專利名稱：基于蒸氣的組合式處理的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理。更明確而言，本發(fā)明涉及基于位置隔離的蒸氣的處理 (site-isolated vapor based processing)的處理系統(tǒng)及方法，其用以促進(jìn)基板上的組合 式的膜沉積及整合?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)為常用于半導(dǎo)體制造中的基于蒸氣的沉積處理，半導(dǎo)體制造 包含但不限于介電層、導(dǎo)通層、半導(dǎo)通層、內(nèi)襯、阻障、黏著層、種子層、應(yīng)力層及填補(bǔ)層的形 成。CVD—般是熱驅(qū)動(dòng)處理，藉此使前驅(qū)物流預(yù)先混合并符合將沉積的基板表面。CVD需 要控制基板溫度及進(jìn)入的前驅(qū)物流，以達(dá)成期望的膜材料特性及厚度一致性?；贑VD的 處理的衍生方法包含但不限于電漿強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積(PECVD)、高密度電漿化學(xué)氣相沉積 (HDP-CVD)、次大氣壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)、雷射輔助/感應(yīng)CVD，及離子輔助/感應(yīng)CVD。隨著裝置幾何尺寸縮減及相關(guān)的膜厚度減少，對于沉積層的改進(jìn)的控制有逐漸增 加的需求。一種能促進(jìn)優(yōu)良的階梯覆蓋率(st印coverage)、材料特性及膜厚度控制的CVD 變形為順序的沉積技術(shù)(sequential depositiontechnique)，也就是已知的原子層沉積 (ALD)。ALD為一種多重步驟自我限制之處理，其包含使用至少兩個(gè)前驅(qū)物或是試劑。大致 上而言，引入第一前驅(qū)物(或是試劑)到含有一基板的處理腔室中，并使其吸附在該基板 的表面上。清理及/或是排出多余的第一前驅(qū)物。然后引入第二前驅(qū)物(或是試劑)到腔 室中，并與該初始吸附層作用，以透過沉積反應(yīng)而形成沉積層。沉積反應(yīng)為自我限制反應(yīng)， 因?yàn)橐坏┑诙膀?qū)物將初始吸附層耗盡就會(huì)終止反應(yīng)。清理及/或是排出多余的第二前驅(qū) 物。前述步驟組成一個(gè)沉積或是ALD “循環(huán)”。重復(fù)此處理以形成下一層，且由循環(huán)次數(shù)決 定沉積薄膜的總厚度。亦可選擇不同組的前驅(qū)物，以形成包括不同材料成分的納米復(fù)合物。 ALD的衍生方法包含但不限于電漿強(qiáng)化原子層沉積(PEALD)、自由基輔助/強(qiáng)化ALD、雷射輔 助/感應(yīng)ALD，及離子輔助/感應(yīng)ALD。現(xiàn)今，常規(guī)的基于蒸氣的處理(例如CVD及ALD)被設(shè)計(jì)用以一致地處理整個(gè)晶 圓。此外，這些CVD及ALD處理必需整合于處理/裝置流程中。一致處理會(huì)使每個(gè)基板上 的數(shù)據(jù)量較少，需要較長時(shí)間來累積多樣化的數(shù)據(jù)，且為了得到該種數(shù)據(jù)需要較高費(fèi)用。作為對于新的ALD及CVD薄膜之探索、最佳化及合格化處理的一部分，本發(fā)明促使 測試i)多于一種材料， )多于一個(gè)處理?xiàng)l件，iii)多于一個(gè)處理?xiàng)l件順序，及iv)在單 一整體基板上具有多于一組處理順序整合流程，不需要為每種材料、每種處理?xiàng)l件、每組處 理?xiàng)l件順序、每種處理順序及其組合耗費(fèi)數(shù)目相等的大量基板。如此可大幅改善速度，且亦 減少與探索、實(shí)現(xiàn)、最佳化及合格化基于新的CVD及ALD的材料、處理及制造所需要的處理 整合順序相關(guān)的費(fèi)用。本發(fā)明提供了透過改變流體容積(fluid volume)的組成部分，以組 合式方式來處理基板的系統(tǒng)、組件及方法。


藉由伴隨附圖的以下詳細(xì)說明，可輕易地了解本發(fā)明。相似的參考標(biāo)號代表相似 的構(gòu)造組件。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的系統(tǒng)的詳細(xì)橫剖面圖；圖2為顯示圖1所示系統(tǒng)中的處理流體的流動(dòng)的簡化概略圖；圖3為根據(jù)第一實(shí)施方式，顯示圖1所示的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)所使用的噴淋頭組件的自下而上的立體圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明，顯示圖3所示的噴淋頭的自上而下的立體圖；圖5為圖3及4所示的噴淋頭的歧管本體的自上而下的圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示圖1所示的處理腔室的流體供應(yīng)系統(tǒng)的 平面圖；圖7為顯示圖6所示的流體供應(yīng)系統(tǒng)的操作，及流出圖3、4及5所示的噴淋頭的 處理流體的最終分配的圖像表示；圖8A為一自上而下的平面圖，說明根據(jù)本發(fā)明，處理流體移動(dòng)經(jīng)過設(shè)置于圖1所 示的處理區(qū)域中的基板表面；圖8B為一簡化概略圖，說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的軸對稱分隔氣體流 動(dòng)用的流動(dòng)向量，其能促進(jìn)物種隔離以限定晶圓表面的分離的扇形；圖9為根據(jù)本發(fā)明的第一替換性實(shí)施方式，顯示示于圖1的系統(tǒng)的詳細(xì)橫剖面 圖；圖10為根據(jù)本發(fā)明的第二替換性實(shí)施方式，顯示示于圖1的系統(tǒng)的詳細(xì)橫剖面 圖；圖IlA為根據(jù)本發(fā)明的替換性實(shí)施方式，顯示示于圖1的處理腔室的流體供應(yīng)系 統(tǒng)的平面圖；圖IlB為一圖像表示，說明與圖8A及8B中所示的基板相關(guān)的圖IlA中的流體供 應(yīng)系統(tǒng)的操作；圖12為根據(jù)本發(fā)明的替換性實(shí)施方式，顯示示于圖4的歧管本體的橫剖面圖；圖13為根據(jù)本發(fā)明的替換性實(shí)施方式，顯示示于圖3及4的歧管本體的自上而下 的圖；圖13-1、13-2、13_3及13-4為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示圖13的噴淋頭的 例示性實(shí)施方式；圖14為根據(jù)本發(fā)明的替換性實(shí)施方式，顯示示于圖3、4、5及14的歧管本體中制 造的注入口的詳細(xì)圖；圖15A為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示為了篩選目的，具有利用組合式處理 順序形成的構(gòu)造的基板的簡化橫剖面圖；及圖15B為根據(jù)本發(fā)明的替換性實(shí)施方式，顯示具有材料形成于其上的基板的自上 而下的圖；圖16為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，顯示基板的區(qū)域分割的自上而下的圖；圖17為顯示群集工具(cluster tool)的簡化平面圖，其中可包含示于圖1、9及 10的處理系統(tǒng)其中任一者；圖18為根據(jù)本發(fā)明之又另一實(shí)施方式，顯示流體控制機(jī)構(gòu)的自下而上的圖；圖19為用以沉積材料于基板上的系統(tǒng)的簡化平面圖，包含示于圖18中的流體控 制機(jī)構(gòu)；
圖20為顯示示于圖19中的系統(tǒng)且移除該流體控制機(jī)構(gòu)的自上而下的圖；圖21-23根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示了閘堆棧構(gòu)型(gate stackconfiguration)的處理順序中篩選處理的應(yīng)用；及圖24-25根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示了用以評估內(nèi)存裝置的金屬-絕緣體-金屬(MIM)構(gòu)造的篩選技術(shù)。詳細(xì)描述于此所述的實(shí)施方式提供了用以評估材料、單元處理、及處理整合順序的方法及 系統(tǒng)，以改善半導(dǎo)體制造操作。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可輕易了解，本發(fā)明可脫離部分或 全部該細(xì)節(jié)而仍能實(shí)現(xiàn)。在其它范例中，不敘述已熟知的處理操作以免不必要地模糊本發(fā) 明。為了要達(dá)到半導(dǎo)體制造操作的全域最佳順序，于此所述的實(shí)施方式通過考慮在一 基板上的多重區(qū)域上同時(shí)進(jìn)行單元制造操作之間的交互作用效應(yīng)，而使得能夠?qū)⒔M合式技 術(shù)應(yīng)用于沉積處理順序整合。明確而言，不但可同時(shí)使用多重處理?xiàng)l件來實(shí)現(xiàn)單元制造操 作，亦可在單元制造操作之內(nèi)使用組件的材料特性，藉此最小化實(shí)行多重操作所需的時(shí)間。 亦可推知全域最佳順序，且作為本技術(shù)之一部分，亦考慮用于最佳順序的單元處理操作的 單元處理、單元處理參數(shù)及材料。此實(shí)施方式能夠分析用于制造半導(dǎo)體裝置的整體沉積處理順序的一部分或是子 組合。處理順序可用于集成電路(IC)半導(dǎo)體裝置、平面顯示器、光電裝置、數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、 電磁裝置、光磁裝置、封裝裝置等的制造。一旦辨認(rèn)出用于分析的處理順序的子組合，就實(shí) 施組合式處理順序整合測試，以最佳化用于所辨認(rèn)的整體處理的該部分的材料、單元處理、 及處理順序。在此處所述的某些實(shí)施方式的處理期間，可以使用沉積來形成構(gòu)造，或是改變 已經(jīng)形成在基板上的構(gòu)造，此構(gòu)造與在制造基板期間中所形成的構(gòu)造等效。舉例而言，半導(dǎo) 體基板上的構(gòu)造包含但不限于渠溝、通孔、內(nèi)連接線、包覆層、屏蔽層、二極管、內(nèi)存組件、 閘堆棧、晶體管，或是制造半導(dǎo)體芯片上的構(gòu)造的其它任意連續(xù)層或是單元處理。材料、單 元處理及處理順序變化亦用于制造層及/或是獨(dú)特的材料接口，而不會(huì)制造期望構(gòu)造的全 部或是部份，比起藉由處理步驟制造的構(gòu)造或是裝置，如此則容許對產(chǎn)生的材料有更多基 本的特性研究。依照組合式實(shí)驗(yàn)，組合式處理改變某些材料、單元處理或是處理順序時(shí)，優(yōu) 選地，在各區(qū)域中，層或是構(gòu)造的組成或是厚度、或是單元處理的作用為實(shí)質(zhì)相同的，但區(qū) 域?qū)^(qū)域之間可以改變。結(jié)果是基板上的一連續(xù)區(qū)域，該區(qū)域包含已一致地應(yīng)用單元處理順序于該區(qū)域內(nèi) 的構(gòu)造或結(jié)果，且若能實(shí)施，更可包含因?qū)嶒?yàn)的設(shè)計(jì)，藉由產(chǎn)生經(jīng)不同處理區(qū)域的數(shù)組而橫 跨不同的區(qū)域。此處理一致性能比較不同區(qū)域之內(nèi)與跨越不同區(qū)域的特性，以使測試結(jié)果 中的變異來自改變的參數(shù)(例如材料、單元處理、單元處理參數(shù)或是處理順序)，而非來自 不具有處理一致性。然而，亦可對于篩選的某些實(shí)驗(yàn)類型使用非一致的區(qū)域處理。亦即，可 以在某些情況中使用具有落在制造規(guī)格之外的非一致性的梯度處理或是局部處理。當(dāng)用于一種以相對簡單的篩選(有時(shí)稱為初級篩選)開始，并進(jìn)行到涉及構(gòu)造及 /或是電性結(jié)果的更復(fù)雜篩選(有時(shí)稱為二級篩選)，然后進(jìn)行到分析全部處理順序的一部 分(有時(shí)稱為三級篩選)的篩選協(xié)議時(shí)，組合式處理通常是最有用的。篩選階級及處理類 型及分析的名稱是任意的，且有更大程度是取決于將要進(jìn)行的特定實(shí)驗(yàn)。因此，上述說明并不限制為任何形式。隨著篩選階級進(jìn)展，可以消去材料及處理變異，且信息回饋至之前的階級，以更進(jìn)一步精化該分析，使得可根據(jù)初始規(guī)格及參數(shù)推知最佳結(jié)果。在ALD中，可變動(dòng)的簡單條件范例包含前驅(qū)物、試劑、載子氣體、前驅(qū)物的順序、前 驅(qū)物/試劑的濃度、前驅(qū)物/試劑脈沖的持續(xù)時(shí)間、清潔流體物種、清潔流體持續(xù)時(shí)間、分 壓、總壓力、流動(dòng)速度、每循環(huán)的成長速度、潛伏期、與基板類型有關(guān)的成長速度、薄膜厚度、 薄膜組成、納米薄片(例如不同ALD薄膜類型之堆棧)、前驅(qū)物來源溫度、基板溫度、飽和吸 附的溫度、ALD的溫度窗、前驅(qū)物的熱分解的溫度、基于電漿/離子/自由基的ALD的電漿 能量等等。初級篩選以改變前驅(qū)物及清潔流體脈沖的持續(xù)期間作為開始，并在漸增的基板 溫度下流入，以判定給定薄膜類型的ALD處理窗(以對于溫度的依附性很微小的自我限制 沉積為特征的區(qū)域)。二級篩選必須堆棧二或更多的該ALD薄膜，以改變例如簡單的MIM電 容器構(gòu)造中的薄膜堆棧的有效介電常數(shù)。此種篩選的輸出可為在最低漏電流產(chǎn)生最高有效 介電常數(shù)，且經(jīng)過高溫(例如> 500°C )熱退火仍保持穩(wěn)定者。以下所述的系統(tǒng)及方法對于 實(shí)現(xiàn)如上所述的組合式實(shí)驗(yàn)很有用，且對于ALD及CVD處理特別有用。在本申請案中所稱的流體為液體、氣體、蒸氣(亦即會(huì)流動(dòng)的成分)，及用于ALD及 CVD處理的其它類型流體及其變型物，且在此說明書中，該術(shù)語可替換使用。組成成分可以 在系統(tǒng)中的某處為液體，在進(jìn)入處理腔室并暴露于基板之前，流體可轉(zhuǎn)換成氣體、蒸氣或是 其它種流體。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)10包含封閉組件，其由兼 容于處理的材料形成，例如鋁或是電鍍鋁。該封閉組件12包含殼罩14，該殼罩14形成處理 腔室16及覆蓋通往處理腔室16的開口的真空蓋組件20。安裝于真空蓋組件20的是處理 流體射出組件，其將反應(yīng)性及載子流體輸送進(jìn)入處理腔室16。最后，流體射出組件包含多個(gè) 通路30、31、32和33、及噴淋頭90?？砂闯Ｒ?guī)方式將該腔室殼罩14、真空蓋組件20及噴淋 頭90保持在期望溫度范圍中。應(yīng)了解，于此所提供的附圖為說明性顯示的，并非按比例而 繪制。加熱/升降組件46設(shè)置于處理腔室16之內(nèi)。加熱/升降組件46包含連接于支 撐軸49的支撐基座(support pedestal) 48。支撐基座48位于軸49及真空蓋組件20之 間。支撐基座48可由任何與處理兼容的材料形成，包含氮化鋁及氧化鋁(Al2O3或是礬土)， 且用以將基板支撐于其上，舉例而言，支撐基座48可為真空夾頭或是利用其它常規(guī)技術(shù)， 例如靜電夾頭(ESC)或是物理性的挾持機(jī)構(gòu)。加熱/升降組件46適用于可控制地移動(dòng)，以 改變支撐基座48與噴淋頭90之間的距離，來控制基板對于噴淋頭的間隙。傳感器(未顯 示)提供有關(guān)處理腔室16內(nèi)的支撐基座48的位置的信息。支撐基座48可利用加熱組件 (未顯示)來加熱基板，加熱組件例如是嵌入基座組件內(nèi)的電阻性加熱組件。參照圖1及2，流體供應(yīng)系統(tǒng)69與通路30、31、32及33經(jīng)由一組管道而流體連通。 在處理腔室16之內(nèi)提供來自流體供應(yīng)系統(tǒng)69的處理流體流動(dòng)，部分地，藉由包含一個(gè)或更 多泵(例如經(jīng)由蝶型閥67及泵通道68而皆與處理腔室16成流體連通的渦輪泵64及粗抽 泵66)的壓力控制系統(tǒng)供給。最后，控制器70調(diào)節(jié)系統(tǒng)10的各種組件的操作?？刂破?0 包含與內(nèi)存(例如隨機(jī)存取內(nèi)存74及硬盤機(jī)76)成數(shù)據(jù)連通的處理器72，且若有需要，能 與泵系統(tǒng)64、溫度控制系統(tǒng)52、流體供應(yīng)系統(tǒng)69及系統(tǒng)的其它各種方面成信號連通。系統(tǒng) 10可在處理腔室16的一區(qū)域77中建立條件以于其上形成期望材料(例如一薄膜)，該區(qū)域77接近設(shè)置于支撐基座48之上的基板79的表面78。最后，當(dāng)該殼罩14位于一處理位 置時(shí)，該殼罩14用以產(chǎn)生環(huán)繞支撐基座48的外圍流動(dòng)通道71，以便根據(jù)由系統(tǒng)10欲達(dá)成 的化學(xué)處理而設(shè)置具有期望尺寸的處理區(qū)域77。泵通道68位于該殼罩14之中，以使處理 區(qū)域77位于泵通道68與噴淋頭90之間。
定義外圍流動(dòng)通道71的尺寸，以使其中能流過期望的處理流體傳導(dǎo)量，從而使處 理流體以實(shí)質(zhì)上一致且軸對稱(以下將更進(jìn)一步描述)的方式流過基板79的表面78。最 后，選擇流過泵通道68的傳導(dǎo)量，使其大于流過外圍流動(dòng)通道71的傳導(dǎo)量。在一實(shí)施方式 中，流過泵通道68及外圍流動(dòng)通道71的處理流體的相對傳導(dǎo)量為例如10 1，其中，使通 過泵通道68的傳導(dǎo)量比通過外圍流動(dòng)通道71的處理流體的傳導(dǎo)量至少大十(10)倍。包 含其它比例(例如5 1,8 1,15 1或是其它能使用于腔室及應(yīng)用的較高或較低比例) 的傳導(dǎo)量的大幅差異可用于輔助跨越基板79的表面78的軸對稱流動(dòng)，如流動(dòng)A及流動(dòng)B 所示，朝向泵通道68移動(dòng)通過處理區(qū)域77且之后通過基板79及支撐基座48。參照圖2、3及4，為了要輔助流動(dòng)A及B的產(chǎn)生，噴淋頭90包含擋板80，擋板80 被形成為相對于中心軸82為徑向?qū)ΨQ，但非為必要。擋板80具有延伸通過其中的多個(gè)通 口 91、93、95及97。耦合于擋板80的為歧管部92，歧管部92具有延伸通過歧管部92的多 個(gè)注入口 94。歧管部92—般設(shè)置為相對于軸82成徑向?qū)ΨQ。歧管部92與表面80間隔 開，以于其間形成空間(plenum chamber) 106。歧管部92可使用半導(dǎo)體處理技術(shù)中任何已 知的手段(包含緊固件或是焊接等)耦合于擋板80。擋板80及噴淋頭90可由任何適合應(yīng) 用的已知的材料(包含不銹鋼、鋁、電鍍鋁、鎳、及陶瓷等)形成。參照圖3、4及5，自歧管部92伸出的是流體分離機(jī)構(gòu)，其包含自歧管部92延伸的 朝向擋板80的本體112。本體112自該表面延伸的距離取決于特定的設(shè)計(jì)參數(shù)，且可能會(huì) 延伸到覆蓋一部分或是整個(gè)距離，以在空間106中產(chǎn)生扇形，如以下更完整的解釋。在一實(shí) 施方式中，本體112可在歧管部92與擋板80之間以兩個(gè)正交的方向延伸，以產(chǎn)生四個(gè)區(qū) 域，亦即扇形區(qū)或者扇形114、115、116及117。盡管顯示了四個(gè)扇形區(qū)，但可根據(jù)期望或是 在基板79上可形成的區(qū)域數(shù)目，藉由加入額外的本體112設(shè)置任意數(shù)目的扇形。本體112 的頂點(diǎn)118通常對準(zhǔn)軸82。示于圖1之通路30、31、32及33用以引導(dǎo)流體通過通口 91、93、 95及97中的對應(yīng)的一個(gè)。在此方式中，通口 91、93、95及97配置成用以產(chǎn)生對應(yīng)于扇形區(qū) 114-117其中之一的處理流體之流動(dòng)。本體112提供充足的分離，以最小化(如果不能避 免)在相鄰的扇形區(qū)114-117之間擴(kuò)散的流體從通口 91、93、95及97流出。在此方式中， 四個(gè)通口 91、93、95及97之中的每一個(gè)均各自引導(dǎo)一處理流體流動(dòng)至扇形區(qū)114-117的其 中之一上，而與剩下的其它通口 91、93、95及97引導(dǎo)處理流體的流動(dòng)進(jìn)入扇形區(qū)114-117 不同。圖6顯示了將前驅(qū)物或反應(yīng)性試劑一次性分配及流動(dòng)到一個(gè)扇形的一種可能的 閥控(valving)及系統(tǒng)配置，其通常為連續(xù)的方式。以下所述之其它配置也可用于將蒸氣 以連續(xù)、半平行或是平行的方式分配及流動(dòng)通過噴淋頭扇形而到達(dá)基板79的對應(yīng)區(qū)域。參 照圖1及6，流體供應(yīng)系統(tǒng)69包含兩個(gè)前驅(qū)物/試劑子系統(tǒng)119及131、及其它各種閥、管 及特征部。試劑子系統(tǒng)119包含多個(gè)載子或是清潔流體或是前驅(qū)物的供給120-127，其包含 氮?dú)?N2)、氬氣(Ar)、水(H2O)、氨(NH3)、氧氣(O2)、氫氣、氦氣、臭氧、硅烷及其它任何用于 ALD及CVD處理的前驅(qū)物及/或載子或清潔流體(例如氣體及蒸氣等)，一般由供給127之X代表額外的試劑。前驅(qū)物分配系統(tǒng)128輔助供給120-127與兩個(gè)流體管線129及130其中之一之間的選擇性分配。前驅(qū)物分配系統(tǒng)128選擇性地輔助供給120-121其中之一或二 者與(清潔)流體管線129成流體連通，并選擇性地輔助供給122-127與(前驅(qū)物)流體 管線130成流體連通。清潔流體管線129可運(yùn)送清潔氣體，而前驅(qū)物流體管線130可運(yùn)送 前驅(qū)物及/或試劑、及/或其分別的載子氣體。試劑子系統(tǒng)131可將來自供給132及133 的前驅(qū)物/試劑的分配選擇性地放置成分別與試劑流體管線134及135成流體連通。供給 132及133可為例如起泡器、安瓿或是儲(chǔ)存有機(jī)金屬或鹵化物前驅(qū)物的固態(tài)來源容器?？墒?用適當(dāng)?shù)亩栊暂d子氣體(例如圖中所示之Ar 121)來輸送儲(chǔ)存于供給132及133中的前驅(qū) 物/試劑。以下所示實(shí)施方式中的前驅(qū)物范例包含但不限于供給132用的四次-乙基甲基 氨基鉿(TEMAHf)及供給133用的三甲基鋁(TMA)。鉿前驅(qū)物的替換性來源包含但不限于四 次二乙基氨基鉿(TDEAHf)、四次二甲基氨基鉿(TDMAHf)、三級丁氧化鉿、氯化鉿。前驅(qū)物的 選擇并不僅限于實(shí)施方式中所使用的范例，亦即，供給132及133分別使用的鉿基底及鋁基 底的前驅(qū)物。圖6所示的流體供給系統(tǒng)亦包含第一組注入閥140-143及第二組注入閥144-147， 注入閥140-143選擇性地放置成通過試劑閥方塊148a及148b與試劑流體管線134及135 成流體連通。注入閥144-147選擇性地放置成通過前驅(qū)物閥方塊149與(前驅(qū)物)流體管 線130成流體連通，并通過清潔閥方塊150與(清潔)流體管線129成流體連通。注入閥 140-147及閥方塊148a、148b、149及150包含適合沉積配方的任意閥，包含高速(例如氣 壓式或是壓電式)閥。閥方塊148a的高速閥151選擇性地放置注入閥140-143，使其與試 劑流體管線134成流體連通，且閥方塊148b的高速閥158選擇性地放置注入閥140-143， 使其與試劑流體管線135成流體連通。高速閥152選擇性地放置試劑流體管線134，使其 與前級管線153成流體連通，以排出來自前級管線153的試劑流體，且為了相同目的，高速 閥159選擇性地放置試劑流體管線135，使其與前級管線153成流體連通。閥方塊149的高 速閥154選擇性地放置注入閥144-147，使其與前驅(qū)物流體管線130成流體連通，且高速閥 155選擇性地放置前驅(qū)物流體管線130，使其與前級管線153成流體連通，以排出來自前級 管線153的試劑流體。清潔閥方塊150亦包含一對高速閥156及157，高速閥157選擇性地 放置注入閥140-143，使其與(清潔)流體管線129成流體連通，且高速閥156選擇性地放 置注入閥144-147，使其與(清潔)流體管線129成流體連通。依據(jù)應(yīng)用及系統(tǒng)規(guī)格，前驅(qū)物/試劑子系統(tǒng)119及131的成份有可能會(huì)不同。在 此實(shí)施方式中，子系統(tǒng)119包含多個(gè)手動(dòng)隔離閥160，各耦合于供給120-127其中之一以及 多個(gè)二口閥161其中之一兩者之間。多個(gè)大流量控制器162耦合于多個(gè)二口閥161的子組 合以及多個(gè)三口單一出口管線閥163的子組合之間。選用的針閥164選擇性地通過閥163 其中之一、閥161其中之一及隔離閥160其中之一而與包含N2的供給120成流體連通，藉此 形成排出路徑。針閥164選擇性地設(shè)置排出路徑，使其與腔室排出部165成流體連通。He 供給126可與基板的背側(cè)成流體連通，以輔助溫度受控的(例如被加熱的)基座對于晶圓 的熱耦合，以輔助一致的基板溫度控制。參照圖1、5、6及7，基板處理系統(tǒng)10容許在基板79的不同區(qū)域上，空間性及時(shí)間 性地調(diào)變處理流體的呈現(xiàn)及組成成分，以實(shí)現(xiàn)組合式的處理實(shí)驗(yàn)。流體供應(yīng)系統(tǒng)69的閥在 控制器70的控制之下操作，以使處理流體傳送并供給到噴淋頭90的扇形區(qū)114-117，以輸送到處理腔室16及位于其中的基板79。假設(shè)邏輯曲線184、185、186、187、188、189、190、 191、192、193、194、195、196、197、198 及 199 依次對應(yīng)于閥 159、158、157、156、155、154、152、 151、147、146、145、144、143、142、141及140的操作狀態(tài)。對于各邏輯曲線184-199而言， 邏輯狀態(tài)「0」表示對應(yīng)的閥是關(guān)閉的，以阻擋輸入及輸出之間的流體流動(dòng)，且邏輯狀態(tài)「1」 表示對應(yīng)的閥被啟動(dòng)，容許流體在其輸入及輸出之間傳輸。邏輯曲線200、201、202、203及 204依次對應(yīng)于試劑127 (例如臭氧)、試劑122 (例如水蒸氣)、清潔流體121 (例如氬氣)、 前驅(qū)物133 (例如含Al的前驅(qū)物)、及前驅(qū)物132 (例如含Hf的前驅(qū)物)的載子流動(dòng)。如圖 所示，由流體供應(yīng)系統(tǒng)69在處理期間中保持前驅(qū)物133、前驅(qū)物132及可同時(shí)作用為載子氣 體及清潔氣體的氬氣121的流動(dòng)。藉由適當(dāng)?shù)匮騿?dòng)及關(guān)閉注入閥及高速閥，可以在處 理腔室16內(nèi)的期望基板上，在期望時(shí)間及期望扇形區(qū)達(dá)成化學(xué)品的選擇。
參照圖7，在時(shí)間期間205中，清潔流體121及前驅(qū)物132出現(xiàn)于處理腔室16中，然 而，前驅(qū)物132僅與其載子氣體通過區(qū)域514，清潔氣體在區(qū)域515-517中為可用，如以下更 完整說明的。此結(jié)果由排序高速閥而達(dá)成；關(guān)閉閥154且開啟閥155可引導(dǎo)流體自管線130 流至前級管線153，而關(guān)閉閥158且開啟閥159可引導(dǎo)前驅(qū)物133通過管線135流至前級管 線153，藉此繞過處理腔室16。關(guān)閉閥157且開啟閥156可引導(dǎo)清潔氣體流至閥144-147， 在閥144為關(guān)閉且閥145-147為開啟的時(shí)候，在區(qū)域515-517之間平均分配750sccm的清潔 氣體。如此則使250標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/每分鐘(sccm)的清潔氣體分別流過各區(qū)域515-517， 當(dāng)閥方塊140-143中僅有閥140為開啟而閥151為開啟且閥152為關(guān)閉時(shí)，會(huì)使運(yùn)送前 驅(qū)物132的250sCCm的載子氣體流過區(qū)域514。應(yīng)注意，在時(shí)間期間205通過腔室的總流 量為lOOOsccm，每個(gè)區(qū)域515-517各流入250sccm的清潔氣體，且流入包含前驅(qū)物132的 250sccm的載子氣體到區(qū)域514。應(yīng)重視，在大多數(shù)情況中，因?yàn)榇蟛糠智膀?qū)物材料的低蒸 氣壓，載子氣體所運(yùn)送的前驅(qū)物的蒸氣量皆少于或是等于大約lsccm。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng) 理解，總流量并不僅限于此實(shí)施方式中所使用的lOOOsccm，可為足以達(dá)成取決于腔室?guī)缀?尺寸及泵容積的位置隔離處理的任意總流量(例如50到5000sCCm)。在時(shí)間期間206中， 清潔流體121在整個(gè)處理腔室16中皆為可用，而前驅(qū)物133及132轉(zhuǎn)向到泵系統(tǒng)中，藉此 可在此時(shí)間期間中避開處理腔室16。在此期間中，自處理區(qū)域77去除多余的前驅(qū)物132。 用于此處理中的前驅(qū)物、試劑及清潔氣體持續(xù)從供應(yīng)來源流出，且藉由操作閥邏輯，可以使 其流過腔室16或是轉(zhuǎn)向到泵前級管線153(亦即圖1之粗抽泵66)。對于不是關(guān)閉狀態(tài)的 每個(gè)給定的設(shè)定點(diǎn)而言，此方法避免有可能發(fā)生在大流量控制器或是液體流動(dòng)控制器的流 動(dòng)穩(wěn)定期間的處理無效。在此階段中，區(qū)域514暴露于前驅(qū)物中，因此對應(yīng)于區(qū)域514的基 板79的表面78的區(qū)域具有吸附于該表面的一層前驅(qū)物132。操作圖6中的閥，以保持恒定流動(dòng)而非關(guān)閉流體流動(dòng)，以避免開啟閥以供給流體 至噴淋頭組件及處理腔室時(shí)突發(fā)并保持期望的流動(dòng)速度。此外，運(yùn)作此系統(tǒng)以確保區(qū)域各 處的實(shí)質(zhì)上均等的流動(dòng)，以避免擴(kuò)散跨越邊界。舉例而言，若區(qū)域514具有250sCCm的載 子氣體流動(dòng)速度及Isccm的等效前驅(qū)物，則應(yīng)輸送至少250SCCm至各區(qū)域515-517 (總共 750sCCm)。因?yàn)楸绕鹉莻€(gè)差量，由于前驅(qū)物加入的Isccm差量的流動(dòng)差量很小且流體在處 理區(qū)域77內(nèi)會(huì)快速流動(dòng)(停留時(shí)間很短)，所以并不會(huì)影響整體系統(tǒng)。在一替換性實(shí)施方 式中，其中在扇形區(qū)供給清潔氣體的流動(dòng)比將處理(例如包含前驅(qū)物及/或是反應(yīng)性試劑) 的區(qū)域高，所以會(huì)從已清潔的區(qū)域擴(kuò)散進(jìn)入將成長(例如吸附或是沉積)薄膜的區(qū)域。因?yàn)橐亚鍧嵉膮^(qū)域包含惰性清潔氣體，此種擴(kuò)散不會(huì)有害地影響將處理的區(qū)域。在時(shí)間期間207中，在沒有任何額外的處理流體的情況中，區(qū)域514可使用試劑122 (例如H2O蒸氣)，并同時(shí)暴露區(qū)域515-517于清潔流體121中。在時(shí)間期間207中，試 劑122與對應(yīng)于區(qū)域514的基板79的表面78上的前驅(qū)物132的吸附層反應(yīng)，以形成期望 的薄膜層(例如氧化鉿)。在時(shí)間期間208中，清潔腔室并從處理區(qū)域77移除多余的試劑 122。時(shí)間期間205到208表示一個(gè)ALD循環(huán)，且可重復(fù)以達(dá)成期望的薄膜厚度(未顯示， 例如在進(jìn)行到時(shí)間期間209的操作之前，重復(fù)時(shí)間期間205到208的操作)。應(yīng)注意，在時(shí) 間期間205-208中，區(qū)域515-517暴露于清潔流體121中，因此可將基板79的對應(yīng)區(qū)域保 持在原來的狀態(tài)，亦即，在處理循環(huán)之始t = 0(即時(shí)間期間205之始)決定的基板79的原 本狀態(tài)。參照時(shí)間期間209，很明顯的，在沒有出現(xiàn)其它額外的處理流體的情況中，區(qū)域515 暴露于前驅(qū)物133中，而區(qū)域514、516-517暴露于清潔流體121中?？山逵烧_設(shè)定閥狀 態(tài)的邏輯狀態(tài)達(dá)成此結(jié)果，如邏輯狀態(tài)曲線所示。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，此種處理及薄 膜成長是如何從區(qū)域514到517循序漸進(jìn)，并再回到514以備處理的后續(xù)循環(huán)。應(yīng)理解，除了顯示期望處理的位置不同之外，時(shí)間期間205-208與209-212亦顯示 基板上的位置隔離的組合式處理，藉此使第一前驅(qū)物類型不同。除了顯示期望處理的位置 不同之外，時(shí)間期間213-216亦顯示第二試劑脈沖的持續(xù)期間的變化。除了顯示期望處理 的位置不同之外，時(shí)間期間217-220還顯示第二試劑類型的變化。藉由謹(jǐn)慎考慮并適當(dāng)選 擇儲(chǔ)存于供給132、133中的前驅(qū)物，自供給122-127獨(dú)立供應(yīng)或是共同供應(yīng)的試劑及清潔 流體120-121，則可以調(diào)變自跨四個(gè)區(qū)域514-517所得的薄膜特性。此外，能以位置隔離的 方式改變薄膜厚度、薄膜順序、薄膜堆棧(例如納米薄板)、薄膜組成、共同注入(例如在一 個(gè)區(qū)域內(nèi)2個(gè)或更多個(gè)來源前驅(qū)物的注入)。除了位置隔離改變之外，全腔室性的處理變化 包含但不限于流動(dòng)速度、腔室壓力、傳導(dǎo)量(例如通過蝶形閥)、脈沖持續(xù)時(shí)間、前驅(qū)物/試 劑來源溫度、輸送管線溫度、基板溫度、噴淋頭溫度、腔室本體溫度等。還能以位置隔離的方 式進(jìn)行一些改變，例如來源及輸送管線溫度及其它。參照圖1、4、8A及8B，流體分配系統(tǒng)69容許載子、前驅(qū)物及試劑流體流入處理腔 室16，以自所選之流體中供給一流體容積流過基板79的表面78。流體容積的部分具有不 同組成成分，使基板79的表面78的不同區(qū)域可同時(shí)暴露于不同的組成成分中。通過表面 78的流體容積由通過注入口 94進(jìn)入處理腔室16的處理流體產(chǎn)生。流體分配系統(tǒng)能將表 面78的各區(qū)域514-517暴露于通過注入口 94輸送的流體容積的部分的組成成分中，而注 入口 94與所對應(yīng)(亦即，在正上方或是重迭的)的噴淋頭扇形區(qū)114-117的其中之一相關(guān) 聯(lián)?；?9的各區(qū)域514-517暴露于來自所對應(yīng)的扇形區(qū)114-117的流體容積，但各區(qū)域 514-517并不會(huì)暴露于通過其它扇形區(qū)114-117的流體容積的部位的組成成分中。在此范 例中，扇形區(qū)114對應(yīng)于區(qū)域514，扇形區(qū)115對應(yīng)于區(qū)域515，扇形區(qū)116對應(yīng)于區(qū)域516， 而扇形區(qū)117對應(yīng)于區(qū)域517。扇形區(qū)可對應(yīng)于基板的其它區(qū)域，或者可以在處理之間藉 由相對于噴淋頭旋轉(zhuǎn)基板來改變對應(yīng)的扇形區(qū)及區(qū)域(例如相差全部或是部份的區(qū)域/扇 形)。操作基板處理系統(tǒng)10以最小化由自扇形區(qū)114的注入口 94進(jìn)入剩下的扇形區(qū) 115-117的處理流體所產(chǎn)生處理容積的部分的傳輸。因此，暴露于此部分的處理容積的基 板表面78的區(qū)域515-517就被最小化。對應(yīng)于扇形區(qū)114的區(qū)域514暴露于此部分的實(shí)質(zhì)上的整個(gè)容積。相似的，自扇形(例如115-117)流入的處理流體進(jìn)入不相對應(yīng)(亦即不 重迭)的區(qū)域(例如515-517)所產(chǎn)生的處理容積傳輸可被最小化。因此，分別對應(yīng)于扇形 115、116和117的區(qū)域515、516和517暴露于此部分的實(shí)質(zhì)上的整個(gè)容積。藉由調(diào)整噴淋 頭設(shè)計(jì)、系統(tǒng)壓力、流體分配系統(tǒng)、流體分配閥控、流體分配、流體流動(dòng)、腔室設(shè)計(jì)、系統(tǒng)操作 及其它在此所討論的特征，可將來自噴淋頭扇形的流體流動(dòng)引導(dǎo)至晶圓上的對應(yīng)區(qū)域而不 在區(qū)域之間發(fā)生顯著的側(cè)向擴(kuò)散(亦即，足以影響處理的擴(kuò)散量或是比較不穩(wěn)定區(qū)域間的 處理的擴(kuò)散量)。舉例而言，確保流出注入口 94的處理流體不會(huì)傳送到表面78的沒有對應(yīng)到正確的扇形區(qū)114-117的區(qū)域514-517的方法之一，是藉由控制處理流體通過處理腔室16的傳 送。明確而言，在處理腔室16之內(nèi)建立條件，以產(chǎn)生沿著方向300而朝向基板表面78且徑 向?qū)ΨQ跨越并環(huán)繞基板79的處理流體流動(dòng)(圖1、2、8A及8B)，從而阻擋或是防止處理流 體回流至噴淋頭90，亦即反向于方向300。其中部分是由流體供應(yīng)系統(tǒng)69及壓力控制系統(tǒng) (包含圖1所示的泵64及66，閥67及通道68，且可包含其它可能構(gòu)成)的操作而達(dá)成，以 在表面78上產(chǎn)生處理流體的軸對稱流動(dòng)。最后，壓力控制系統(tǒng)在泵通道68內(nèi)產(chǎn)生流動(dòng)，造 成處理流體向外朝向基板79的周圍傳輸，如圖8A及8B的箭頭304所示。之后，處理流體 遠(yuǎn)離噴淋頭90而移動(dòng)通過基板79，并通過泵通道68離開處理腔室16。藉由控制氣體的流 動(dòng)，區(qū)域之間僅有微小擴(kuò)散或是沒有擴(kuò)散，如圖8B的區(qū)域520所示。在一實(shí)施方式中，選擇基板的外周圍，以使回應(yīng)泵64及66產(chǎn)生的泵作用而提供到 環(huán)繞基板79的周圍的傳導(dǎo)量為實(shí)質(zhì)上均等的。外圍流動(dòng)通道71的尺寸定義成通過其中的 處理流體可供應(yīng)期望的傳導(dǎo)量，此處理流體能以實(shí)質(zhì)上一致且為軸對稱的方式提供流過基 板79的表面78的處理流體流動(dòng)。將通過泵通道68的傳導(dǎo)量選擇為大于通過外圍流動(dòng)通 道71的傳導(dǎo)量。在一實(shí)施方式中，通過泵通道68與外圍流動(dòng)通道71的處理流體的相對傳 導(dǎo)量為例如10 1，其中，使泵通道68的傳導(dǎo)量比通過外圍流動(dòng)通道71的處理流體的傳導(dǎo) 量大至少十(10)倍。此種傳導(dǎo)量的大幅不均等(包含其它比例)可用以促進(jìn)跨基板79的 表面78的軸對稱流動(dòng)，如圖8B的向量流動(dòng)及圖2的流動(dòng)A及B所示，流動(dòng)A及B移動(dòng)通過 處理區(qū)域77，之后通過基板79及支撐基座48并向泵通道68移動(dòng)。此外，與處理腔室16產(chǎn)生的處理流體排出一起協(xié)同作用之中，盡管在一實(shí)施方式 中，可將每扇形區(qū)的處理流體組成改變成一時(shí)間函數(shù)，流體供應(yīng)系統(tǒng)69仍然控制處理流體 的分配，以使在四個(gè)扇形區(qū)中通過噴淋頭組件的總流量是對稱的。這可用于輔助軸對稱流 動(dòng)。且在該操作期間中，可利用蝶形閥67將腔室壓力控制為固定壓力(例如ImTon 到 IOTorr)。此外，可以藉由已知技術(shù)控制其它全腔室性的參數(shù)。參照圖1、9及10，圖1中的泵通道68可置于腔室16的其它區(qū)域，并仍可提供避免 及/或是減少區(qū)域之間的交互擴(kuò)散必須的相同軸對稱流動(dòng)，如別處所述。舉例而言，參照圖 9，可配置排出通道166，以使泵通道160部分或是全部環(huán)繞噴淋頭90。盡管并非必要，在本 實(shí)施方式中，排出通道166的一部分及泵通道160形成于蓋20中，且與泵系統(tǒng)64成流體連 通。泵通道160用以使處理流體向外朝向基板79的周圍流動(dòng)，如圖8A及8B的箭頭304所 示。通道266提供處理氣體排出的另一選擇性路徑，以輔助本發(fā)明的一實(shí)施方式中的軸對 稱流動(dòng)。排出路徑藉由閥67的位置而控制。參照圖10，為了要以軸對稱的方式產(chǎn)生處理流體傳輸，以避免跨基板79的區(qū)域容積之間的交互擴(kuò)散，開口 51可藉由通道168自基板基座48之下以對稱方式排出氣體的功效而輔助腔室16的排空，如圖8A的箭頭304及圖8B中的向量所示。除了促進(jìn)組合式處理之外，本系統(tǒng)亦可進(jìn)行全晶圓或是常規(guī)的基板處理而不需真 空中斷。藉由流動(dòng)相同的流體通過各通路30-33，圖3、4及5所示的歧管本體80的各扇形 區(qū)114-117可跨基板79供給相同流體流動(dòng)予其所對應(yīng)的區(qū)域，如此則使處理流體一致流過 基板79的表面。如此不但能將系統(tǒng)10用作為常規(guī)的處理系統(tǒng)，亦可用作為組合式處理系 統(tǒng)。因此，除了正確地開啟/關(guān)閉所選擇的閥以分配期望的處理流體進(jìn)入腔室16之外，相 同的腔室可用于進(jìn)行常規(guī)的處理及組合式處理而不用改變，如圖1所示。如此則能以組合 式及常規(guī)處理的任意順序改變來處理基板79，而不用在工具之間、或是一個(gè)工具內(nèi)的腔室 之間移動(dòng)基板79。因此，可以僅由改變控制氣體的閥的開關(guān)邏輯，就實(shí)施此二種類型的處理 而不用移除部件。參照圖1、4及11A，流體供應(yīng)系統(tǒng)69的另一實(shí)施方式包含前驅(qū)物/試劑子系統(tǒng) 119及131、閥方塊148a、148b及149。另一組額外的閥150、156、157及170與通路30-33 成流體連通，以輔助同時(shí)將處理氣體輸送到多于一個(gè)的扇形區(qū)114-117。最后，運(yùn)作閥方塊 148a的閥151，以選擇性地放置與閥144、145、146及147成流體連通的流體管線134，從而 輔助同時(shí)從流體管線134及135引入處理流體進(jìn)入處理腔室16。閥168選擇性地輔助放 置與閥144-147成流體連通的流體管線130中的處理流體，且閥169選擇性地輔助放置與 閥140-143成流體連通的流體管線130中的處理流體。閥171選擇性地輔助放置與閥150、 156、157及170成流體連通的流體管線130中的處理流體。此種閥的構(gòu)成可以使靠近表面 78的處理容積的組成成分具有較大彈性。如圖IlB所示，使用圖IlA的流體供應(yīng)系統(tǒng)，可以將圖8A及8B所示基板79的兩 個(gè)區(qū)域同時(shí)(亦即平行)暴露于前驅(qū)物中(區(qū)域?qū)^(qū)域的前驅(qū)物可以是相同的或不同的)。 在圖IlB中，以類似于第一 ALD循環(huán)(亦即步驟205、206、207、208)的方式平行處理區(qū)域 514及516，但是在第二 ALD循環(huán)中(亦即步驟209、210、211、212)，是以不同方式(亦即在 步驟209中使用不同試劑)平行處理區(qū)域514及516。在圖IlB中，各前驅(qū)物/試劑步驟之 后是整個(gè)區(qū)域的腔室清潔，如所示，但并非必要。舉例而言，在另一實(shí)施方式中(未顯示)， 在暴露圖8A的區(qū)域514及516于前驅(qū)物之后，可在同時(shí)暴露區(qū)域515及517于前驅(qū)物時(shí)清 潔區(qū)域514及516。可以利用圖IlA的流體供應(yīng)系統(tǒng)來產(chǎn)生其它處理變異。此外，其它閥控 系統(tǒng)亦可容許區(qū)域的全部或是任意子組合以平行方式接收前驅(qū)物或是試劑。參照圖12，在另一實(shí)施方式中，除了本體612自相對于擋板(未顯示)的歧管698 延伸并與其相隔遠(yuǎn)離之外，噴淋頭組件636實(shí)質(zhì)上與圖3、4、5的噴淋頭組件90相同。本體 612與本體112的功用相同，且以類似的方式制造。選擇本體612以使其在處理期間實(shí)際接 觸或是不實(shí)際接觸基板表面78。應(yīng)理解，噴淋頭的另一實(shí)施方式不需要區(qū)域之間的實(shí)質(zhì)阻 障。取而代之的是，如圖13所示，出現(xiàn)多個(gè)孔712，以發(fā)射惰性氣體簾幕，以減少(若是不能 避免)引入一個(gè)扇形(例如扇形區(qū)114-117)的處理流體輸送到另一或是相鄰的扇形，且因 而影響基板79的對應(yīng)區(qū)域的處理。圖13-1、13-2、13_3及13-4為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示圖13的噴淋頭的 例示性實(shí)施方式。圖13-1顯示圖13的噴淋頭的一個(gè)實(shí)施方式的底部立體圖。在此實(shí)施方 式中，清潔通道712-1及712-2延伸通過噴淋頭的面板的各個(gè)直徑，藉此可將面板分成扇形區(qū)。本體612-1到612-4自面板的表面向外延伸，并在扇形區(qū)與清潔通道之間劃定界線，亦 在區(qū)域之間設(shè)置實(shí)際阻障。在一實(shí)施方式中，設(shè)置孔711以用于固定面板于腔室的頂部。在 圖13-1的例示性實(shí)施方式中，清潔通道712-1及712-2的寬度為大約一英吋。此寬度為例 示性而非為限制性，可使用大于或是小于一英吋的寬度，且可取決于應(yīng)用來決定寬度。應(yīng)注 意，可調(diào)整清潔通道寬度，以使利用此處所述的噴淋頭接受沉積的基板的中心部位的測試 構(gòu)造僅暴露于清潔氣體中。亦即，在此實(shí)施方式中，在測試構(gòu)造上不會(huì)有沉積發(fā)生，以便可 為了特征化及篩選此處所述的組合式處理而使用測試構(gòu)造。更進(jìn)一步，圖13-1及13-2所 示的面板為四分之一圓，但此并非限制性，其它構(gòu)造亦為可能。舉例而言，面板可取決于期 望應(yīng)用而分成一半、三分之一、五分之一、六分之一等。
圖13-2顯示圖13的噴淋頭的一個(gè)實(shí)施方式的頂部立體圖。在一實(shí)施方式中，扇形 區(qū)的注入口 94-1之間的間隙與清潔通道的注入口 94-2之間的間隙可以不同。亦即，注入 口 94-2的間隙可以小于、大于或是等于注入口 94-1的對應(yīng)間隙。相同的，注入口 94-1的直 徑與注入口 94-2的直徑可以相同或是不同，亦即，可依期望而比對方較大或是較小。在此 實(shí)施方式中，圖13-2的扇形區(qū)及清潔通道中的每一個(gè)自密封表面713稍微凹陷。在圖13-3 中，面板的頂部藉由適當(dāng)鎖固物(例如延伸通過孔711的螺絲)固定于腔室頂部715。腔室 頂部715提供連接及歧管，以輸送將經(jīng)由噴淋頭分配予處理腔室的處理/清潔氣體。在圖 13-4中，顯示了腔室頂部的頂部立體圖。腔室頂部715設(shè)置有清潔氣體入口 717，其提供一 入口，以使清潔氣體可輸送至清潔通道的注入口。處理氣體入口 719-1到719-4設(shè)有輸送 口，以提供處理氣體輸送進(jìn)入對應(yīng)扇形區(qū)的注入口。替換性構(gòu)造可設(shè)置多于或是少于四個(gè) 區(qū)段(亦即扇形區(qū)構(gòu)造)，則必須分別設(shè)置較多或較少的處理氣體入口。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng) 理解，替換性實(shí)施方式可設(shè)置更多個(gè)清潔氣體入口。清潔氣體入口及處理氣體入口的數(shù)目 僅為例示性，只要能夠一致分配處理及清潔氣體而保持相鄰區(qū)域的期望分離，即可使用任 意數(shù)目的入口。此外，可去除某些區(qū)段(例如扇形區(qū))。亦即，某些區(qū)段可不包含注入口及 對應(yīng)的氣體入口。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，圖13-1到13-4中的實(shí)施方式可具有多種可能 構(gòu)造，且該構(gòu)造落在于此所述的實(shí)施方式的范圍內(nèi)。另一替換性實(shí)施例示于圖14中，噴淋頭的各注入口具有同心設(shè)置的通路724及 726，以使處理流體一直保持分離，直到到達(dá)處理腔室為止。此通路可為相鄰而非為同心，或 是能夠在氣體進(jìn)入處理腔室之前保持氣體分離的其它相隔或是實(shí)際配置。圖1、9或10所示的任一個(gè)腔室或是系統(tǒng)，或是根據(jù)本發(fā)明或是實(shí)現(xiàn)此處的本發(fā)明 而構(gòu)成的另一腔室可包含馬達(dá)310，該馬達(dá)310被耦合成導(dǎo)致支撐軸49及支承基座48繞中 心軸旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)式真空密封(例如含鐵液體(ferrofluidic)密封)可用于在旋轉(zhuǎn)期間維 持真空。應(yīng)理解，腔室中的噴淋頭亦可旋轉(zhuǎn)，以產(chǎn)生與下述的基座旋轉(zhuǎn)相同的效果。旋轉(zhuǎn)的 支承基座48可在基板上產(chǎn)生更多區(qū)域，而不用須在噴淋頭上加入更多扇形(例如，透過實(shí) 際阻障、惰性氣體簾幕或是其它機(jī)構(gòu))。此外，旋轉(zhuǎn)能夠促進(jìn)在基板上輕易產(chǎn)生多層沉積。 明確而言，基板上的區(qū)域的空間定向可相對于處理流體的容積的不同部分而改變，如圖15A 所示，且在以下將會(huì)更詳細(xì)解釋。旋轉(zhuǎn)能夠促進(jìn)多次改變處理流體容積與表面78之間的相 對角度位置，從而界定表示噴淋頭設(shè)計(jì)形成的角扇形的一部分的角旋轉(zhuǎn)順序。舉例而言，如圖16所示，基板79的第一、第二、第三及第四區(qū)域暴露于處理流體容 積中。第一區(qū)域以邊緣800及801為邊界；第二區(qū)域以邊緣801及802為邊界；第三區(qū)域以邊緣802及803為邊界；而第四區(qū)域以邊緣800及803為邊界。假設(shè)第一、第二、第三及第 四區(qū)域中的每一個(gè)暴露于不同的容積組成成分中。此處理在第一區(qū)域中產(chǎn)生第一材料的第 一層，在第二區(qū)域中產(chǎn)生第二材料的第一層，在第三區(qū)域中產(chǎn)生第三材料的第一層，而在第 四區(qū)域中產(chǎn)生第四材料的第一層。應(yīng)注意，一區(qū)域或是一子組合區(qū)域可包含沉積材料或是 預(yù)備在后續(xù)步驟中沉積區(qū)域(例如，只有第一區(qū)域處理會(huì)形成一層，而其它區(qū)域暴露于清 潔氣體中)所必須的氣體。在一范例中，在第二角度位置上，可以暴露第五、第六、第七及第 八區(qū)域于處理流體的另一容積的其它組成成分中。在此范例中，基板支架及基板的旋轉(zhuǎn)會(huì) 在基板上利用噴淋頭定義的4個(gè)扇形形成8個(gè)區(qū)域。第五區(qū)域以邊緣804及805為邊界； 第六區(qū)域以邊緣805及806為邊界；第七區(qū)域以邊緣806及807為邊界；而第八區(qū)域以邊緣 804及807為邊界。假設(shè)第五、第六、第七及第八區(qū)域中的每一個(gè)暴露于額外容積的不同組 成成分(包含或是不包含反應(yīng)性氣體，例如前驅(qū)物或是試劑)中。隨著時(shí)間經(jīng)過，由于原本 的扇形區(qū)在第二位置上暴露于兩個(gè)不同流體中，此處理在各8個(gè)扇形之中便產(chǎn)生不同層及 材料。
在另一實(shí)施方式中，第一對相對的扇形包含ALD沉積反應(yīng)的第一(例如TMAH)及 第二試劑(例如H2O),此ALD沉積反應(yīng)被剩下的相對扇形對中的清潔扇形(例如Ar)限制。 然后利用基板旋轉(zhuǎn)以跨整個(gè)基板沉積實(shí)質(zhì)上一致的ALD薄膜。在此實(shí)施方式中，基板旋轉(zhuǎn) 用以排序氣體，使基板的特定區(qū)域以時(shí)間函數(shù)的方式經(jīng)過氣體(例如TMAH+Ar清潔+H2CHAr 清潔)，而不是僅藉由氣體閥控及流動(dòng)來控制。固定通過各扇形的流動(dòng)，且流動(dòng)并不隨時(shí)間 而轉(zhuǎn)向。此方法對一致性及產(chǎn)量有益，且促進(jìn)在相同的組合式ALD腔室中產(chǎn)生全晶圓處理。 可利用旋轉(zhuǎn)速度的調(diào)變來控制每個(gè)ALD循環(huán)的時(shí)間。每分鐘60轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)速度相當(dāng)于1秒 的一個(gè)ALD循環(huán)時(shí)間(試劑1+清潔+試劑2+清潔)。在處理期間的60秒的基板旋轉(zhuǎn)將等 同于60個(gè)ALD循環(huán)。圖15A為根據(jù)本發(fā)明的利用圖16所述的旋轉(zhuǎn)的實(shí)施方式，顯示基板2179的簡化 的橫剖面圖，基板2179具有為了篩選目的而以組合式處理順序形成于其上的材料?；?2179具有設(shè)置于其上的導(dǎo)電層2180，導(dǎo)電層2180作用為電極。層2180可利用任何已知的 沉積處理來沉積，包含物理氣相沉積(PVD)。沉積于層2180之上的是組合層2182，組合層 2182包含四個(gè)區(qū)域2183、2184、2185及2186，其各具有不同的組成成分(各區(qū)域能根據(jù)上 述的本發(fā)明而以連續(xù)方式、半平行方式或是全平行方式產(chǎn)生)。作為一例，區(qū)域2183由Al2O3 形成，區(qū)域2184由TiO2形成，區(qū)域2185由HfO2形成，而區(qū)域2186由&02形成。在組合層2182之上形成額外的組合層2187，其具有區(qū)域2183、2184、2185及 2186。然而，組合層2187中的區(qū)域2183、2184、2185及2186中的每一個(gè)相對于組合層2182 中的區(qū)域2183、2184、2185及2186移位。亦即，組合層2182的區(qū)域2183重迭于導(dǎo)電層2180 的表面的扇形3001-3004 ；而組合層2187的區(qū)域2183重迭于導(dǎo)電層2180的表面的扇形 3002-3005。此移位是由于在形成組合層2182之后并在形成組合層2187之前，基板2179 相對于噴淋頭90旋轉(zhuǎn)所造成的?；?179的旋轉(zhuǎn)可在各組合層的形成之間進(jìn)行，如組合 層2188及2189的區(qū)域2183、2184、2185及2186的相對位置所示。在組合層2189之上形 成導(dǎo)通特征部2190，其可藉由例如位置隔離的PVD沉積，且可由常規(guī)的(包覆)方式或是組 合方式處理。如此，盡管噴淋頭僅具有4個(gè)扇形，仍可設(shè)置具有多重區(qū)域(例如16個(gè))且 具有不同材料的薄膜堆棧。每個(gè)扇形使用位置隔離的組合式PVD處理的導(dǎo)通特征部2190的變異(例如處理參數(shù)、材料、厚度等)會(huì)在最后的薄膜堆棧中產(chǎn)生額外的變異。參照圖15B，可結(jié)合不同類型的組合式處理。這些不同的類型包含例如基于PVD屏蔽的技術(shù)及于此所述的基于扇形隔離的系統(tǒng)的位置隔離區(qū)域的處理。舉例而言，可利用此 處所述的系統(tǒng)在已包含利用PVD或其它技術(shù)(例如包含無電沉積、電化學(xué)沉積、清理、單層 形成等的濕處理)形成的區(qū)域4003的基板上，產(chǎn)生組合區(qū)域4000、4001、4002。藉由結(jié)合此 組合式技術(shù)，可以施行額外的試驗(yàn)，并可減少所使用的基板數(shù)目及增加收集的信息量。應(yīng)理解，圖15A及15B顯示在此處所述的組合式處理之下，單一基板所提供的大量 數(shù)據(jù)。如上述，具有不同組成成分的流體容積的分離的部分流過基板的表面。這些分離的 部分同時(shí)暴露所對應(yīng)的基板的分離扇形于該組成成分的一個(gè)混合物中，此組成成分異于相 鄰的分離扇形所暴露的組成成分。層沉積于基板的分離的扇形之上，其中，該層異于沉積于 相鄰的分離扇形上的層。基板可部分旋轉(zhuǎn)，亦即，旋轉(zhuǎn)360度中的某些部分，且可建構(gòu)如圖 15A所示的具有不同堆棧層的堆棧構(gòu)造。此外，設(shè)置于堆棧之上的特征部可具有不同的幾何 形狀，例如，分離的扇形為派狀(圓形的一部分)，而特征部2190為環(huán)狀。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，圖17顯示了整合的高產(chǎn)率組合式(HPC)系統(tǒng)的簡化 概略圖。HPC系統(tǒng)包含支撐多個(gè)處理模塊的框架900。應(yīng)理解，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，框架900 可為單一框架，或是包含多重腔室，以便維持真空及/或是加入更多處理模塊。在一個(gè)實(shí)施 方式中，框架900內(nèi)的環(huán)境為受控的。加載鎖/制造接口 902可存取HPC系統(tǒng)的多個(gè)模塊。 機(jī)構(gòu)裝置914用以在模塊之間移動(dòng)基板(及屏蔽)，并用以移動(dòng)進(jìn)出加載鎖902。任何已知 的模塊皆可連接于HPC系統(tǒng)，包含常規(guī)處理模塊及支持正在操作的實(shí)驗(yàn)所必須的組合式處 理模塊，或是意欲使用組合式技術(shù)來測試的一種構(gòu)造。舉例而言，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，模塊904可為定向/排氣模塊。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè) 實(shí)施方式，模塊906為電漿式或非電漿式之清理模塊。模塊908為此處所述的基板處理系 統(tǒng)?？蛇x擇地，模塊908包含用于HPC系統(tǒng)的其它模塊中的多個(gè)屏蔽(亦稱為處理屏蔽)。 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，模塊910包含HPC物理氣相沉積(PVD)模塊，例如美國專利申 請案第11/672，478號及11/672，473號中所描述的。在一個(gè)實(shí)施方式中，集中控制器(亦 即計(jì)算裝置911)控制HPC系統(tǒng)的處理。利用HPC系統(tǒng)，可使用組合式處理(包含PVD、ALD、 CVD及預(yù)先后處理步驟或其它可能方法)以多種方法在基板上沉積材料。比起在不同工具 或是位置之間來回運(yùn)行基板，組合式處理在單一群集工具中能提供較佳的污染控制、較佳 的環(huán)境控制、更精確的試驗(yàn)、組合式處理順序整合之測試、及較佳的產(chǎn)量。舉例而言，示于圖 15A的處理可在一群集工具中施行而完成全晶圓PVD、組合式ALD、及組合式PVD。參照圖 15B所述的處理可在用于制造基板上構(gòu)造的具有組合式PVD及ALD的系統(tǒng)或任何其它組合 中實(shí)現(xiàn)。如圖18-20所示，本發(fā)明的另一實(shí)施方式可使用接近基板79的蒸氣控制裝置 1000，蒸氣控制裝置1000具有相對于蒸氣抽取設(shè)備1004的蒸氣注入設(shè)備1002。蒸氣控制 裝置1000包含多個(gè)分開的本體1112，本體1112可為上述本體112或是可利用其它分離技 術(shù)(例如間隔或是氣體流動(dòng)控制)而實(shí)現(xiàn)。在操作期間中，蒸氣注入設(shè)備1002自出口 1005、 1006、1007及1008射出蒸氣。由蒸氣抽取設(shè)備1004產(chǎn)生的真空來輔助跨越基板79的蒸氣 射出及移動(dòng)。這些流動(dòng)1114、1115、1116及1117移動(dòng)跨越基板79的區(qū)域1118、1119、1120、 1121。維持條件以便在區(qū)域1118、1119、1120、1121，或是上述之一區(qū)域或是區(qū)域子組合中產(chǎn)生材料層(或是預(yù)先/后處理)。圖19所示的間隙保持于適合的距離，以促進(jìn)蒸氣的層流 而輔助蒸氣分離，及避免基板區(qū)域之間的交互擴(kuò)散。 參照圖21、22及23，此處所述的實(shí)施方式可用于以下所述的特定用途。例如，實(shí)施 方式之一為閘堆棧構(gòu)造的處理順序。使用高介電常數(shù)(稱為高K)材料已成為制造半導(dǎo)體 裝置的可行的替換方法，尤其是用于間極氧化物，已有高度的興趣將該材料結(jié)合于制造半 導(dǎo)體裝置的處理順序中。然而，為了要解決所觀察到的移動(dòng)率減少及/或是臨限電壓移位， 可在金屬閘電極與閘極氧化物之間設(shè)置介面罩層，以削減此減少。參照圖23，硅基板900具有高K閘極氧化物902、介面罩904及設(shè)置于其上的閘極 906。在圖21中，結(jié)合上述篩選技術(shù)的一種方法是固定將被設(shè)置于基板上的高K材料。在一 實(shí)施方式中，高K材料為硅酸鉿或是氧化鉿。固定高K組件代表以常規(guī)的全晶圓方式(例 如藉由全晶圓非組合式原子層沉積)實(shí)施此操作。然后組合式地改變用以形成金屬閘極的 處理順序。初始可使用各種金屬，例如氮化硅鉭、氮化鉭、釕、氮化鈦、錸、鉬等。在一實(shí)施方 式中，圖17中的HPC系統(tǒng)可用于實(shí)現(xiàn)此種位置隔離的處理。此處所述的基于蒸氣的組合式 系統(tǒng)可用于例如包含金屬閘極層的處理，以調(diào)整閘電極材料的有效工作函數(shù)。經(jīng)由快速熱 處理(RTP)步驟來處理所產(chǎn)生的基板，然后測試半導(dǎo)體基板之上的絕緣體上的金屬的最終 結(jié)構(gòu)。此種測試包含熱穩(wěn)定度、結(jié)晶、分層、電容-電壓、平帶電壓、有效工作函數(shù)外插法等。僅只使用金屬閘極與高K閘極氧化物是不能兼容的，因?yàn)橛蓽y試結(jié)果(例如有效 工作函數(shù)偏移)證明構(gòu)造中會(huì)發(fā)生缺陷。因此，評估將介面罩設(shè)于閘極與閘極氧化物之間 的不同處理順序。在一實(shí)施方式中，組合式地改變介面罩處理，但固定高K處理及金屬閘極 處理。將介面罩設(shè)置于高K材料與門極材料之間，經(jīng)由RTP退火基板，并測試最終構(gòu)造以辨 認(rèn)最佳化的材料、單元處理及處理順序?？赡艿慕槊嬲謱拥姆独趸|、氧化鋁、氧化 鎂、及氧化鈧。于此所述的組合式流體系統(tǒng)可用于例如包含介面罩層的處理。RTP處理包含 快速熱退火。圖24及25為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示用以對內(nèi)存裝置組件評估金 屬-絕緣體-金屬(MIM)構(gòu)造的篩選技術(shù)。內(nèi)存裝置組件為例如相位改變、電阻改變或其它 內(nèi)存組件，例如DRAM內(nèi)存組件。此范例的金屬為導(dǎo)電元素(例如W、Ta、Ni、Pt、Ir、Ru等) 或是導(dǎo)電化合物(例如TiN、TaN, WN, RuO2, IrO2等)，并形成MIM構(gòu)造的電極。絕緣體為金 屬氧化物，例如氧化鈦、氧化鈮、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化硅、氧化鋁、氧化鎳、 上述氧化物的納米薄板、或是任意納米復(fù)合物，且可包含任意數(shù)目的接口層，或是內(nèi)存材料 的堆棧中的其它層。在此范例中，絕緣體為二元金屬氧化物(BMO)、復(fù)合金屬氧化物(CMO)、 納米薄板、摻雜或是階化(graded)的金屬氧化物。在DRAM內(nèi)存組件范例中，期望達(dá)成表現(xiàn) 出低漏電流、低EOT、高有效介電常數(shù)、及良好熱穩(wěn)定度的最佳MIM堆棧?？衫么颂幩龅暮Y選方法發(fā)展用于此范例的最佳處理順序。圖24顯示初始基 板，接著在基板上初始一致地沉積金屬電極M (例如TiN)，亦即透過常規(guī)的制造處理(例如 物理氣相沉積或是濺鍍)。然后使用位置隔離的處理(例如使用圖17所述的HPC系統(tǒng))在 具有金屬電極沉積于其上的基板區(qū)域沉積(例如藉由組合式物理氣相沉積或是組合式原 子層沉積)絕緣體。作為絕緣體的一部分，可沉積接口層或是使用多層來形成(例如藉由 ALD)絕緣體。區(qū)域之間可改變的ALD處理項(xiàng)目包含前驅(qū)物、試劑、載子氣體、前驅(qū)物順序、前 驅(qū)物/試劑濃度、前驅(qū)物/試劑脈沖持續(xù)時(shí)間、清潔流體物種、清潔流體持續(xù)時(shí)間、分壓、總壓力、流動(dòng)速度、薄膜厚度、薄膜組成、納米薄板(例如不同ALD薄膜類型的堆棧)等。所得的基板由RTP作后處理(選用的步驟)，接著測試基板。因此，基板具有金屬底層，且氧化物 會(huì)改變，然后退火基板。測試包含層的黏著特性、電阻測試、抗?jié)駶?、相?結(jié)晶性、及組成。 基于此測試，可消除組合中的特定子組合(例如顯示出不良的黏性、抗?jié)駶?、或是太低的?膜電阻等)。然后，利用減少的子組合，評估放置另一電極于M-I結(jié)構(gòu)的頂部的效能，如圖25所 示。于此，下電極及絕緣體處理可為固定的(或是如選擇性箭頭所示般改變)，且上電極改 變。退火并測試此所得的結(jié)構(gòu)，如上述。既然已建構(gòu)MIM堆棧，此處的測試包含用以測試電 阻切換(例如無切換、單穩(wěn)態(tài)切換、雙穩(wěn)態(tài)切換等)的電流/電壓(ΙΛ)測試。如以上所解 釋，隨著篩選處理的進(jìn)行，測試也變得復(fù)雜，以定義最佳的處理順序。篩選處理決定最佳的 金屬氧化物及對應(yīng)的單元處理，然后結(jié)合最佳的結(jié)果，以決定與上電極的處理反應(yīng)，如參照 圖25所述。所申請的其它替換性實(shí)施方式包含在半導(dǎo)體處理腔室中用以分配流體的裝置。此 裝置包含具有第一及第二相對的側(cè)邊的擋板，且多個(gè)通路在第一及第二相對的側(cè)邊之間延 伸。此裝置亦包含耦合于擋板的面板，面板分割成具有注入口延伸通過其中的扇形。由流 體分離機(jī)構(gòu)從面板的軸徑向向外延伸以形成分割的扇形。流體分離機(jī)構(gòu)輔助流過注入口的 流體的扇形分離，其中，擋板及面板耦合在一起時(shí)會(huì)形成空間。在一實(shí)施方式中，扇形的數(shù) 目相當(dāng)于通路的數(shù)目，且流體分離機(jī)構(gòu)包含自面板表面延伸的本體，本體用以維持流過相 鄰扇形的流體的分離。本體可延伸遠(yuǎn)離面板的表面及擋板的表面，可選擇地，本體延伸遠(yuǎn)離 面板的表面但朝向擋板的表面。在一實(shí)施方式中，流體分離機(jī)構(gòu)為設(shè)置于相鄰扇形之間的 一組注入口。在一實(shí)施方式中，注入口包含第一及第二流體通路，且第二流體通路設(shè)置于第 一流體通路之內(nèi)。注入口可包含第一及第二流體通路，第一流體通路具有一縱軸，第二流體 通路設(shè)置于第一流體通路之內(nèi)且沿著該縱軸延伸。在另一實(shí)施方式中，設(shè)置有用以分配處理腔室的流體的噴淋頭。噴淋頭包含獨(dú)立 接收多個(gè)流體流動(dòng)的裝置，及分配所接收的多個(gè)流體流動(dòng)通過分割的扇形的裝置。用以分 配的裝置耦合于獨(dú)立接收多個(gè)流體流動(dòng)的裝置。用以分配的裝置包含用以保持分離的裝 置，其可根據(jù)分割的扇形使通過用以分配所接收的多個(gè)流體流動(dòng)的裝置中的多個(gè)流體流動(dòng) 保持分離。分割扇形的數(shù)目相當(dāng)于多個(gè)流體流動(dòng)的數(shù)目?？山逵神詈嫌靡元?dú)立接收的裝置 及用以分配的裝置而形成一空間。從以下群集中選出用以保持分離的裝置自用以分配的 裝置表面延伸，自用以分配的裝置表面延伸遠(yuǎn)離且遠(yuǎn)離用以獨(dú)立接收的裝置表面，自用以 分配的裝置表面延伸遠(yuǎn)離且朝向用以獨(dú)立接收的裝置表面，且用以保持分離的裝置包含用 以在分割的扇形之間輸送流體的裝置。在一實(shí)施方式中，用以分配的裝置包含形成于流體 通路用的第二裝置之內(nèi)的流體通路用的第一裝置，且第一及第二裝置共享一縱軸。在又另一實(shí)施方式中，提供了用以處理基板的方法。此方法包含流動(dòng)步驟流動(dòng)具 有不同組成成分的流體容積的分離部分，以同時(shí)暴露基板的對應(yīng)的分離扇形于該組成成分 的一個(gè)混合物中，此組成成分與相鄰的分離扇形所暴露的組成成分不同。此方法包含沉積 步驟在基板的分離扇形上沉積一層，此層與沉積在相鄰的分離扇形上的層不同，且部分旋 轉(zhuǎn)該基板。重復(fù)流動(dòng)步驟及沉積步驟，其中，對應(yīng)于第一層中的分離扇形的區(qū)段偏離下一層 中的對應(yīng)區(qū)段。此方法包含改變區(qū)段及對應(yīng)區(qū)段之間的制造參數(shù)，且在下一層上藉由物理氣相沉積操作來沉積特征部，且其中第一層與下一層的沉積藉由原子層沉積而實(shí)施。在一 實(shí)施方式中，分離的扇形具有第一幾何形狀，特征部具有第二幾何形狀，例如，第一幾何形 狀為圓形的一部分，且第二幾何形狀為環(huán)狀。藉由在沉積操作之間部分旋轉(zhuǎn)的方法而產(chǎn)生 具有不同區(qū)段組合的堆棧層。在一實(shí)施方式中，不同區(qū)段組合的數(shù)目超過流體容積的分離 部分的數(shù)目。
提供了一種用以處理基板的系統(tǒng)。此系統(tǒng)包含使具有不同組成成分的流體容積的 分離部分流動(dòng)的裝置，以同時(shí)暴露基板的對應(yīng)的分離扇形于該組成成分的一個(gè)混合物中， 此組成成分與相鄰的分離扇形所暴露的組成成分不同。此系統(tǒng)不但包含用以在基板上的分 離扇形上沉積一層的裝置，其中該層與沉積在相鄰的分離扇形上的一層不同；且包含用以 部分旋轉(zhuǎn)基板的裝置，以在該層上沉積次一層，其中對應(yīng)于該層中的分離扇形的其中之一 的區(qū)段會(huì)偏離下一層中的對應(yīng)區(qū)段。此系統(tǒng)包含用以改變區(qū)段及對應(yīng)區(qū)段之間的制造參數(shù) 的裝置，及用以在下一層上藉由物理氣相沉積操作沉積一特征部的裝置。分離的扇形具有 第一幾何形狀，且特征部具有第二幾何形狀。此系統(tǒng)包含用以制造具有不同區(qū)段組合的堆 棧層的裝置，不同區(qū)段組合由在沉積操作之間部分旋轉(zhuǎn)造成，且其中不同區(qū)段組合的數(shù)目 超出流體容積的分離部分的數(shù)目。提供了一種用以在基板上沉積材料的基板處理系統(tǒng)。此系統(tǒng)包含一處理腔室；一 流體分配系統(tǒng)，用以將處理流體引入處理腔室；一壓力控制系統(tǒng)，其與處理腔室成流體連 通；一可旋轉(zhuǎn)的支撐系統(tǒng)，其設(shè)置于處理腔室之內(nèi)；一處理器，其與流體分配系統(tǒng)及壓力控 制系統(tǒng)成數(shù)據(jù)連通；及一內(nèi)存，其與該處理器成數(shù)據(jù)連通。內(nèi)存儲(chǔ)存將在處理器上操作的程 序，以控制基板處理系統(tǒng)的操作，以在處理腔室之內(nèi)建立用以沉積材料的條件。程序包含第 一副例行程序，其用以控制流體分配系統(tǒng)將具有不同組成成分的流體容積的分離部分的流 動(dòng)操作，以同時(shí)暴露支撐系統(tǒng)的一表面的對應(yīng)分離扇形于該組成成分的一個(gè)混合物中，該 組成成分與相鄰的分離扇形所暴露的組成成分不同。沉積在分離扇形上的層不同于沉積在 相鄰的分離扇形上的層，且可旋轉(zhuǎn)的支撐系統(tǒng)在層堆棧之間部分旋轉(zhuǎn)，以使相鄰層堆棧由 不同的區(qū)段組合形成。流體分配系統(tǒng)包含流體分配裝置，其用以分配前驅(qū)物流體及載子流 體通過表面，且流體分配裝置包含具有多組注入口延伸穿過其中的面板。設(shè)置有流體分離 機(jī)構(gòu)，以輔助輸送通過多組注入口的相鄰組的不同部分的分離。流體分配系統(tǒng)還包含流體 分配裝置，其用以分配前驅(qū)物流體及載子流體通過表面，且流體分配裝置包含具有多組注 入口延伸穿過其中的面板；及自面板延伸的本體，其用以保持輸送通過多組注入口的相鄰 組的不同部分的分離。在一實(shí)施方式中，多組中的一組注入口沿著從面板的中央部分中心 徑向延伸至其周圍的直線配置。流體分配系統(tǒng)將處理流體導(dǎo)向至表面的第一側(cè)邊，且壓力 控制系統(tǒng)自處理腔室之內(nèi)將處理流體由相對于第一側(cè)邊的表面的側(cè)邊排出?；宓闹醒氩?位環(huán)繞一軸及流體分配系統(tǒng)而徑向?qū)ΨQ設(shè)置，以產(chǎn)生處理流體的流動(dòng)，使流體容積徑向?qū)?稱于該軸。操作流體分配系統(tǒng)及壓力控制系統(tǒng)，以產(chǎn)生單一方向(朝向表面且徑向跨越表 面)的流體移動(dòng)。程序更包含額外的副例行程序，以控制流體分配系統(tǒng)的操作，以將載子流 體及前驅(qū)物流體引入處理腔室，并自載子及前驅(qū)物流體供應(yīng)流過基板表面的額外的流體容 積。額外的流體容積的不同部分具有相同的額外的組成成分，使基板的各分離扇形暴露于 該額外組成成分的混合物中，該額外組成成分與基板的相鄰扇形所暴露的額外組成成分相 同。
在另一實(shí)施方式中，提供了一種用以沉積材料于基板上的方法。此方法包含將處理流體流過基板的相對表面，以將相對表面的其中一個(gè)的分離區(qū)域暴露于處理流體的組成 成分的一個(gè)混合物中，此組成成分與流過相對表面的其中一個(gè)的相鄰區(qū)域的處理流體的組 成成分不同。在與至少一個(gè)區(qū)域的表面相近的氣壓下建立條件，以自處理流體產(chǎn)生材料。 此方法包含順序地暴露分離區(qū)域于沉積及清潔流體中。利用具有不同組成成分的處理流 體的部分之間的流動(dòng)速度及壓力平衡來隔離相鄰區(qū)域上的處理流體的流動(dòng)。在一實(shí)施方式 中，在處理流體的流動(dòng)之間旋轉(zhuǎn)基板。流動(dòng)包含在第一及第二流動(dòng)之間引導(dǎo)壓力實(shí)質(zhì)上為 均等的載子氣體的第一流動(dòng)及包含前驅(qū)物的第二流動(dòng)朝向相對表面的其中之一，以保持靠 近相對表面其中之一的包含不同組成成分的處理流體的隔離。在一實(shí)施方式中，自相當(dāng)于 相對表面的其中之一的另外一個(gè)的側(cè)邊排出處理流體，其中從該側(cè)邊排出的傳導(dǎo)量大于自 該相對表面的其中之一的上方排出的傳導(dǎo)量，且產(chǎn)生可保持處理流體的流動(dòng)隔離的流動(dòng)速 度。在此方法中，基板的中央部分為環(huán)繞一軸而徑向?qū)ΨQ設(shè)置，且流動(dòng)更包含導(dǎo)向該流體容 積成為環(huán)繞該軸而徑向?qū)ΨQ。在另一實(shí)施方式中，提供了一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。此系統(tǒng)包含含有載子流體及前 驅(qū)物的多個(gè)成分的流體供應(yīng)。流體供應(yīng)用以儲(chǔ)存及輸送該多個(gè)成分的不同混合物。包含連 接于中央框架(多個(gè)其它腔室環(huán)繞該中央框架而定位)的腔室。此腔室包含與流體供應(yīng)成 流體連通的噴淋頭。此噴淋頭用以接收具有不同組成成分的流體流動(dòng)，并維持該成分的分 離。包含基板支架及耦合于真空機(jī)構(gòu)的真空入口。真空入口所具有的傳導(dǎo)量大于靠近基板 支架的周圍區(qū)域的傳導(dǎo)量，其中該流體供應(yīng)以實(shí)質(zhì)上相同的壓力供給不同的流動(dòng)，且真空 機(jī)構(gòu)使流體流動(dòng)速度可以保持接近基板支架的區(qū)域的流體流動(dòng)分離。在一實(shí)施方式中，其 它腔室之一是物理氣相沉積(PVD)模塊，其用以組合式地處理基板。此腔室與真空源成流 體連通，真空源用以排出流體流動(dòng)的多余流體容積，其中通往該真空源的入口與該噴淋頭 分開。在一實(shí)施方式中，通往該真空源的入口的傳導(dǎo)量大于形成在基板支架周圍的通道的 傳導(dǎo)量，經(jīng)由該通道，可將多余的流體容積流至該通往真空源的入口。在一實(shí)施方式中，噴 淋頭包含徑向向外延伸跨越噴淋頭的表面的流體分離機(jī)構(gòu)，且噴淋頭可為一組注入口。此實(shí)施方式包含用以在基板上形成材料的組合式沉積方法。此方法包含同時(shí)供應(yīng) 多個(gè)不同流體的流動(dòng)至噴淋頭的對應(yīng)部分。自多個(gè)不同流體的流動(dòng)流出的流體容積通過基 板而形成流動(dòng)圖案，其中，基板的隔離區(qū)域同時(shí)暴露于具有不同組成部分的流體容積中。在 流動(dòng)期間中，保持適合自多個(gè)流動(dòng)的其中之一沉積材料的處理?xiàng)l件。供給噴淋頭的對應(yīng)部 分相同流體的多個(gè)流動(dòng)，并在基板的多個(gè)隔離區(qū)域上，保持適合自相同流體的流動(dòng)沉積一 材料層的處理?xiàng)l件。此方法包含在維持噴淋頭不動(dòng)的同時(shí)，改變流體容積的流動(dòng)圖案與隔 離區(qū)域之間的空間關(guān)系，以改變至少一個(gè)隔離區(qū)域的暴露。此改變包含以下方法的其中之 一旋轉(zhuǎn)基板或是操作供應(yīng)多個(gè)不同流體的流動(dòng)的閥。此方法包含順序地改變空間關(guān)系，從 而產(chǎn)生沉積在基板上的材料的堆棧層。在一實(shí)施方式中，在改變之后，當(dāng)清潔隔離區(qū)域的其 中一個(gè)時(shí)，有多個(gè)隔離區(qū)域暴露于不同的組成成分中。在相當(dāng)于隔離區(qū)域的其中之一的堆 棧層的區(qū)段中，該區(qū)段包括由改變空間關(guān)系造成的不同材料層。在流動(dòng)期間內(nèi)保持適合自 多個(gè)流動(dòng)的其中之一沉積材料的處理?xiàng)l件之后，此方法包含組合式地在堆棧層的多個(gè)區(qū)段 之上沉積特征部，其中該區(qū)段空間上相當(dāng)于該隔離區(qū)域。在一實(shí)施方式中，隔離區(qū)域的數(shù)目 大于不同流體的流動(dòng)的數(shù)目。在另一實(shí)施方式中，在接近相鄰的隔離區(qū)域之間的邊界處保持有一相鄰的隔離區(qū)域之間的側(cè)向擴(kuò)散區(qū)域。各方法的操作可在一共同腔室中實(shí)施，而不 會(huì)破壞沉積材料與沉積材料層之間的真空。在另一實(shí)施方式中，提供了一種組合式沉積系統(tǒng)。此系統(tǒng)包含用以同時(shí)提供具有 不同流體的多個(gè)流動(dòng)至處理腔室的裝置；用以自具有不同流體的多個(gè)流動(dòng)中流動(dòng)流體容積 至基板上以形成流動(dòng)圖案的裝置；及用以同時(shí)暴露基板的隔離區(qū)域于具有不同組成部分的 流體容積的部分的裝置。此系統(tǒng)包含在流動(dòng)期間中維持適合自多個(gè)流動(dòng)之一中沉積材料的 處理?xiàng)l件的裝置；及用以在基板的多重隔離區(qū)域上沉積實(shí)質(zhì)上一致的層的裝置。在一實(shí)施 方式中，包含用以改變流體容積的流動(dòng)圖案與隔離區(qū)域之間的空間關(guān)系的裝置，以改變至 少一個(gè)隔離區(qū)域的暴露并保持噴淋頭不動(dòng)；用以旋轉(zhuǎn)基板的裝置；及用以改變輸送至處理 腔室的多個(gè)流動(dòng)的裝置。用以流動(dòng)的裝置可為分割的噴淋頭，其中，分割的數(shù)目等于具有不 同流體的多個(gè)流 動(dòng)的數(shù)目。提供有用以排空處理腔室的裝置，其中用以排空處理腔室的裝 置包含具有第一傳導(dǎo)量的入口，第一傳導(dǎo)量大于進(jìn)入處理腔室的處理區(qū)域中的通道的傳導(dǎo) 量。在一實(shí)施方式中，流動(dòng)圖案為軸對稱的流動(dòng)圖案。在另一實(shí)施方式中，用以流動(dòng)的裝置 提供自基板的邊緣跨越基板的直線表面流動(dòng)?？砂c處理腔室成流體連通的壓力控制裝 置及同時(shí)供應(yīng)多個(gè)流動(dòng)的裝置，壓力控制裝置用以產(chǎn)生朝向且徑向跨越基板的表面的單一 方向的流體流動(dòng)。用以同時(shí)供應(yīng)多個(gè)流動(dòng)的裝置將載子流體及前驅(qū)物流體引入處理腔室 中，并自載子及前驅(qū)物流體供給流過基板表面的具有不同組成成分的流體容積，以使基板 的不同區(qū)域暴露于該組成成分的一個(gè)混合物中，該組成成分與基板的相鄰區(qū)域所暴露的組 成成分不同。用以同時(shí)供應(yīng)多個(gè)流動(dòng)的裝置可用以產(chǎn)生載子流體的第一流動(dòng)及前驅(qū)物流體 的第二流動(dòng)，此第二流動(dòng)在用以流動(dòng)的裝置的中央部分相會(huì)，且第一流動(dòng)及第二流動(dòng)的相 對速度用以平衡流體容積的部分中的壓力。用以流動(dòng)的裝置包含保持多個(gè)流動(dòng)的流體分離 的裝置，用以保持流體分離的裝置設(shè)置于用以流動(dòng)的裝置的相鄰扇形之間，用以保持流體 分離的裝置可沿著自用以流動(dòng)的裝置的中央部分徑向延伸的線而配置，以流動(dòng)至其周圍。 在一實(shí)施方式中，用以保持流體分離的裝置包含自用以流動(dòng)的裝置延伸的本體，以保持輸 送通過用以流動(dòng)的裝置的相鄰扇形的流體的分離。在一實(shí)施方式中，基板的中央部分環(huán)繞 一軸而徑向?qū)ΨQ設(shè)置，其中，該流動(dòng)圖案環(huán)繞該軸而徑向?qū)ΨQ。在自多個(gè)流動(dòng)的其中之一沉 積材料之后，可沉積實(shí)質(zhì)上一致的層但不會(huì)破壞真空。在又另一實(shí)施方式中，提供了一種沉積系統(tǒng)。此系統(tǒng)包含流體輸送系統(tǒng)，用以同時(shí) 供給多個(gè)流體流動(dòng)至處理腔室；及與流體輸送系統(tǒng)成流體連通的噴淋頭。噴淋頭用以自多 個(gè)不同流體的流動(dòng)分配流體容積，以形成一流動(dòng)圖案，該流動(dòng)圖案同時(shí)暴露系統(tǒng)的表面于 具有不同組成部分的流體容積的分離部分，或是自多個(gè)相同的流體流動(dòng)的流體容積。此系 統(tǒng)亦包含控制器，用以在處理腔室中選擇適合于下列處理的處理?xiàng)l件自流體流量的分離 部分沉積材料至該組成成分的一個(gè)混合物中(該組成成分與相鄰區(qū)域所暴露的組成成分 不同)，或是自具有相同流體的多重流動(dòng)沉積材料?？砂哂羞M(jìn)入處理腔室的入口的真空 泵，該入口所具有的傳導(dǎo)量大于進(jìn)入該處理腔室的該處理區(qū)域的該通道的傳導(dǎo)量。在一實(shí) 施方式中，可設(shè)置可旋轉(zhuǎn)的基板支架，以藉由部分旋轉(zhuǎn)基板支架而改變流動(dòng)圖案與流動(dòng)圖 案之下的表面之間的空間關(guān)系。噴淋頭可分割成數(shù)個(gè)區(qū)段，區(qū)段的數(shù)目等于多個(gè)流動(dòng)的數(shù) 目?？臻g關(guān)系的改變可促進(jìn)在可旋轉(zhuǎn)的基板支架上的基板上沉積多個(gè)堆棧層，其中因?yàn)楦?變多個(gè)堆棧層的其中二者之間的空間關(guān)系，多個(gè)堆棧層的其中二者具有部分互相偏離的對應(yīng)的隔離區(qū)域。流體輸送系統(tǒng)包含試劑子系統(tǒng)及前驅(qū)物子系統(tǒng)，流體輸送系統(tǒng)還包含歧管系統(tǒng)，歧管系統(tǒng)可促使流體容積相對于其上流過流體容積的表面作出空間改變。概括來說，上述實(shí)施方式能促進(jìn)快速且有效的材料篩選、單元處理、及用于半導(dǎo)體 制造操作的處理順序。可藉由于此所述的原子層沉積工具，在相同的平面中組合式地在基 板的表面上或是各自的頂部或是此二者的組合中沉積各種層。在一實(shí)施方式中，組合式處 理排序去除常規(guī)處理流程中的基板，并以非常規(guī)的方式(亦即組合式地)引入基板上的構(gòu) 造或是裝置的變異。然而，形成的實(shí)際構(gòu)造或是裝置均是用于分析。亦即，此層、裝置組件、 渠溝、通孔等等效于藉由常規(guī)的處理形成的層、裝置組件、渠溝、通孔等。于此所述的實(shí)施方 式可合并于任何半導(dǎo)體制造操作或是其它相關(guān)的技術(shù)中，例如用于平面顯示器、光電裝置、 數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、電磁裝置、光電裝置、封裝裝置等的處理操作。盡管已就數(shù)個(gè)實(shí)施方式來說明本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)應(yīng)理解，可在本發(fā)明的范圍 內(nèi)作出各種更改。例如，盡管顯示了四個(gè)扇形區(qū)，但可取決于用于沉積材料的不同處理流體 的數(shù)目而設(shè)置任何數(shù)目的扇形區(qū)。此外，可能可以利用組成成分的同質(zhì)混合物來供給處理 容積，以使處理腔室作用為ALD或是CVD配方的標(biāo)準(zhǔn)處理腔室。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)局 限于前述說明。本發(fā)明的范圍應(yīng)基于此處的權(quán)利要求書來判定，且包含其等效物的全部范 圍。
權(quán)利要求
一種組合式處理基板的方法，包含下列步驟流動(dòng)步驟，將一流體容積流過所述基板的表面，所述流體容積的不同部分具有不同的組成成分，以同時(shí)將所述基板的分離區(qū)域暴露于組成成分的混合物中，該組成成分與相鄰區(qū)域所暴露的組成成分不同；及產(chǎn)生步驟，藉由多重流動(dòng)步驟產(chǎn)生經(jīng)不同處理的分離區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，產(chǎn)生步驟在與所述分離區(qū)域中的至少一個(gè)的表面 接近的氣壓下建立條件，以在進(jìn)行多個(gè)流動(dòng)步驟期間產(chǎn)生一材料。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括順序地將所述分離區(qū)域暴露于處理流體及清潔 流體中，且其中，所述處理流體包含至少一個(gè)前驅(qū)物，而所述清潔流體為一載子氣體，且其 中，所述分離區(qū)域中的一個(gè)在流動(dòng)步驟期間暴露于一個(gè)或更多前驅(qū)物中。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括利用實(shí)際阻障或流體流中的一個(gè)來分離所述不 同部分的相鄰部分。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，分離相鄰部分的步驟允許相鄰的不同部分沿著相 鄰部分之間共享的周圍邊緣交互擴(kuò)散，且分離的相鄰部分的剩余部分被實(shí)質(zhì)上一致地處理。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括實(shí)質(zhì)上平衡所述流體容積的每一不同部分的壓力，以維持所述不同部分的分離； 在非處理時(shí)間期間中，流動(dòng)所述流體容積；以及排出流體流，以為流體的各流體流產(chǎn)生朝向且徑向跨越所述基板的表面的單一方向移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，通往真空源的通道的傳導(dǎo)量大于沿著所述基板的 周圍限定的通道的傳導(dǎo)量。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括改變步驟，以改變所述流體容積的不同部分與所述基板的分離區(qū)域之間的空間方位； 重復(fù)所述流動(dòng)步驟及所述產(chǎn)生步驟，其中，所述改變步驟包括 順序地多次改變所述流體容積的不同部分與所述基板的分離區(qū)域之間的相對角度位 置，其中，所述流體容積的不同部分及所述基板的分離區(qū)域之間的各順序的相對角度位置 保持一預(yù)定時(shí)間。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過流速來隔離所述不同部分的相鄰部分，以實(shí) 質(zhì)上平衡所述不同部分中的壓力。
10.一種用于組合式處理基板的腔室，包括噴淋頭，其與流體源成流體連通，所述噴淋頭具有多重入口及一流體分離機(jī)構(gòu)，所述多 重入口用以接收具有不同組成成分的流體流，所述流體分離機(jī)構(gòu)用以保持流體流的分離； 基板支架；及真空源，比起所述噴淋頭與所述基板支架之間的上游區(qū)域，所述真空源具有較高的傳 導(dǎo)量，以保持朝向并徑向跨越由所述基板支架所限定的區(qū)域的定向性流體流。
11.如權(quán)利要求10所述的腔室，還包括基板，其設(shè)置于所述基板支架上，其中，具有不同組成成分的流體容積的不同部分同時(shí) 將所述基板的分離區(qū)域暴露于組成成分的混合物中，該組成成分不同于相鄰區(qū)域所暴露的組成成分；以及流體輸送系統(tǒng)，其耦合于所述腔室，所述流體輸送系統(tǒng)能夠平衡供給予所述噴淋頭的 流體流的分別壓力，使得所述基板的相鄰區(qū)域所暴露于其中的流體流的分離得以保持。
12.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，通往所述真空源的入口被定位成位于所述基板 支架之下，或定位成接近所述基板的邊緣。
13.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述噴淋頭，其中，所述流體分離機(jī)構(gòu)徑向向外 延伸跨越所述噴淋頭的表面，且其中，所述流體分離機(jī)構(gòu)為所述噴淋頭內(nèi)的壁、自所述噴淋 頭延伸進(jìn)入所述腔室的壁、同心口，或一組徑向?qū)?zhǔn)的注入口中的一個(gè)。
14.一種于處理腔室內(nèi)實(shí)施組合式處理的系統(tǒng)，包括用以供給的裝置，其用以供給對應(yīng)的流體流予所述系統(tǒng)的多重流體入口，以使不同的 流包含不同的組成成分；基板支架；用以分配的裝置，其用以分配來自所述多重流體入口的流體流，以使不同的流體流在 所述用以分配的裝置與所述基板支架之間保持分離；及用以排空的裝置，其用以排空所述腔室，以保持不同的流在由所述基板支架所限定的 區(qū)域上分離，以實(shí)施組合式處理。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，還包括基板，其設(shè)置于所述基板支架上，其中，所述基板的相鄰區(qū)域暴露于不同流體流的不同 組成成分中。
16.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中，所述用以分配的裝置包括使來自所述多重流體 入口的流體流保持分離的裝置；以及用以暴露的裝置，其用以在流動(dòng)期間將所述區(qū)域的扇形暴露于一個(gè)或多個(gè)前驅(qū)物中。
17.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中，所述用以排空的裝置在用以排空處理腔室的裝 置的入口處具有一傳導(dǎo)量，該傳導(dǎo)量大于沿著所述基板支架的周圍邊緣限定的區(qū)域的傳導(dǎo) 量。
全文摘要
提供了一種組合式的處理腔室及方法。在此方法中，流體容積流過基板的表面，且不同流體容積部分具有不同的組成成分，以同時(shí)暴露基板的分離區(qū)域于組成成分的混合物中，此組成成分不同于相鄰區(qū)域所暴露的組成成分。藉由多重流動(dòng)而產(chǎn)生經(jīng)不同處理的分離區(qū)域。
文檔編號H01L21/205GK101842873SQ200880113978
公開日2010年9月22日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月5日
發(fā)明者托尼·P·江, 蘇尼爾·申科, 齊艾·朗 申請人:分子間公司