專利名稱：含有四氮雜卟啉的有機光敏光電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
總的來說，本發(fā)明涉及含有至少一種四氮雜卟啉化合物的有機光敏光電子裝置
背景技術(shù)：
光電子裝置依靠材料的光和電子性質(zhì)來通過電子方法產(chǎn)生或檢測電磁輻射或從 環(huán)境電磁輻射產(chǎn)生電力。光敏光電子裝置將電磁輻射轉(zhuǎn)變成電信號或電力。太陽能電池，也被稱為光伏 (“PV”)裝置，是一種類型的光敏光電子裝置，特異性用于產(chǎn)生電能。光導(dǎo)電池是一種類型 的光敏光電子裝置，其與信號檢測電路聯(lián)合使用，用于監(jiān)測裝置的電阻，以檢測由于吸收光 而產(chǎn)生的變化?？梢越邮帐┘拥钠妷旱墓鈾z測器，是一種類型的光敏光電子裝置，其與電 流檢測線路一起使用，用于測量當(dāng)光檢測器暴露于電磁輻射時產(chǎn)生的電流。這三種類型的光敏光電子裝置，可以根據(jù)是否存在整流結(jié)，也可以根據(jù)裝置是否 通過也被稱為偏壓或偏電壓的外部施加電壓來運行，來進(jìn)行區(qū)分。光導(dǎo)電池不具有整流結(jié)， 一般使用偏壓來運行。PV裝置具有至少一個整流結(jié)，不使用偏壓來運行。光檢測器具有至 少一個整流結(jié)，通常但不總是使用偏壓來運行。本文中使用的術(shù)語“整流”，尤其是指界面具有不對稱傳導(dǎo)性質(zhì)，即界面支持優(yōu)選 一個方向的電荷傳輸。術(shù)語“半導(dǎo)體”，是指當(dāng)通過熱或電磁激發(fā)誘導(dǎo)電荷載流子時可以傳 導(dǎo)電的材料。術(shù)語“光電導(dǎo)”一般涉及其中電磁輻射能被吸收，由此轉(zhuǎn)變成電荷載流子的激 發(fā)能，使得載流子可以在材料中傳導(dǎo)(即傳輸)電荷的過程。術(shù)語“光電導(dǎo)材料”是指半導(dǎo) 體材料，利用它們吸收電磁輻射以產(chǎn)生電荷載流子的性質(zhì)。當(dāng)適當(dāng)能量的電磁輻射入射到有機半導(dǎo)體材料上時，光子可以被吸收，以產(chǎn)生激 發(fā)分子態(tài)。在有機光電導(dǎo)材料中，一般相信產(chǎn)生的分子態(tài)是“激子激子”，即束縛狀態(tài)的電 子-空穴對，其作為準(zhǔn)粒子傳輸。激子在成對重結(jié)合(“淬滅”)之前可以具有可估計的壽 命，這種成對重結(jié)合是指原來的電子和空穴的彼此重結(jié)合(與同來自其他對的空穴或電子 重結(jié)合相反)。為了產(chǎn)生光電流，形成激子的電子-空穴典型地在整流結(jié)處分離。
在光敏裝置的情況中，整流結(jié)被稱為光伏異質(zhì)結(jié)。有機光伏異質(zhì)結(jié)的類型包括在 供體材料和受體材料的界面處形成的供體-受體異質(zhì)結(jié)，以及在光電導(dǎo)材料和金屬的界面 處形成的肖特基勢壘(Schottky-barrier)異質(zhì)結(jié)。

圖1是顯示了示例性供體-受體異質(zhì)結(jié)的能級圖。在有機材料的情況下，術(shù)語“供 體”和“受體”是指兩種接觸但不相同的有機材料的最高占據(jù)分子軌道(“HOMO”)和最低 未占據(jù)分子軌道(“LUM0”)能級的相對位置。如果與另一種材料接觸的一種材料的LUMO 能級較低，那么該材料是受體。否則的話它是供體。在不存在外部偏壓的情況下，供體-受 體節(jié)處的電子移動到受體材料中是能量上有利的。在本文中使用時，如果第一種能級更接近真空能級10，那么第一種HOMO或LUMO能 級“大于”或“高于”第二種HOMO或LUMO能級。較高的HOMO能級所對應(yīng)的電離勢(“IP”) 具有相對于真空能級較小的絕對能量。同樣地，較高的LUMO能級所對應(yīng)的電子親和勢 (“EA”)具有相對于真空能級較小的絕對能量。在常規(guī)能級圖上，真空能級在頂部，材料的 LUMO能級高于同樣材料的HOMO能級。在受體152中吸收了光子6或受體154產(chǎn)生了激子8后，激子8在整流界面處解 離。供體152傳輸空穴(空心圓圈)，受體154傳輸電子(實心圓圈)。有機半導(dǎo)體的重要性質(zhì)是載流子遷移率。遷移率度量了電荷載流子可以對電場作 出響應(yīng)移動通過導(dǎo)電材料的容易性。在有機光敏裝置的情況下，由于高的電子遷移率而優(yōu) 先通過電子導(dǎo)電的材料，可以被稱為電子傳輸材料。由于高的空穴遷移率而優(yōu)先通過空穴 導(dǎo)電的材料，可以被稱為空穴傳輸材料。由于遷移率和/或在裝置中的位置而優(yōu)先通過電 子導(dǎo)電的層，可以被稱為電子傳輸層(“ETL”)。由于遷移率和/或在裝置中的位置而優(yōu)先 通過空穴導(dǎo)電的層，可以被稱為空穴傳輸層(“HTL”)。優(yōu)選但不是必需的，受體材料是電 子傳輸材料，而供體材料是空穴傳輸材料。如何根據(jù)載流子遷移率和相對HOMO和LUMO能級，對在光伏異質(zhì)結(jié)中用作供體和 受體的兩種有機光電導(dǎo)材料進(jìn)行配對，在本技術(shù)領(lǐng)域中是眾所周知的，在此不進(jìn)行闡述。本體(bulk)半導(dǎo)體以及絕緣體的一個共同特征是“能帶間隙”。能帶間隙是填充 有電子的最高能級與空的最低能級之間的能差。在無機半導(dǎo)體或無機絕緣體中，這種能差 是價帶邊緣(價帶的頂部)與傳導(dǎo)帶邊緣(傳導(dǎo)帶底部)之間的差。在有機半導(dǎo)體或有機 絕緣體中，這種能差是HOMO和LUMO之間的差。純質(zhì)材料的能帶間隙沒有可以存在電子和 空穴的能態(tài)。唯一可用于導(dǎo)電的載流子是具有足夠的能量被激發(fā)穿過能帶間隙的電子和空 穴。一般來說，半導(dǎo)體與絕緣體相比，具有相對小的能帶間隙。根據(jù)有機半導(dǎo)體的能帶模型，只有在能帶間隙的LUMO —側(cè)的電子是電荷載流子， 只有在能帶間隙的HOMO —側(cè)的空穴是電荷載流子。其他關(guān)于有機光敏裝置的現(xiàn)有技術(shù)的背景解釋和描述，包括它們的一般結(jié)構(gòu)、 特征、材料和特點，可以在Forrest等的美國專利No. 6，657，378，F(xiàn)orrest等的美國專利 No. 6，580，027以及Bulovic等的美國專利No. 6，352，777中發(fā)現(xiàn)，其公開內(nèi)容在此引為參考。小分子太陽能電池的性能，通過研究它們在暗條件下和光照下的特征性IV響應(yīng) 來確定。功率轉(zhuǎn)換效率np，依賴于開路電壓(VJ，短路電流密度(Jsc)和填充因數(shù)(FF)， 通過下式確定1
其中Ptj是入射光功率。這里，F(xiàn)F依賴于串聯(lián)電阻，對于高性能小分子量有機光伏 材料來說，典型地在0. 5到0. 65之間。最大Jsc由有機物質(zhì)的吸收之間的重疊，太陽光光 譜，吸收層的消光系數(shù)和厚度，和其他因素決定。但是，光電流高度依賴于材料的電荷傳輸 性質(zhì)，因為對電荷流動的電阻率代表了對電池性能的重要挑戰(zhàn)2。當(dāng)涉及電池性能時，另一 個需要考慮的非常重要的參數(shù)是激子擴散長度。材料的激子擴散長度代表激子在重結(jié)合之 前可以行進(jìn)的距離。因此，為了相對于通過吸收光子產(chǎn)生的激子數(shù)量獲得高百分率的電荷 載流子，激子優(yōu)選在異質(zhì)結(jié)的大約Ld內(nèi)形成。激子擴散長度Ld通過表述式Ld= ‘I.與激 子擴散系數(shù)D和激子壽命τ相關(guān)聯(lián)。對于有機半導(dǎo)體來說，激子擴散長度通常短于光吸收 長度La，因此由于激子到達(dá)供體-受體界面處進(jìn)行電荷分離的相對低的能力，限制了所使用 的有機層的厚度。這種影響不僅限制了吸收材料的量，而且也產(chǎn)生了對分離的電荷的電阻 途徑，不利于有效光轉(zhuǎn)化工。有機太陽能電池中Vre的起源沒有被很好了解3’4。一些人建議，它主要依賴于雙層 電池中異質(zhì)界面處(被稱為界面間隙Ig)受體樣材料的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)與供 體樣材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)之間的能差5。但是，其他人還沒有觀察到該Ig與觀 察到的Vre之間的明顯的關(guān)聯(lián)，并提出這種電壓受依賴于載流子遷移率的化學(xué)電勢梯度的 控制6。此外，已經(jīng)清楚，Vrc不反映所吸收的光子的總能量，并且能量在功率轉(zhuǎn)換過程中一 定損失了。這些損失到目前為止還不能解釋，在評估開路電壓的基礎(chǔ)時必須多加小心。發(fā)明簡述本發(fā)明提供了含有至少一種式I的四氮雜卟啉化合物的有機光敏光電子裝置，該 化合物具有鍵合到四氮雜卟啉核的中心處的三價或四價金屬原子M，其中M是(a)如式II 中所示連接的具有單陰離子配位體X的三價金屬原子，(b)如式III中所示連接的具有兩 個單陰離子配位體X'和X"的四價金屬原子，或(c)如式IV中所示連接的具有兩個單陰 離子配位體X'和X"的四價金屬原子
權(quán)利要求
1.有機光敏光電子裝置，其含有至少一種式I的四氮雜卟啉化合物，該化合物具有鍵 合到四氮雜卟啉核的中心處的三價或四價金屬原子M，其中M是(a)如式II中所示連接的 具有單陰離子配位體X的三價金屬原子，(b)如式III中所示連接的具有兩個單陰離子配 位體X'和X"的四價金屬原子，或(c)如式IV中所示連接的具有兩個單陰離子配位體X' 和X"的四價金屬原子其中X是單陰離子配位體；
2.權(quán)利要求1的裝置，其中R1-R8基團中的至少一個中的價原子是C。
3.權(quán)利要求2的裝置，其中R1-R8基團中的至少一個獨立地選自烷基，取代的烷基，烯 基，取代的烯基，炔基，取代的炔基，環(huán)烷基，取代的環(huán)烷基，環(huán)烯基，取代的環(huán)烯基，環(huán)炔基， 取代的環(huán)炔基，芳基，取代的芳基，雜環(huán)基和取代的雜環(huán)基。
4.權(quán)利要求3的裝置，其中取代的烷基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的烷基環(huán)烷基，環(huán)烯基，環(huán)炔 基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧基，環(huán)炔基氧基，芳氧 基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧基，芳基羰基氧基，硫 羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基，甲?；?，?；奔柞；?氨基，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，?；被?，N-酰基-N-烷基氨基，N-酰 基-N-烯基氨基，N-酰基-N-炔基氨基，N-酰基-N-環(huán)烷基氨基，N-?；?N-環(huán)烯基氨基， N-?；?N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子；取代的烯基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的烯基環(huán)烷基，環(huán)烯基，環(huán)炔 基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧基，環(huán)炔基氧基，芳氧 基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧基，芳基羰基氧基，硫 羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基，甲?；?，酰基，氨甲?；?， 氨基，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，?；被?，N-酰基-N-烷基氨基，N-酰 基-N-烯基氨基，N-?；?N-炔基氨基，N-?；?N-環(huán)烷基氨基，N-?；?N-環(huán)烯基氨基， N-?；?N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子；取代的炔基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的炔基環(huán)烷基，環(huán)烯基，環(huán)炔 基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧基，環(huán)炔基氧基，芳氧 基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧基，芳基羰基氧基，硫 羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基，甲酰基，酰基，氨甲酰基， 氨基，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，?；被琋-?；?N-烷基氨基，N-酰 基-N-烯基氨基，N-?；?N-炔基氨基，N-酰基-N-環(huán)烷基氨基，N-酰基-N-環(huán)烯基氨基， N-?；?N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子；取代的環(huán)烷基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的環(huán)烷基烷基，烯基，炔基， 環(huán)烷基，環(huán)烯基，環(huán)炔基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧 基，環(huán)炔基氧基，芳氧基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧 基，芳基羰基氧基，硫羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基， 甲酰基，?；奔柞；被?，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，酰基氨基，N-酰 基-N-烷基氨基，N-?；?N-烯基氨基，N-?；?N-炔基氨基，N-?；?N-環(huán)烷基氨基， N-酰基-N-環(huán)烯基氨基，N-?；?N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子；取代的環(huán)烯基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的環(huán)烯基烷基，烯基，炔基， 環(huán)烷基，環(huán)烯基，環(huán)炔基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧基，環(huán)炔基氧基，芳氧基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧 基，芳基羰基氧基，硫羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基， 甲?；?，?；?，氨甲?；?，氨基，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，?；被?，N-酰 基-N-烷基氨基，N-?；?N-烯基氨基，N-?；?N-炔基氨基，N-?；?N-環(huán)烷基氨基， N-?；?N-環(huán)烯基氨基，N-?；?N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子；取代的環(huán)炔基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的環(huán)炔基烷基，烯基，炔基，環(huán)烷基，環(huán)烯基，環(huán)炔基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧 基，環(huán)炔基氧基，芳氧基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧 基，芳基羰基氧基，硫羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基， 甲酰基，?；?，氨甲酰基，氨基，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，?；被?，N-酰 基-N-烷基氨基，N-?；?N-烯基氨基，N-酰基-N-炔基氨基，N-酰基-N-環(huán)烷基氨基， N-?；?N-環(huán)烯基氨基，N-?；?N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子；取代的芳基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的芳基烷基，烯基，炔基，環(huán)烷 基，環(huán)烯基，環(huán)炔基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧基，環(huán) 炔基氧基，芳氧基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧基，芳 基羰基氧基，硫羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基，甲酰基， 酰基，氨甲?；?，氨基，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，?；被琋-?；?N-烷 基氨基，N-?；?N-烯基氨基，N-?；?N-炔基氨基，N-?；?N-環(huán)烷基氨基，N-?；?N-環(huán) 烯基氨基，N-酰基-N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子；以及取代的雜環(huán)基是被至少一個獨立地選自下列的基團取代的雜環(huán)基烷基，烯基，炔基， 環(huán)烷基，環(huán)烯基，環(huán)炔基，芳基，雜環(huán)基，羥基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧 基，環(huán)炔基氧基，芳氧基，烷基羰基氧基，環(huán)烷基羰基氧基，環(huán)烯基羰基氧基，環(huán)炔基羰基氧 基，芳基羰基氧基，硫羥基，烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基，芳基硫基， 甲?；?，酰基，氨甲酰基，氨基，被至少一個烷基、烯基或炔基取代的氨基，?；被琋-酰 基-N-烷基氨基，N-?；?N-烯基氨基，N-?；?N-炔基氨基，N-?；?N-環(huán)烷基氨基， N-?；?N-環(huán)烯基氨基，N-?；?N-芳基氨基，硝基，雜環(huán)基和鹵素原子。
5.權(quán)利要求1的裝置，其中與同一個吡咯或二氫吡咯環(huán)相連的至少兩個相鄰的札-化基 團，與吡咯或二氫吡咯環(huán)的兩個β碳原子一起，形成了任選取代的碳環(huán)或雜環(huán)基團。
6.權(quán)利要求5的裝置，其中與同一個吡咯或二氫吡咯環(huán)相連的至少兩個相鄰的禮-化基 團，與吡咯或二氫吡咯環(huán)的兩個β碳原子一起，形成了任選取代的碳環(huán)基團。
7.權(quán)利要求6的裝置，其中任選取代的碳環(huán)基團是任選取代的芳基。
8.權(quán)利要求7的裝置，其中任選取代的芳基是苯基或取代的苯基。
9.權(quán)利要求8的裝置，其中至少一種四氮雜卟啉化合物，是在四氮雜卟啉核的中心處 鍵合有M的式V的至少一種酞菁化合物
10.權(quán)利要求5的裝置，其中與同一個吡咯或二氫吡咯環(huán)相連的至少兩個相鄰WR1-R8 基團，與吡咯或二氫吡咯環(huán)的兩個β碳原子一起，形成了雜環(huán)基團。
11.權(quán)利要求6的裝置，其中任選取代的碳環(huán)基團是任選取代的大環(huán)或苯并的π-系統(tǒng)。
12.權(quán)利要求2的裝置，其中R1-R8基團中的至少一個是烷基、取代的烷基、芳基或取代 的芳基。
13.權(quán)利要求1的裝置，其中R1-R8基團中的至少一個的價原子是0。
14.權(quán)利要求13的裝置，其中至少一個具有0作為價原子的R1-R8基團是羥基，烷氧 基，烯氧基，炔氧基，環(huán)烷氧基，環(huán)烯基氧基，環(huán)炔基氧基，芳烷基氧基，芳烯基氧基，芳炔基 氧基，芳氧基，烷基羰基氧基，烯基羰基氧基，炔基羰基氧基，羥基羰基氧基或烷氧基羰基氧 基。
15.權(quán)利要求14的裝置，其中至少一個具有0作為價原子的R1-R8基團是羥基或烷氧基。
16.權(quán)利要求1的裝置，其中R1-R8基團中的至少一個獨立地選自Cl原子、Br原子、I 原子和At原子。
17.權(quán)利要求1的裝置，其中團中的至少一個具有N作為價原子。
18.權(quán)利要求1的裝置，其中R1-R8基團中的至少一個具有S作為價原子。
19.權(quán)利要求1的裝置，其中X、X'或X"獨立地選自鹵化物，擬鹵化物，烷基，芳基，烷氧基，烯氧基，炔氧基，芳烷基氧基，芳烯基氧基，芳炔基氧基，環(huán)烷基烷氧基，環(huán)烷基烯氧 基，環(huán)烷基炔氧基，酰胺基，環(huán)烷基，雜環(huán)基，雜芳基，環(huán)烷氧基，雜環(huán)基氧基，雜芳烷基氧基， 環(huán)烯基氧基，環(huán)炔基氧基，芳烷基氧基，芳烯基氧基，芳炔基氧基，芳氧基，烷基羰基氧基，烯 基羰基氧基，炔基羰基氧基，羥基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，氨基，單烷基氨基，二烷基氨 基，單芳基氨基，二芳基氨基，N-烷基-N'-芳基氨基，酰基，?；趸趸?，羥基，硫羥基， 烷基硫基，烯基硫基，炔基硫基，芳烷基硫基，芳烯基硫基，芳炔基硫基，環(huán)烷基烷基硫基，環(huán) 烯基烷基硫基，環(huán)炔基烷基硫基，環(huán)烷基硫基，環(huán)烯基硫基，環(huán)炔基硫基和芳基硫基。
20.權(quán)利要求19的裝置，其中X、X'或X"獨立地選自鹵化物、擬鹵化物、烷基、芳基、 烷氧基和酰胺基。
21.權(quán)利要求1的裝置，其中M選自鋁、鎵、銦、鉈、鍺、錫、鉛、砷、銻、鉍、鈦、釩、鉻、錳、 鐵、鈷、鎳、鋯、鉿、鉬、鎢、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉬、銀和金。
22.權(quán)利要求21的裝置，其中M選自鎵、銦、鉈、鍺、錫、鉛、砷、銻、鉍、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、鋯、鉿、鉬、鎢、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉬、銀和金。
23.權(quán)利要求22的裝置，其中M是Pt、Pd或Ir。
24.權(quán)利要求1的裝置，其中M是三價金屬原子。
25.權(quán)利要求1的裝置，其中M是四價金屬原子。
26.權(quán)利要求1的裝置，包含(i)第一個電極和第二個電極，其中第一個電極和第二個電極中至少一個是透明的； ( )位于第一個電極與第二個電極之間的有機光活性材料，其包含(a)第一種有機半導(dǎo)體材料；和(b)第二種有機半導(dǎo)體材料，其中第一種有機半導(dǎo)體材料相對于第二種有機半導(dǎo)體材料包含至少一種供體材料， 而第二種有機半導(dǎo)體材料包含至少一種受體材料，或者第一種有機半導(dǎo)體材料相對于第二 種有機半導(dǎo)體材料包含至少一種受體材料，而第二種有機半導(dǎo)體材料包含至少一種供體材 料，其中供體材料包含至少一種式I的四氮雜卟啉化合物，并且其中第一種有機半導(dǎo)體材 料與第二種有機半導(dǎo)體材料直接接觸；以及(iii)兩個電極之間并鄰近兩個電極中至少一個的至少一個激子阻擋層。
27.權(quán)利要求1的裝置，其中裝置包含供體材料和受體材料，并且其中供體材料包含至 少一種式(I)的四氮雜卟啉化合物。
28.權(quán)利要求27的裝置，其中受體材料包含C60。
29.權(quán)利要求1的裝置，其中裝置包含供體材料和受體材料，并且其中供體材料包含式 (I)的四氮雜卟啉化合物，和受體材料包含另一種式(I)的四氮雜卟啉化合物。
30.權(quán)利要求1的裝置，其中裝置是有機光伏電池。
31.權(quán)利要求1的裝置，其中裝置是光導(dǎo)電池。
32.權(quán)利要求1的裝置，其中裝置是光檢測器。
33.權(quán)利要求1的裝置，其中裝置是光傳感器。
34.用于制造權(quán)利要求27的有機光敏裝置的方法，包括提供供體材料和受體材料，其中供體材料包含至少一種式(I)的四氮雜卟啉化合物；以及制造有機光敏光電子裝置，包括將供體材料與受體材料相接觸。
全文摘要
本發(fā)明的實施方案提供了含有至少一種本文公開的式(I)的四氮雜卟啉化合物的有機光敏光電子裝置。
文檔編號H01L51/42GK102007615SQ200880111199
公開日2011年4月6日 申請日期2008年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月12日
發(fā)明者伊麗莎白·梅奧, 克里斯蒂娜·L·穆托洛馬丁尼茲, 史蒂芬·R·福里斯特, 朗達(dá)·F·貝雷-薩爾茲曼, 馬克·E·湯普森 申請人:南加利福尼亞大學(xué), 密歇根大學(xué)董事會