專利名稱：：光電池正面基板和基板用于光電池正面的用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光電池正面基板，尤其是透明玻璃基板。在光電池中，具有在入射輻射作用作用下產(chǎn)生電能的光電材料的光電系統(tǒng)被置于背面基板和正面基板之間，這種正面基板是入射輻射在到達(dá)光電材料之前穿過(guò)的第一基板。在光電池中，當(dāng)入射輻射的主要到達(dá)方向被認(rèn)為是自頂向下時(shí)，該正面基板在朝向光電材料的主表面的下方通常包括與位于下方的光電材料電接觸的透明電極涂層。這種正面電極涂層因此構(gòu)成例如光電池的負(fù)端。當(dāng)然，該光電池在背面基板方向上也包含隨后構(gòu)成光電池正端的電極涂層，但背面基板的電極涂層一般不是透明的。在本發(fā)明意義中，術(shù)語(yǔ)“光電池”應(yīng)被理解為是指通過(guò)太陽(yáng)輻射轉(zhuǎn)換而在其電極之間產(chǎn)生電流的任何部件組裝件，無(wú)論這種組裝件的尺寸如何且無(wú)論生成的電流的電壓和強(qiáng)度如何，特別是無(wú)論這種部件組裝件是否具有一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電連接(串聯(lián)和/或并聯(lián))。本發(fā)明意義中的“光電池”概念因此在本文中等于“光伏模塊”或“光伏板”。常用于正面基板的透明電極涂層的材料通常是基于透明導(dǎo)電氧化物(英語(yǔ)為TC0)的材料，例如基于銦錫氧化物(IT0)或基于鋁摻雜的氧化鋅(ZnO:Al)或硼摻雜的氧化鋅(ZnO:B)或基于氟摻雜的氧化錫(Sn02:F)的材料。這些材料化學(xué)沉積，例如通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)、任選等離子體增強(qiáng)的CVD(PECVD)，或物理沉積，例如通過(guò)陰極濺射，任選磁場(chǎng)增強(qiáng)的濺射(即磁控管濺射)真空沉積。但是，為了獲得所希望的電導(dǎo)或更恰當(dāng)?shù)厮Ｍ牡碗娮?，必須以大約500至1000納米且甚至有時(shí)更高的相對(duì)大的物理厚度來(lái)沉積由TC0基材料制成的電極涂層，當(dāng)它們沉積為這種厚度的層時(shí)，考慮到這些材料的成本，這是昂貴的。當(dāng)沉積法需要供熱時(shí)，這進(jìn)一步提高制造成本。由TC0基材料制成的電極涂層的另一主要缺點(diǎn)在于下述事實(shí)對(duì)所選材料而言，其物理厚度始終是最終獲得的電導(dǎo)與最終獲得的透明度之間的折衷，因?yàn)槲锢砗穸仍礁?，電?dǎo)率越高，但透明度越低，相反，物理厚度越低，透明度越高，但電導(dǎo)率越低。因此，對(duì)于由TC0基材料制成的電極涂層，不可能獨(dú)立地優(yōu)化電極涂層的電導(dǎo)率及其透明度。國(guó)際專利申請(qǐng)W001/43204的現(xiàn)有技術(shù)教導(dǎo)制造光電池的方法，其中透明電極涂層不是由TC0基材料制成，而是由沉積在正面基板主表面上的薄層疊層構(gòu)成，這種涂層包含至少一個(gè)金屬功能層，尤其是基于銀的金屬功能層，和至少兩個(gè)減反射涂層，所述減反射涂層各自包含至少一個(gè)減反射層，所述功能層位于這兩個(gè)減反射涂層之間。該方法的特征在于，當(dāng)考慮其從上方進(jìn)入電池的入射光方向時(shí)，其在金屬功能層下方和光電材料上方沉積至少一個(gè)由氧化物或氮化物制成的高折射層。該文獻(xiàn)提供示例性實(shí)施方案，其中包圍金屬功能層的兩個(gè)減反射涂層，即在基板方向上位于金屬功能層下方的減反射涂層和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層上方的減反射涂層，各自包含至少一個(gè)由高折射材料，在這種情況下為氧化鋅(ZnO)或氮化硅(Si3N4)制成的層。但是，這種解決方案可以進(jìn)一步改進(jìn)。觀察到普通光電材料的吸收彼此不同，本發(fā)明人試圖確定用于定義上述類型的薄層疊層以形成光電池正面的電極涂層所需的基本光學(xué)特性。本發(fā)明因此，對(duì)于光電池正面基板，包括根據(jù)所選光電材料確定可獲得最好光電池效率的光程。本發(fā)明的主題因此，在其最廣意義中，是如權(quán)利要求1所述的具有吸收性光電材料的光電池。這種電池包含正面基板，尤其是透明玻璃基板，其在主表面上包含由包括金屬功能層，尤其是基于銀的金屬功能層，和至少兩個(gè)減反射涂層的薄層疊層構(gòu)成的透明電極涂層，所述減反射涂層各自包含至少一個(gè)減反射層，所述功能層位于這兩個(gè)減反射涂層之間。在基板方向上位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/8，在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層上方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/2。在一個(gè)優(yōu)選變型中，該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)入^然而用太陽(yáng)光譜加權(quán)。在此變型中，該光電池的特征在于，在基板方向上位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的大約1/8，在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層上方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的大約1/2。因此，根據(jù)本發(fā)明，作為該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的函數(shù)，或優(yōu)選作為該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的函數(shù)，確定最佳光程，以獲得光電池的最好的效率。本文提到的太陽(yáng)光譜是由ASTM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的AMI.5太陽(yáng)光譜。在本發(fā)明意義中，術(shù)語(yǔ)“涂層”應(yīng)被理解為是指在該涂層中可以有單個(gè)或幾個(gè)不同材料的層。在本發(fā)明意義中，“減反射層”應(yīng)被理解為從其性質(zhì)的角度看，該材料是非金屬的，即不是金屬。在本發(fā)明范圍中，這一術(shù)語(yǔ)應(yīng)理解為不引入對(duì)該材料的電阻率的限制，其可以是導(dǎo)體材料(通常P<lO^Q.cm)或絕緣體材料(通常P>109Q.cm)或半導(dǎo)體材料(通常在上面兩個(gè)值之間)。完全令人驚訝地和與其它任何特征無(wú)關(guān)地，具有功能單層薄層的疊層的電極涂層的光程能夠獲得改進(jìn)的光電池效率，以及改進(jìn)的對(duì)電池運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力的耐受性，其中該疊層具有位于金屬功能層下方的減反射涂層，該減反射涂層的光學(xué)厚度等于位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度的大約四倍。位于金屬功能層上方的所述減反射涂層的光學(xué)厚度因此優(yōu)選為位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度的3.1至4.6倍，包括這些端點(diǎn)值，甚至，該位于金屬功能層上方的減反射涂層的光學(xué)厚度為位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度的3.2至4.2倍，包括這些端點(diǎn)值。圍繞金屬功能層的涂層的目的是使這種金屬功能層“減反射”。因此它們被稱作“減反射涂層”。實(shí)際上，盡管該功能層可獨(dú)自獲得對(duì)于該電極涂層的所希望的電導(dǎo)率，但即使在小的物理厚度(大約10納米)時(shí)，所述層將強(qiáng)烈阻礙光通過(guò)。在不存在這種減反射系統(tǒng)的情況下，光透射這時(shí)將是非常低的，光反射太強(qiáng)(在可見光和近紅外線中，因?yàn)槠渖婕爸圃旃怆姵?。術(shù)語(yǔ)“光程”在本文中具有特定含義并用于表示由此制成的干涉濾波器的功能金屬層的下鄰和上鄰的各種減反射涂層的不同光學(xué)厚度的總和。要提醒的是，涂層的光學(xué)厚度在涂層中只有單層時(shí)等于該材料的物理厚度乘以其指數(shù)的乘積，或在存在多層時(shí)等于各層的材料的物理厚度乘以其指數(shù)的乘積的總和。根據(jù)本發(fā)明的光程在絕對(duì)意義上是金屬功能層的物理厚度的函數(shù)，但實(shí)際上，在能夠獲得所希望的電導(dǎo)率的功能金屬層的物理厚度范圍內(nèi)，其可謂不變。因此，當(dāng)該功能層基于銀、是單層并具有5至20納米的物理厚度(包括這些端點(diǎn)值)時(shí)，本發(fā)明的解決方案合適。本發(fā)明的薄層疊層的類型在建筑或汽車窗玻璃領(lǐng)域中是已知的用于制造“低發(fā)射率(bas-Smissif)”和/或“日光控制”類型的具有提高的隔熱性的窗玻璃。本發(fā)明人因此注意到，用于低發(fā)射率窗玻璃的那些類型的某些疊層特別適合用于制造光電池用的電極涂層，特別是被稱作“可淬火的”疊層或“待淬火的”疊層的疊層，即在希望使該疊層的支撐基板經(jīng)受淬火熱處理時(shí)所用的那些。因此，本發(fā)明的還一主題是具有本發(fā)明的特征的建筑窗玻璃用的薄層疊層，尤其是“可淬火的”或“待淬火”的這類疊層，尤其地低發(fā)射率疊層，特別是“可淬火的”或“待淬火”的低發(fā)射率疊層用于制造光電池正面基板的用途。因此，本發(fā)明的還一主題是經(jīng)過(guò)淬火熱處理的這種薄層疊層的用途，和已經(jīng)受從法國(guó)專利申請(qǐng)F(tuán)R2911130中獲知的類型的表面熱處理的具有本發(fā)明的特征的建筑窗玻璃用的薄層疊層的用途。術(shù)語(yǔ)“可淬火的”疊層或基板在本發(fā)明意義中應(yīng)被理解為是指在熱處理過(guò)程中保持基本光學(xué)性質(zhì)和熱性質(zhì)(以與發(fā)射率直接相關(guān)聯(lián)的方電阻表示)。因此，可以例如在建筑物的同一正面上將包含都用相同疊層覆蓋的淬火基板和未淬火基板的窗玻璃板彼此靠近放在一起，不可能通過(guò)反射顏色和/或光反射/透射的簡(jiǎn)單目測(cè)來(lái)彼此區(qū)分。例如，在熱處理之前/之后具有下列變化的疊層或覆蓋有疊層的基板被視為可淬火的，因?yàn)檫@些變化不可被肉眼察覺(jué)-小于3%或甚至小于2%的低光透射變化ΔTl(可見光)；和/或-小于3%或甚至小于2%的低光反射變化Δ&(可見光)；和/或-小于3或甚至小于2的低顏色變化(在Lab系統(tǒng)中)ΔΕ=VTtAL*)"+(Aa*t+(Ab*)Δ)?！按慊鸬摹悲B層或基板在本發(fā)明意義中應(yīng)被理解為是指經(jīng)覆蓋的基板的光學(xué)性質(zhì)和熱性質(zhì)在熱處理后是可接受的，而之前是不可接受的，或無(wú)論如何不是都可接受的。例如，在熱處理后具有下列特性而在熱處理之前不滿足這些特性中的至少一個(gè)的疊層或覆蓋有疊層的基板在本發(fā)明內(nèi)被視為“待淬火的”-至少65%或70%或甚至至少75%的高的光透射IY(在可見光中)；和/或-小于10%或小于8%或甚至小于5%的低的光吸收(在可見光中，通過(guò)I-Tl-RL確定)；和/或-與常用的導(dǎo)電氧化物至少一樣好的方電阻(r6sistanceparcarr6)Rn，特別是小于20Ω/□，甚至小于15Ω/□，甚至等于或小于10Ω/口。因此，該電極涂層必須是透明的。其因此在安裝在基板上后必須具有65%或甚至75%，更優(yōu)選85%，更尤其至少90%的在300至1200納米之間的最小平均光透射。如果該正面基板在沉積薄層后和在其裝配到光電池中之前經(jīng)受熱處理，尤其是淬火熱處理，覆蓋有充當(dāng)電極涂層的疊層的基板完全可能在這種熱處理之前具有低透明度。例如，其在這種熱處理之前可具有小于65%或甚至小于50%的在可見光中的光透射。重要的是，該電極涂層在熱處理之前是透明的，并在熱處理后具有如至少65%，甚至75%，更優(yōu)選85%，或更尤其至少90%的在300至1200納米之間(在可見光中)的平均光透射。此外，在本發(fā)明范圍中，該疊層并非絕對(duì)地具有盡可能最好的光透射，但在本發(fā)明的光電池的背景中具有盡可能最好的光透射。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，無(wú)關(guān)乎下述事實(shí)-一方面，在基板方向上位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)λm的大約1/8，在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層上方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)λω的大約1/2；-或另一方面，在基板方向上位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)λΜ的大約1/8，在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層上方的減反射涂層的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)λΜ的大約1/2，本發(fā)明的電極涂層優(yōu)選包括最遠(yuǎn)離基板(并與光電材料接觸)的導(dǎo)電終端層，尤其是基于透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的層。因此，可以容易地控制電極涂層和光電材料之間的電荷傳輸并可因此改進(jìn)電池效率。這種導(dǎo)電終端層由電阻率P(其相當(dāng)于該層的方電阻R□乘以其厚度)如2Χ10—4Ω.cm≤P≤10Ω.cm或甚至如1X10-4Ω.cm≤P≤10Ω.cm的材料制成。這種導(dǎo)電終端層優(yōu)選具有為離基板最遠(yuǎn)的減反射涂層的光學(xué)厚度的50至98%的光學(xué)厚度，尤其是為離基板最遠(yuǎn)的減反射涂層的光學(xué)厚度的85至98%的光學(xué)厚度。盡管這不推薦，但在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層上方的整個(gè)減反射涂層并非不可能由這種導(dǎo)電終端層構(gòu)成，從而通過(guò)減少要沉積的不同層的數(shù)量來(lái)簡(jiǎn)化沉積法。相反，位于金屬功能層上方的減反射涂層不能完全(在其整個(gè)厚度中)電絕緣。適用于實(shí)施具有導(dǎo)電終端層的這一實(shí)施方案的透明導(dǎo)電氧化物選自ΙΤ0、ZnOA1、ZnOB、ZnOGa、SnO2F、TiO2Nb、錫酸鎘、混合錫鋅氧化物SnxZnyOz(其中χ、y和ζ是數(shù)值)，任選例如用銻Sb摻雜，且通常所有透明導(dǎo)電氧化物由至少一種下列元素獲得Α1、Ga、Sn、Zn、Sb、In、Cd、Ti、Zr、Ta、W和Mo，尤其是由這些元素之一獲得并被這些元素中的至少另一種摻雜的氧化物，或這些元素中的至少兩種獲得的并任選被這些元素中的至少第三種摻雜的混合氧化物。優(yōu)選地，位于金屬功能層上方的所述減反射涂層的光學(xué)厚度為該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)λm的0.45至0.55倍，包括這些端點(diǎn)值，更優(yōu)選地，位于金屬功能層上方的所述減反射涂層的光學(xué)厚度為該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)λΜ的0.45至0.55倍，包括這些端點(diǎn)值。位于金屬功能層下方的減反射涂層的光學(xué)厚度為該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)λm的0.075至0.175倍，包括這些端點(diǎn)值，優(yōu)選地，位于金屬功能層下方的所述減反射涂層的光學(xué)厚度為該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)λΜ的0.075至0.175倍，包括這些端點(diǎn)值。位于金屬功能層下方的減反射涂層也可以具有對(duì)擴(kuò)散，特別是對(duì)來(lái)自基板的鈉的擴(kuò)散的化學(xué)阻隔功能，因此保護(hù)電極涂層，更特別功能金屬層，尤其是在任選的熱處理，尤其淬火熱處理過(guò)程中。在另一具體實(shí)施方案中，該基板在電極涂層下方包括具有與該基板低折光指數(shù)接近的低折光指數(shù)的底部減反射層(coucheantirefletdebase)，所述底部減反射層優(yōu)選基于氧化硅或基于氧化鋁或基于兩者的混合物。此外，這種介電層可以構(gòu)成擴(kuò)散化學(xué)阻隔層，特別是來(lái)自基板的鈉的擴(kuò)散阻隔層，因此保護(hù)電極涂層，更特別功能金屬層，尤其是在任何熱處理，尤其淬火熱處理過(guò)程中。在本發(fā)明背景中，介電層是不參與電荷位移(電流)的層或其參與電荷位移的作用與該電極涂層的其它層相比可被視為0的層。此外，這種底部減反射層優(yōu)選具有10至300納米或35至200納米，再更優(yōu)選50至120納米的物理厚度。金屬功能層優(yōu)選以結(jié)晶形式沉積在薄介電層上，該薄介電層也優(yōu)選是結(jié)晶的(因此被稱作“潤(rùn)濕層”，因?yàn)槠浯龠M(jìn)沉積在其上的金屬層的合適的結(jié)晶取向)。這種金屬功能層可以基于銀、銅或金，并可以任選被這些元素中的至少另一種摻ο以普通方式，“摻雜”被理解為是指元素以按摩爾質(zhì)量計(jì)小于該層中金屬元素的10%的量存在，術(shù)語(yǔ)“基于”以普通方式被理解為是指主要含有該材料，即按摩爾質(zhì)量計(jì)含有至少50%這種材料的層。術(shù)語(yǔ)“基于”因此覆蓋摻雜。制造該電極涂層的薄層疊層是功能單層涂層，即具有單個(gè)功能層；其不能是功能多層。該功能層因此優(yōu)選沉積在基于氧化物，尤其基于氧化鋅的任選摻雜的，任選被鋁摻雜的潤(rùn)濕層上方，或甚至直接沉積在其上。該潤(rùn)濕層的物理(或?qū)嶋H)厚度優(yōu)選為2至30納米，更優(yōu)選3至20納米。這種潤(rùn)濕層是介電的，并且是優(yōu)選具有如0.5Ω.cm<ρ<200Ω.cm或如50Ω.cm<P<200Ω.cm的電阻率ρ(是指該層的方電阻Rn乘以其厚度的乘積)的材料。該疊層通常通過(guò)使用真空的技術(shù)，如陰極濺射(任選磁場(chǎng)增強(qiáng)的)進(jìn)行一系列沉積來(lái)獲得。也可以提供一個(gè)或甚至兩個(gè)極薄的被稱作“阻隔涂層”的涂層，其不構(gòu)成減反射涂層的一部分，直接位于該功能金屬層(尤其是銀基)的下方、上方或每個(gè)面上，該在基板方向上與該功能層下鄰的涂層在沉積后進(jìn)行的可能的熱處理過(guò)程中充當(dāng)粘結(jié)、成核和/或保護(hù)涂層，和在該功能層上鄰的涂層充當(dāng)保護(hù)或“犧牲”涂層以防止該功能金屬層由于設(shè)置在其上的層的氧的侵襲和/或遷移而受損害，尤其是在任選的熱處理過(guò)程中，甚至如果設(shè)置在其上的層通過(guò)在氧存在下的陰極濺射進(jìn)行沉積，由于氧遷移產(chǎn)生的損害。在本發(fā)明意義中，當(dāng)明確指出層或涂層(包含一層或多層)直接沉積在另一沉積層或涂層的下方或上方時(shí)，在這兩個(gè)沉積層或涂層之間不能有另一層插入。優(yōu)選地，至少一個(gè)阻隔涂層基于Ni或Ti或基于Ni基合金，尤其基于NiCr的合金。優(yōu)選地，在基板方向上在金屬功能層下方的涂層和/或在金屬功能層上方的涂層包含基于混合氧化物，特別地基于鋅錫混合氧化物或銦錫混合氧化物(ITO)的層。此外，在基板方向上在金屬功能層下方的涂層和/或在金屬功能層上方的涂層可以包含具有高折光指數(shù)的層，尤其是高于或等于2.2的折光指數(shù)，例如基于任選地例如用鋁或鋯摻雜的氮化硅的層。此外，在基板方向上在金屬功能層下方的涂層和/或在金屬功能層上方的涂層可以包含具有極高折光指數(shù)的層，尤其是等于或高于2.35的折光指數(shù)，例如基于氧化鈦的層。該基板可以在與正面基板相對(duì)側(cè)的在電極涂層上方包括基于光電材料的涂層。本發(fā)明的正面基板的優(yōu)選結(jié)構(gòu)因此具有下述類型基板/(任選的底部減反射層)/電極涂層/光電材料，或下述類型基板/(任選的底部減反射層)/電極涂層/光電材料/電極涂層。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，該電極涂層由建筑窗玻璃用的疊層，尤其地“可淬火的疊層”或“待淬火的”建筑窗玻璃用的疊層，和特別地低發(fā)射率疊層，尤其是“可淬火的”或“待淬火的”低發(fā)射率疊層構(gòu)成，這種薄層疊層具有本發(fā)明的特征。本發(fā)明還涉及本發(fā)明的光電池用的基板，尤其是具有本發(fā)明的特征的覆蓋有薄層疊層的建筑窗玻璃用的基板，尤其是具有本發(fā)明的特征的建筑窗玻璃用的“可淬火的”或“待淬火的”建筑窗玻璃用的基板，特別是低發(fā)射率基板，尤其是具有本發(fā)明的特征的“可淬火的”或“待淬火的”低發(fā)射率基板。因此，本發(fā)明的主題還為這種具有本發(fā)明的特征并經(jīng)過(guò)淬火熱處理的覆蓋有薄層疊層的建筑窗玻璃用的基板，以及這種具有本發(fā)明的特征并經(jīng)過(guò)從法國(guó)專利申請(qǐng)F(tuán)R2911130中獲知的類型的熱處理的覆蓋有薄層疊層的建筑窗玻璃用的基板。該電極涂層的所有層都優(yōu)選通過(guò)真空沉積技術(shù)進(jìn)行沉積，但無(wú)論如何不排除該疊層的第一層或前幾層可通過(guò)其它技術(shù)進(jìn)行沉積，例如通過(guò)熱解型熱分解技術(shù)或通過(guò)CVDJi選在真空下，并任選通過(guò)等離子體增強(qiáng)。有利地，具有薄層疊層的本發(fā)明的電極涂層的機(jī)械抗性也遠(yuǎn)高于TCO電極涂層。因此，可提高光電池的壽命。有利地，具有薄層疊層的本發(fā)明的電極涂層還具有與常用的TCO導(dǎo)電氧化物至少一樣好的電阻。本發(fā)明的電極涂層的方電阻R□為1至20Ω/□，或甚至2至15Ω/□，例如大約5至8Ω/口。有利地，具有薄層疊層的本發(fā)明的電極涂層還具有與常用的TCO導(dǎo)電氧化物至少一樣好的在可見光中的光透射。本發(fā)明的電極涂層的可見光中的光透射為50至98%，甚至65至95%，例如大約70至90%。通過(guò)借助附圖進(jìn)行說(shuō)明的下列非限制性實(shí)施例突出本發(fā)明的細(xì)節(jié)和有利特征-圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)的光電池正面基板，覆蓋有由透明導(dǎo)電氧化物制成的電極涂層并具有底部減反射層；-圖2顯示本發(fā)明的光電池正面基板，覆蓋有由功能單層薄層疊層構(gòu)成的電極涂層并具有底部減反射層；-圖3顯示三種光電材料的量子效率曲線；-圖4顯示與這三種光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積對(duì)應(yīng)的實(shí)際效率曲線.一入，-圖5顯示光電池的耐久性試驗(yàn)的原理；和-圖6顯示光電池的橫截面圖。在圖1、2、5和6中，為使它們更容易查看，不同涂層、層和材料的厚度之間的比例不是嚴(yán)格遵守的。圖1顯示具有吸收性光電材料200的現(xiàn)有技術(shù)的光電池正面基板10'，所述基板10'在主表面上包含由TCO導(dǎo)電層66構(gòu)成的透明電極涂層100'。將正面基板10'置于光電池中以使所述正面基板10'是入射輻射R在到達(dá)光電材料200之前穿過(guò)的第一基板?；?0'還包括，在電極涂層100'下方，即直接在基板10'上，具有接近于該基板的低折光指數(shù)n15的底部減反射層15。圖2顯示本發(fā)明的光電池正面基板10。正面基板10也在主表面上包含透明電極涂層100，但在此，這種電極涂層100由包含基于銀的金屬功能層40和至少兩個(gè)減反射涂層20，60的薄層疊層構(gòu)成，所述涂層各自包含至少一個(gè)薄減反射層24，26；64，66，所述功能層40位于這兩個(gè)減反射涂層(其一在基板方向上位于該功能層下方的被稱為下鄰減反射涂層20，和另一在基板相反方向上位于該功能層上方的被稱為上鄰減反射涂層60)之間。構(gòu)成圖2的透明電極涂層100的薄層疊層是低發(fā)射率基板類型的疊層結(jié)構(gòu)，任選是可淬火的或待淬火的，具有功能單層，如商業(yè)上可用于建筑物的建筑窗玻璃領(lǐng)域的那樣?；谒揪哂泄δ軉螌拥寞B層結(jié)構(gòu)制造12個(gè)實(shí)施例，標(biāo)號(hào)為1至12-對(duì)于實(shí)施例1、2；5、6；9、10，基于圖1；禾口-對(duì)于實(shí)施例3、4；7、8；11、12，基于圖2，除了該疊層不合阻隔上涂層(revgtementdesur-blocage)。此外，在下列所有實(shí)施例中，該薄層疊層沉積在由厚度4毫米的透明鈉鈣玻璃4制成的基板10上。根據(jù)圖1的實(shí)施例的電極涂層100'基于導(dǎo)電的鋁摻雜的氧化鋅。構(gòu)成根據(jù)圖2的實(shí)施例的電極涂層100的各疊層由薄層疊層構(gòu)成，該薄層疊層包含-減反射層24，其是基于氧化鈦的介電層，指數(shù)η=2.4；-減反射層26，其是基于氧化物基潤(rùn)濕層，尤其基于氧化鋅，任選地?fù)诫s的，介電的，指數(shù)η=2;-任選地，可直接位于功能層40下方但在此處沒(méi)有提供的下鄰阻隔涂層(未標(biāo)示)，例如基于Ti或基于NiCr合金；如果沒(méi)有潤(rùn)濕層26，該涂層通常是必要，但不是必不可少的；-銀制單功能層40因此在此處直接位于潤(rùn)濕涂層26上；-基于Ti或基于NiCr合金的上鄰阻隔涂層50可直接位于功能層40上，但在這些實(shí)施例中沒(méi)有提供；-基于氧化鋅的介電減反射層64，指數(shù)n=2且電阻率為大約100Q.cm,這種層在此由陶瓷靶直接在阻隔涂層50上沉積；和隨后_還提供導(dǎo)電層66，其是減反射層和終端層，基于鋁摻雜的氧化鋅，指數(shù)n=2，其電阻率基本接近1100iiQ.cm。在偶數(shù)號(hào)實(shí)施例中，光電材料200基于微晶硅(其微晶尺寸為大約100納米)，而在奇數(shù)號(hào)實(shí)施例中，光電材料200基于無(wú)定形(即非晶)硅。這些材料以及碲化鎘(在本發(fā)明中也適用的另一光電材料)的量子效率QE顯示在圖3中。在此提醒的是，量子效率QE如已知的那樣表示具有沿橫坐標(biāo)的波長(zhǎng)的入射光子被轉(zhuǎn)化成電子_空穴對(duì)的概率(0至1)。在圖3中可以看出，最大吸收波長(zhǎng)，即量子效率最大(即處于其最高值)時(shí)的波長(zhǎng)-非晶硅a-Si，即入ma_Si為520納米;-微晶硅iic-Si，即C-Si為720納米；且-碲化鎘CdTe，即入mCdTe為600納米。在一次近似下，這種最大吸收波長(zhǎng)\ffl是足夠的。在基板方向上位于金屬功能層40下方的減反射涂層20那么具有等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/8的光學(xué)厚度，在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層40上方的減反射涂層60那么具有等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)\ffl的大約1/2的光學(xué)厚度。下表1概括了對(duì)于各涂層20、60，根據(jù)這三種材料的以納米計(jì)的光學(xué)厚度的優(yōu)選范圍。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>但是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，可以通過(guò)考慮量子效率(以通過(guò)將這種概率與地表的太陽(yáng)光波長(zhǎng)分布卷積(corwoluant)來(lái)獲得改進(jìn)的實(shí)際收率)來(lái)改進(jìn)該疊層的光學(xué)定義。在此，我們使用歸一化太陽(yáng)光譜AMI.5。在這種情況下，在基板方向上位于金屬功能層40下方的減反射涂層20的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的大約1/8，和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層40上方的減反射涂層60的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的大約1/2。如圖4中可以看出，該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)入M，即效率最大(即最高值)時(shí)的波長(zhǎng)-非晶硅a-Si，即入Ma-Si為530納米；-微晶硅iic-Si，SPc-Si為670納米；且-碲化鎘CdTe,即入MCdTe為610nm。下表2概括了各涂層20，60根據(jù)這三種材料的以納米計(jì)的光學(xué)厚度的優(yōu)選范圍。表2材料a-Si|nc-SiCdTe涂層60^m/22653353050.45Xm2393022750.55Xm292369336涂層206684760.075入M4050460.175Xm93117107在所有實(shí)施例中，在基板和電極涂層100之間沉積了基于氧化硅的底部減反射層15。由于其折光指數(shù)n15低且接近基板的折光指數(shù)，在本發(fā)明的疊層的光程的定義中不考慮其光學(xué)厚度。這些層的沉積條件是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的，因?yàn)樗婕耙耘c用于低發(fā)射率或日光控制應(yīng)用的那些層類似的方式獲得疊層。在這方面，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以參考專利申請(qǐng)EP718250、EP847965、EP1366001、EP1412300或EP722913。下表3、5和7概括了實(shí)施例1至12中的每個(gè)的各層的材料和以納米測(cè)得的物理厚度，表4、6和8列出這些實(shí)施例的主要特性。通過(guò)所謂的“TSQE”方法計(jì)算性能特征P，在該方法中使用在整個(gè)所考慮的輻射范圍內(nèi)的光譜積分與電池的量子效率QE的乘積。對(duì)所有實(shí)施例1至12施以根據(jù)圖5所示進(jìn)行的測(cè)量電極涂層對(duì)電池運(yùn)行過(guò)程中(尤其是在靜電場(chǎng)存在下)產(chǎn)生的應(yīng)力的耐受性的試驗(yàn)。用于這種試驗(yàn)，基板片10、10’(例如5厘米X5厘米并覆蓋有電極涂層100，100'，但沒(méi)有光電材料200)被沉積在置于大約200°C熱源6上的金屬板5上。該試驗(yàn)涉及對(duì)覆蓋有電極涂層100、100'的基板10、10’施加電場(chǎng)20分鐘，其通過(guò)在所述涂層表面上制造電觸點(diǎn)102并將該觸點(diǎn)102和金屬板5連接到輸送大約200V直流電的電源7的端子上進(jìn)行。在該試驗(yàn)結(jié)束時(shí)，一旦將樣品冷卻，就在試樣的整個(gè)表面上測(cè)量殘留涂層比例。耐受性試驗(yàn)后留下的涂層的這種比例被表示為PRT。12第一系列實(shí)施例表3<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>在此第一系列中，在功能金屬層上方的涂層60的光學(xué)厚度為270.6納米(=(129.3+6)X2)，在功能金屬層下方的涂層20的光學(xué)厚度為72.32納米(=24.3X2.4+7X2)。在這一系列中，減反射涂層60的光學(xué)厚度等于減反射涂層20的光學(xué)厚度的3.74倍。此第一系列表明，可以獲得由薄層疊層構(gòu)成并覆蓋有非晶硅的電極涂層(實(shí)施例4)，其與覆蓋有相同非晶材料的TC0電極涂層(實(shí)施例2)相比具有更好(低3.5歐姆/□)方電阻R□和更好(高4.8%)性能P。實(shí)施例4的涂層20和60的光學(xué)厚度在根據(jù)表1和表2的a-Si光電材料200的可接受范圍內(nèi)。但是，涂層20和60的光學(xué)厚度與表2中的入/8和XM/2值的接近程度分別高于與表1中的Xm/8和Xm/2值的接近程度。在此系列中，由薄層疊層構(gòu)成并覆蓋有微晶硅的電極涂層(實(shí)施例3)與覆蓋有相同微晶材料的TC0電極涂層(實(shí)施例1)相比具有更好方電阻1^，但性能P較差(低1.8%)。實(shí)施例3的涂層60的光學(xué)厚度270.6納米不在根據(jù)表1的yc-Si光電材料200的可接受范圍324-396納米內(nèi)，也不在根據(jù)表2的yc-Si光電材料200的可接受范圍302-369納米內(nèi)。此外，耐受性試驗(yàn)后殘留的具有薄層疊層的電極涂層的比例(實(shí)施例3和4)比耐受性試驗(yàn)后殘留的TC0電極涂層的比例(實(shí)施例1和2)高得多，無(wú)論光電材料如何。第二系列實(shí)施例表5<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表6<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>在此第二系列中，在功能金屬層上方的涂層60的光學(xué)厚度為345納米(=(166.6+6)X2)，在功能金屬層下方的涂層20的光學(xué)厚度為107.6納米(=39X2.4+7X2)。在這一系列中，減反射涂層60的光學(xué)厚度等于減反射涂層20的光學(xué)厚度的3.2倍。與第一系列不同，第二系列表明，可以獲得覆蓋有微晶硅的由薄層疊層構(gòu)成的電極涂層(實(shí)施例7)，其與覆蓋有相同微晶材料的TC0電極涂層(實(shí)施例5)相比具有更好(低3歐姆/□)方電阻R□和更好(高6%)性能P。實(shí)施例7的涂層20和60的光學(xué)厚度在根據(jù)表1和表2的yc-Si光電材料200的可接受范圍內(nèi)。但是，涂層60的光學(xué)厚度與表2中的μC-SiλM/2值的接近程度高于與表1中的λω/2值的接近程度。在此系列中，由薄層疊層構(gòu)成并覆蓋有非晶硅的電極涂層(實(shí)施例8)與覆蓋有相同非晶材料的TCO電極涂層(實(shí)施例6)相比具有更好方電阻Rm但性能P較差(低13.)。實(shí)施例8的涂層60的光學(xué)厚度345納米和涂層20的光學(xué)厚度107.6納米分別不在根據(jù)表1的a-Si光電材料200的可接受范圍234-286納米和39-91納米內(nèi)，也分別不在根據(jù)表2的a-Si光電材料200的可接受范圍239-292納米和40-93納米內(nèi)。此外，耐受性試驗(yàn)后殘留的含薄層疊層的電極涂層的比例(實(shí)施例7和8)比耐受性試驗(yàn)后殘留的TCO電極涂層的比例(實(shí)施例5和6)高得多，無(wú)論光電材料如何。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在此第三系列中，在功能金屬層上方的涂層60的光學(xué)厚度為266納米(=(107+6)X2)，在功能金屬層下方的涂層20的光學(xué)厚度為65.6納米(=21.5X2.4+7X2)。在這一系列中，減反射涂層60的光學(xué)厚度等于減反射涂層20的光學(xué)厚度的4.05倍。如對(duì)于第一系列，第三系列表明，可以獲得由薄層疊層構(gòu)成并覆蓋有非晶硅的電極涂層(實(shí)施例12)，其與覆蓋有相同非晶材料的TCO電極涂層(實(shí)施例10)相比具有更好(低2.9歐姆/□)方電阻R□和更好(高9.6%)性能P。實(shí)施例12的涂層20和60的光學(xué)厚度在根據(jù)表1和2的a-Si光電材料200的可接受范圍內(nèi)。但是，涂層20和60的光學(xué)厚度與表2中的λΜ/8和λΜ/2值的接近程度分別高于與表1中的λω/8和λω/2值的接近程度。實(shí)施例12的涂層20和60的這些光學(xué)厚度也幾乎分別等于表2的λm/8和λJl值。在此系列中，由薄層疊層構(gòu)成并覆蓋有微晶硅的電極涂層(實(shí)施例11)與覆蓋有相同微晶材料的TCO電極涂層(實(shí)施例9)相比具有更好方電阻Rm但性能P較差(低11.6%)0實(shí)施例11的涂層60的光學(xué)厚度266納米不在根據(jù)表1的yc_Si光電材料200的可接受范圍324-396納米內(nèi)，也不在根據(jù)表2的μc-Si光電材料200的可接受范圍302-369納米內(nèi)。此外，耐受性試驗(yàn)后殘留的薄層疊層電極涂層的比例(實(shí)施例11和12)比耐受性試驗(yàn)后殘留的TCO電極涂層的比例(實(shí)施例9和10)高得多，無(wú)論光電材料如何。通過(guò)將此第三系列與第一系列進(jìn)行比較，各自可以看到，實(shí)施例12的涂層20和60的光學(xué)厚度(分別65.6納米和266納米)比實(shí)施例4(分別72.3納米和270.6納米)更接近a-Si的理想理論值(考慮λm分別為65納米和260納米，考慮λΜ分別為66納米和265納米)，在幾乎相同的方電阻R口和幾乎相同的PRT(即耐受性試驗(yàn)后殘留的含薄層疊層的電極涂層的比例)下，實(shí)施例12的性能更高(高4.8%)。此第三系列因此證實(shí)下述事實(shí)優(yōu)選地，在基板方向上位于金屬功能層40下方的減反射涂層20的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)λΜ的大約1/8，和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層40上方的減反射涂層60的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)λΜ的大約1/2。此外，值得注意的是，形成本發(fā)明范圍內(nèi)的電極涂層的薄層疊層不必須絕對(duì)具有極高透明度。因此，在實(shí)施例3的情況下，僅覆蓋有形成電極涂層的疊層且沒(méi)有光電材料的基板的在可見光中的光透射為75.3%，而使用TCO電極涂層且無(wú)光電材料的同等實(shí)施例，即實(shí)施例1的在可見光中的光透射為85%。ZnO/Ag/ZnO類型或SnxZny0z/Ag/SnxZny0z型(其中x、y和ζ各自是指數(shù)值)或ITO/Ag/ITO類型的具有本發(fā)明的特征的足夠簡(jiǎn)單的疊層(尤其因?yàn)樗鼈儾缓献韪敉繉?據(jù)推斷似乎技術(shù)上適用于預(yù)期用途，但第三種具有比前兩種更昂貴的風(fēng)險(xiǎn)。圖6顯示橫截面視圖的帶有本發(fā)明的正面基板10(入射輻射R穿透該正面基板)以及帶有背面基板20的光電池1。例如由非晶硅或結(jié)晶或微晶硅或碲化鎘或二硒化銅銦(CuInSe2或CIS)或銅銦鎵硒制成的光電材料200位于這兩個(gè)基板之間。其由η-摻雜的半導(dǎo)體材料層220和ρ-摻雜的半導(dǎo)體材料層240構(gòu)成，產(chǎn)生電流。分別插入一方面正面基板10和η-摻雜的半導(dǎo)體材料層220之間以及另一方面ρ-摻雜的半導(dǎo)體材料240和背面基板20之間的電極涂層100，300完成了該電結(jié)構(gòu)。電極涂層300可以基于銀或鋁，或其也可以由包含至少一個(gè)金屬功能層并符合本發(fā)明的薄層疊層構(gòu)成。上文已經(jīng)舉例描述了本發(fā)明。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在不由此脫離如權(quán)利要求書確定的專利范圍的情況下制造本發(fā)明的各種變型。權(quán)利要求具有吸收性光電材料的光電池(1)，所述電池包含正面基板(10)，尤其是透明玻璃基板，其在主表面上包含由包括金屬功能層(40)，尤其是基于銀的金屬功能層，和至少兩個(gè)減反射涂層(20，60)的薄層疊層構(gòu)成的透明電極涂層(100)，所述減反射涂層各自包含至少一個(gè)減反射層(24，26；64，66)，所述功能層(40)位于這兩個(gè)減反射涂層(20，60)之間，其特征在于在基板方向上位于金屬功能層(40)下方的減反射涂層(20)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)λm的大約1/8，和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)λm的大約1/2。2.如權(quán)利要求1所述的光電池(1)，其特征在于在基板方向上位于金屬功能層(40)下方的減反射涂層(20)的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的大約1/8，和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度等于該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的大約1/2。3.如權(quán)利要求1或2所述的光電池(1)，其特征在于該電極涂層(100)包含最遠(yuǎn)離基板的導(dǎo)電層(66)，該導(dǎo)電層具有2X10_4Q.cm至10Q.cm的電阻率P，尤其是基于TC0的層。4.如權(quán)利要求3所述的光電池(1)，其特征在于所述導(dǎo)電層具有的光學(xué)厚度為離基板最遠(yuǎn)的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度的50至98%，尤其為離基板最遠(yuǎn)的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度的85至98%。5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于位于金屬功能層(40)上方的所述減反射涂層(60)的光學(xué)厚度為該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)Xm的0.45至0.55倍，包括這些端點(diǎn)值，優(yōu)選地，位于金屬功能層(40)上方的所述減反射涂層(60)的光學(xué)厚度為該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的0.45至0.55倍，包括這些端點(diǎn)值6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于位于金屬功能層(40)下方的所述減反射涂層(20)的光學(xué)厚度為該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)入^的0.075至0.175倍，包括這些端點(diǎn)值，優(yōu)選地，位于金屬功能層(40)下方的所述減反射涂層(20)的光學(xué)厚度為該光電材料的吸收光譜乘以太陽(yáng)光譜的乘積的最大波長(zhǎng)的0.075至0.175倍，包括這些端點(diǎn)值。7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于所述基板(10)在電極涂層(100)下方包括具有與該基板的折光指數(shù)接近的低折光指數(shù)n15的底部減反射層(15)，所述底部減反射層(15)優(yōu)選基于氧化硅或基于氧化鋁或基于這兩者的混合物。8.如權(quán)利要求7所述的光電池(1)，其特征在于所述底部減反射層(15)具有10至300納米的物理厚度。9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于功能層(40)沉積在基于任選地?fù)诫s的氧化物，尤其基于任選地?fù)诫s的氧化鋅的潤(rùn)濕層(26)上方。10.如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于功能層(40)直接位于至少一個(gè)下鄰阻隔涂層(30)的上方和/或直接位于至少一個(gè)上鄰阻隔涂層(50)的下方。11.如權(quán)利要求10所述的光電池(1)，其特征在于至少一個(gè)阻隔涂層(30，50)基于Ni或Ti或基于Ni基合金，尤其基于NiCr合金。12.如權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于在基板方向上在金屬功能層下方的涂層(20)和/或在金屬功能層上方的涂層(60)包含基于混合氧化物，特別基于鋅錫混合氧化物或銦錫混合氧化物(IT0)的層。13.如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于在基板方向上在金屬功能層下方的涂層(20)和/或在金屬功能層上方的涂層(60)包含具有極高折光指數(shù)，尤其等于或高于2.35的折光指數(shù)的層，如，例如基于氧化鈦的層。14.如權(quán)利要求1至13任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于其在與正面基板(10)相對(duì)側(cè)的在電極涂層(100)上方包括基于光電材料的涂層(200)。15.如權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)所述的光電池(1)，其特征在于所述電極涂層(100)由建筑窗玻璃用的疊層，尤其是“可淬火的”疊層或“待淬火的”建筑窗玻璃用的疊層，特別是低發(fā)射率疊層，尤其是“可淬火的”或“待淬火的”低發(fā)射率疊層構(gòu)成。16.如權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的光電池(1)用的覆蓋有薄層疊層的基板(10)，尤其是建筑窗玻璃用的基板，尤其是“可淬火的”或“待淬火的”建筑窗玻璃用的基板，特別是低發(fā)射率基板，尤其是“可淬火的”或“待淬火的”低發(fā)射率基板，所述薄層疊層包含金屬功能層(40)，尤其是基于銀的金屬功能層，和至少兩個(gè)減反射涂層(20，60)，所述減反射涂層各自包含至少一個(gè)減反射層(24，26；64，66)，所述功能層(40)位于這兩個(gè)減反射涂層(20，60)之間，其特征在于在基板方向上位于金屬功能層(40)下方的減反射涂層(20)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/8，和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/2。17.覆蓋有薄層疊層的基板用于制造光電池(1)，特別是如權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的光電池⑴的正面基板(10)的用途，所述基板包含由包括金屬功能層(40)，尤其是基于銀的金屬功能層，和至少兩個(gè)減反射涂層(20，60)的薄層疊層構(gòu)成的透明電極涂層(100)，所述減反射涂層各自包含至少一個(gè)薄的減反射層(24，26;64，66)，所述功能層(40)位于這兩個(gè)減反射涂層(20，60)之間，在基板方向上位于金屬功能層(40)下方的減反射涂層(20)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/8，和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/2。18.如權(quán)利要求17所述的用途，其中包含電極涂層(100)的基板(10)是建筑窗玻璃用的基板，尤其是“可淬火的”或“待淬火的”建筑窗玻璃用的基板，特別是尤其為“可淬火的”或“待淬火的”低發(fā)射率基板。19.如權(quán)利要求17或18所述的用途，其中所述電極涂層(100)包含最遠(yuǎn)離基板的導(dǎo)電層(66)，該導(dǎo)電層具有2\10_4丄011至100.011的電阻率P，尤其是基于TC0的層。20.如權(quán)利要求19所述的用途，其中所述導(dǎo)電層具有的光學(xué)厚度為離基板最遠(yuǎn)的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度的50%至98%，尤其為離基板最遠(yuǎn)的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度的85%至98%。全文摘要本發(fā)明涉及具有吸收性光電材料的光電池，所述電池包含正面基板(10)，尤其是透明玻璃基板，其在主表面上具有由包括金屬功能層(40)，尤其是基于銀的金屬功能層，和至少兩個(gè)減反射涂層(20，60)的薄層疊層構(gòu)成的透明電極涂層(100)，其特征在于其特征在于在基板方向上位于金屬功能層(40)下方的減反射涂層(20)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/8，和在與基板相對(duì)側(cè)的位于金屬功能層(40)上方的減反射涂層(60)的光學(xué)厚度等于該光電材料的最大吸收波長(zhǎng)的大約1/2。文檔編號(hào)H01L31/0216GK101809753SQ200880108912公開日2010年8月18日申請(qǐng)日期2008年7月25日優(yōu)先權(quán)日2007年7月27日發(fā)明者E·馬特曼,N·詹克,U·比勒特申請(qǐng)人:法國(guó)圣戈班玻璃廠