專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，在所述的半導(dǎo)體器件內(nèi)半導(dǎo)體芯片按照倒裝芯片法被結(jié)合。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)已知的半導(dǎo)體封裝(半導(dǎo)體器件)中，半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片結(jié)合被結(jié)合。將要安裝在這樣的半導(dǎo)體封裝內(nèi)的半導(dǎo)體芯片具有形成在
其上的焊料隆起焊盤(solder bump)(隆起電極(bump electrode))以允許倒裝芯片結(jié)合(例如，參見下列的專利文獻(xiàn)l)。
圖29 31示出了專利文獻(xiàn)1公開的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面示意圖。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件內(nèi)，如圖29所示，電極焊盤(electrodepad)部分1002形成在半導(dǎo)體襯底1001的頂面上?？梢岳斫?，諸如IC或LSI的電路(未顯示)被制造在半導(dǎo)體襯底1001的頂面上。而且，在半導(dǎo)體襯底的頂面上，用于保護(hù)半導(dǎo)體襯底1001的頂面的保護(hù)層1003被形成。保護(hù)層1003具有開口1003a，通過所述開口，電極焊盤部分1002上的預(yù)定區(qū)域被暴露。而且，保護(hù)層1003被形成以與電極焊盤部分1002的周邊部分重疊，結(jié)果，保護(hù)層1003具有形成在其中的臺階部分1003b。
而且，在電極焊盤部分1002上，通過隔離金屬層1004，隆起電極1005被形成。隔離金屬層1004形成在電極焊盤部分1002上，使得隔離金屬層1004的周邊部分1004a位于與電極焊盤部分1002重疊的保護(hù)層1003的區(qū)域上。即，隔離金屬層1004的外周端部分1004b形成在與電極焊盤部分1002重疊的保護(hù)層1003的區(qū)域上。
此外，如圖30所示，半導(dǎo)體襯底1001面朝下被布置在印刷電路板1006之上，所述半導(dǎo)體襯底具有形成在其上的隆起電極1005，使得半導(dǎo)體襯底IOOI的頂面(電路面)面對著印刷電路板1006，并且半導(dǎo)體襯底1001按照倒裝芯片法通過隆起電極1005與印刷電路板1006上的電極1007相連。 專利文獻(xiàn)l: JP-A-2007-13063。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明解決的問題
在上述專利文獻(xiàn)l公開的傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件中，由于隔離金屬層1004 被配置為使得其周邊部分1004a位于與電極焊盤部分1002重疊的保護(hù)層 1003的部分上，如圖30和31所示，不利的是當(dāng)由于半導(dǎo)體襯底1001與印 刷電路板1006之間熱膨脹系數(shù)不同所引起的熱應(yīng)力作用于隆起電極1005 時，在位于隔離金屬層1004的外周端部分1004b之下(對應(yīng)于其的一個區(qū) 域)的保護(hù)層1003的區(qū)域內(nèi)易形成裂縫。這使得保護(hù)層1003易發(fā)生斷裂， 從而造成的不便是當(dāng)保護(hù)層1003斷裂時，斷裂將降低半導(dǎo)體器件的可靠 性。
本發(fā)明用于解決上述的問題，并且本發(fā)明的目的是提供一種可防止可 靠性降低的半導(dǎo)體器件。
解決問題的方法
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，半導(dǎo)體器件被設(shè)置有
電極焊盤部分，所述電極焊盤部分形成在襯底的表面上；包含第一開口的
第一保護(hù)層，通過所述第一開口，電極焊盤部分的頂面被暴露，第一保護(hù)
層形成在襯底的表面上以與電極焊盤部分的一部分重疊；隔離金屬層，所 述隔離金屬層形成在電極焊盤部分上；以及隆起電極，所述隆起電極形成 在隔離金屬層上。這里，隔離金屬層具有外周端部分，當(dāng)從平面圖中觀看 時，所述外周端部分形成在第一保護(hù)層中的第一開口的內(nèi)部。
如上所述，在根據(jù)第一方面的半導(dǎo)體器件內(nèi)，隔離金屬層被配置為 使得當(dāng)從平面圖中觀看時，其外周端部分形成在第一保護(hù)層中的第一開口 的內(nèi)部，這樣，第一保護(hù)層不形成在隔離金屬層的外周端部分的下方。因 此，在將襯底以倒裝芯片法結(jié)合在印刷電路板上期間，即使當(dāng)由于襯底與 印刷電路板之間熱膨脹系數(shù)不同所引起的熱應(yīng)力作用于隆起電極時，也可 防止在第一保護(hù)層內(nèi)形成裂縫。因此，可防止第一保護(hù)層的斷裂，從而可防止因第一保護(hù)層斷裂所引起的半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
在根據(jù)第一方面的上述半導(dǎo)體器件中，優(yōu)選地另外還設(shè)置第二保 護(hù)層，所述第二保護(hù)層被形成以覆蓋第一保護(hù)層上的預(yù)定區(qū)域和電極焊盤 部分上的預(yù)定區(qū)域。這里，隔離金屬層形成在電極焊盤部分上，且隔離金 屬層的周邊部分位于第二保護(hù)層之上?；诖伺渲?，可容易地構(gòu)成隔離金 屬層，使得當(dāng)從平面圖觀看時其外周端部分位于第一保護(hù)層中的第一開口 的內(nèi)部。
在這種情況下，優(yōu)選地，第二開口形成在第二保護(hù)層中，通過所述 第二開口，電極焊盤部分的頂面被暴露，并且第二開口的寬度小于第一開 口的寬度，以及限定第二開口的第二保護(hù)層的邊緣部分具有傾斜形狀?；?于此配置，即使當(dāng)隔離金屬層的周邊部分形成在第二保護(hù)層之上時，也可 防止隔離金屬層的斷裂。因此，可防止因第一保護(hù)層斷裂所引起的半導(dǎo)體 器件的可靠性的降低，此外，還可防止因隔離金屬層斷裂所引起的半導(dǎo)體 器件的可靠性降低。因此，可更容易地防止半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
在形成第二保護(hù)層的上述配置中，第二保護(hù)層優(yōu)選由聚酰亞胺構(gòu)成。 基于此配置，可更容易地防止第一保護(hù)層的斷裂。
在根據(jù)第一方面的上述的半導(dǎo)體器件中，電極焊盤部分可由包含鋁 的材料構(gòu)成，隔離金屬層可由包含鈦的材料構(gòu)成，并且隆起電極可包含焊 料隆起焊盤。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，半導(dǎo)體器件被設(shè)置有電極焊盤部分，所 述電極焊盤部分形成在襯底的表面上；包含第一開口的第一保護(hù)層，通過 所述第一開口，電極焊盤部分的頂面被暴露，第一保護(hù)層形成在襯底的表 面上以與電極焊盤部分的一部分重疊；隔離金屬層，所述隔離金屬層形成
在電極焊盤部分上，且不與第一保護(hù)層直接接觸；以及形成在隔離金屬層
上的隆起電極。這里，由于第一保護(hù)層與電極焊盤部分的一部分重疊，第 一保護(hù)層具有形成在其內(nèi)的臺階部分，并且隔離金屬層具有外周端部分， 當(dāng)從平面圖看時，所述外周端部分形成在臺階部分的外部。
在根據(jù)第二方面的半導(dǎo)體器件中，如上所述，隔離金屬層形成在電 極焊盤部分上，不與第一保護(hù)層直接接觸。因此，在將襯底以倒裝芯片法 結(jié)合在印刷電路板上期間，即使當(dāng)由于襯底與印刷電路板之間熱膨脹系數(shù)不同所引起的熱應(yīng)力作用于焊料隆起焊盤時，也可防止熱應(yīng)力作用在第一 保護(hù)層上，從而可防止在第一保護(hù)層內(nèi)形成裂縫。因此，可防止第一保護(hù) 層的斷裂，從而可防止因第一保護(hù)層斷裂所引起的半導(dǎo)體器件的可靠性降 低。
而且，根據(jù)第二方面，隔離金屬層被配置為當(dāng)從平面圖看時，其外 周端部分形成在臺階部分的外部，這樣允許隔離金屬層被配置為臺階部分 不位于外周端部分正下方。這里，在第一保護(hù)層的臺階部分中，由于第一 保護(hù)層部分地較薄以及其它原因，此處要比第一保護(hù)層的其它部分更容易 發(fā)生裂縫；然而，另一方面，由于上述配置，即使當(dāng)由于襯底與印刷電路
板之間熱膨脹系數(shù)不同所引起的熱應(yīng)力作用于焊料隆起焊盤時，也可防止 在第一保護(hù)層的臺階部分中形成裂縫。這也有助于防止因第一保護(hù)層斷裂 所引起的半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
在這種情況下，優(yōu)選還設(shè)置第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層被形成以 覆蓋第一保護(hù)層上的預(yù)定區(qū)域和電極焊盤部分上的預(yù)定區(qū)域。這里，隔離 金屬層形成在電極焊盤部分上，且隔離金屬層的周邊部分位于第二保護(hù)層 之上。基于此配置，當(dāng)隔離金屬層形成在電極焊盤部分之上時，可容易地 構(gòu)成隔離金屬層，使得在平面圖中看時，其與第一保護(hù)層不直接接觸，并 且其外周端部分位于臺階部分的外部。
在這種情況下，優(yōu)選第二開口形成在第二保護(hù)層內(nèi)，通過所述第二 開口，電極焊盤部分的頂面被暴露，并且第二開口的開口寬度小于第一開 口，以及限定第二開口的第二保護(hù)層的邊緣部分具有傾斜形狀?；诖伺?置，即使當(dāng)隔離金屬層的周邊部分形成在第二保護(hù)層之上時，也可防止隔 離金屬層的斷裂。因此，可防止因第一保護(hù)層斷裂所引起的半導(dǎo)體器件的 可靠性降低，此外，還可防止因隔離金屬層斷裂所引起的半導(dǎo)體器件的可 靠性降低。因此，可更容易地防止半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
在形成第二保護(hù)層的上述配置中，第二保護(hù)層優(yōu)選由聚酰亞胺構(gòu)成。 基于此配置，可更容易地防止第一保護(hù)層的斷裂。
在根據(jù)第二方面的上述的半導(dǎo)體器件中，電極焊盤部分可由包含鋁 的材料構(gòu)成，隔離金屬層可由包含鈦的材料構(gòu)成，并且隆起電極可包括焊 料隆起焊盤。
7本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可容易地獲得能夠防止可靠性降低的半導(dǎo) 體器件。
圖l為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面視圖； 圖2為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)半導(dǎo)體 芯片的電極部分的結(jié)構(gòu)的截面視圖3為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)無焊料 隆起焊盤的半導(dǎo)體芯片的電極部分的結(jié)構(gòu)的截面視圖4為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)無焊料 隆起焊盤的半導(dǎo)體芯片的電極部分的結(jié)構(gòu)的平面圖5為安裝在印刷電路板上的半導(dǎo)體芯片的截面視圖6為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的截面視圖，所述截面視圖用于描述 在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖7的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件內(nèi) 形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖8的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件內(nèi) 形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖9的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件內(nèi) 形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖10的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖11的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖12的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖13為根據(jù)第一實(shí)施例的第一修改示例的半導(dǎo)體芯片的電極部分的 結(jié)構(gòu)的截面視8圖14為根據(jù)第一實(shí)施例的第二修改示例的半導(dǎo)體芯片的電極部分的 結(jié)構(gòu)的截面視圖15為根據(jù)第一實(shí)施例的第三修改示例的半導(dǎo)體芯片的電極部分的 結(jié)構(gòu)的截面視圖16為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面視圖17為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的圖16中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)半導(dǎo) 體芯片的電極部分的結(jié)構(gòu)的截面視圖18為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的圖16中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)無焊 料隆起焊盤的半導(dǎo)體芯片的電極部分的結(jié)構(gòu)的截面視圖19為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的圖16中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)無焊 料隆起焊盤的半導(dǎo)體芯片的電極部分的結(jié)構(gòu)的平面圖20為安裝在印刷電路板上的半導(dǎo)體芯片的截面視圖21為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的截面視圖，所述截面視圖用于描 述在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖22的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖23為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的截面視圖，所述截面視圖用于描 述在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖24的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖25的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖26的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖27的截面視圖用于描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件 內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程；
圖28為根據(jù)第二實(shí)施例的修改示例的半導(dǎo)體芯片的電極部分的結(jié)構(gòu) 的截面視圖29為專利文獻(xiàn)1中公開的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面示意圖； 圖30為專利文獻(xiàn)1中公開的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖31為圖30中部件A的放大的截面視圖。
附圖標(biāo)記列表
1， 401半導(dǎo)體襯底(襯底)
2， 402電極焊盤部分
3， 403鈍化層(第一保護(hù)層)
3a， 403a第一開口
3b， 403b臺階部分
4， 404絕緣保護(hù)層(第二保護(hù)層)
4a， 404a第二開口
4b， 404b邊緣部分
5， 405隔離金屬層
5a， 405a周邊部分
5b, 405b外周端部分
6， 406焊料隆起焊盤(隆起電極)
10， 110，210，
310, 410'510半導(dǎo)體芯片
20， 420印刷電路板
21， 421連接焊盤部分
22， 422電極終端
30， 430樹脂密封層
40' 440樹脂部件具體實(shí)施方式
以下，作為本發(fā)明如何實(shí)現(xiàn)的具體示例，本發(fā)明的實(shí)施例將參考附圖被描述。下述的實(shí)施例論述了示例，在所述示例中，本發(fā)明用于BGA (球狀柵格陳列)封裝的半導(dǎo)體器件，在所述封裝中，半導(dǎo)體芯片通過倒 裝芯片結(jié)合被結(jié)合。(第一實(shí)施例)圖l為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖 2為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)半導(dǎo)體芯片的 電極部分的結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖3 圖5為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo) 體器件的結(jié)構(gòu)的示圖。首先，參考圖1 圖5，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的 半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)將被描述。如圖1所示，根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件被設(shè)置有半導(dǎo)體芯片IO、 印刷電路板20和樹脂密封層30，在所述印刷電路板20上半導(dǎo)體芯片10被安 裝，所述樹脂密封層對半導(dǎo)體芯片10進(jìn)行密封。樹脂密封層30由熱固性樹 脂構(gòu)成，如環(huán)氧樹脂。半導(dǎo)體芯片10包括半導(dǎo)體襯底1，如硅襯底，并且在半導(dǎo)體襯底l的 頂面，諸如IC或LSI的電路(未顯示)被制造?？梢岳斫?，半導(dǎo)體襯底l 是根據(jù)本發(fā)明的襯底的一個示例。而且，如圖2和3所示，在半導(dǎo)體襯底l的頂面上，鋁或鋁合金的電極 焊盤部分2被形成。此外，在半導(dǎo)體襯底l的頂面上，氮化硅的鈍化層3被 形成。在鈍化層3內(nèi)，第一開口3a被形成，通過所述第一開口，電極焊盤 部分2的預(yù)定區(qū)域被暴露。如圖4所示，第一開口3a在平面圖中大致為圓形， 且形成的開口寬度Dl為約85um 約95um。還有，鈍化層3形成在半導(dǎo)體 襯底1的頂面，這樣可與電極焊盤部分2的周邊部分重疊?？梢岳斫?，鈍化 層3是根據(jù)本發(fā)明的第一保護(hù)層的一個示例。而且，在鈍化層3上的預(yù)定區(qū)域和電極焊盤部分2上的預(yù)定區(qū)域之上， 聚酰亞胺的絕緣保護(hù)層4被形成。如圖3和4所示，在絕緣保護(hù)層4內(nèi)，第二 開口4a被提供，所述第二開口具有的開口寬度D2 (約55um 約65um)小 于鈍化層3內(nèi)第一開口3a的開口寬度Dl (約85um 約95um)。如圖4所示，li第二開口4a在平面圖中大致為圓形，且與第一開口3a基本上同心。此外， 限定第二開口4a的絕緣保護(hù)層4的邊緣部分4b被形成為傾斜形狀?？梢岳?解，絕緣保護(hù)層4是根據(jù)本發(fā)明的第二保護(hù)層的一個示例。此外，如圖2和3所示，在電極焊盤部分2上，厚度約為10um的鈦(Ti) 制的隔離金屬層5被形成，且隔離金屬層5的周邊部分5a位于絕緣保護(hù)層4 上的邊緣部分4b附近的區(qū)域內(nèi)。如圖4所示，隔離金屬層5在平面圖中大致 為圓形，且基本上與第一開口3a和第二開口4a同心。這里，在第一實(shí)施例中，隔離金屬層5被形成以使得當(dāng)從平面圖看時， 隔離金屬層5的外周端部分5b位于鈍化層3中的第一開口3a的內(nèi)部。g卩，如 圖3或4所示，隔離金屬層5被配置為使其寬度D3 (約70um um80um)小 于鈍化層3內(nèi)第一開口3a的寬度Dl。此外，如圖2所示，在隔離金屬層5上，高度(厚度)約70um 約100um 且為球形的焊料隆起焊盤6被形成。通過隔離金屬層5，焊料隆起焊盤6與 電極焊盤部分2電連接。而且，焊料隆起焊盤6形成在隔離金屬層5上，使 得焊料隆起焊盤6不僅與隔離金屬層5的頂面相接觸，還與隔離金屬層5的 外周端部分5b相接觸。g卩，焊料隆起焊盤6結(jié)合到隔離金屬層5，以覆蓋隔 離金屬層5的外周端部分5b。這種情況下造成的結(jié)合面積大于焊料隆起焊 盤6僅結(jié)合到頂面的情況，從而使焊料隆起焊盤6與隔離金屬層5之間的結(jié) 合強(qiáng)度增加?？梢岳斫?，焊料隆起焊盤6是根據(jù)本發(fā)明的隆起電極的一個圖1所示的印刷電路板20由玻璃纖維環(huán)氧樹脂(glass epoxy)或類似 物制成，在多層結(jié)構(gòu)中具有導(dǎo)體層(未顯示)。在印刷電路板20的頂面上， 多個連接焊盤部分21 (如圖5所示)被形成以與半導(dǎo)體芯片10上的焊料隆 起焊盤6電連接。在印刷電路板20的底面，多個電極終端22 (未顯示)被 形成以與連接焊盤部分21電連接。電極終端22為球形的焊料隆起焊盤6， 并且以網(wǎng)格的形式排列在印刷電路板20的底面上。如圖1和5所示，半導(dǎo)體芯片10面朝下被安裝在印刷電路板20上，在 所述半導(dǎo)體芯片上形成有焊料隆起焊盤6。具體地，如圖5所示，半導(dǎo)體芯 片10被布置以使其頂面(電路面)朝著印刷電路板20，并且半導(dǎo)體芯片IO 上的焊料隆起焊盤6通過倒裝芯片結(jié)合法與印刷電路板20上的連接焊盤部分21結(jié)合。這樣將焊料隆起焊盤6與連接焊盤部分21電連接在一起。如圖l所示，半導(dǎo)體芯片10與印刷電路板20之間的間隙填充有硅樹 脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂部件40。如上所述，在第一實(shí)施例中，隔離金屬構(gòu)件5被配置以使得在平面圖 中其外周端部分5b形成在鈍化層3內(nèi)第一開口3a的內(nèi)部。這樣，鈍化層3 不形成在隔離金屬層5的外周端部分5b的下方。因此，在將半導(dǎo)體芯片IO (半導(dǎo)體襯底l)以倒裝芯片法結(jié)合在印刷電路板20上期間，即使當(dāng)由于 半導(dǎo)體芯片10與印刷電路板20之間熱膨脹系數(shù)不同所引起的熱應(yīng)力作用 于焊料隆起焊盤6時，可防止在鈍化層3內(nèi)生成裂縫。因此，可防止鈍化層 3的斷裂，從而防止因鈍化層3的斷裂所導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件的可靠性降低。在隔離金屬層3的外周端部分5b的下方，絕緣保護(hù)層4被形成。由于 絕緣保護(hù)層4是由軟于氮化硅的聚酰亞胺構(gòu)成，所述氮化硅構(gòu)成鈍化層3， 即使當(dāng)隔離金屬層5的周邊部分5a形成在絕緣保護(hù)層4之上時，絕緣保護(hù)層 4的斷裂可被防止。而且，在第一實(shí)施例中，絕緣保護(hù)層4形成在鈍化層3的預(yù)定區(qū)域和 電極焊盤部分2的預(yù)定區(qū)域之上，以及隔離金屬層5形成在電極焊盤部分2 之上，其周邊部分5a位于絕緣保護(hù)層4之上。因此，在隨后被描述的電極 部分的形成過程中，隔離金屬層5可容易地被形成，使得在平面圖觀看時 其外周端部分5b位于鈍化層3內(nèi)第一開口3a的內(nèi)部。此外，在第一實(shí)施例中，限定第二開口4a的絕緣保護(hù)層4的邊緣部分 4b被形成為傾斜形狀。因此，即使當(dāng)隔離金屬層5的周邊部分5a形成在絕 緣保護(hù)層4之上時，隔離金屬層5不容易發(fā)生斷裂。因此，可防止因鈍化層 3的斷裂所導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件的可靠性降低，此外，可防止因隔離金屬層5 的斷裂所導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件的可靠性降低。因此，可很容易地防止半導(dǎo)體 器件的可靠性降低。圖6 12為根據(jù)第一實(shí)施例的截面視圖，所述視圖描述了半導(dǎo)體器件 內(nèi)半導(dǎo)體芯片的電極部分的形成過程。接下來，參考圖1 4和圖6 12，半 導(dǎo)體芯片10的電極部分的形成過程將被描述。首先，如圖6所示，在具有形成在其上的電極焊盤部分2的半導(dǎo)體襯 底l的頂面的整個表面上，氮化硅的鈍化層3由等離子CVD等方法形成。接下來，如圖7所示，抗蝕劑50通過光刻法等方法形成在鈍化層3上的預(yù)定區(qū) 域上。然后，抗蝕劑50用作掩模，鈍化層3的預(yù)定區(qū)域通過蝕刻被去除。 這樣在鈍化層3內(nèi)形成第一開口 3a，通過所述第一開口電極焊盤部分2上的 預(yù)定區(qū)域被暴露。這里，第一開口3a被形成為具有開口寬度為Dl (約85 um 約95um，見圖3和圖4)。然后，抗蝕劑50被去除。
隨后，如圖8所示，在整個表面上，聚酰亞胺制的絕緣保護(hù)層14通過 旋轉(zhuǎn)涂布等方法被形成。然后，絕緣保護(hù)層14的預(yù)定區(qū)域通過光刻和蝕刻 被去除。之后，通過熱處理使絕緣保護(hù)層14流動。因此，圖9所示的絕緣 保護(hù)層4被獲得。具體地，在絕緣保護(hù)層14 (見圖8)內(nèi)，第二開口4a被形 成，所述第二開口的開口寬度D2 (約55um 約65um)小于鈍化層3內(nèi)第 一開口3a的開口寬度Dl (約85um 約95um)，并且限定第二開口4a的邊 緣部分4b被形成為傾斜形狀。
接下來，如圖10所示，在整個表面上，厚度約為10um的鈦(Ti)制 的隔離金屬層15通過真空鍍膜等方法被形成。然后，如圖11所示，抗蝕劑 60通過光刻和蝕刻形成在隔離金屬層15上的預(yù)定區(qū)域內(nèi)。這里，抗蝕劑60 被構(gòu)圖以使其具有在對應(yīng)于鈍化層3中的第一開口3a的內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的開 口。然后，抗蝕劑60被用作掩膜，焊料層(solder layer) 16通過鍍層等方 法被形成在隔離金屬層15上。
之后，如圖12所示，抗蝕劑60 (見圖ll)被去除，并且焊料層16周 圍的隔離金屬層15通過蝕刻被去除。因此，隔離金屬層5形成在電極焊盤 部分2上，當(dāng)在平面圖中看時，如圖4所示，所述隔離金屬層的外周端部分 5b形成在鈍化層3內(nèi)第一開口3a的內(nèi)部。而且，如圖2和圖3所示，形成在 電極焊盤部分2上的隔離金屬層5被配置以使得其周邊部分5a位于絕緣保 護(hù)層4之上。
如圖12所示，應(yīng)該指出，形成上述的絕緣保護(hù)層4可獲得使電極焊盤 部分2的頂面不被暴露的配置。因此，即使當(dāng)隔離金屬層15被蝕刻以使外 周端部分5b形成在鈍化層3中的第一開口3a的內(nèi)部時，也可防止蝕刻進(jìn)行 到電極焊盤部分2處。因此，可容易地形成隔離金屬層5，使得在平面圖中 看時其外周端部分5b位于鈍化層3中的第一開口3a的內(nèi)部。
最后，通過在重熔爐內(nèi)加熱，焊料層16被熔化一段時間，以形成圖2所示的球形焊料隆起焊盤6。這樣在隔離金屬層6上形成焊料隆起焯盤6(見 圖2)。在這種方式下，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，半導(dǎo)體器件內(nèi)的半導(dǎo)體 芯片10的電極部分被形成。
盡管上述第一實(shí)施例論述了示例，在所述示例中聚酰亞胺制的絕緣 保護(hù)層被提供，但本發(fā)明并不局限于此。相反，根據(jù)第一實(shí)施例的第一修
改示例，可在半導(dǎo)體芯片10內(nèi)采用無絕緣保護(hù)層的配置，如圖13所示。在 這種情況下，不使用聚酰亞胺制的絕緣保護(hù)層，使用抗蝕劑以形成類似于 上述實(shí)施例的電極結(jié)構(gòu)。然后，抗蝕劑被去除以獲得無絕緣保護(hù)層的配置。 還有，在通過如圖1所示在半導(dǎo)體芯片110與印刷電路板之間的空隙中填充 樹脂部件40以去除抗蝕劑的情況下，可防止倒裝芯片結(jié)合的可靠性降低。
作為替代，根據(jù)第一實(shí)施例的第二修改示例，如在圖14中示出的半 導(dǎo)體芯片210內(nèi)，隔離金屬層205也可在電極焊盤部分2的通過鈍化層3內(nèi)的 第一開口3a被暴露的區(qū)域的整個表面上被形成。在這種情況下，通過使隔 離金屬層205的厚度大于鈍化層3的厚度，可形成焊料隆起焊盤6，使其覆 蓋隔離金屬層205的外周端部分205a。
代為替代，根據(jù)本發(fā)明的第三修改示例，如在圖15中示出的半導(dǎo)體 芯片310內(nèi)，隔離金屬層305的外周端部分305a也可形成在距鈍化層3內(nèi)第 一開口3a預(yù)定距離的區(qū)域內(nèi)。
(第二實(shí)施例)
圖16為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面視圖。 圖17為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的圖16中所示的半導(dǎo)體器件內(nèi)半導(dǎo)體芯 片的電極部分的結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖18 圖20為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施 例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。首先，參考圖16~圖20，根據(jù)本發(fā)明的第 二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)將被描述。
如圖16所示，根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件設(shè)置有半導(dǎo)體芯片410、 印刷電路板420和樹脂密封層430，半導(dǎo)體芯片410安裝在所述印刷電路 板上，所述樹脂密封層將半導(dǎo)體芯片410密封在其內(nèi)。樹脂密封層430由 熱固性樹脂構(gòu)成，如環(huán)氧樹脂。
半導(dǎo)體芯片410包括半導(dǎo)體襯底401，如硅襯底，并且在半導(dǎo)體襯底401的頂面上，諸如IC或LSI的電路(未顯示)被制造?？梢岳斫?，半 導(dǎo)體襯底401是根據(jù)本發(fā)明的襯底的一個示例。
而且，如圖17和18所示，在半導(dǎo)體襯底401的頂面上，鋁或鋁合金 的電極焊盤部分402被形成。如圖19所示，電極焊盤部分402在平面圖 中形成為矩形形狀。此外，如圖17和圖18所示，在半導(dǎo)體襯底401的頂 面上，氮化硅的鈍化層403被形成。在鈍化層403內(nèi)，第一開口 403a被 形成，通過所述第一開口，電極焊盤部分402的預(yù)定區(qū)域被暴露。如圖 19所示，第一開口 403a在平面圖中大致為圓形，形成的開口寬度D1為 約85 um 約95um。而且，鈍化層403形成在半導(dǎo)體襯底401的頂面上以 與半導(dǎo)體焊盤部分402的周邊部分相重疊。這樣，鈍化層403具有形成在 其內(nèi)的臺階部分403b。可以理解，鈍化層403是根據(jù)本發(fā)明的第一保護(hù) 層的一個示例。
在鈍化層403上的預(yù)定區(qū)域和電極焊盤部分402上的預(yù)定區(qū)域之上， 聚酰亞胺制的絕緣保護(hù)層404被形成。如圖18和圖19所示，在絕緣保護(hù) 層404內(nèi)，第二開口 404a被提供，其開口寬度D2 (約55 um ~約65um) 小于鈍化層403內(nèi)第一開口 403a的開口寬度Dl (約85 um 約95um)。 如圖19所示，第二開口 404a在平面圖中大致為圓形，且與第一開口 403a 基本上同心。而且，限定第二開口 404a的絕緣保護(hù)層404的邊緣部分404b 形成為傾斜形狀。應(yīng)當(dāng)理解，絕緣保護(hù)層404是根據(jù)本發(fā)明的第二保護(hù)層 的一個示例。
而且，如圖17和18所示，在電極焊盤部分402上，厚度約為10um的鈦 (Ti)制的隔離金屬層405被形成，且隔離金屬層405的周邊部分405a位于 絕緣保護(hù)層404上的邊緣部分404b附近的區(qū)域內(nèi)。g卩，隔離金屬層405形成 在電極焊盤部分402上，不與鈍化層403直接接觸。如圖19所示，隔離金屬 層405在平面圖中大致為圓形，且基本上與第一開口403a和第二開口404a 同心。
這里，在第二實(shí)施例中，隔離金屬層405被形成，使得當(dāng)在平面圖中 觀看時隔離金屬層405的外周端部分405b位于鈍化層403的臺階部分403b 的外部。即，形成的隔離金屬層405的寬度D4 (約110um 約120um)足 夠大以覆蓋鈍化層403的臺階部分403b。而且，如圖17所示，在隔離金屬層405上，高度(厚度)約70um 約100um的球形焊料隆起焊盤406被形成。焊料隆起焊盤406通過隔離金屬 層405與電極焊盤部分402電連接。還有，焊料隆起焊盤406形成在隔離金 屬層405上，使得悍料隆起焊盤6不僅與隔離金屬層405的頂面接觸，還與 隔離金屬層405的外周端部分405b接觸。即，焊料隆起焊盤406結(jié)合到隔離 金屬層405，以覆蓋隔離金屬層405的外周端部分405b。這種情況下造成的 結(jié)合面積大于焊料隆起焊盤406僅結(jié)合到頂面的情況，從而使焊料隆起焊 盤406與隔離金屬層405之間的結(jié)合強(qiáng)度增加?？梢岳斫?，焊料隆起焊盤406
是根據(jù)本發(fā)明的隆起電極的一個示例。
圖16中所示的印刷電路板420由玻璃纖維環(huán)氧樹脂等制成，在多層的 結(jié)構(gòu)中具有導(dǎo)體層(未顯示)。在印刷電路板420的頂面，多個連接焊盤部 分421 (見圖20)被形成以與半導(dǎo)體芯片410上的焊料隆起焊盤406電連接。 在印刷電路板420的底面，多個電極終端422被形成以與連接焊盤部分421 電連接。電極終端422為球形的焊料隆起焊盤406，并且以網(wǎng)格的形式排列 在印刷電路板420的底面上。
如圖16和圖20所示，具有形成在其上的焊料隆起焊盤406的半導(dǎo)體芯 片410面朝下被安裝在印刷電路板420上。具體地，如圖20所示，半導(dǎo)體芯 片410被布置，使其頂面(電路面)朝著印刷電路板420，并且半導(dǎo)體芯片 410上的焊料隆起焊盤406通過倒?fàn)钚酒Y(jié)合被結(jié)合到印刷電路板420上的 連接焊盤部分421 。這將焊料隆起焊盤406和連接焊盤部分421電連接在一 起°
如圖16所示，在半導(dǎo)體芯片410與印刷電路板420之間的間隙填充有 硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等樹脂部件440。
在第二實(shí)施例中，如上所述，隔離金屬層405形成在電極焊盤部分402 上，不與鈍化層403直接接觸。這樣，在將半導(dǎo)體芯片410(半導(dǎo)體襯底401) 以倒裝芯片法結(jié)合在印刷電路板420上期間，即使當(dāng)由于半導(dǎo)體芯片410 與印刷電路板420之間熱膨脹系數(shù)不同所引起的熱應(yīng)力作用于隆起電極 406時，也可抑制熱應(yīng)力作用在鈍化層403上，因而可防止在鈍化層403內(nèi) 生成裂縫。因此，可防止鈍化層403的破裂，以及可防止因鈍化層403的斷 裂而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
17而且，在第二實(shí)施例中，隔離金屬層405被配置為使得當(dāng)從平面圖觀
看時其外周端部分405b形成在臺階部分403b的外部，從而允許隔離金屬層 405被配置以使臺階部分403b不位于外周端部分405b的正下方。這里，在 鈍化層403的臺階部分403b中，由于鈍化層403部分地較薄和其它的原因， 相對于鈍化層403的其它部分，更容易生成裂縫。但是，另一方面，由于 上述的配置，即使當(dāng)由于半導(dǎo)體芯片410 (半導(dǎo)體襯底401)與印刷電路板 420之間熱膨脹系數(shù)不同所引起的熱應(yīng)力作用于焊料隆起焊盤406時，也可 抑制在鈍化層403的臺階部分403b中產(chǎn)生裂縫。這也有助于防止因鈍化層 403的斷裂而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
還有，在第二實(shí)施例中，絕緣保護(hù)層404形成在鈍化層403上的預(yù)定 區(qū)域和電極焊盤部分402上的預(yù)定區(qū)域之上，并且隔離金屬層405形成在電 極焊盤部分402上，且其周邊部分405a位于絕緣保護(hù)層404之上。因此，當(dāng) 隔離金屬層405形成在電極焊盤部分402上時，隔離金屬層405可容易地被 形成，使得隔離金屬層與鈍化層403不直接接觸，且在平面圖中其外周端 部分405b位于臺階部分403b的外部。
此外，在第二實(shí)施例中，限定第二開口404a的絕緣保護(hù)層404的邊緣 部分404b形成為傾斜形狀。這樣，即使當(dāng)隔離金屬層405的周邊部分405a 形成在絕緣保護(hù)層404之上時，也可使隔離金屬層405不易斷裂，從而可防 止因鈍化層403的斷裂而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的可靠性降低，以及可防止因隔 離金屬層405的斷裂而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的可靠性降低。因此，可更容易地 防止半導(dǎo)體器件的可靠性降低。
圖21 圖27為根據(jù)第二實(shí)施例的截面視圖，所述截面視圖描述了在半 導(dǎo)體器件內(nèi)形成半導(dǎo)體芯片的電極部分的過程。接下來，參考圖16 圖4 和圖21 圖27，半導(dǎo)體芯片410的電極部分的形成過程將被描述。
首先，如圖21所示，在具有形成在其上的電極焊盤部分402的半導(dǎo)體 襯底401的頂面的整個表面上，通過等離子CVD等方法，氮化硅制的鈍化 層403被形成。然后，如圖22所示，抗蝕劑(光刻膠)450通過光刻等方法 形成在鈍化層403上的預(yù)定區(qū)域內(nèi)。之后，抗蝕劑450用作掩模，鈍化層403 的預(yù)定區(qū)域通過蝕刻被去除。這樣在鈍化層403內(nèi)形成第一開口403a，通 過所述第一開口電極焊盤部分402上的預(yù)定區(qū)域被暴露。這里，開口寬度為D1 (約85um 約95um，見圖18和圖19)的第一開口403a被形成。然后， 抗蝕劑450被去除。
隨后，如圖23所示，在整個表面上，聚酰亞胺制的絕緣保護(hù)層414通 過旋轉(zhuǎn)涂布等方法被形成。然后，絕緣保護(hù)層414的預(yù)定區(qū)域通過光刻和 蝕刻被去除。之后，通過熱處理使絕緣保護(hù)層414流動。因此，圖24所示 的絕緣保護(hù)層404被獲得。具體地，在絕緣保護(hù)層414 (見圖23)內(nèi)，第二 開口404a被形成，所述第二開口的開口寬度D2 (約55 um 約65um)小于 鈍化層403內(nèi)第一開口403a的開口寬度Dl (約85 um 約95um)，并且限 定第二開口404a的邊緣部分404b被形成為傾斜形狀。
接下來，如圖25所示，在整個表面上，厚度約為10um的鈦(Ti)制 的隔離金屬層415通過蒸汽鍍膜等方法被形成。然后，如圖26所示，抗蝕 劑460通過光刻和蝕刻形成在隔離金屬層415上的預(yù)定區(qū)域內(nèi)。然后，抗蝕 劑460用作掩模，焊料層416通過鍍層等方法形成在隔離金屬層415上。
之后，如圖27所示，抗蝕劑460 (見圖26)被去除，并且焊料層416 周圍的隔離金屬層415通過蝕刻被去除。因此，隔離金屬層405形成在電極 焊盤部分402上，所述隔離金屬層的外周端部分405b形成在鈍化層403的臺 階部分403b的外部，如圖19中的平面圖所示。而且，如圖17和圖18所示， 形成在電極焊盤部分402上的隔離金屬層405被配置為使得其周邊部分 405a位于絕緣保護(hù)層404之上。
如圖27所示，應(yīng)該指出，形成上述的絕緣保護(hù)層404可使隔離金屬層 405形成在電極焊盤部分402上，且與鈍化層403不直接接觸。
最后，通過在重熔爐內(nèi)加熱，焊料層416被熔化一段時間，以形成圖 17所示的球形焊料隆起焊盤406。這樣在隔離金屬層405上形成焊料隆起焊 盤406 (見圖17)。在這種方式下，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，半導(dǎo)體器件 內(nèi)的半導(dǎo)體芯片410的電極部分被形成。
盡管上述第二實(shí)施例論述了示例，在所述示例中聚酰亞胺制的絕緣 保護(hù)層被提供，但本發(fā)明并不局限于此。相反，根據(jù)第二實(shí)施例的修改示 例，可在半導(dǎo)體芯片510內(nèi)采用無絕緣保護(hù)層的配置，如圖28所示。在這 種情況下，不使用聚酰亞胺制的絕緣保護(hù)層，使用抗蝕劑以形成類似于上 述實(shí)施例的電極結(jié)構(gòu)。然后，.抗蝕劑被去除以獲得無絕緣保護(hù)層的配置。
19還有，在通過如圖16所示在半導(dǎo)體芯片與印刷電路板之間填充樹脂部件
440去除抗蝕劑的情況下，可防止倒裝芯片結(jié)合的可靠性降低。
可以理解，這里所公開的所有實(shí)施例的每一個方面都是示例性的， 而不是限制性的。本發(fā)明的范圍不受上述實(shí)施例的描述的限制，而是僅由 權(quán)利要求書限制，并且包括在等同于權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的任何修 改和改變。
例如，盡管上述第一和第二實(shí)施例論述了本發(fā)明用于BGA封裝的半 導(dǎo)體器件的示例，但本發(fā)明并不局限于此。本發(fā)明可適用于不同于BGA 封裝的半導(dǎo)體器件。
再如，盡管上述第一和第二實(shí)施例論述了絕緣保護(hù)層由聚酰亞胺構(gòu) 成的示例，但本發(fā)明并不局限于此。絕緣保護(hù)層可由不同于聚酰亞胺的任 何有機(jī)材料構(gòu)成，例如，BCB (苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene))或氟樹 脂。
再如，盡管上述第一和第二實(shí)施例論述了鈍化層由氮化硅構(gòu)成的示 例，但本發(fā)明并不局限于此。鈍化層可由不同于氮化硅的任何無機(jī)材料構(gòu) 成。例如，鈍化層可由SiON、 Si02等構(gòu)成。
再如，盡管上述第一和第二實(shí)施例論述了電極焊盤部分由鋁或鋁合 金構(gòu)成的示例，但本發(fā)明并不局限于此。電極焊盤部分可由不同于鋁或鋁 合金的任何金屬材料構(gòu)成，例如，金(Au)或AlCu合金。
再如，盡管上述第一和第二實(shí)施例論述了隔離金屬層由鈦構(gòu)成的示 例，但本發(fā)明并不局限于此。隔離金屬層可由不同于鈦的任何材料構(gòu)成。 不同于鈦的材料包括，例如，TiN和Ta。隔離金屬層可為由多個金屬層相 互疊加的多層結(jié)構(gòu)。
再如，盡管上述第一和第二實(shí)施例論述了包括焊料隆起焊盤的隆起 電極形成在電極焊盤上的示例，但本發(fā)明并不局限于此。相反，包括不同 于焊料隆起焊盤的金屬凸起(例如，Au或Cu凸起)的隆起電極可形成在 電極焊盤上。
再如，盡管上述第一和第二實(shí)施例論述了在半導(dǎo)體芯片與印刷電路 板之間的間隙填充樹脂部件的示例，但本發(fā)明并不局限于此。半導(dǎo)體芯片 與印刷電路板之間的間隙可不填充樹脂部件。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括電極焊盤部分，所述電極焊盤部分形成在襯底的表面上；包括第一開口的第一保護(hù)層，通過所述第一開口，電極焊盤部分的頂面被暴露，所述第一保護(hù)層形成在襯底的所述表面上以與電極焊盤部分的一部分重疊；隔離金屬層，所述隔離金屬層形成在電極焊盤部分上；和隆起電極，所述隆起電極形成在隔離金屬層上，其中，隔離金屬層具有外周端部分，當(dāng)從平面圖觀看時，所述外周端部分形成在第一保護(hù)層中的第一開口的內(nèi)部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層被形成以覆蓋第一保護(hù)層上的預(yù)定區(qū)域 和電極焊盤部分上的預(yù)定區(qū)域；其中，隔離金屬層形成在電極焊盤部分上，且隔離金屬層的周邊部分 位于第二保護(hù)層之上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，在第二保護(hù)層內(nèi)，形成第二開口，通過所述第二開口，電極焊盤部分 的頂面被暴露，且第二開口的開口寬度小于第一開口的開口寬度；以及， 其中，限定第二開口的第二保護(hù)層的邊緣部分具有傾斜形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件， 其中，第二保護(hù)層由聚酰亞胺構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中， 電極焊盤部分由包含鋁的材料構(gòu)成，隔離金屬層由包含鈦的材料構(gòu)成，以及隆起電極包括焊料隆起焊盤。
6. —種半導(dǎo)體器件，包括電極焊盤部分，所述電極焊盤部分形成在襯底的表面上； 包括第一開口的第一保護(hù)層，通過所述第一開口，電極焊盤部分的頂 面被暴露，所述第一保護(hù)層形成在襯底的表面上以與電極焊盤部分的一部分重疊；隔離金屬層，所述隔離金屬層形成在電極焊盤部分上并與第一保護(hù)層 不直接接觸；以及隆起電極，所述隆起電極形成在隔離金屬層上，其中，由于第一保護(hù)層與電極焊盤部分的一部分重疊的結(jié)果，第一保 護(hù)層具有形成在其內(nèi)的臺階部分；以及，其中，隔離金屬層具有外周端部分，當(dāng)在平面圖中觀察時，所述外周 端部分形成在臺階部分的外部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6中所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層被形成以覆蓋第一保護(hù)層上的預(yù)定區(qū)域 和電極焊盤部分上的預(yù)定區(qū)域；其中，隔離金屬層形成在電極焊盤部分上，且隔離金屬層的周邊部分 位于第二保護(hù)層之上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7中所述的半導(dǎo)體器件，其中，在第二保護(hù)層內(nèi)，形成第二開口，通過所述第二開口，電極焊盤部分 的頂面被暴露，且第二開口的開口寬度小于第一開口的開口寬度；以及， 其中，限定第二開口的第二保護(hù)層的邊緣部分具有傾斜形狀。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件， 其中，第二保護(hù)層由聚酰亞胺構(gòu)成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體器件，其中，電極焊盤部分由包含鋁的材料構(gòu)成，隔離金屬層由包含鈦的材 料構(gòu)成，以及隆起電極包括焊料隆起焊盤。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可防止可靠性降低的半導(dǎo)體器件。所述的半導(dǎo)體器件包括電極焊盤部分(2)，所述電極焊盤部分形成在半導(dǎo)體襯底(1)的上表面上；鈍化層(3)，所述鈍化層被形成在半導(dǎo)體襯底(1)的上表面上以與電極焊盤部分(2)的一部分重疊，并具有第一開口部分(3a)，在所述第一開口部分處，電極焊盤部分(2)的上表面被暴露；隔離金屬層(5)，所述隔離金屬層形成在電極焊盤部分(2)上；以及焊料隆起焊盤(6)，所述焊料隆起焊盤形成在隔離金屬層(5)上。隔離金屬層(5)被形成為當(dāng)在平面圖中觀看時，其外周端(5b)位于鈍化層(3)的第一開口部分(3a)內(nèi)。
文檔編號H01L21/60GK101681859SQ200880020280
公開日2010年3月24日 申請日期2008年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月15日
發(fā)明者上田茂幸, 森藤忠洋 申請人:羅姆股份有限公司