上沉積的多晶硅膜的形成的截面圖6a是示出通過(guò)掩?；蚬庵驴刮g劑利用離子注入生產(chǎn)搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的一種方法的截面圖6b是示出利用多晶薄膜的直接聚焦離子束掃描生產(chǎn)搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的一種方法的截面圖7是示出低溫多晶硅薄膜晶體管的有源島的形成的截面示意圖8是示出低溫多晶硅薄膜晶體管的柵絕緣層和柵電極的形成的截面圖9是低溫多晶硅薄膜晶體管的源和漏注入的示意圖10是低溫多晶硅薄膜晶體管的金屬電極的形成的截面圖11是有以及沒(méi)有搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的MIC低溫多晶硅TFT的轉(zhuǎn)移Id-Vg曲線和場(chǎng)效應(yīng)遷移率(pre)。具體實(shí)施例方式將特別參考目前優(yōu)選的實(shí)施例(通過(guò)舉例的方式，并且不是限制)描述本申請(qǐng)的許多創(chuàng)新教導(dǎo)。公開的發(fā)明中的一個(gè)是利用導(dǎo)電帶或線橋?qū)FT的有源溝道內(nèi)部的晶粒相接。所述晶粒隨機(jī)分布在溝道內(nèi)部，如圖l-3中所示。通過(guò)在晶粒之間形成垂直于電流移動(dòng)方向的導(dǎo)電帶或線，可以大大提高所述TFT的性能?；旧纤龆S網(wǎng)絡(luò)被變成偽一維網(wǎng)絡(luò)。簡(jiǎn)要地參考圖4a,導(dǎo)電線使得電流沿垂直于電流的方向流動(dòng)更加容易。晶界的影響被這些導(dǎo)電線減小，所述導(dǎo)電線可以被認(rèn)為是跨越所述晶粒的橋。該結(jié)構(gòu)被定義為搭橋晶粒(BG)結(jié)構(gòu)。然而，也可以使用其它名字，例如斑馬紋摻雜(zebmdoping)結(jié)構(gòu)、線摻雜結(jié)構(gòu)、和delta摻雜結(jié)構(gòu)。所述搭橋晶粒結(jié)構(gòu)通過(guò)利用跨越晶界的導(dǎo)電線減小了晶粒的影響。這些線或橋通過(guò)以如圖4a所示的橫穿方式摻雜溝道而形成。這些橋是獨(dú)立式的并且沒(méi)有連接到源或漏。并且應(yīng)當(dāng)注意的是，摻雜可以是兩種極性的，因此n和p型摻雜劑都可以使用。線之間的間隔需要足夠小。所述間隔應(yīng)當(dāng)比晶粒尺寸小以便有效搭橋晶粒。也可以使用更大的間隔，^f旦效果^交小。通過(guò)#^雜形成導(dǎo)電溝道可以產(chǎn)生其它的優(yōu)點(diǎn)，例如減小漏電流、增強(qiáng)有源溝道中的導(dǎo)通電流、或由許多串聯(lián)p-n結(jié)形成柵極。例如，如果所述TFT是n溝道TFT,則源漏是n+摻雜。如果所述橋或?qū)щ娋€也是n摻雜，則對(duì)于零或負(fù)柵電壓的情形，溝道內(nèi)將形成一系列p-n結(jié)。漏電流一定會(huì)小于如常規(guī)TFT的情形那樣的單p-n結(jié)的情形。本發(fā)明的教導(dǎo)包括利用如圖4a中所示的橫穿圖案摻雜多晶硅有源溝道。摻雜劑應(yīng)當(dāng)具有與感應(yīng)的溝道反型層相同的極性。溝道內(nèi)的晶粒在垂直于電流的方向橋接。所述橫穿摻雜區(qū)域可以具有幾納米到數(shù)百納米的寬度。導(dǎo)通電流大于常規(guī)TFT的情形，因?yàn)橛行系雷兌塘?。?dāng)沒(méi)有施加?xùn)艠O電壓時(shí)，源漏偏置基本上看到許多p-n結(jié)，而不是如常規(guī)TFT中僅一個(gè)p-n結(jié)。因此，漏電流被大大減小了。由于橫穿摻雜區(qū)域之間的溝道短并且比常規(guī)TFT包含的晶粒數(shù)少，導(dǎo)通電流的均勻性也被大大改善。因此，晶粒遷移率和晶界電阻的隨機(jī)性被減小，使得TFT的電特性的均勻性更好。多晶硅有源溝道的摻雜可以通過(guò)離子注入實(shí)現(xiàn)。它與源和漏的離子注入相同。橫穿(crosswise)摻雜區(qū)由納米寬度的線構(gòu)成。這些線沒(méi)有彼此接觸并且沒(méi)有與任何其它電極接觸。它們是浮置的，并且它們的唯一功能是沿電流方向搭橋晶粒。該橋接大大降低了晶界的電阻，減小了它們的影響。沿被橋覆蓋方向的晶粒可以認(rèn)為電短路。在一些實(shí)施例中(但是不必是全部)，公開的思想被用來(lái)利用垂直于電流方向設(shè)置的導(dǎo)電線或帶搭橋晶粒結(jié)構(gòu)。在第一優(yōu)選實(shí)施例中，首先形成搭橋晶粒多晶薄膜。通過(guò)在多晶薄膜上生成許多導(dǎo)電線來(lái)形成該搭橋晶粒薄膜。所述起始多晶薄膜也可以通過(guò)許多方法形成。例如，它們可以通過(guò)固相結(jié)晶(SPC)、通過(guò)準(zhǔn)分子激光晶化(ELC)、或通過(guò)非晶薄膜的金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)形成。形成在多晶薄膜上的導(dǎo)電線應(yīng)當(dāng)狹窄并且彼此非常靠近。線寬與間隔應(yīng)當(dāng)與晶體晶粒的尺寸可比。導(dǎo)電線應(yīng)當(dāng)不彼此接觸并且應(yīng)當(dāng)覆蓋整個(gè)多晶薄膜以利于稍后的工藝過(guò)程。這些線破裂或不連續(xù)是可以接受的，并且在這里使用的術(shù)語(yǔ)線包括破裂和不連續(xù)。導(dǎo)電線的主要功能是沿垂直于電流方向的方向橋接晶粒。因此沿這些線的電流不是重要的問(wèn)題。圖4a示出搭橋晶粒結(jié)構(gòu)多晶硅膜的示意圖。導(dǎo)電線404垂直于電流行進(jìn)。這些導(dǎo)電線可以通過(guò)利用p或n型摻雜劑摻雜半導(dǎo)體形成?？梢詫┝空{(diào)整為恰當(dāng)?shù)牧恳援a(chǎn)生導(dǎo)電溝道但是一般會(huì)處于1012/cm2到1016/cm2的范圍之間。摻雜可以通過(guò)多種方法執(zhí)行，例如使用掩模的簡(jiǎn)單光刻、或通過(guò)利用彼此光學(xué)干涉的兩個(gè)激光束的光刻、或通過(guò)利用聚焦離子束的直接寫入。在直接光刻的情形下，必須有具有亞微米分辨率的掩模。更好的方式是在光刻中利用兩個(gè)激光束的光學(xué)干涉效應(yīng)來(lái)曝光光致抗蝕劑。在不使用掩模的情況下大面積曝光是可能的。該技術(shù)類似于全息圖制作。還有另一個(gè)方法是利用聚焦離子束掃描所述薄膜的表面。所述離子束是制造導(dǎo)電線的摻雜劑。所述離子束直接注入多晶薄膜。所述薄膜的光柵掃描可以容易完成。該逐行掃描是陰極射線管中的普通技術(shù)。據(jù)估計(jì)，對(duì)于500x600mm的一塊薄膜，具有0.5微米的間隔的0.5微米線的掃描可以在15秒內(nèi)完成。在玻璃襯底上生產(chǎn)TFT過(guò)程中該尺寸是普通的。.因此，除了激光干涉光刻外，離子束掃描是實(shí)用的方法?；旧?，生產(chǎn)這種搭橋晶粒多晶薄膜是很切實(shí)可行的。這種搭橋晶粒膜將被稱作BG薄膜。然而，需要注意的是，搭橋晶粒的名字僅是為了簡(jiǎn)易地談及這種膜。它也可以被叫做其它名字，例如斑馬線薄膜、或分段薄膜、以及其它名字。利用這種搭橋晶粒多晶薄膜作為有源層而制造的TFT將被叫做搭橋晶粒TFT或BG-TFT。所述TFT制造工藝可以是標(biāo)準(zhǔn)頂柵或倒置柵或任何其它TFT形成工藝。全部所需要的是，所述搭橋晶粒多晶薄膜在這種TFT中被用作有源層。并且導(dǎo)電線應(yīng)當(dāng)基本上垂直于電流的方向。這種搭橋晶粒TFT或BG-TFT將具有比沒(méi)有搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的TFT更好的電性能。此夕卜BG-TFT僅是這里用來(lái)稱呼這種TFT的方便的名字。它可以被叫做其它名字例如斑馬線TFT、分段柵TFT、多pn結(jié)TFT、以及其它名字。對(duì)于倒置柵TFT，必須在沉積有源層之前首先形成柵。只要有源層是搭橋晶粒多晶薄膜，就可以實(shí)現(xiàn)電特性的改善?？梢砸陨鲜鱿嗤绞叫纬葿G多晶薄膜。在笫二和優(yōu)選實(shí)施例中，搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的形成被并入作為TFT制造工藝的一部分。因而不需要將整個(gè)多晶薄膜轉(zhuǎn)換成搭橋晶粒薄膜。僅需要將有源溝道轉(zhuǎn)換成BG結(jié)構(gòu)，所迷有源溝道可能很小。因此，可以通過(guò)作為TFT制造工藝的一部分的簡(jiǎn)單光刻工藝來(lái)形成導(dǎo)電線。該實(shí)施例在一些情形下提供了簡(jiǎn)單制造的優(yōu)點(diǎn)。圖4a示出了搭橋晶粒結(jié)構(gòu)多晶硅膜的示意圖并且公開了本實(shí)施例的關(guān)鍵技術(shù)?；静牧鲜堑蜏囟嗑Ч?01(例如鍺硅或其它半導(dǎo)體材料)。該低溫多晶硅可以是MIC低溫多晶硅、SPC低溫多晶硅、RTA低溫多晶硅、直接沉積的低溫多晶硅、ELC多晶硅、以及閃光燈結(jié)晶或退火多晶硅。由于不同的制備方法，低溫多晶硅膜401內(nèi)部的晶粒402可能隨機(jī)分布或沿確定的取向。假定平均晶粒402尺寸是L409。對(duì)于棒狀晶粒，電流沿X軸410。并且定義棒狀晶粒的平均長(zhǎng)度為L(zhǎng)409,其從數(shù)十納米到幾微米變動(dòng)。導(dǎo)電線基本上垂直于電流的方向并且沿Y方向411。導(dǎo)電線404也可以被描述為橫穿摻雜區(qū)。這是因?yàn)楫a(chǎn)生導(dǎo)電溝道的最好方式是通過(guò)摻雜。它也與電流的方向交叉。寬度為A412的橫穿摻雜區(qū)404沿Y軸411。在相鄰橫穿摻雜區(qū)404之間是具有寬度D413的本征多晶硅區(qū)401?；締卧蓹M穿摻雜區(qū)404和本征多晶硅區(qū)401構(gòu)成。重復(fù)分布的基本單元414以搭橋晶粒結(jié)構(gòu)組成連續(xù)的低溫多晶硅膜，所述搭橋晶粒結(jié)構(gòu)有效地減少晶粒402和相關(guān)晶界403的不利影響。本征多晶硅區(qū)的寬度D413比平均晶粒402尺寸L409的一半小，其通常在100nm到1000nm之間變動(dòng)。摻雜多晶硅的寬度A412應(yīng)當(dāng)盡可能小，例如從30nm到500nm。所述基本單元的寬度B414為30nm到1500nm。在兩個(gè)摻雜多晶硅區(qū)之間是包含寬度為D413的晶粒402的本征多晶硅線。大部分晶粒402被切成小的部分晶粒。沒(méi)有被晶界403完全包圍的任何完整晶粒402。幾乎所有的晶粒片段通過(guò)橫穿摻雜區(qū)連接。因此所述本征多晶硅區(qū)晶粒402變成了大量并聯(lián)連接的單晶或晶粒402。圖4a示出新材料的勢(shì)壘分布。在笫一情形下，橫穿摻雜區(qū)404和具有晶粒402的本征多晶硅區(qū)在施加電場(chǎng)后都是n型或都是p型。例如，硼(B+)摻雜的多晶硅區(qū)404是p型，同時(shí)，具有晶粒402的本征多晶硅區(qū)在柵電極上施加電壓后也是p型?；蛘?，在柵電極上施加電壓后，p+摻雜的多晶硅區(qū)404是n型，并且具有晶粒402的本征多晶硅區(qū)也是n型。在以上兩種情況下，勢(shì)壘如圖4b和4c所示。在第一情形下，對(duì)于載流子405,溝道406b幾乎是平坦的。低勢(shì)壘406a降低了閾值電壓。所述TFT的閾值電壓和場(chǎng)效應(yīng)遷移率基本上由晶粒的內(nèi)部結(jié)構(gòu)確定。因此，可以實(shí)現(xiàn)高得多的場(chǎng)效應(yīng)遷移率和更低的閾值電壓404b。在另一種情形下，一黃穿摻雜區(qū)404和本征多晶硅區(qū)402在施加電場(chǎng)后是不同的類型。例如，在柵電極上施加電壓后，B+摻雜的多晶硅線404是p型，同時(shí)，本征多晶硅區(qū)402是n型?；蛘撸跂烹姌O上施加電壓后，p+摻雜的多晶硅線404是n型，但是本征多晶硅區(qū)402是p型。在以上兩種情況下，勢(shì)壘如圖4c所示。由串聯(lián)的反向PN結(jié)引起的高勢(shì)壘408a將阻擋載流子407流動(dòng)，使得由于高勢(shì)壘408a而導(dǎo)致溝道到溝道408c的阻擋。因此TFT的反向漏電流可以大大減小。由于上述雙重優(yōu)點(diǎn)，最后所得的LTPSTFT比具有相同物理尺寸的常規(guī)LTPSTFT具有更高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率、更低的閾值電壓和更低的漏電流。此外，TFT的均勻性和可靠性也可以:故改善。圖5到10是示出利用所述搭橋晶粒結(jié)構(gòu)低溫多晶硅作為有源層制造TFT的制造工藝的截面圖。圖5是示出沉積在玻璃襯底上的多晶硅膜的形成的截面圖。首先，300nm厚的低溫氧化物(LTO)502被沉積在0.7nm厚的Eagle2000玻璃襯底501上來(lái)充當(dāng)緩沖層以阻止來(lái)自襯底的離子。然后50nm厚的低溫MILC多晶硅膜503形成在所述LTO502層上。圖6a是示出生產(chǎn)搭橋晶粒結(jié)構(gòu)的一個(gè)方法的截面圖，該方法利用通過(guò)在涂敷玻璃襯底上的掩模或光致抗蝕劑而進(jìn)行的離子注入。在所述低溫多晶硅膜503的表面上，利用光刻法限定寬度為700nm并且具有300nm的間隔的光致抗蝕劑線603。然后劑量為4x10"/cn^的B+離子被注入未被光致抗蝕劑覆蓋的棵露區(qū)域601中并且該未覆蓋的區(qū)域?qū)⒆兂蓳诫s硅602。同時(shí)，整個(gè)多晶硅膜503變成連續(xù)的注入和本征多晶硅區(qū)域，由于重復(fù)的平行線，在工業(yè)中通常使用的大面積的光柵制造技術(shù)可以4t得通。圖6b是示出利用多晶薄膜的直接聚焦離子束掃描生產(chǎn)搭橋晶粒結(jié)構(gòu)以在大襯底上形成搭橋晶粒結(jié)構(gòu)多晶硅601的一種方法的截面圖。采用高速聚焦離子束直接寫入機(jī)器，硼離子束605被直接注入到低溫多晶硅503中以變成摻雜硅602并且形成橫穿摻雜區(qū)602。圖7是示出低溫多晶硅薄膜晶體管的有源島的形成的截面示意圖。利用光刻工藝，搭橋晶粒結(jié)構(gòu)低溫多晶硅膜501被光刻成晶體管的有源島701的形狀。橫穿摻雜區(qū)701垂直于在有源溝道內(nèi)的載流子輸運(yùn)并且與未摻雜的區(qū)域702相鄰。圖8是示出低溫多晶硅薄膜晶體管的柵絕緣層和柵電極的形成的截面圖。利用LPCVDU氐壓化學(xué)汽相沉積)直接在有源島的頂部沉積100nm厚的LTO柵絕緣層801,覆蓋摻雜層701和未摻雜的層702。LTO502層和玻璃襯底501完全被絕緣LTO層801覆蓋。其后，300nm厚的Al/Si-lQ/o合金纟皮沉積并且然后纟皮光刻以形成柵電極802。圖9是低溫多晶硅薄膜晶體管的源和漏注入的示意圖。如圖9中所示，劑量為4x10"/cm2的硼離子903利用柵電極802作為離子阻擋層被注入溝道。源和漏902被形成。柵電極802下面的溝道901未摻雜。圖10是低溫多晶硅薄膜晶體管的金屬電極的形成的截面圖。如圖10中所示，利用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)沉積500nm的氧化物層間絕緣體1001。在700nm的鋁-1%硅后來(lái)纟皮賊射并且被光刻為源和漏電極1002之前，開接觸孔。通過(guò)在420。C形成氣體來(lái)沖丸行接觸燒結(jié)，同時(shí)摻雜劑被激活。利用搭橋晶粒結(jié)構(gòu)低溫多晶硅作為有源層的TFT制造工藝結(jié)束。圖11示出將本發(fā)明應(yīng)用到MIC低溫多晶硅TFT的情形的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。它說(shuō)明與常規(guī)MIC低溫多晶硅TFT相比電性能被大大改善了。場(chǎng)效應(yīng)遷移率是常規(guī)的2.6倍。閾值電壓也減低了4V。漏電流減小了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。同時(shí)，新TFT顯示了優(yōu)良的均勻性和可靠性。這樣可以制造低成本、高質(zhì)量低溫多晶硅膜和薄膜晶體管。該結(jié)合了所公開的BG的TFT對(duì)有源矩陣顯示器具有重要的應(yīng)用。它可以被用在各種顯示器例如LCD或OLED的有源矩陣平板中。表格1示出四種類型的TFT的電特性。MILC指的是MIC的變體，其中金屬在較小的區(qū)域中被引入并且多晶膜橫向生長(zhǎng)?？梢钥匆?jiàn)的是，所述BG-TFT比沒(méi)有BG結(jié)構(gòu)的TFT顯示出好得多的性能。BG-TFT甚至比ELC和高溫退火MILC膜更好。表格1分別利用MILC低溫多晶珪(LT-MILCTFT)、，搭橋晶粒結(jié)構(gòu)MILC低溫多晶硅(BG-MILCTFT)、由準(zhǔn)分子激光器后期退火的MILC多晶硅(ELA-MILCTFT)以及由高溫后期退火的MILC多晶硅(HT-MILC)作為有源層制造的低溫多晶硅TFT的器件參數(shù)的比較。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>W/L=30pm/10mm,ToxlOOnm(LTO)利用該新的橫穿摻雜多晶硅作為有源層并且確保溝道垂直于所述納米線，結(jié)合了該BG結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管顯示出突出的性能。當(dāng)所述TFT工作在"接通"狀態(tài)時(shí)，已注入的多晶硅顯著降低了勢(shì)壘并且提高了載流子遷移率。在"斷開"狀態(tài)下，沿溝道串聯(lián)的反向pn結(jié)大大減小了漏電流。此外，由于橫穿摻雜區(qū)域均勻并且重復(fù)地分布，隨機(jī)分布的晶界電位由于大部分晶粒在垂直方向上的短路可以變得更均勻。因此與常規(guī)TFT相比器件建造的均勻性被改善了。修改和變體本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本申請(qǐng)中描述的創(chuàng)新概念可以在極大的應(yīng)用范圍內(nèi)被修改和改變，并且因此受專利權(quán)保護(hù)的主題的范圍不受給出的任何特定示范性教導(dǎo)所限制。以上實(shí)施例主要描述利用BG薄膜的頂柵結(jié)構(gòu)的TFT。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，TFT是利用BG膜作為有源層的倒置柵結(jié)構(gòu)。其它可能的實(shí)施例的特征在于以非連續(xù)方式斷裂的BG線。這些實(shí)施例可以表現(xiàn)為棋盤、斷續(xù)線、磚形、人字形、或類似的圖案。BG區(qū)可以跨過(guò)電流安置，但是偏離90度的垂直角對(duì)準(zhǔn)，例如80度、45度、30度等，只要電流必須通過(guò)所述BG區(qū)。另外，任何以晶粒為特色的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以受益于本發(fā)明。本申請(qǐng)中的描述不應(yīng)當(dāng)被理解為隱含任何特定元件、步驟、或功能是必須包含在權(quán)利要求范圍中的要素受專利權(quán)保護(hù)的主題的范圍僅由允許的權(quán)利要求限定。此外，任何這些權(quán)利要求中都不意圖行使35USC部分112的段落6，除非正確的詞"meansfor"(用于……的裝置)后面是分詞。此外，利用該申請(qǐng)?zhí)岢龅臋?quán)利要求旨在盡可能全面旨在覆蓋所有新穎和非顯而易見(jiàn)的被公開的發(fā)明，并且沒(méi)有主題被故意拋棄、;改棄、或?qū)Ｓ?。雖然針對(duì)優(yōu)選實(shí)施例特別示出和描述了本發(fā)明，但是很清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神的情況下可以對(duì)本發(fā)明的細(xì)節(jié)進(jìn)行微小改變。權(quán)利要求1.一種晶體管，包括多晶半導(dǎo)體材料的溝道層；通過(guò)所述溝道層電連接的第一和第二源/漏區(qū)；與所述溝道層電相互作用由此控制所述第一和第二源/漏區(qū)之間的傳導(dǎo)的控制端；以及在所述溝道層之上和之中的多個(gè)橫穿導(dǎo)電橋。2.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述橫穿導(dǎo)電橋被安置得基本垂直于預(yù)期電流。3.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述橫穿導(dǎo)電橋?qū)挾刃∮?0微米并且彼此間隔小于l(M鼓米。4.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述橫穿導(dǎo)電橋通過(guò)摻雜所述溝道層形成。5.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述半導(dǎo)體材料是低溫多晶硅。6.如權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述半導(dǎo)體材料是通過(guò)準(zhǔn)分子激光器退火或固相結(jié)晶或通過(guò)金屬誘導(dǎo)結(jié)晶形成的低溫多晶硅材料。7.如權(quán)利要求1所述的晶體管，進(jìn)一步包括支撐所迷半導(dǎo)體材料的玻璃襯底。8.—種薄膜晶體管，包括源區(qū)；漏區(qū)；連接所述源區(qū)和漏區(qū)的有源溝道，并且所述有源溝道具有多個(gè)高電阻和低電阻的橫穿區(qū)域，其中所述橫穿區(qū)域被安置得垂直電流的方向，和柵極，所述柵極覆蓋所述有源溝道的包括所述多個(gè)高電阻和低電阻的橫穿區(qū)域在內(nèi)的相當(dāng)大部分，并且所述柵極與所迷有源溝道電絕緣。9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管利用選自以下組的至少一種半導(dǎo)體材料制造硅、鍺、硅和鍺的合金、III-V化合物半導(dǎo)體、以及有機(jī)半導(dǎo)體。10.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管利用以下材料中的至少一種制造多晶材料、微晶材料、或納晶材料。11.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管由低溫多晶硅材料制造。12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其中所述低溫多晶硅膜通過(guò)準(zhǔn)分子激光器結(jié)晶來(lái)生產(chǎn)。13.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述橫穿區(qū)域中的摻雜劑形成平行線、平行曲線、或同心圓。14.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述高電阻和低電阻的橫穿區(qū)域的寬度在10nm到2500nm的范圍內(nèi)。15.—種薄膜晶體管，包括源區(qū)；漏區(qū)；以及連接所述源區(qū)和漏區(qū)的有源溝道，并且所述有源溝道具有多個(gè)n和p型摻雜劑區(qū)域，其中所述區(qū)域垂直電流的方向。16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管由低溫多晶硅材料制造。17.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中所述有源溝道由玻璃襯底支撐。18.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中在所述多個(gè)區(qū)域中的摻雜劑的面積劑量在1012/112到1016/112的范圍內(nèi)。19.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中在所述多個(gè)區(qū)域中的摻雜劑形成平行線、平行曲線、或同心圓。20.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中所述有源溝道近似于未摻雜，并且所述多個(gè)區(qū)域利用n型摻雜劑摻雜。21.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中所述源區(qū)是n型摻雜，所述漏區(qū)是n型摻雜，所述有源溝道是p型摻雜，并且所述多個(gè)區(qū)域利用n型摻雜劑摻雜。22.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其中所述源區(qū)是p型摻雜，所述漏區(qū)是p型摻雜，并且所述有源溝道是n型摻雜。23.—種半導(dǎo)體電元件，包括沉積在不導(dǎo)電襯底上的包含由晶界分開的晶粒的薄膜半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及至少一個(gè)形式為線的摻雜區(qū)，所述線橋接晶粒并且連接相鄰的部分晶粒，所述摻雜區(qū)橫過(guò)電流方向。24.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體元件，其中所述形式為線的摻雜區(qū)連續(xù)跨過(guò)所述半導(dǎo)體薄膜。25.—種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括包含由晶界分開的晶粒的多晶半導(dǎo)體層；以及多個(gè)導(dǎo)電區(qū)，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述導(dǎo)電區(qū)跨越所述晶界連接晶粒，并且所述導(dǎo)電區(qū)具有比所述晶粒的尺寸中的典型最大尺寸小的最小尺寸。26.如權(quán)利要求25所述的結(jié)構(gòu)，其中所述摻雜區(qū)通過(guò)離子注入形成。27.如權(quán)利要求25所述的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括至少兩個(gè)載流接觸，所述載流接觸連接到所述半導(dǎo)電層，并且被所述導(dǎo)電區(qū)域分開，所述區(qū)域通過(guò)摻雜所述層的一部分形成；并且所述接觸之間的電流由柵電極控制。28.—種操作薄膜晶體管的方法，包括如下動(dòng)作利用控制端控制第一和第二源/漏區(qū)之間的載流子通過(guò)多晶半導(dǎo)電區(qū)域的流動(dòng)；以及利用不連接到所述源/漏區(qū)的導(dǎo)電帶在沿所述半導(dǎo)電區(qū)域的長(zhǎng)度的多個(gè)點(diǎn)平衡跨過(guò)所述半導(dǎo)電區(qū)域的寬度的電壓。29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述平衡動(dòng)作由所述半導(dǎo)電區(qū)域的一部分實(shí)現(xiàn)，所述半導(dǎo)電區(qū)域的一部分與所述半導(dǎo)電區(qū)域的其它部分的摻雜不同。30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述控制端是與有源溝道絕緣的柵。31.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述源/漏、以及所述半導(dǎo)電區(qū)都由低溫多晶的公共層形成。32.—種操作薄膜晶體管的方法，包括如下動(dòng)作利用控制端控制源和漏區(qū)之間的載流子通過(guò)多晶半導(dǎo)電區(qū)域的流動(dòng)，所述多晶半導(dǎo)電區(qū)域包括被包含缺陷態(tài)的晶界分開的晶粒；以及利用不連接到所述源和漏的導(dǎo)電帶在沿所述半導(dǎo)電區(qū)域長(zhǎng)度的多個(gè)點(diǎn)平衡跨越所述半導(dǎo)電區(qū)域的寬度的電流平均密度。33.如權(quán)利要求32所述的方法，其中所述平衡動(dòng)作由所述半導(dǎo)電區(qū)域的一部分實(shí)現(xiàn)，所述半導(dǎo)電區(qū)域的一部分與所述半導(dǎo)電區(qū)域的其它部分的摻雜不同。34.—種形成多晶薄膜半導(dǎo)體的方法，包括的步驟為形成多晶薄膜；以及跨越所述膜制造多個(gè)導(dǎo)電線，所述導(dǎo)電線放置成垂直預(yù)期電流，所述導(dǎo)電線基本上彼此平行并且寬度小于IO微米、間隔小于10微米；以及其后形成控制端，所述控制端覆蓋所述導(dǎo)電線中的多個(gè)并且與之絕緣。35.如權(quán)利要求34所述的方法，進(jìn)一步包括摻雜所述多晶薄膜以形成所述導(dǎo)電線的步驟。36.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述摻雜工藝?yán)檬褂醚谀５墓饪谭ā?7.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述摻雜工藝?yán)檬褂脙蓚€(gè)相干激光束的光學(xué)干涉的光刻法。38.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述摻雜工藝?yán)镁劢闺x子束的光柵逐行掃描。39.—種形成薄膜晶體管的方法，包括的步驟為在不導(dǎo)電襯底上形成半導(dǎo)電薄膜；以及在所述半導(dǎo)電薄膜中摻雜一個(gè)或多個(gè)橫穿區(qū)域以形成高電阻半導(dǎo)電薄膜和低電阻半導(dǎo)電膜的交替線。40.如權(quán)利要求39所述的方法，進(jìn)一步包括的步驟為采用大面積光柵制造技術(shù)或電子束直接寫入來(lái)光刻具有所述摻雜的橫穿區(qū)域的半導(dǎo)電薄膜以形成有源區(qū)，并且電流的方向垂直所述橫穿區(qū)域；在所述有源區(qū)上沉積絕緣層以在所述有源區(qū)的頂部形成柵，并且所述柵被光刻以覆蓋除了所述溝道的兩端以外的整個(gè)有源溝道，所述溝道的兩端被用作薄膜晶體管的源和漏；以及光刻所述絕緣層以提供到所述源和漏的電接觸。41.如權(quán)利要求39所述的方法，進(jìn)一步包括如下步驟通過(guò)離子摻雜所述源和漏區(qū)，之后激活源和漏。42.—種形成薄膜晶體管的方法，包括的步驟為在不導(dǎo)電襯底上形成半導(dǎo)體薄膜；并且利用大面積光柵制造技術(shù)或電子束直接寫入機(jī)器在所述半導(dǎo)電薄膜中摻雜一個(gè)或多個(gè)橫穿區(qū)域；光刻有摻雜橫穿區(qū)域的半導(dǎo)體薄膜以形成有源區(qū)；電流垂直跨越所述橫穿區(qū)域而流動(dòng)。43.如權(quán)利要求42所述的方法，進(jìn)一步包括的步驟為摻雜所述有源區(qū)的兩端以形成源和漏；在有源區(qū)上沉積絕緣層以在有源區(qū)的頂部上形成柵，來(lái)調(diào)制源和漏之間的電流；以及光刻所述絕緣層來(lái)暴露源和漏以便制造到所述源和漏的電接觸。44.一種形成薄膜晶體管的方法，包括的步驟為通過(guò)光刻制造半導(dǎo)電材料的有源區(qū)以在不導(dǎo)電襯底上形成薄膜溝道；摻雜所述有源區(qū)的一個(gè)或多個(gè)橫穿區(qū)域，以形成以高電阻區(qū)域?yàn)檫吔绲牡妥鑵^(qū)域，其中電流的方向垂直所述橫穿區(qū)域；在所述有源區(qū)上沉積絕緣層以形成有源溝道。45.如權(quán)利要求44所述的方法，進(jìn)一步包括在所述有源區(qū)的頂部形成柵的步驟，并且所述柵被光刻以覆蓋除了所述有源溝道的兩端以外的整個(gè)有源溝道，所述有源溝道的所述兩端被用作薄膜晶體管的源和漏。46.—種形成薄膜晶體管的方法，包括的步驟為通過(guò)光刻以不導(dǎo)電襯底上的薄膜溝道的形式制造半導(dǎo)電材料的有源區(qū)；摻雜所述有源區(qū)的兩端以形成源和漏；并且利用相同的摻雜劑摻雜所述有源區(qū)的一個(gè)或多個(gè)橫穿區(qū)域，其中所述橫穿區(qū)域放置成跨過(guò)主電流的方向，并且在相同的光刻步驟中執(zhí)行所述源和漏以及橫穿區(qū)域的摻雜；以及制造柵電極，所述柵電極與所述薄膜溝道絕緣并且基本上覆蓋源和漏區(qū)之間的整個(gè)區(qū)域(包括摻雜區(qū)域和原始區(qū)域)。47.—種形成薄膜晶體管的方法，包括的步驟為形成圖案以在不導(dǎo)電的襯底上制造柵；在所述柵上沉積絕緣層；在所述絕緣層上形成半導(dǎo)電薄膜；以及在所述半導(dǎo)電薄膜中摻雜一個(gè)或多個(gè)橫穿區(qū)域。48.如權(quán)利要求47所述的方法，進(jìn)一步包括的步驟為光刻具有摻雜的橫穿區(qū)域的半導(dǎo)電薄膜以形成有源區(qū)，所述橫穿區(qū)域放置成垂直電流的方向；以及摻雜所述有源區(qū)的兩端以形成源和漏。49.一種形成薄膜晶體管的方法，包括的步驟為形成并且光刻不導(dǎo)電襯底上的柵；在所述柵上沉積絕緣層；以及通過(guò)在半導(dǎo)電薄膜中摻雜一個(gè)或多個(gè)橫穿區(qū)域在絕緣層上形成所述半導(dǎo)電薄膜，并且光刻具有所述摻雜的橫穿區(qū)域的所述半導(dǎo)電薄膜以形成有源區(qū)，所述橫穿區(qū)域垂直電流的方向。50.如權(quán)利要求49所述的方法，進(jìn)一步包括在有源層上沉積摻雜半導(dǎo)電層的步驟，所述摻雜的半導(dǎo)電層被用作所述薄膜晶體管的源和漏。51.如權(quán)利要求49所述的方法，進(jìn)一步包括光刻摻雜半導(dǎo)電層作為所述薄膜晶體管的源和漏的步驟。52.—種形成薄膜晶體管的方法，包括的步驟為首先在不導(dǎo)電襯底上形成并且圖案化薄膜晶體管的柵；在所述柵上沉積絕緣層；在所述絕緣層上形成半導(dǎo)電薄膜；通過(guò)光刻圖案化半導(dǎo)電材料的有源區(qū)以在所述絕緣層上形成薄膜溝道；以及摻雜有源區(qū)的一個(gè)或多個(gè)橫穿區(qū)域，其中電流流過(guò)源和漏之間的橫穿區(qū)域。53.如權(quán)利要求52所述的方法，進(jìn)一步包括的步驟為摻雜所述有源區(qū)的兩端以形成源和漏；以及在相同的光刻步驟中摻雜所述源和漏以及所述橫穿區(qū)域。全文摘要一種低溫多晶硅器件和使其具有優(yōu)異性能的制造技術(shù)。采用我們稱為搭橋晶粒結(jié)構(gòu)(BG)的摻雜多晶硅線，本征或輕摻雜的溝道被分成多個(gè)區(qū)域。覆蓋包括所述摻雜的線的整個(gè)有源溝道的單個(gè)柵仍舊被用來(lái)控制電流。將該BG多晶硅用作有源層并且確保所述TFT的設(shè)計(jì)使得電流垂直于所述晶粒的平行線流動(dòng)，晶界影響可以減小。與常規(guī)低溫多晶硅TFT相比，所述BG多晶硅TFT的可靠性、均勻性和電性能大大改善。文檔編號(hào)H01L29/786GK101681930SQ200880018195公開日2010年3月24日申請(qǐng)日期2008年2月4日優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日發(fā)明者孟志國(guó),文王,趙淑云,郭海成申請(qǐng)人:香港科技大學(xué)