專利名稱：使用工藝氣的共形屏蔽工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及提供用于半導(dǎo)體模塊的屏蔽體，其中所述屏蔽體與所述半導(dǎo)體模塊集 成在一起。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代社會(huì)中，電子部件已經(jīng)變得無(wú)處不在。電子行業(yè)例行地宣布加速的計(jì)時(shí)速 度、更高的傳輸頻率、以及更小的集成電路模塊。盡管這些器件的益處是不計(jì)其數(shù)的，但是 運(yùn)行在較高頻率的較小電子部件也會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。較高的工作頻率意味著較短的波長(zhǎng)，其中 電子電路內(nèi)的較短的導(dǎo)電元件可能充當(dāng)不經(jīng)意地散播整個(gè)電磁頻譜范圍內(nèi)的電磁輻射的 天線。如果輻射的信號(hào)強(qiáng)度足夠高，則所述輻射可能干擾受到所述輻射的電子部件的運(yùn)行。 另外，聯(lián)邦通訊委員會(huì)(FCC)以及其它管理機(jī)構(gòu)對(duì)這些輻射作出規(guī)定，并且因此這些輻射 必需被保持在監(jiān)管要求的范圍內(nèi)。一種減少輻射的方式是環(huán)繞導(dǎo)致輻射或者對(duì)輻射靈敏的模塊形成屏蔽物。通常， 由覆蓋模塊或其一部分的接地導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來(lái)形成屏蔽物。當(dāng)來(lái)自屏蔽物內(nèi)的電子部件的輻射 碰到該屏蔽物的內(nèi)表面時(shí)，所述電磁輻射通過(guò)形成該屏蔽物的接地導(dǎo)電材料而被電短路， 由此減少輻射。同樣，當(dāng)來(lái)自屏蔽物之外的外部輻射碰到該屏蔽物的外表面時(shí)，發(fā)生類似的 電短路，并且該模塊上的電子部件并不經(jīng)歷所述輻射。然而，隨著模塊不斷由于小型化而變得更小，創(chuàng)建物質(zhì)上不增加模塊尺寸的有效 屏蔽物變得越來(lái)越困難。因此，存在針對(duì)一種如下屏蔽物的需要其大規(guī)模制造起來(lái)成本 低，基本不改變模塊的尺寸，并且有效地處理由不希望的電磁輻射所引起的干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明可以用于形成給定模塊的相應(yīng)部件區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)屏蔽物。在一個(gè)實(shí)施 例中，在襯底上形成具有針對(duì)兩個(gè)或兩個(gè)以上模塊的電路的元模塊，其中所述襯底優(yōu)選地 為層壓襯底。因此，所述不同模塊的電路最初被形成在單個(gè)元模塊上。每個(gè)模塊都將具有 一個(gè)或多個(gè)其中形成有電路的部件區(qū)域。針對(duì)該襯底上的每個(gè)將被屏蔽的部件，在該襯底 上或者在該襯底中形成金屬結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)金屬結(jié)構(gòu)環(huán)繞每個(gè)將被屏蔽的部 件區(qū)域的外圍的全部或一部分延伸。然后，單個(gè)本體(body)、比如包覆成型(overmold)本 體被形成在該元模塊上的所有模塊之上。在該本體被形成以后，通過(guò)切割、鉆孔等等操作 使每個(gè)將被屏蔽的部件區(qū)域的金屬結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過(guò)該本體而暴露。接著，電磁屏蔽 材料被應(yīng)用于每個(gè)將被屏蔽的部件區(qū)域的本體的外表面，并且接觸所述金屬結(jié)構(gòu)的暴露部 分。然后，所述模塊被彼此分離以形成單獨(dú)的模塊，其中所述單獨(dú)的模塊的每個(gè)都具有一個(gè) 或多個(gè)被整體屏蔽的部件區(qū)域。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在結(jié)合附圖閱讀了下面對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述以后能夠理解本發(fā)明的范圍，并且認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的附加方面。


被并入并且形成本說(shuō)明書(shū)一部分的附圖示出了本發(fā)明的若干方面，并且與描述一 起用于解釋本發(fā)明的原理。圖IA示出了根據(jù)本發(fā)明例子的具有被包覆成型本體覆蓋的一個(gè)子模塊的模塊。圖IB示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖IA的其中配備有集成電磁屏蔽物模塊的 截面。圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明例子的具有兩個(gè)由包覆成型本體覆蓋的子模塊的模塊。圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖2A的其中配備有集成電磁屏蔽物模塊的 截面。圖3A示出了具有若干根據(jù)圖IA和IB所示實(shí)施例的電子子模塊部件的疊層結(jié)構(gòu)。圖3B示出了根據(jù)圖3A所示實(shí)施例的子模塊，其中所述子模塊具有被定位在具有 暴露的金屬層?xùn)鸥竦寞B層上的部件區(qū)域。圖4A示出了具有若干根據(jù)圖2A和2B所示實(shí)施例的電子子模塊部件區(qū)域的疊層 結(jié)構(gòu)。圖4B示出了根據(jù)圖4A所示實(shí)施例的子模塊，其中所述子模塊具有被定位在疊層 上、暴露的金屬層?xùn)鸥駜?nèi)的部件區(qū)域。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一條元模塊。圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的元模塊的截面圖。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在提供了切割和鉆孔操作以暴露外圍金屬 結(jié)構(gòu)的環(huán)繞每個(gè)部件區(qū)域的部分以后的一條圖5的元模塊。圖8A示出了圖6的具有所示的用于創(chuàng)建圖IA和IB所示的類似模塊的分離線的 部分元模塊的頂視圖。圖8B示出了圖6的具有所示的用于創(chuàng)建圖2A和2B所示的類似模塊的分離線的 部分元模塊的頂視圖。
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造工藝的流程圖。圖10示出了根據(jù)圖9的實(shí)施例所構(gòu)造的示例性模塊。圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的制造工藝的流程圖。圖12示出了根據(jù)圖11的實(shí)施例所構(gòu)造的示例性模塊。圖13A和13B示出了將根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例而被屏蔽的隔離的部件區(qū)域。圖14A至14D示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于在給定模塊上提供被隔離的電磁屏蔽物的工藝。圖15A至15F示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的使用細(xì)劃片(sub-dicing)或類似 機(jī)械切割工藝以提供集成電磁屏蔽物的工藝。圖16A至16D示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的使用激光切割工藝以提供集成電磁 屏蔽物的工藝。圖17A至17D示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的使用機(jī)械或激光鉆孔工藝以提供集 成電磁屏蔽物的工藝。圖18A至18F示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的使用成型模子以提供集成電磁屏蔽 物的工藝。圖19示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的元模塊，其中沒(méi)有支承結(jié)構(gòu)在切穿包覆 成型本體的開(kāi)口之下。圖20示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的元模塊，其中存在支承結(jié)構(gòu)在切穿包覆 成型本體的開(kāi)口之下。圖21示出了包括支承結(jié)構(gòu)(比如圖20中所提供的支承結(jié)構(gòu))的疊層的底面。圖22示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的上面形成有密封環(huán)結(jié)構(gòu)的疊層的底面。圖23示出了根據(jù)本發(fā)明的元模塊的側(cè)視圖，其中密封環(huán)結(jié)構(gòu)被配備在上面形成 該元模塊的疊層的底面上。圖24A至24E示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于提供集成電磁屏蔽物的工藝， 其中使用鍍工藝來(lái)部分建立金屬層?xùn)鸥瘛D25A至25E示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于提供集成電磁屏蔽物的工藝， 其中使用表面安裝結(jié)構(gòu)來(lái)部分建立金屬層?xùn)鸥?。圖26A至26D示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于提供集成電磁屏蔽物的工藝， 其中使用表面安裝結(jié)構(gòu)來(lái)部分建立金屬層?xùn)鸥?。圖27A至27C示出了根據(jù)本發(fā)明的選擇實(shí)施例的用于表面安裝結(jié)構(gòu)的不同配置。圖28A示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的由處于襯底的頂面上的金屬樁構(gòu)成的金 屬層?xùn)鸥?。圖28B示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的由處于襯底的頂表面上的金屬跡線上的 金屬樁構(gòu)成的金屬層?xùn)鸥?。圖29A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的其中提供有集成電磁屏蔽物的模塊的 截面。圖29B至29D示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的不同模塊的截面，在所述模塊中， 集成電磁屏蔽物還被配置為充當(dāng)熱路或者熱沉。圖30A和30B分別是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的模塊的截面圖和頂視圖，其中該模塊包括與集成電磁屏蔽物相關(guān)聯(lián)的場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面所述的實(shí)施例表示為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明所需的信息，并 且示出了實(shí)施本發(fā)明的最佳模式。在根據(jù)附圖閱讀了下面的描述以后，本領(lǐng)域的技術(shù)人員 將理解本發(fā)明的概念，并且將認(rèn)識(shí)到對(duì)這些概念的未在此專門講述的應(yīng)用。應(yīng)當(dāng)理解，這些 概念和應(yīng)用落入本公開(kāi)以及所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。本發(fā)明可以用于形成給定模塊的相應(yīng)部件區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)屏蔽物。在一個(gè)實(shí)施 例中，在襯底上形成具有針對(duì)兩個(gè)或兩個(gè)以上模塊的電路的元模塊，其中所述襯底優(yōu)選地 為層壓襯底。因此，針對(duì)所述不同模塊的電路最初被形成在單個(gè)元模塊上。每個(gè)模塊都將 具有一個(gè)或多個(gè)其中形成有電路的部件區(qū)域。針對(duì)該襯底上的每個(gè)將被屏蔽的部件，在該 襯底上或者在該襯底中形成金屬結(jié)構(gòu)。所述金屬結(jié)構(gòu)可以由跡線、通孔、金屬層、金屬部件、 鍍材料等等及其任意組合構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)金屬結(jié)構(gòu)都環(huán)繞每個(gè)將被屏蔽的部 件區(qū)域的全部或部分外圍而延伸。然后，單個(gè)本體、比如包覆成型本體被形成在該元模塊的 所有模塊上。在形成該本體以后，通過(guò)切割、鉆孔等等操作使每個(gè)將被屏蔽的部件區(qū)域的金 屬結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過(guò)該本體而暴露。接著，電磁屏蔽材料被應(yīng)用于每個(gè)將被屏蔽的部 件區(qū)域的本體的外表面，并且接觸所述金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分。然后，所述模塊被彼此分離以 形成單獨(dú)的模塊，其中所述單獨(dú)的模塊的每個(gè)都具有一個(gè)或多個(gè)被整體屏蔽的部件區(qū)域。
在一個(gè)實(shí)施例中，使用化學(xué)鍍工藝來(lái)提供電磁屏蔽材料，所述化學(xué)鍍工藝使導(dǎo)電 的種子層沉積在包覆成型本體上并且接觸金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分。然后，電鍍工藝被用于將 第二導(dǎo)電層沉積到該種子層上。然后，金屬材料(比如鎳)的最終層通過(guò)電鍍工藝而被沉 積在第二導(dǎo)電層之上。在另一實(shí)施例中，通過(guò)將導(dǎo)電的環(huán)氧樹(shù)脂或涂料應(yīng)用于本體并且接 觸金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分來(lái)提供電磁屏蔽物。在兩個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層都創(chuàng)建了模塊的 一個(gè)或多個(gè)部件區(qū)域的集成電磁屏蔽物以減小電磁干擾(EMI)。對(duì)于下面的描述而言，描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明和隨后的權(quán)利要求書(shū) 的范圍不應(yīng)當(dāng)限于這些優(yōu)選實(shí)施例。例如，優(yōu)選實(shí)施例中的金屬結(jié)構(gòu)全部或者部分地由位 于該襯底的表面上或該襯底的表面中的金屬層?xùn)鸥駱?gòu)成。另外，所述金屬結(jié)構(gòu)位于沿著一 個(gè)或多個(gè)部件區(qū)域的全部或部分外圍之處。這些實(shí)施例適于有效的處理；然而，本領(lǐng)域的 技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到，集成電磁屏蔽物所連接到的金屬結(jié)構(gòu)并不需要位于沿著部件區(qū)域的 外圍之處，也不需要是金屬層?xùn)鸥竦囊徊糠帧Ｖ匾氖?，該金屬結(jié)構(gòu)可以基本上采取任意的 形式或形狀，并且可以位于襯底的頂面上或者頂面中。該金屬結(jié)構(gòu)可以僅僅是沿著該模塊 的頂面的單個(gè)點(diǎn)、以及沿著將被屏蔽的一個(gè)或多個(gè)部件區(qū)域的全部或部分延伸的連續(xù)或分 段的結(jié)構(gòu)。因此，在下面實(shí)施例中被用于提供金屬結(jié)構(gòu)的金屬層?xùn)鸥駜H僅是為了示出優(yōu)選 實(shí)施例而被提供的，并且因此不應(yīng)限制什么組成金屬結(jié)構(gòu)或者金屬結(jié)構(gòu)根據(jù)本發(fā)明如何形 成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在圖IA和IB中示出了模塊10。模塊10具有疊層12， 疊層12具有金屬結(jié)構(gòu)，該金屬結(jié)構(gòu)可以由處于疊層12或類似襯底的頂面上或者頂面中的 金屬層?xùn)鸥?4構(gòu)成。如上面所指示的那樣，可以使用任意的金屬結(jié)構(gòu)；然而，優(yōu)選實(shí)施例使 用金屬層?xùn)鸥?4的一部分來(lái)形成外圍金屬結(jié)構(gòu)。在這些圖中僅僅示出了金屬層?xùn)鸥?4的一個(gè)區(qū)段，并且未單獨(dú)標(biāo)出外圍金屬結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠溆山饘賹訓(xùn)鸥?4構(gòu)成。所示模塊10具有單個(gè)部件區(qū)域16，該部件區(qū)域16處于該外圍金屬結(jié)構(gòu)之內(nèi)，并且在該部件區(qū)域16中形成有 模塊10的電路。由介電材料構(gòu)成的本體、比如包覆成型本體18位于疊層12之上并且包圍 部件區(qū)域16。如IB所示，電磁屏蔽物20被整體形成在包覆成型本體18之上并且接觸金屬 層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分。給定模塊10可以包括任意數(shù)目的部件區(qū)域16，其中部件區(qū)域16之一或多個(gè)具有相應(yīng)的電磁屏蔽物20。如圖2A和2B所示，兩個(gè)部件區(qū)域16A和16B在金屬層?xùn)鸥?4中被 定位為使得給部件區(qū)域16A和16B的每個(gè)提供有外圍金屬結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)例中，相鄰部件 區(qū)域16A和16B的外圍金屬結(jié)構(gòu)可以共享金屬層?xùn)鸥?4的共同區(qū)段。所示出的模塊10具有兩個(gè)部件區(qū)域16A和16B，所述部件區(qū)域16A和16B位于相應(yīng)外圍金屬結(jié)構(gòu)之內(nèi)，并且在所述部件區(qū)域16A和16B中形成有模塊10的電路(未示出)。 包覆成型本體18位于疊層12之上并且包圍相應(yīng)的部件區(qū)域16A和16B。如圖2B所示，電 磁屏蔽物20被整體形成在包覆成型本體18之上并且接觸金屬層?xùn)鸥?4的相應(yīng)外圍金屬 結(jié)構(gòu)的暴露部分。盡管模塊10的部件區(qū)域16A和16B被表示為彼此相鄰，但是它們基本上 可以同彼此分開(kāi)，這將在后面描述。參考圖3A，示出了一種擴(kuò)展的疊層結(jié)構(gòu)，其中金屬層?xùn)鸥?4被形成在疊層12的頂面上或頂面中。該疊層結(jié)構(gòu)包括許多部件區(qū)域16，所述部件區(qū)域16的每個(gè)都包括唯一模 塊10(比如圖IA和IB所示的模塊)的電路，其中每個(gè)模塊10包括單個(gè)部件區(qū)域16。所 示出的被形成在該疊層結(jié)構(gòu)上的金屬層?xùn)鸥?4是具有所定義的寬度的金屬跡線的網(wǎng)狀線 (crosshatch)。金屬層?xùn)鸥?4的每個(gè)開(kāi)口都形成部件區(qū)域16，其中在所述部件區(qū)域中形成 有模塊10的電路。圖3B示出了該疊層結(jié)構(gòu)的被隔離的部分，該被隔離的部分將最終被用 于形成模塊10，其中模塊10具有與單個(gè)子模塊22相關(guān)聯(lián)的單個(gè)部件區(qū)域16。在該例中， 連續(xù)的金屬跡線被形成為環(huán)繞每個(gè)部件區(qū)域16的外圍，并且表示相應(yīng)部件區(qū)域16的外圍 金屬結(jié)構(gòu)。所述外圍金屬結(jié)構(gòu)或者構(gòu)成其的金屬層?xùn)鸥?4并不需要是連續(xù)的，也不需要完 全或者甚至基本圍繞部件區(qū)域16，這將在后面示出。如在此所使用的那樣，術(shù)語(yǔ)“外圍”被 定義為精確邊界(即具體來(lái)說(shuō)由部件區(qū)域16的外圍邊緣形成的邊界)內(nèi)的最外面的部分 或區(qū)。值得注意的是，具有單個(gè)部件區(qū)域16的模塊10的所述外圍邊緣環(huán)繞著模塊10的外 圍邊緣。另外，術(shù)語(yǔ)“柵格”被用于僅僅指示由于存在許多模塊而在元模塊24上形成外圍 等等的金屬結(jié)構(gòu)的重復(fù)樣式。金屬層?xùn)鸥竦呐c不同模塊10或者其中的部件區(qū)域16相關(guān)聯(lián) 的區(qū)段可以同彼此分開(kāi)。參考圖4A，示出了另一擴(kuò)展的疊層結(jié)構(gòu)，其中金屬層?xùn)鸥?4被形成在疊層12的頂面上。該疊層結(jié)構(gòu)包括許多部件區(qū)域16A和16B。每對(duì)部件區(qū)域16A和16B包括唯一模塊 10 (比如圖2A和2B所示的模塊)的電路(未示出)，其中每個(gè)模塊10都包括部件區(qū)域16A 和16B 二者。金屬層?xùn)鸥?4的每個(gè)開(kāi)口形成其中形成有模塊10的電路的部件區(qū)域16A或 者16B。圖4B示出了該疊層結(jié)構(gòu)的被隔離的部分，該被隔離的部分將最終被用于形成模塊 10，其中模塊10具有分別與兩個(gè)子模塊22相關(guān)聯(lián)的兩個(gè)部件區(qū)域16A和16B。在該例中， 金屬層?xùn)鸥?4的連續(xù)的金屬跡線被形成為環(huán)繞每個(gè)部件區(qū)域16A或16B的外圍，并且表示 相應(yīng)部件區(qū)域16A和16B的外圍金屬結(jié)構(gòu)。再者，所述外圍金屬結(jié)構(gòu)或者構(gòu)成其的金屬層 柵格14并不需要是連續(xù)的，也不需要完全圍繞部件區(qū)域16A或16B。
圖5示出了擴(kuò)展的一條疊層12上的四個(gè)元模塊24。每個(gè)元模塊24都包括許多模 塊10的金屬層?xùn)鸥?4和部件區(qū)域16 (16A，16B)。擴(kuò)展的包覆成型本體18覆蓋每個(gè)元模塊 24、金屬層?xùn)鸥?4、以及其中的部件區(qū)域16的大部分。包覆成型本體18可以是塑料介電材 料等等，如通常被用于半導(dǎo)體制造工藝中的包覆成型的那些。再者，可以使用其它材料和工 藝來(lái)形成提供與由包覆成型過(guò)程所提供的保護(hù)性封裝相類似的保護(hù)性封裝的本體。因此， 每個(gè)元模塊24都將最終被用于創(chuàng)建許多模塊10，其中每個(gè)模塊10都可以根據(jù)設(shè)計(jì)要求而 具有一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)于子模塊22的部件區(qū)域16。在圖6中示出了元模塊24的截面。 如所示的那樣，對(duì)于元模塊24上的所有模塊10的每個(gè)將被屏蔽的部件區(qū)域16都 可以具有外圍金屬結(jié)構(gòu)，所述外圍金屬結(jié)構(gòu)是金屬層?xùn)鸥?4的一部分。如圖7所示，在單 個(gè)包覆成型本體18被形成在元模塊24上的所有模塊10上以后，通過(guò)切割、鉆孔等操作使 每個(gè)模塊10的每個(gè)部件區(qū)域16的外圍金屬結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過(guò)所述單個(gè)包覆成型本體 18而暴露。該暴露步驟有效地切穿或者鉆穿包覆成型本體18到達(dá)金屬層?xùn)鸥?4的外圍金 屬結(jié)構(gòu)的全部或所選部分或者進(jìn)入(但優(yōu)選地不穿過(guò))金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)的 全部或所選部分。根據(jù)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，每個(gè)元模塊24被切割或者鉆孔為使得每個(gè)將被屏蔽的部 件區(qū)域16的包覆成型本體18都彼此不同而形成子模塊22。盡管在后面將描述各種暴露技 術(shù)，但是一種示例性技術(shù)使用細(xì)劃片技術(shù)(sub-dicing)。在外圍金屬結(jié)構(gòu)的部分被暴露以 后，電磁屏蔽材料被應(yīng)用于每個(gè)模塊10的包覆成型本體18的外表面的全部或者一部分并 且接觸所述外圍金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分，以形成電磁屏蔽物20。然后，元模塊24被分離以形 成單獨(dú)的模塊，所述單獨(dú)的模塊具有一個(gè)或多個(gè)被整體屏蔽的部件區(qū)域，這將在下面詳細(xì) 描述。圖8A示出了元模塊24在細(xì)劃片以后但在分開(kāi)以前的部分的頂視圖。在該例中， 環(huán)繞著每個(gè)子模塊22的外圍而暴露金屬層?xùn)鸥?4，其中每個(gè)子模塊22都對(duì)應(yīng)于元模塊24 的針對(duì)給定部件區(qū)域16的部分。虛線表示為形成具有單個(gè)子模塊22的單獨(dú)模塊10而在 隨后的分離工藝中將要進(jìn)行的切割。該分離工藝使模塊10同彼此分開(kāi)。盡管每個(gè)模塊10 都被表示為具有單個(gè)子模塊22，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到，模塊10可以包括任意 數(shù)目的子模塊22。例如，圖8B示出了如下的實(shí)施例在所示實(shí)施例中，每個(gè)模塊10將包括 兩個(gè)相鄰的子模塊22。圖9提供了詳細(xì)說(shuō)明用于創(chuàng)建根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例在圖10所示的模塊10的步 驟的工藝流程圖。具體來(lái)說(shuō)，形成元模塊24 (步驟100)，其中元模塊24內(nèi)的每個(gè)子模塊22 都具有環(huán)繞著將被屏蔽的部件區(qū)域16的外圍的外圍金屬結(jié)構(gòu)。該外圍金屬結(jié)構(gòu)由金屬層 柵格14構(gòu)成。接著，使與每個(gè)子模塊22相關(guān)聯(lián)的外圍金屬結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)部分穿過(guò)包覆成型 本體18而暴露(步驟102)。例如，可以使用細(xì)劃片工藝來(lái)切穿每個(gè)將被屏蔽的子模塊22 的包覆成型本體18并且到達(dá)金屬層?xùn)鸥?4。在后面將描述其它的暴露技術(shù)。此時(shí)，環(huán)繞著 每個(gè)子模塊22的包覆成型本體18而暴露金屬層?xùn)鸥?4的一部分?？梢詢?yōu)選地使用等離子清洗工藝來(lái)清洗包覆成型本體18的暴露表面，以除去殘 留在包覆成型本體18的表面上的蠟或其它有機(jī)化合物和材料(步驟104)。所述等離子清洗 過(guò)程使包覆成型本體18的表面經(jīng)受反應(yīng)工藝氣、比如氬氣、氧氣、氮?dú)?、氫氣、四氟化碳?六氟化硫、三氟化氮等等，所述反應(yīng)工藝氣有效地蝕去包覆成型本體18的暴露表面上的雜質(zhì)。實(shí)際上，所述雜質(zhì)在暴露于所述工藝氣時(shí)被汽化、燒灼或者以其它方式被從包覆成型本 體18的暴露表面上除去。隨后，優(yōu)選地通過(guò)磨損工藝、除污技術(shù)等工藝來(lái)使每個(gè)子模塊22 的包覆成型本體18的經(jīng)過(guò)清洗的表面粗糙化(步驟106)。在一個(gè)實(shí)施例中，提供化學(xué)粗糙 化工藝。應(yīng)當(dāng)理解，可以將掩膜(mask)(未示出)定位在疊層12的下側(cè)，使得在下面的步 驟中所述的工藝并不干擾每個(gè)子模塊22的底側(cè)上的任何電觸頭(未示出)。該掩膜幫助防 止液體和氣體到達(dá)這些電觸頭，其中所述電觸頭可以充當(dāng)模塊10的輸入/輸出觸頭?？商娲?，可以使用密封結(jié)構(gòu)、比如下面將要描述的密封結(jié)構(gòu)。在粗糙化以后，執(zhí)行化學(xué)鍍工藝以使導(dǎo)電材料的種子層26沉積在子模塊22的包 覆成型本體18之上并且接觸金屬層?xùn)鸥?4的暴露部分(步驟108)。在一個(gè)示例性實(shí)施例 中，根據(jù)需要或期望，導(dǎo)電材料的種子層26可以是銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、或者 其它的材料。在此，化學(xué)鍍工藝被定義為金屬的化學(xué)沉積而不是基于電的沉積。將Cu在介電襯底上的示例性化學(xué)鍍工藝可能需要預(yù)先沉積催化劑、比如鈀錫 (Pd-Sn)膠體(其由被錫離子穩(wěn)定層圍繞的金屬鈀核組成)。在活化步驟(該膠體的沉積) 之后通常是加速步驟(過(guò)量離子錫的去除)。通過(guò)上述機(jī)械或化學(xué)的預(yù)處理步驟來(lái)改善沉 積物到襯底的附著。也可以使用其它化學(xué)鍍工藝，并且這些化學(xué)鍍工藝被認(rèn)為處于本發(fā)明 的范圍內(nèi)。在導(dǎo)電材料的種子層26被創(chuàng)建在子模塊22的包覆成型本體18之上并且接觸金 屬層?xùn)鸥?4的暴露部分以后，執(zhí)行電鍍工藝以使導(dǎo)電材料的第二層28沉積在最初所沉積 的種子層26之上(步驟110)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，根據(jù)需要或期望，導(dǎo)電材料的第二 層28可以是Cu、Al、Ag、Au、或者其它的材料。應(yīng)當(dāng)理解，金屬層?xùn)鸥?4的暴露部分被電耦 合到種子層26，并且然后種子層26傳導(dǎo)電鍍工藝的電流。在生成第二層28以后，通過(guò)第二電鍍工藝在第二層28之上創(chuàng)建第三層30 (步驟 112)。第三層30可以是相對(duì)不良的導(dǎo)體，并且可以是低應(yīng)力鎳(Ni)層等等。鎳用于保護(hù) 導(dǎo)電層使得它們不致于脫色、受到腐蝕、或者在其它情況下受環(huán)境影響。同樣，鎳可以通過(guò) 吸收電子輻射而有助于屏蔽功能。在一個(gè)示例性的實(shí)施例中，種子層26、第二層28、以及第三層30形成屏蔽物32，該 屏蔽物的厚度近似為10-50 μ m。也可以生成更大或更小的厚度。至少一個(gè)被金屬涂覆的 或者被金屬填充的通孔34可以將金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)電耦合到疊層12底部處 或者疊層12內(nèi)的地平面36，使得金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)以及屏蔽物32被電接地。 屏蔽物32、通孔34、以及地平面36形成封裝屏蔽結(jié)構(gòu)，其基本上包圍每個(gè)子模塊22的部件 區(qū)域16。在步驟110的電鍍工藝之后，元模塊24被分離以形成具有兩個(gè)或兩個(gè)以上子模塊 22的模塊10(步驟114)。如在此所使用的那樣，術(shù)語(yǔ)“分離”被定義為如下工藝在該工 藝中，使用切割等工藝將各個(gè)模塊10彼此分開(kāi)，使得每個(gè)模塊10都是單個(gè)模塊。最后，該 掩膜(其被定位在該條疊層12的下側(cè))可以被從模塊10的輸入/輸出(I/O)側(cè)38除去 (步驟116)。應(yīng)當(dāng)理解，可以在本工藝中重新安排某些步驟。例如，該掩膜可以在分離以前 被除去。同樣，如果層26、28、或者30太厚，則該層可以被研磨或者刻蝕得薄到所期望的厚 度。再者，該實(shí)施例的最后結(jié)果可以是模塊10具有兩個(gè)被屏蔽的子模塊(如圖10所示)， 但是模塊10可以被配置為具有一個(gè)或多個(gè)子模塊22，其中所述子模塊22中的一些或者全部具有屏蔽物32。盡管描述了特定的鍍工藝，但是可以使用任意層數(shù)的各種化學(xué)鍍或電鍍 技術(shù)。圖11示出了詳細(xì)描述用于創(chuàng)建根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例在圖12所示的的模塊10 的步驟的工藝流程圖。像上面那樣，最初元模塊24被形成(步驟200)，其中元模塊24內(nèi)的 每個(gè)子模塊22都具有環(huán)繞著將被屏蔽的部件區(qū)域16的外圍的外圍金屬結(jié)構(gòu)，并且所述外 圍金屬結(jié)構(gòu)由金屬層?xùn)鸥?4構(gòu)成。接著，與每個(gè)子模塊22相關(guān)聯(lián)的外圍金屬結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過(guò)包覆成型本體 18而被暴露(步驟202)。再者，可以使用細(xì)劃片工藝來(lái)切穿每個(gè)子模塊22的包覆成型本 體18并且到達(dá)金屬層?xùn)鸥?4，而其它可能的暴露技術(shù)將在后面描述。此時(shí)，環(huán)繞著每個(gè)模 塊22的包覆成型本體18的外圍，金屬層?xùn)鸥?4的一部分被暴露。包覆成型本體18的暴露表面可以優(yōu)選地使用等離子清洗工藝而被清洗，以除去殘留在包覆成型本體18的表面上的蠟或其它有機(jī)化合物和材料(步驟204)。隨后，每個(gè)子 模塊22的包覆成型本體18的經(jīng)過(guò)清洗的表面優(yōu)選地通過(guò)磨損工藝、除污技術(shù)等工藝而被 粗糙化(步驟206)。在粗糙化以后，導(dǎo)電微粒(fleck)填充的環(huán)氧樹(shù)脂40可以被噴涂到每個(gè)每個(gè)子 模塊22的包覆成型本體18之上并且接觸金屬層?xùn)鸥?4(步驟208)。在一個(gè)示例性實(shí)施 例中，導(dǎo)電微粒填充的環(huán)氧樹(shù)脂40是由Chomerics (77 Dragon Court, Woburn, MA 01801) 所銷售的CHO-SHIELD 610。在某些實(shí)施例中，根據(jù)需要或期望，導(dǎo)電微粒填充的環(huán)氧樹(shù)脂 40的導(dǎo)電微?？梢允荂u、Ag、Cu和Ag的混合物、錫/鋅(Sn/Zn)合金、或者其它導(dǎo)電材料。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到將其它可用的導(dǎo)電噴涂物用于屏蔽材料。盡管CH0-SHIELD 610具有承載導(dǎo)電微粒的環(huán)氧樹(shù)脂40，但是其它材料、比如聚氨酯(polyurethane)、丙烯酸 (acrylic)、氨基甲酸乙酯(urethane)等等可以是其中可以承載有導(dǎo)電微粒的介質(zhì)。另外， 可以應(yīng)用多層屏蔽材料?！獋€(gè)或多個(gè)被金屬涂覆的或者被金屬填充的通孔34可以將金屬層?xùn)鸥?4電耦合 到疊層12底部處或者疊層12內(nèi)的地平面36，使得金屬層?xùn)鸥?4以及導(dǎo)電微粒填充的環(huán)氧 樹(shù)脂40被電接地。導(dǎo)電微粒填充的環(huán)氧樹(shù)脂40、通孔34、以及地平面36形成封裝屏蔽結(jié) 構(gòu)，其基本上包圍每個(gè)子模塊22的部件區(qū)域16A和16B。在應(yīng)用了導(dǎo)電微粒填充的環(huán)氧樹(shù)脂40以后，元模塊24被分離以形成具有一個(gè)或 多個(gè)子模塊22的模塊10 (步驟210)。再者，應(yīng)當(dāng)理解，掩膜可以被從模塊10的輸入/輸出 側(cè)38除去(步驟212)。根據(jù)需要或期望，該掩膜可以在分離以前被除去。在上面的實(shí)施例中，被配備在具有多個(gè)子模塊22的模塊10各個(gè)部件區(qū)域16A和 16B被表示為基本上彼此相鄰。因此，相鄰部件區(qū)域16A和16B的外圍金屬結(jié)構(gòu)的一部分可 以由金屬層?xùn)鸥?4的同一部分構(gòu)成。換言之，相鄰部件區(qū)域16A和16B可以共享外圍金屬 結(jié)構(gòu)的共同部分。然而，位于單個(gè)模塊10上的單獨(dú)的部件區(qū)域16可以彼此分隔開(kāi)，并且可 以與物理上彼此分開(kāi)的、彼此電隔離的或者二者兼有之的外圍金屬結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)。在某些實(shí) 施例中，所產(chǎn)生的屏蔽結(jié)構(gòu)可以彼此電隔離，而其它結(jié)構(gòu)可以使其結(jié)構(gòu)在物理上基本上彼 此隔離，其中相應(yīng)的屏蔽結(jié)構(gòu)可以通過(guò)疊層結(jié)構(gòu)的表面上的一個(gè)或多個(gè)專用跡線或者通過(guò) 其中的電連接而彼此耦合。參考圖13A，模塊10被表示為具有單個(gè)部件區(qū)域16A、16B、16C。在該實(shí)施例中，假設(shè)至少根據(jù)本發(fā)明的屏蔽技術(shù)，部件區(qū)域16A和16B將被屏蔽并且部件區(qū)域16C將不被屏 蔽。如所示的那樣，部件區(qū)域16A和16B并不彼此相鄰，并且在疊層12的表面上被部件區(qū) 域16C或其它區(qū)域物理上被彼此隔離。參考圖13B，金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)14A和 14B被配備為分別環(huán)繞部件區(qū)域16A和18B。值得注意的是，外圍金屬結(jié)構(gòu)14A和14B至少 物理上彼此隔離，并且根據(jù)被實(shí)施在疊層12上或疊層12內(nèi)的電連接，可以被彼此電隔離。 在許多實(shí)施例中，外圍金屬結(jié)構(gòu)14A和14B可以最終電連接到被配備在該疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)的不 同或者同一地平面。當(dāng)相應(yīng)部件區(qū)域16A和16B中的電部件往往彼此對(duì)接時(shí)、比如在一個(gè) 區(qū)域16A包括模擬電子以及另一部件區(qū)域16B包括數(shù)字電子的情況下，這樣的實(shí)施例是特 別有利的。在這樣的實(shí)施例中，外圍金屬結(jié)構(gòu)14A和14B的全部或者一部分穿過(guò)包覆成型本 體18(圖13A和13B中未示出)而被暴露。一旦外圍金屬結(jié)構(gòu)14A和14B的這些部分被暴 露，則可以提供清洗、粗糙化、以及屏蔽材料應(yīng)用步驟。如果需要對(duì)部件區(qū)域16A和16B的 相應(yīng)屏蔽物進(jìn)行物理隔離或者電隔離，則可能需要附加的步驟來(lái)保證被用于形成所產(chǎn)生的 電磁屏蔽物20的屏蔽材料彼此隔離。在圖14A至14D中示出了用于保持相應(yīng)部件區(qū)域16A 的16B的屏蔽物20之間分開(kāi)的示例性工藝。參考圖14A，示出了在與部件區(qū)域16A和16B相關(guān)聯(lián)的外圍金屬結(jié)構(gòu)14A和14B的 部分已經(jīng)穿過(guò)包覆成型本體18而被暴露以后的時(shí)刻的模塊10的截面。該暴露過(guò)程產(chǎn)生開(kāi) 口 42，所述開(kāi)口 42穿過(guò)包覆成型本體18延伸到外圍金 屬結(jié)構(gòu)14A和14B。在形成不同的 電磁屏蔽物20以前，屏蔽材料掩膜44 (比如鍍掩膜或者噴涂掩膜)以隔離其中相應(yīng)電磁屏 蔽物20被形成的區(qū)域的方式而被應(yīng)用。如圖14B所示，屏蔽材料掩膜44被配備在如下區(qū) 域之間在所述區(qū)域中，將針對(duì)相應(yīng)的部件區(qū)域16A和16B形成相應(yīng)的電磁屏蔽物20。參考圖14C，為了形成相應(yīng)電磁屏蔽物20所必需的電磁屏蔽材料46被應(yīng)用于與相 應(yīng)部件區(qū)域16A和16B相關(guān)聯(lián)的包覆成型本體18的部分，以形成電磁屏蔽物20。值得注 意的是，電磁屏蔽材料掩膜44防止與不同電磁屏蔽物20相關(guān)聯(lián)的電磁屏蔽材料46彼此接 觸。因此，環(huán)繞著部件區(qū)域16A和16B在包覆成型本體18的相應(yīng)部分之上形成電磁屏蔽物 20，并且所述電磁屏蔽物20還保持至少在物理上彼此分開(kāi)。在隨后的步驟，電磁屏蔽材料 掩膜可以被除去(如圖14D所示)。值得注意的是，可以在模塊10上配備任意數(shù)目的部件 區(qū)域16。所產(chǎn)生的針對(duì)這些部件區(qū)域16的屏蔽體可以被隔離或者被連接，其中某些部件區(qū) 域16或者部件區(qū)域組16可以彼此隔離，而其它部件區(qū)域16或者部件區(qū)域組16可以彼此 連接。所期望的對(duì)配備在相應(yīng)部件區(qū)域16中的電子部件的屏蔽要求將決定這樣的設(shè)計(jì)決 策。在本發(fā)明的許多實(shí)施例的情況下，使用暴露工藝來(lái)除去包覆成型本體18(或類似 本體)的處于外圍金屬結(jié)構(gòu)的將被暴露的部分之上的部分，使得電磁屏蔽材料46可以被應(yīng) 用于包覆成型本體18的剩余部分以及被應(yīng)用到被創(chuàng)建在外圍金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分之上的 開(kāi)口 42中?？梢允褂酶鞣N方法來(lái)創(chuàng)建穿過(guò)包覆成型本體18并且到達(dá)或部分進(jìn)入外圍金屬 結(jié)構(gòu)的暴露部分中的開(kāi)口 42。這些方法包括細(xì)劃片(機(jī)械切割)、激光燒蝕、激光鉆孔、機(jī) 械鉆孔、等離子刻蝕等等。值得注意的是，基于化學(xué)的蝕刻技術(shù)通?？梢哉J(rèn)為是切割技術(shù)。 另外，可以結(jié)合形成包覆成型本體18來(lái)提供模制工具或模子(form)，其中使用該模子來(lái)保 留開(kāi)口 42的全部或一部分。
參考圖15A和15B，示出了在使用暴露技術(shù)來(lái)創(chuàng)建如下的開(kāi)口 42以前的模塊10 所述開(kāi)口42被形成為穿過(guò)包覆成型本體18到達(dá)或者進(jìn)入金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu) 的將被暴露的部分。圖15A是模塊10的截面，并且圖15B是模塊10的頂視圖。如所示的 那樣，包覆成型本體18覆蓋金屬層?xùn)鸥?4和部件區(qū)域16、以及疊層結(jié)構(gòu)的剩余表面。參考圖15C和15D，模塊10已經(jīng)經(jīng)歷了細(xì)劃片操作，其中使用鋸來(lái)形成開(kāi)口 42，所 述開(kāi)口42處于由金屬層?xùn)鸥?4所提供的基本上全部外圍金屬結(jié)構(gòu)之上。圖15C是模塊10 的截面圖，并且圖15D是模塊10的頂視圖。由于細(xì)劃片步驟使用鋸，所以開(kāi)口42往往采取 位于金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)之上的溝的形式。在某些實(shí)施例中，這些溝可以延伸經(jīng) 過(guò)直接環(huán)繞著部件區(qū)域16的外圍金屬結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，使用深度控制的切割工藝以允許鋸切 穿包覆成型本體18到達(dá)或者稍微進(jìn)入外圍金屬結(jié)構(gòu)，還防止鋸?fù)耆写┩鈬饘俳Y(jié)構(gòu)。參 考圖15E和15F，電磁屏蔽物20被形成在包覆成型本體18之上并且進(jìn)入到如上所述的開(kāi)口 42中。圖15E提供了電磁屏蔽物20被形成以后的模塊10的截面圖，并且圖15F提供電磁 屏蔽物20被形成以后的模塊10的頂視圖。如所提到的那樣，還可以使用激光燒蝕來(lái)形成穿過(guò)包覆成型本體18的開(kāi)口 42。總的來(lái)說(shuō)，激光燒蝕是使用激光來(lái)以與在細(xì)劃片工藝期間所提供的方式類似的方式切穿包覆 成型本體18。使用激光的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是更精確控制切割操作的位置和深度這一能力。由于 在形成開(kāi)口 42時(shí)精確控制切割深度這一能力是重要的，所以立即開(kāi)啟或關(guān)閉切割工藝中 所使用的激光器這一能力使得激光燒蝕對(duì)形成開(kāi)口42特別有利。值得注意的是，某些激光 燒蝕技術(shù)產(chǎn)生為開(kāi)口 42形成的梯形溝、比如圖16A和16B所示的梯形溝。圖16A是在使用 激光燒蝕形成開(kāi)口 42以后的模塊10的截面，并且圖16B是頂視圖。分別為模塊10的截面 圖和頂視圖的圖16C和16D示出了在包覆成型本體18之上以及開(kāi)口 42中形成電磁屏蔽物 20以后的模塊10。此外，可以使用機(jī)械和激光鉆孔工藝來(lái)形成開(kāi)口 42。參考分別為在形成電磁屏蔽物20以前的模塊10的截面圖和頂視圖的圖17A和17B，示出了兩類開(kāi)口 42。通過(guò)機(jī)械鉆 孔所形成的開(kāi)口 42被標(biāo)為42M，并且通過(guò)激光鉆孔所形成的開(kāi)口被標(biāo)為42L。值得注意的 是，不大可能使用機(jī)械和激光鉆孔二者來(lái)形成相同模塊10的開(kāi)口 42。這些被不同地形成的 開(kāi)口 42M和42L僅僅被示出以表示開(kāi)口 42M和42L由于使用不同鉆孔工藝而可以采取的不 同形狀。如所示的那樣，開(kāi)口 42M或42L (42M/L)被鉆得穿過(guò)包覆成型本體18到達(dá)或者進(jìn)入環(huán)繞部件區(qū)域16的金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)。開(kāi)口 42M/L的尺寸和數(shù)目可以基于 設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和屏蔽要求。參考圖17C和17D，分別示出了在包覆成型本體18之上以及所鉆出 的開(kāi)口 42M或42L中形成電磁屏蔽物20模塊10的截面圖和頂視圖。圖18A至18F示出了如下的實(shí)施例在該實(shí)施例中，使用兩個(gè)步驟的工藝來(lái)創(chuàng)建開(kāi)口 42，所述工藝使用一種模子來(lái)最初在形成包覆成型本體18的同時(shí)創(chuàng)建包覆成型本體18 中的模子開(kāi)口 48.現(xiàn)在參考圖18A和18B，其分別是已經(jīng)形成包覆成型本體18以后的模塊 10的截面圖和頂視圖。值得注意的是，在當(dāng)時(shí)形成包覆成型本體18時(shí)，使用模子來(lái)創(chuàng)建模 子開(kāi)口 48，所述模子開(kāi)口 48被表示為處于包覆成型本體18內(nèi)的部件區(qū)域16之上并且環(huán)繞 所述部件區(qū)域16的溝。在設(shè)置包覆成型本體18以后，該模子被從包覆成型本體18除去而 留下模子開(kāi)口 48。該實(shí)施例中的模子開(kāi)口 48并不完全延伸到由金屬層?xùn)鸥?4所提供的外圍金屬結(jié)構(gòu)。而是，包覆成型本體18的一部分殘留在模子開(kāi)口 48的底部與外圍金屬結(jié) 構(gòu)的頂部之間。因此，為了暴露外圍金屬結(jié)構(gòu)的至少一部分，需要附加的步驟來(lái)從模子開(kāi)口 48的底部到外圍金屬結(jié)構(gòu)的必須暴露的部分切穿或鉆穿包覆成型本體18?？梢允褂眉す?或機(jī)械鉆孔或切割工藝來(lái)形成第二開(kāi)口 48'，所述第二開(kāi)口 48'從模子開(kāi)口 48的底部延 伸到或者延伸入外圍金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分，這在圖18C和18D中被示出(其分別是截面圖 和頂視圖)。
參考圖18E和18F，分別提供了在電磁屏蔽物20被形成在包覆成型本體18之上并 且進(jìn)入模子開(kāi)口 48和第二開(kāi)口 48'以后的模塊10的截面圖和頂視圖。模子開(kāi)口 48和第 二開(kāi)口 48'創(chuàng)建總開(kāi)口 42。在上面所有的實(shí)施例中，電磁屏蔽物18將從包覆成型本體18 的頂部的至少一部分穿過(guò)開(kāi)口 42延伸到外圍金屬結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施例中，被用于形成開(kāi)口 42的切割或鉆孔操作向疊層12施加顯著的下 壓力。在許多實(shí)例中，該下壓力可能導(dǎo)致疊層12向下彎曲，這可能影響開(kāi)口 42的深度。如 果疊層12彎曲得太厲害，則開(kāi)口 42不能到達(dá)外圍金屬結(jié)構(gòu)。因此，所產(chǎn)生的電磁屏蔽物20 將不電接觸外圍金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分，這將影響電磁屏蔽物20的屏蔽性能。如果開(kāi)口 42 延伸得太遠(yuǎn)，則全部或過(guò)多的外圍金屬結(jié)構(gòu)可能通過(guò)切割或鉆孔工藝而被除去，再者影響 外圍金屬結(jié)構(gòu)與電磁屏蔽物之間的電接觸，進(jìn)而影響電磁屏蔽物20的性能。參考圖19，示出了元模塊24，其中元模塊24的外緣包括疊層12下部的金屬層50 和掩蔽材料52、比如阻焊劑。金屬層50和掩蔽材料52有效地將疊層12的底面提高到元模 塊24中部的加工面以上。因此，在切割和鉆孔操作期間被施加到元模塊24的中部的下壓 力將導(dǎo)致疊層向下彎曲，這可能影響在使用切割和鉆孔工藝所創(chuàng)建的開(kāi)口 42的總深度。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，沿著疊層12的底面，在基本處于開(kāi)口 42的至少一部分 以下的位置處提供支承結(jié)構(gòu)54，這在圖20中被示出。支承結(jié)構(gòu)54可以采取各種形式、比如 軌道、柱、或者柵格。如所示的那樣，支承結(jié)構(gòu)54以與被用于形成金屬層50和掩蔽材料52 的方式相同的方式由金屬層50'和掩蔽材料52'構(gòu)成。支承結(jié)構(gòu)54不需要被連續(xù)地配備 在開(kāi)口 42之下。例如，如圖21所示，支承結(jié)構(gòu)54可以被定位在形成柵格的開(kāi)口的接合處。 如所示的那樣，溝形開(kāi)口 42將彼此相交，并且在這些溝形開(kāi)口 42的相交處之下將存在處于 疊層12的對(duì)(底)側(cè)的支承結(jié)構(gòu)54。本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到可以構(gòu)造支承結(jié)構(gòu)54 的各種方式。支承結(jié)構(gòu)54的目的是提供支承機(jī)制以對(duì)抗在切割和鉆孔期間被施加到疊層12的 向下力。提供這樣的支承結(jié)構(gòu)54將阻止或者顯著降低疊層12在切割和鉆孔過(guò)程期間的彎 曲程度，并且因此提供更一致和精確的切割和鉆孔操作。因此，開(kāi)口 42更一致，使得更少的 包覆成型材料留在外圍金屬結(jié)構(gòu)的應(yīng)當(dāng)被暴露的部分上，并且同時(shí)保證外圍金屬結(jié)構(gòu)的所 述相同部分不會(huì)通過(guò)完全切穿或者鉆穿它們而被損壞。已經(jīng)證明疊層12使用支承結(jié)構(gòu)54 的穩(wěn)定性顯著減少由于切割或鉆孔太深(其中外圍金屬結(jié)構(gòu)被損壞)或者由于切割或鉆孔 太淺(其中包覆成型材料留在外圍金屬結(jié)構(gòu)的表面上)所造成的次品數(shù)。如所提到的那樣，疊層12、并且因此元模塊24在加工期間被承載在加工平臺(tái)上。 對(duì)于某些實(shí)施例而言，有利的是保護(hù)疊層12的底面、尤其是對(duì)應(yīng)于子模塊22或模塊10的 那些部分免受被用于加工元模塊24的頂面的各種氣體或液體(比如等離子刻蝕材料和鍍 材料)的侵害。參考圖22和23，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例并入一種密封結(jié)構(gòu)56，其有效地提供疊層12的底面與在加工期間上面承載有疊層12的載體介質(zhì)62之間的密封。載體介質(zhì)62 可以是在其頂面上具有粘合劑的膠帶。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，密封結(jié)構(gòu)56至少部分由金 屬環(huán)58來(lái)提供，所述金屬環(huán)58被形成為環(huán)繞疊層12底部的將被保護(hù)的區(qū)域。如圖22所示，可以接合每個(gè)元模塊24來(lái)提供密封結(jié)構(gòu)56，并且密封結(jié)構(gòu)56有效地提供環(huán)繞元模塊24的外部外圍的連續(xù)的環(huán)。換言之，密封結(jié)構(gòu)56將環(huán)繞著疊層12的底 面上的對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)元模塊24的所有部件區(qū)域16的區(qū)域而延伸。密封結(jié)構(gòu)56可以 由與被用于形成支承結(jié)構(gòu)54相同的材料制成。不論材料如何，密封結(jié)構(gòu)56都可以包括被 形成在疊層12的底部的金屬環(huán)58 (如圖23所示)。密封結(jié)構(gòu)56還可以包括掩蔽材料60、 比如阻焊劑，該掩蔽材料位于金屬環(huán)58的底面上。無(wú)論何物表示密封結(jié)構(gòu)56的底部，該物 都將優(yōu)選地附著在載體介質(zhì)62的頂面上，以充分阻止在形成子模塊22或模塊10期間所使 用的氣體或液體基本上泄漏到疊層12之下以及密封結(jié)構(gòu)56內(nèi)的區(qū)域中。這在許多接觸墊 位于疊層12的底面上并且可能在暴露于在制造期間所使用的某些液體或氣體的情況下被 損壞、短路等等時(shí)特別有利。密封結(jié)構(gòu)56不需要形成完整的環(huán)。一種替代方案是，螺旋形 或者基本閉合的形狀可能就足夠了。如上面所提到的那樣，應(yīng)當(dāng)注意保證外圍金屬結(jié)構(gòu)的將被暴露的部分在形成開(kāi)口 42的切割或鉆孔工藝期間被充分暴露，而且不被損壞。在許多實(shí)施例中，被用于形成各個(gè)子 模塊22或模塊10的外圍金屬結(jié)構(gòu)的金屬層?xùn)鸥?4可以相對(duì)較細(xì)，并且由疊層12的上部 金屬層之一構(gòu)成。如上面所提到的那樣，支承結(jié)構(gòu)54可以被用于保持一致的切割和鉆孔工 藝。作為支承結(jié)構(gòu)54的替換或者附加，可以采取步驟以增加任何金屬結(jié)構(gòu)(包括由金屬層 柵格14構(gòu)成的外圍金屬結(jié)構(gòu))的厚度，以試圖降低為了在不完全鉆穿外圍金屬結(jié)構(gòu)的情況 下切穿或鉆穿包覆成型本體18到達(dá)或進(jìn)入將被暴露的外圍金屬結(jié)構(gòu)所必需的精度。參考圖24A至24E，提供了一種示例性技術(shù)來(lái)有效地增加金屬層?xùn)鸥?4的厚度，并 且因此最小化為了有效地創(chuàng)建穿過(guò)包覆成型本體18到達(dá)金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu)的 開(kāi)口 42所必需的精度。最初，使用合適的蝕刻工藝用疊層12的頂部金屬層構(gòu)成第一金屬 柵格64，這在圖24A中被示出。隨后，使用合適的掩蔽和鍍工藝在第一金屬柵格64之上形 成一個(gè)或多個(gè)鍍層66，以形成金屬層?xùn)鸥?4，這在圖24B中示出。如上所述，包覆成型本體 18被形成在外圍金屬結(jié)構(gòu)之上，并且開(kāi)口 42被切割或鉆得到達(dá)或者進(jìn)入外圍金屬結(jié)構(gòu)，這 分別在圖24C和24D中被示出。在金屬層?xùn)鸥?4的厚度被增加的情況下，該切割或鉆孔工藝可以被配置為在不 必過(guò)多擔(dān)心完全鉆穿金屬層?xùn)鸥?4的情況下在更深地鉆入金屬層?xùn)鸥?4方面出錯(cuò)。在形 成開(kāi)口 42以后，電磁屏蔽物20可以被形成在包覆成型本體18之上并且進(jìn)入開(kāi)口 42到達(dá) 由金屬層?xùn)鸥?4所提供的外圍金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分，這在圖24E中被示出。本領(lǐng)域的技術(shù) 人員能夠認(rèn)識(shí)到使用各種鍍技術(shù)來(lái)提供鍍層66。如所提到的那樣，可以使用多個(gè)鍍層。另 夕卜，可以使用與被用于形成電磁屏蔽物20相同的鍍工藝來(lái)形成鍍層66。根據(jù)上面所述，可以使用鍍來(lái)增加總金屬結(jié)構(gòu)的相對(duì)厚度，使得切割或鉆孔工藝 顯著損壞金屬結(jié)構(gòu)的可能性更低。利用鍍技術(shù)，金屬鍍層被布置在基礎(chǔ)金屬部分上，所述基 礎(chǔ)金屬部分可以位于疊層12上或疊層12中。該基礎(chǔ)金屬部分可以被布置在被形成在疊層 12內(nèi)的附加的金屬結(jié)構(gòu)之上。被形成在疊層12內(nèi)的這些金屬結(jié)構(gòu)可以包括金屬通孔，所述 金屬通孔實(shí)際上是延伸進(jìn)或者穿過(guò)疊層12的隨后被填充以金屬的孔。因此，金屬通孔和基礎(chǔ)金屬部分共同形成能夠在不有害地影響屏蔽性能的情況下容易地經(jīng)受切割和鉆孔工藝 的金屬結(jié)構(gòu)。值得注意的是，其它金屬結(jié)構(gòu)可以被布置在基礎(chǔ)金屬部分之下并且接觸基礎(chǔ) 金屬部分，以有效地增加電磁屏蔽物20最終連接到的金屬結(jié)構(gòu)的厚度。無(wú)論金屬結(jié)構(gòu)的形 式或形狀如何，都可以使用這些技術(shù)以及下面的技術(shù)。例如，這些增厚技術(shù)可以被用于部分 由金屬層?xùn)鸥?4提供的外圍金屬結(jié)構(gòu)，其中金屬層?xùn)鸥?4形成基礎(chǔ)金屬部分。因此，金屬 層?xùn)鸥?4可以被鍍到、或者可替代地被布置到疊層12內(nèi)的通孔之上并且接觸所述通孔。鍍和對(duì)通孔的使用并不僅僅是用于增加金屬層?xùn)鸥?4的厚的技術(shù)。如圖25A至 25E所示，表面安裝結(jié)構(gòu)68可以在將表面安裝部件配備在部件區(qū)域16中的同一加工期間被 布置在第一金屬柵格64上。表面安裝結(jié)構(gòu)68優(yōu)選地為金屬的和導(dǎo)電的。參考圖25A，第一 金屬柵格64如上述的那樣被形成在疊層12的頂面之上。在表面安裝工藝期間，表面安裝 結(jié)構(gòu)68被布置在第一金屬柵格64上(如圖25B所示)，并且然后，包覆成型本體18被應(yīng) 用(如圖25C所示)。值得注意的是，表面安裝結(jié)構(gòu)68并不延伸到包覆成型本體18的頂 部。因此，使用切割或鉆孔工藝來(lái)形成延伸到或者延伸入表面安裝結(jié)構(gòu)68的開(kāi)口 42，這在 圖25D中被示出。然后，電磁屏蔽物20被形成在包覆成型本體18之上并且穿過(guò)開(kāi)口 42 到 達(dá)暴露的表面安裝結(jié)構(gòu)68或者其部分，這在圖25E中被示出.在圖26A至26D所示的可替代的實(shí)施例中，可以將表面安裝結(jié)構(gòu)68的尺寸確定為 使得表面安裝結(jié)構(gòu)68的頂面與包覆成型本體18的頂面平齊。再者，第一金屬柵格64被形 成在疊層12的頂面上(如圖26A所示)，并且然后，表面安裝結(jié)構(gòu)68被形成在第一金屬柵 格64上以形成金屬層?xùn)鸥?4(如圖26B所示)。當(dāng)包覆成型本體18在圖26C中被應(yīng)用時(shí)， 表面安裝結(jié)構(gòu)68延伸到包覆成型本體18的頂面并且被暴露。因此，不需要切割或鉆孔步 驟來(lái)形成開(kāi)口 42。實(shí)際上，消除了切割或鉆孔工藝，并且可以沿著包覆成型本體18的頂面 和表面安裝結(jié)構(gòu)68形成電磁屏蔽物20，這在圖26D中被示出。盡管示出了表面安裝結(jié)構(gòu) 68，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到，可以使用其它鍍或成層(layering)技術(shù)來(lái)有效地 將金屬層?xùn)鸥?4的高度建造為將與包覆成型本體18的頂面平齊的程度，以試圖避免在形 成電磁屏蔽物20以前需要?jiǎng)?chuàng)建延伸到金屬層?xùn)鸥?4的頂面的開(kāi)口 42。無(wú)論表面安裝結(jié)構(gòu)68的高度如何，都可以在建造增強(qiáng)高度的金屬層?xùn)鸥?4時(shí)使 用各種結(jié)構(gòu)配置。參考圖27A，表面安裝結(jié)構(gòu)68可以是固體環(huán)，該固體環(huán)位于第一金屬柵格 64的部分上以形成金屬層?xùn)鸥?4?？商娲兀⑶胰鐖D27B所示，可以將許多表面安裝結(jié) 構(gòu)68定位在第一金屬柵格64上以形成金屬層?xùn)鸥?4。盡管第一金屬柵格64被表示為連 續(xù)的，但是其可以被創(chuàng)建為對(duì)應(yīng)于表面安裝結(jié)構(gòu)68的配置。在圖27B中，表面安裝結(jié)構(gòu)68 被表示為具有矩形形狀因子，而在圖27C中所示的表面安裝結(jié)構(gòu)被表示為具有圓形或橢圓 形形狀因子。另外，除典型表面安裝工藝以外，還可以以類似的方式應(yīng)用任意類型的金屬結(jié) 構(gòu)。在上面的實(shí)施例的情況下，金屬層?xùn)鸥?4可以是多部件結(jié)構(gòu)。另外，在許多這些 實(shí)施例中，基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是第一金屬柵格64，其可以連續(xù)或者間斷地環(huán)繞將被屏蔽的部件區(qū)域 16。在圖28A中提供了這些實(shí)施例的一個(gè)替代方案。如所示的那樣，金屬層?xùn)鸥?4(其未被 專門標(biāo)出)由一批金屬樁70構(gòu)成，所述金屬樁被形成或者布置為沿著疊層12的頂面。圖 28A示出了具有三個(gè)部件區(qū)域16A、16B、以及16C的單個(gè)模塊10 ；然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員 能夠認(rèn)識(shí)到，金屬樁70環(huán)繞所示疊層12的總外圍以及環(huán)繞部件區(qū)域16A和16B這一安排可以以類似于柵格的方式在不同模塊10的相應(yīng)元模塊24的整個(gè)范圍內(nèi)重復(fù)。在該例中， 部件72和74被表示為分別處于部件區(qū)域16A和16B中。盡管未示出，但是部件區(qū)域16C 也可以包括電子部件。在用于使金屬層?xùn)鸥?4穿過(guò)包覆成型本體18而暴露的切割或者鉆 孔工藝期間，溝或孔被切割得穿過(guò)包覆成型本體18到達(dá)或者進(jìn)入將被暴露的金屬樁70。實(shí) 際上，這些金屬樁70形成圍繞一個(gè)或多個(gè)部件區(qū)域16A、16B、16C的外圍金屬結(jié)構(gòu)。部件區(qū) 域16A、16B、16C可以各自具有其自己的電磁屏蔽物20。值得注意的是，金屬樁70被直接形 成在疊層12上、而不是在金屬跡線或金屬層(比如第一金屬柵格64)上。相反，疊層12內(nèi) 的跡線或通孔可以被用于出于屏蔽目的而將所有或所選金屬樁70連接到合適的節(jié)點(diǎn)、比 如地平面。參考圖28B，金屬樁70再次被用于提供金屬層?xùn)鸥?4。然而，金屬樁70被布置在外圍金屬跡線76上。因此，沿著金屬跡線76的各點(diǎn)可以出于屏蔽目的而通過(guò)附加的跡線 或通孔連接到節(jié)點(diǎn)、比如地平面。在該實(shí)施例中，金屬層?xùn)鸥?4將包括多個(gè)模塊10的金屬 跡線76以及位于其上的金屬樁70。被用于暴露金屬層?xùn)鸥?4的切割或鉆孔工藝被配置為 切割或鉆得到達(dá)或進(jìn)入將被暴露的金屬樁70。在圖28A或28B所示的實(shí)施例的任一中，一 旦所選金屬樁70穿過(guò)包覆成型本體18而被暴露，則電磁屏蔽物20可以被應(yīng)用在包覆成型 本體18之上并且進(jìn)入開(kāi)口 42到達(dá)暴露的金屬樁70。根據(jù)上面所述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能 夠認(rèn)識(shí)到用于實(shí)施金屬層?xùn)鸥?4的各種方式，并且因此認(rèn)識(shí)到環(huán)繞著將根據(jù)本發(fā)明而被 屏蔽的部件區(qū)域16的全部或者一部分所形成的外圍金屬結(jié)構(gòu)。值得注意的是，部件區(qū)域16的任何金屬結(jié)構(gòu)都可以沿著部件區(qū)域的一側(cè)或多側(cè)是連續(xù)或者分段地。這些金屬結(jié)構(gòu)不需要完全或者甚至基本環(huán)繞部件區(qū)域16的外圍。然 而，更佳的屏蔽性能通常與更多地接觸更廣泛的外圍金屬結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)。本發(fā)明的屏蔽技術(shù)可以擴(kuò)展為還提供除電子屏蔽以外的功能。例如，位于部件區(qū) 域16中的各個(gè)部件可以熱連接到電磁屏蔽物20，其中電磁屏蔽物20將提供通向所定義位 置的熱路(thermal path)，或者充當(dāng)熱沉本身。參考圖29A，給模塊10配備有根據(jù)本發(fā)明 的一個(gè)實(shí)施例的電磁屏蔽物20。如所示的那樣，部件區(qū)域16(未標(biāo)出)包括三個(gè)電子部件 78、80、以及82。電子部件78和82位于多個(gè)熱通孔84之上并且被電耦合和熱耦合到所述 熱通孔84，所述熱通孔84被配置為將熱從電子部件78和82穿過(guò)節(jié)點(diǎn)12排出到上面最終 將安裝模塊80的結(jié)構(gòu)。對(duì)于該例，假設(shè)電子部件80并不需要這樣的熱通孔84。在圖29A 中還示出了電子屏蔽物20，其延伸到包覆成型本體18之上并且向下延伸到屏蔽通孔86，所 述屏蔽通孔通常被耦合到疊層12內(nèi)的地平面或者模塊10最終將被安裝到的結(jié)構(gòu)上的地平 面。在該實(shí)施例中，電磁屏蔽物20通常將不協(xié)助排出由電子部件78、80、82所生成的熱。參考圖29B，圖29A所示的模塊10已經(jīng)被修改為使得電磁屏蔽物20被熱耦合并且 可能被電耦合到電子部件78和82。在該實(shí)施例中，包覆成型本體18的顯著部分被暴露，使 得對(duì)電磁屏蔽物20的應(yīng)用將產(chǎn)生延伸到電子部件78和82的頂面的電磁屏蔽物20。電子 部件82主要倚靠電磁屏蔽物20來(lái)散熱，因?yàn)椴淮嬖谙嚓P(guān)聯(lián)的熱通孔84。然而，給電子部件 78提供有熱通孔84。因此，電子部件78可以利用熱通孔84和電磁屏蔽物20來(lái)將熱從電 子部件78的兩側(cè)排出。通過(guò)電磁屏蔽物20所排出的熱可以主要通過(guò)電磁屏蔽物20的一 級(jí)結(jié)構(gòu)而被排出，或者通過(guò)屏蔽通孔86穿過(guò)疊層12而被傳遞回。在兩種情況下，屏蔽通孔 86也可以給電磁屏蔽物20、并且還可能給電子部件78提供通向地(ground)的導(dǎo)電通道。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到將電子屏蔽物20用于熱傳導(dǎo)和電傳導(dǎo)的各種選擇。在已經(jīng)應(yīng)用了包覆成型本體18以后，可以通過(guò)切穿或鉆穿包覆成型本體18來(lái)提供開(kāi) 口在電子部件78和82之上的形成。因此，可以使用用于提供開(kāi)口 42的技術(shù)來(lái)除去包覆成 型本體18在電子部件78和82之上的部分。可替代地，可以使用掩蔽技術(shù)來(lái)防止包覆成型 本體18被形成在這些電子部件78和82之上。圖29C所示的模塊10基本上類似于圖29B所示的模塊，只是電磁屏蔽物20并不 延伸到電子部件78。相反，電磁屏蔽物20僅僅延伸到電子部件82。熱通孔84僅僅與電子 部件78而不是電子部件82結(jié)合使用。因此，不同的電子部件78和82可以使用用于散熱 的不同熱路，其中所述熱路至少之一包括電磁屏蔽物20，該電磁屏蔽物20也被用于電磁屏 蔽。再者，電磁屏蔽物20還可以給電子部件82提供通向地或其它節(jié)點(diǎn)的導(dǎo)電通道。在圖29B和29C中，電磁屏蔽物20的位于電子部件78和82之上的部分穿過(guò)包覆 成型本體18延伸到電子部件78和82。電子部件78和82在疊層12之上的延伸程度不如 包覆成型本體18在疊層12之上的延伸程度。因此，必須在電子部件78和82之上提供開(kāi) 口，在所述開(kāi)口中，電磁屏蔽物20向下延伸到電子部件78和82。在一個(gè)可替代的實(shí)施例、 比如圖29D所示的實(shí)施例中，電子部件78和82可以具有與包覆成型本體18相同的高度， 使得它們以與包覆成型本體18相同的程度延伸在疊層12之上。因此，電子部件78和82 并不需要在它們之上在包覆成型本體18之內(nèi)的開(kāi)口來(lái)接觸電磁屏蔽物20。如果電子部件 78和82不具有與所產(chǎn)生的包覆成型本體18相同的高度，則可以使用各種技術(shù)來(lái)利用導(dǎo)熱 材料有效地延長(zhǎng)電子部件78和82的高度，以保證與電磁屏蔽物20的接觸。在許多實(shí)例中，屏蔽區(qū)域內(nèi)的電路可能生成影響同一屏蔽區(qū)域內(nèi)的其它電路的電 磁場(chǎng)。當(dāng)該電路所產(chǎn)生的電磁場(chǎng)不能被單獨(dú)地被屏蔽以保護(hù)對(duì)電磁場(chǎng)靈敏的電路時(shí)，該電 路的總性能受負(fù)面影響。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88被形成在電磁屏蔽物20 內(nèi)，以試圖衰減在電磁屏蔽物20內(nèi)出現(xiàn)的電磁場(chǎng)，這在圖30A中被示出。場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88可 以呈現(xiàn)各種形狀和形式，但是優(yōu)選地從電磁屏蔽物20穿過(guò)包覆成型本體18以及可能穿過(guò) 任何位于部件區(qū)域16中的電路而向下延伸到或延伸向疊層12。如所示的那樣，場(chǎng)屏障結(jié) 構(gòu)88從電子屏蔽物20完全延伸到疊層12、尤其是場(chǎng)屏障通孔90。場(chǎng)屏障通孔90直接或 者通過(guò)合適的跡線被耦合到場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88，并且穿過(guò)疊層12的全部或一部分延伸到地平 面92 (其在疊層12的中部被示出，但是其可以位于疊層12內(nèi)或者疊層12的底面上的任意 之處)。值得注意的是，屏蔽過(guò)孔94可以在地平面92與金屬層?xùn)鸥?4之間延伸，其中金屬 層?xùn)鸥?4提供金屬層結(jié)構(gòu)的暴露部分。因此，電磁屏蔽物20可以通過(guò)金屬層?xùn)鸥?4和屏 蔽通孔94連接到地平面92，而場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88要么通過(guò)場(chǎng)屏障通孔90要么通過(guò)電場(chǎng)屏蔽 物20、金屬層?xùn)鸥?4、以及屏蔽通孔94連接到地平面92。值得注意的是，如果場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu) 88并不完全延伸到疊層12，則通過(guò)金屬層?xùn)鸥?4和屏蔽通孔94來(lái)給地平面92提供到電 磁屏蔽物20的電連接。參考圖30B，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88可以被配備在模塊10的部件區(qū)域16內(nèi)的任意之處。在 所示實(shí)施例中，電子部件96A、96B、以及96C位于部件區(qū)域16中，并且圓柱形場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88 以交錯(cuò)的方式被定位在部件區(qū)域16內(nèi)。圖30B中的虛線表示位于連續(xù)的電磁屏蔽物20之 下的元件，該電磁屏蔽物20在所示實(shí)施例中覆蓋模塊10的大部分(如果不是全部的話)。盡管圖30A和30B示出了場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88的基本上為圓柱形的配置，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88實(shí)際上可以采取可以在電子部件96A、96B、96C之中取 向并且可以位于部件區(qū)域16內(nèi)的任何形狀，其中部件區(qū)域16被電子屏蔽物20覆蓋。例如， 場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88可以形成電磁屏蔽物20內(nèi)的直的、成角度的、或者彎曲的壁或者類似元件。 再者，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88可以但不必完全在電磁屏蔽物20到疊層12的頂面之間延伸。場(chǎng)屏障 結(jié)構(gòu)88還可以從電磁屏蔽物穿過(guò)包覆成型本體18延伸到接觸電子部件96A、96B、96C的頂 部部分、或者僅延伸到這些部件或者疊層12的表面之上的某處而不接觸除包覆成型本體 18和電磁屏蔽物20之外的任何物體。在一個(gè)實(shí)施例中，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88與電磁屏蔽物20 —起被整體形成。具體來(lái)說(shuō)，在 應(yīng)用電磁屏蔽物20以前，當(dāng)金屬層?xùn)鸥?4的部分被暴露時(shí)，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88的開(kāi)口(未標(biāo) 出)被形成在包覆成型本體18內(nèi)。優(yōu)選地，使用用于暴露金屬層?xùn)鸥?4的外圍金屬結(jié)構(gòu) 的相同切割或鉆孔工藝來(lái)創(chuàng)建場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88的開(kāi)口。在任何清洗或粗糙化步驟以后，用于 應(yīng)用電磁屏蔽物20的電子屏蔽材料的噴涂或鍍工藝也將起作用以給嵌入(line)所述開(kāi)口 或者填充所述開(kāi)口，以連同創(chuàng)建電磁屏蔽物20 —起創(chuàng)建場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88。因此，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu) 88和電磁屏蔽物20可以形成單個(gè)均勻結(jié)構(gòu)，其中場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88電連接、熱連接、以及物理 連接到電磁屏蔽物20。然而，不需要使用與電磁屏蔽物20相同的工藝或或者在與電磁屏 蔽物20相同的時(shí)間形成場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88?？梢允褂貌煌墓に嚭筒牧蟻?lái)形成場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88 和電磁屏蔽物20。優(yōu)選地，場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu)88在部件區(qū)域16之上或之內(nèi)被定位為使得衰減從96A、96B、 96C中之一或多個(gè)發(fā)出的電磁場(chǎng)?？梢葬槍?duì)給定實(shí)施例使用仿真和實(shí)驗(yàn)來(lái)確定場(chǎng)屏障結(jié)構(gòu) 88的位置、形狀、取向、以及數(shù)目，以獲得所期望的運(yùn)行特性。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的改進(jìn)和修改。所有這樣的 改進(jìn)和修改都被認(rèn)為是處于在此所公開(kāi)的概念和隨后的權(quán)利要求書(shū)的范圍之內(nèi)。在權(quán)利要 求書(shū)中，結(jié)合組的成員對(duì)術(shù)語(yǔ)“某”的使用應(yīng)該指該組成員的至少之一。該組的所有成員可 以但不必被認(rèn)為是“某個(gè)”成員。另外，在組的多個(gè)成員具有多個(gè)元素的情況下，僅僅某些 成員需要具有至少一個(gè)元素。盡管可接受，但是不必這些成員的每個(gè)都具有多個(gè)元素。
權(quán)利要求
一種用于制造模塊的方法，包括·提供電子元模塊，所述電子元模塊包括襯底、該襯底的表面上的用于多個(gè)模塊的多個(gè)部件區(qū)域、以及覆蓋所述多個(gè)部件區(qū)域的介電材料構(gòu)成的本體，其中所述多個(gè)部件區(qū)域的某些部件區(qū)域與被該本體所覆蓋的金屬結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)；·使與所述某些部件區(qū)域相關(guān)聯(lián)的金屬結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過(guò)該本體而暴露以提供多個(gè)暴露的金屬結(jié)構(gòu)；·使該本體的外表面暴露于反應(yīng)工藝氣以清洗該本體的外表面；以及·將電磁屏蔽材料應(yīng)用在所述某些部件區(qū)域的每個(gè)的本體的外表面的至少一部分之上以及所述多個(gè)暴露的金屬結(jié)構(gòu)上以在所述某些部件區(qū)域之上形成電磁屏蔽物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)工藝氣除去該本體的外表面上的雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)工藝氣包括以下之一氬氣、氧氣、氮?dú)狻?氫氣、四氟化碳、六氟化硫、三氟化氮。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中由基于等離子的清洗工藝來(lái)提供對(duì)該本體的外表 面的暴露。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在應(yīng)用電磁屏蔽材料以前使該本體的外 表面粗糙化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將該電子元模塊的多個(gè)模塊彼此分開(kāi)，其 中每個(gè)模塊包括具有所述電子屏蔽物之一的至少一個(gè)所述某些部件區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將該電子元模塊的多個(gè)模塊彼此分開(kāi)，其 中每個(gè)電子模塊包括具有所述電子屏蔽物的多個(gè)所述某些部件區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中應(yīng)用所述電磁屏蔽材料包括將導(dǎo)電材料噴涂在 該本體的外表面的至少一部分之上以及暴露的金屬元件上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中應(yīng)用所述電磁屏蔽材料包括將至少一種導(dǎo)電材 料鍍?cè)谠摫倔w的外表面的至少一部分之上以及暴露的金屬元件上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中鍍所述至少一種導(dǎo)電材料包括利用化學(xué)鍍工藝 鍍第一層以及利用電鍍工藝鍍第二層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在暴露所述暴露的金屬結(jié)構(gòu)以前，通過(guò)用介電材 料均勻地覆蓋所述多個(gè)模塊的部件區(qū)域來(lái)形成該本體，使得該本體最初為覆蓋全部所述多 個(gè)部件區(qū)域的單個(gè)連續(xù)的元件
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中使用包覆成型工藝用包覆成型材料形成該本體。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬結(jié)構(gòu)位于該襯底的表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬結(jié)構(gòu)基本上環(huán)繞著所述某些部件區(qū)域 的每個(gè)的外圍而延伸。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述金屬結(jié)構(gòu)的每個(gè)都包括連續(xù)的金屬跡線， 所述金屬跡線處于該襯底的表面上并且基本上環(huán)繞著所述某些部件區(qū)域的每個(gè)的外圍而 延伸。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述金屬結(jié)構(gòu)的每個(gè)都包括間斷的金屬跡線， 所述金屬跡線處于該襯底的表面上并且基本上環(huán)繞著所述某些部件區(qū)域的每個(gè)的外圍而延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述金屬結(jié)構(gòu)的每個(gè)都包括一系列金屬元件， 所述金屬元件處于該襯底的表面上并且基本上環(huán)繞著所述某些部件區(qū)域的每個(gè)的外圍而 延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使與所述某些部件區(qū)域相關(guān)聯(lián)的金屬結(jié)構(gòu)的至 少一部分穿過(guò)該本體而暴露包括切穿該本體到達(dá)或進(jìn)入暴露的金屬結(jié)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使與所述某些部件區(qū)域相關(guān)聯(lián)的金屬結(jié)構(gòu)的至 少一部分穿過(guò)該本體而暴露包括鉆穿該本體到達(dá)或進(jìn)入暴露的金屬結(jié)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬結(jié)構(gòu)是金屬柵格的一部分，所述金屬柵 格被形成在該襯底上并且限定所述多個(gè)模塊的所述某些部件區(qū)域。
21.一種通過(guò)一種工藝形成的電子模塊，該工藝包括 提供電子元模塊，所述電子元模塊包括襯底、該襯底的表面上的用于多個(gè)模塊的多 個(gè)部件區(qū)域、以及覆蓋所述多個(gè)部件區(qū)域的介電材料構(gòu)成的本體，其中所述多個(gè)部件區(qū)域 的某些部件區(qū)域與被該本體所覆蓋的金屬結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)； 使與所述某些部件區(qū)域相關(guān)聯(lián)的金屬結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過(guò)該本體而暴露以提供多 個(gè)暴露的金屬結(jié)構(gòu)； 使該本體的外表面暴露于反應(yīng)工藝氣以清洗該本體的外表面； 將電磁屏蔽材料應(yīng)用在所述某些部件區(qū)域的每個(gè)的本體的外表面的部分之上以及所 述多個(gè)暴露的金屬結(jié)構(gòu)上以在所述某些部件區(qū)域之上形成電磁屏蔽物；以及 將該電子元模塊的多個(gè)模塊彼此分開(kāi)以提供所述電子模塊。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的由該工藝形成的電子模塊，其中所述反應(yīng)工藝氣包括以下 之一氬氣、氧氣、氮?dú)狻錃?、四氟化碳、六氟化硫、三氟化氮?br> 23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的由該工藝形成的電子模塊，其中由基于等離子的清洗工藝 來(lái)提供對(duì)該本體的外表面的暴露。
全文摘要
在一個(gè)實(shí)施例中，在襯底上形成具有針對(duì)兩個(gè)或兩個(gè)以上模塊的電路的元模塊，其中所述襯底優(yōu)選地為層壓襯底。所述不同模塊的電路最初被形成在單個(gè)元模塊上。每個(gè)模塊都將具有一個(gè)或多個(gè)其中形成有電路的部件區(qū)域。針對(duì)每個(gè)將被屏蔽的部件，在該襯底上或者在該襯底中形成金屬結(jié)構(gòu)。然后，單個(gè)本體、比如包覆成型本體被形成在該元模塊上的所有模塊上之上。然后，通過(guò)切割、鉆孔等等操作使每個(gè)將被屏蔽的部件區(qū)域的金屬結(jié)構(gòu)的至少一部分穿過(guò)該本體而暴露。接著，電磁屏蔽材料被應(yīng)用于每個(gè)將被屏蔽的部件區(qū)域的本體的外表面，并且接觸所述金屬結(jié)構(gòu)的暴露部分。
文檔編號(hào)H01L23/552GK101803017SQ200880104171
公開(kāi)日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2008年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者D·J·利希, S·帕克, W·R·小沃倫 申請(qǐng)人:射頻小型裝置公司