專利名稱：：利用成對凸柱進行倒裝芯片互連的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及微電子設備和封裝用于微電子封裝和組裝的微電子部件。
背景技術：
：微電子裝置通常包括半導體材料(例如硅或砷化鎵)的薄片，常常稱為裸片或半導體芯片。半導體芯片常常作為單個的預封裝單元來提供。在一些單元設計中，半導體芯片被安裝在基板或芯片載具上，基板或載具繼而安裝在諸如印刷電路板的電路面板上。有源電路制造在半導體芯片的一個面部上。為了利于電連接到有源電路，芯片在相同的面部上配置有鍵合焊盤。鍵合焊盤通常放置成規(guī)則陣列，或者在裸片的邊緣周圍，或者對于許多記憶裝置來說在裸片中心處。鍵合焊盤通常由大約0.5μm厚的導電材料制成，例如金或鋁。鍵合焊盤的尺寸隨著裝置類型而不同，但是典型地在一側(cè)上為數(shù)十個至數(shù)百個微米。倒裝芯片互連通常用于將半導體芯片上的鍵合焊盤導電地連接到基板上的觸頭焊盤上的方案中。在倒裝芯片互連中，金屬塊通常放置在每個鍵合焊盤上。接著，裸片被倒置以便金屬塊同時提供鍵合焊盤與基板之間的電通路以及裸片到基板的機械附連。存在倒裝芯片工藝的許多變型，但是一種常見配置是使用用于金屬塊的焊料并將焊料熔合作為將金屬塊緊固到鍵合焊盤和基板上的方法。當焊料熔化時，焊料流動以形成截頭球體。雖然進行倒裝芯片互連有一定的優(yōu)勢，但是仍存在改良的需求，以便使得封裝厚度最小化同時增強接頭可靠性。本發(fā)明的這些益處是通過在下文中所描述的微電子封裝的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)的。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的實施例，存在一種包括微電子元件的封裝微電子元件，該微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸塊。每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度，其中高度是寬度的至少一半。還存在基板，該基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，該多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且用可熔合金屬結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱。第二凸柱具有頂表面和遠離基板的所述頂表面以陡峭角度延伸的邊緣表面。該實施例的凸柱可被蝕刻且主要包括銅。此外，凸塊下金屬化層可位于第一凸塊下面。第一凸柱的直徑與第一凸柱之間的間距(pitch)的比率可以不大于34。此外，第一凸柱的直徑可小于每個第一凸柱之間的間距的一半。在一個實施例中，封裝微電子元件包括微電子元件，該微電子元件具有前表面和多個第一固態(tài)金屬凸柱，該多個第一固態(tài)金屬凸柱遠離前表面延伸。每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度，其中高度是寬度的至少一半。還存在基板，該基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，該多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱。在該實施例中，第一和第二凸柱擴散連接在一起。第一凸柱的直徑與第一凸柱間的間距的比率可不大于34。微電子元件的前表面與基板的頂表面之間的距離可大于80微米。此外，每個第一凸柱的直徑等于每個第二金屬凸柱的直徑。最后，底部填充材料可沉積在微電子元件的前表面與基板的頂表面之間。在又另其它實施例中，封裝微電子元件包括微電子元件，該微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱。每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度。凸柱主要包括除了焊料、鉛或錫之外的金屬。還存在基板，該基板具有頂表面。多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且用可熔合金屬結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱。第一或第二固態(tài)金屬凸柱的直徑與多個第一或第二固態(tài)金屬凸柱之間的間距的比率不大于34。在該實施例的備選方式中，基板可以是多層基板。此外，第一凸柱的直徑可以小于每個第一凸柱之間的間距的一半。此外，每個所述第一凸柱的直徑等于第二金屬凸柱的直徑。在另一實施例中，封裝微電子元件包括微電子元件，該微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱。每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度。存在基板，該基板具有頂表面。多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱。第一凸柱的間距在50至200微米的范圍內(nèi)變化，且微電子元件的底表面與基板的頂表面之間的距離大于80微米。在該實施例的備選方式中，可熔合金屬可用來將第二凸柱結(jié)合到第一凸柱。每個第一凸柱的直徑等于第二金屬凸柱的直徑。此外，第一凸柱的直徑可小于每個第一凸柱之間的間距的一半。在另一實施例中，封裝微電子元件包括微電子元件、基板和多個支柱，該支柱在微電子元件與基板之間延伸。多個支柱的每個包括附連到微電子元件的第一金屬凸柱部分、附連到基板的第二金屬凸柱部分以及金屬熔合部分，其中第一和第二金屬部分結(jié)合在一起。多個支柱的長度不小于50微米。第一和第二金屬凸柱部分的高度是寬度的至少一半。在該實施例的備選方式中，微電子元件的前表面與基板的頂表面之間的距離大于80微米?；暹€可是多層基板。每個第一凸柱的直徑可等于第二金屬凸柱的直徑。第一凸柱的直徑可小于每個第一凸柱之間的間距的一半。此外，第一和第二凸柱可被蝕刻。一種制造封裝微電子元件組件的方法，包括提供微電子元件，該微電子元件具有多個導電凸柱，該導電凸柱遠離微電子元件的第一表面延伸。凸柱具有頂表面和遠離頂表面以陡峭角度延伸的邊緣表面?？扇酆系慕饘倜辈扛竭B到多個導電凸柱中每個的末端。接下來的步驟包括將微電子元件的凸柱與從基板第一表面延伸的多個凸柱至少大致對齊。最后的步驟包括將微電子元件的凸柱與基板的凸柱結(jié)合。在備選的方法中，步驟(C)包括將可熔合金屬加熱到熔點，其中可熔合金屬流動到凸柱邊緣表面的暴露部分上。在另一備選的方法中，鈍化層和凸塊下金屬化層沉積在微電子元件上。下述段落描述本文的各種實施例1.一種封裝微電子元件，包括微電子元件，該微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一焊料金屬凸塊，每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度，其中高度是所述寬度的至少一半；和基板，所述基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，該多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且用可熔合金屬結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，所述凸柱具有頂表面和遠離所述頂表面以陡峭角度延伸的邊緣表面。2.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述第一凸塊或第二凸柱包括銅。3.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述可熔合金屬選自主要包括焊料、錫或共熔材料的組。4.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述第一凸塊之間的間距在從50至200微米的范圍內(nèi)變化。5.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述第一凸塊的直徑與所述第一凸柱之間的間距的比率不大于34。6.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述微電子元件的前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。7.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，還包括在所述第一凸塊下面的凸塊下金屬化層。8.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述基板是多層基板。9.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述第一凸塊中的每個的直徑等于所述第二凸柱的直徑。10.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述第一凸塊的直徑小于所述每個第一凸柱之間的間距的一半。11.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的底部填充材料。12.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，還包括位于所述微電子元件的所述前表面上面的焊料掩膜層。13.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被蝕刻。14.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被電鍍。15.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述前表面是有源表面。16.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中跡線沿著所述微電子元件的所述前表面延伸。17.根據(jù)段落1的封裝微電子元件，其中所述基板還包括第二表面，且其中過渡件延伸經(jīng)過所述基板，以便在所述第二凸柱與暴露在所述基板的所述底表面處的電路之間提供連接。18.—種封裝微電子元件，包括微電子元件，該微電子元件包括前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱，每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度，其中高度是所述寬度的至少一半；和基板，所述基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，所述多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，其中所述第一和第二凸柱擴散連接(diffusion-bonded)到一起。19.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱包括銅。20.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱之間的間距在從50至200微米的范圍內(nèi)變化。21.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑與所述第一凸柱之間的間距的比率不大于34。22.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。23.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，還包括位于所述第一凸柱下面的凸塊下金屬化層。24.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述基板是多層基板。25.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的每個的直徑等于所述第二金屬凸柱的每個的直徑。26.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑小于每個所述第一凸柱之間的間距的一半。27.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的底部填充材料。28.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面上面的焊料掩膜層。29.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被蝕刻。30.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被電鍍。31.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述前表面是有源表面。32.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中跡線沿著所述微電子元件的所述前表面延伸。33.根據(jù)段落18的封裝微電子元件，其中所述基板還包括第二表面，且其中過渡件延伸經(jīng)過所述基板，以便在所述第二凸柱與所述基板的所述頂表面處暴露的電路之間提供連接。34.—種封裝微電子元件，包括微電子元件，該微電子元件包括前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱，每個凸柱具有前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度，所述凸柱主要包括除了焊料、鉛或錫之外的金屬；和基板，該基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，該多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且用可熔合金屬結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，其中所述第一或第二固態(tài)金屬凸柱的直徑與所述多個第一或第二固態(tài)金屬凸柱之間的間距的比率不大于34。35.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱包括銅。36.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述可熔合金屬選自主要包括焊料、錫或共熔材料的組。37.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱之間的間距在從50至200微米的范圍內(nèi)變化。38.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。39.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，還包括位于所述第一凸柱下面的凸塊下金屬化層。40.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述基板是多層基板。41.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中每個所述第一凸柱的直徑等于所述第二金屬凸柱中每個的直徑。42.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑小于每個所述第一凸柱之間的間距的一半。43.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的底部填充材料。44.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面上面的焊料掩膜層。45.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被蝕刻。46.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被電鍍。47.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述前表面是有源表面。48.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中跡線沿著所述微電子元件的所述前表面延伸。49.根據(jù)段落34的封裝微電子元件，其中所述基板還包括第二表面，且其中過渡件延伸經(jīng)過所述基板，以便在所述第二凸柱與在所述基板的所述底表面暴露的電路之間提供連接。50.—種封裝微電子元件，包括微電子元件，該微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱，每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度；和基板，該基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，該多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，其中，所述第一凸柱的間距在從50至200微米的范圍內(nèi)變化，且所述微電子元件的所述底表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。51.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱包括銅。52.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中可熔合金屬被用來將所述第二凸柱結(jié)合到所述第一凸柱。53.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述可熔合金屬選自主要包括焊料、錫或共熔材料的組。54.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑與所述第一凸柱之間的間距的比率不大于34。55.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。56.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，還包括位于所述第一凸柱下面的凸塊下金屬化層。57.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述基板是多層基板。58.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中每個所述第一凸柱的直徑等于所述第二金屬凸柱的直徑。59.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑小于每個所述第一凸柱之間的間距的一半。60.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的底部填充材料。61.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面上面的焊料掩膜層。62.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被蝕刻。63.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被電鍍。64.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述前表面是有源表面。65.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中跡線沿著所述微電子元件的所述前表面延伸。66.根據(jù)段落50的封裝微電子元件，其中所述基板還包括第二表面，且其中過渡件延伸經(jīng)過所述基板，以便在所述第二凸柱與所述基板的所述底表面暴露的電路之間提供連接。67.—種封裝微電子元件，包括微電子元件，該微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱，每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度；和基板，該基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，該多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，其中所述多個所述第一和第二固態(tài)金屬凸柱主要包括銅。68.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中可熔合金屬被用來結(jié)合第一和第二凸柱。69.根據(jù)段落68的封裝微電子元件，其中可熔合金屬選自主要包括焊料、錫或共熔材料的組。70.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱之間的間距在從50至200微米的范圍內(nèi)變化。71.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑與所述第一凸柱之間的間距的比率不大于34。72.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。73.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，還包括在所述第一凸柱下面的凸塊下金屬化層。74.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述基板是多層基板。75.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中每個所述第一凸柱的直徑等于所述第二金屬凸柱的直徑。76.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑小于每個所述第一凸柱之間的間距的一半。77.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的底部填充材料。78.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面上面的焊料掩膜層。79.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被蝕刻。80.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被電鍍。81.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述前表面是有源表面。82.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中跡線沿著所述微電子元件的所述前表面延伸。83.根據(jù)段落67的封裝微電子元件，其中所述基板還包括第二表面，且其中過渡件延伸經(jīng)過所述基板，以便在所述第二凸柱與在所述基板的所述底表面處暴露的電路之間提供連接。84.—種封裝微電子元件，包括微電子元件；基板；以及在所述微電子元件與所述基板之間延伸的多個支柱，每個所述多個支柱包括附連到所述微電子元件的第一金屬凸柱部分、附連到所述基板的第二金屬凸柱部分、以及金屬熔合部分，其中所述第一和第二金屬部分結(jié)合在一起，所述多個支柱的長度不小于50微米，且所述第一和第二金屬凸柱部分的所述高度是所述寬度的至少一半。85.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱包括銅。86.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱之間的間距在從50至200微米的范圍內(nèi)變化。87.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑與所述第一凸柱之間的間距的比率不大于34。88.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。89.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，還包括在所述第一凸柱下面的凸塊下金屬化層。90.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述基板是多層基板。91.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中每個所述第一凸柱的直徑等于所述第二金屬凸柱的直徑。92.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述第一凸柱的直徑小于每個所述第一凸柱之間的間距的一半。93.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的底部填充材料。94.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面上面的焊料掩膜層。95.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被蝕刻。96.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述第一或第二凸柱被電鍍。97.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述前表面是有源表面。98.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中跡線沿著所述微電子元件的所述前表面延伸。99.根據(jù)段落84的封裝微電子元件，其中所述基板還包括第二表面，且其中過渡件延伸經(jīng)過所述基板，以便在所述第二凸柱與在所述基板的所述底表面暴露的電路之間提供連接。圖IA和IB是根據(jù)一個實施例的微電子組件的部件的截面圖。圖IC是描繪了結(jié)合到一起的圖IA和IB的截面圖。圖2是描繪了根據(jù)圖1A-1C的實施例的微電子組件的截面圖。圖2A是圖2的一部分的分解截面圖。圖3是描繪了根據(jù)圖2所示實施例的變型的完成后微電子組件的截面圖。圖4是描繪了根據(jù)圖2所示實施例的變型的完成后微電子組件的截面圖。圖5是描繪了根據(jù)另一實施例的微電子組件的部件的截面圖。圖6是描繪了圖5所示實施例的變型的微電子組件的部件的截面圖。圖7是描繪了根據(jù)一個實施例的完成后微電子組件的截面圖。圖8是描繪了根據(jù)另一實施例的完成后微電子組件的截面圖。圖9是描繪了根據(jù)另一實施例的完成后微電子組件的截面圖。圖10是描繪了根據(jù)一個實施例的完成后微電子組件的截面圖。圖11是描繪了根據(jù)另一實施例的完成后微電子組件的截面圖。圖12是描繪了根據(jù)另一實施例的完成后微電子組件的截面圖。圖13是描繪了根據(jù)另一實施例的完成后微電子組件的截面圖。具體實施例方式現(xiàn)在參考圖1A-1C，其中描繪了圖2所示封裝微電子組件100的部件的截面圖。如圖所示，封裝微電子組件100包括基板102、處于向下或倒裝位置的微電子元件104、以及將基板102與微電子元件結(jié)合的導電桿106。導電桿包括導電凸塊或凸柱108，導電凸塊或凸柱108凸起高于基板102的表面105，導電凸塊或凸柱108與凸起高于微電子元件104的表面107的導電凸塊或凸柱110對齊。導電桿106通過增加微電子元件104和基板102之間的直立或豎直距離來向芯片到基板上的封裝提供增加的高度，且同時允許導電桿106之間的中心間的水平距離或間距P減少。如將在下文進一步詳細說明的那樣，在基板102與微電子元件104之間的距離增加的能力可有助于減少導電桿處的應力、可有助于容易應用底部填充(underfill)材料112(見圖2A)，以及允許要使用的底部填充物的更大變化。參考圖1A，基板102優(yōu)選地包括介電元件102A。介電元件102A具有頂表面101和相反朝向的底表面103。多個導電跡線109可沿著頂表面或底表面或者兩者延伸。介電元件102A可以是剛性或柔性的。介電元件102可包括聚酰亞胺或其它聚合物片材。雖然介電元件102的厚度可變化，但是介電元件102A大多數(shù)情況下常常達2毫米。基板102可包括其它導電元件，例如暴露于底表面103的外觸頭(未示出)。鍵合跡線可使用在共同受讓的美國公布申請No.11/014，439中所述的方法來形成，該公開以引用的方式結(jié)合到本文中。在所述的具體實施例中，導電元件(未示出)布置在基板102的頂表面101上。然而，在其它實施例中，導電元件還可沿著基板102的底表面103延伸、位于頂表面101和底表面103兩者上或者在基板102的內(nèi)部。因此，如本文中所使用的，關于第一特征布置在第二特征“上”的聲明不應當理解為需要將第一特征放置在第二特征的表面上。此外，描述性詞語，例如“頂”、“底”、“上”、“下”，僅用于描述目的。固態(tài)金屬凸塊或凸柱108還從基板102的頂表面101延伸，以形成導電桿106的第一部分(圖2和2A)。導電凸柱108具有頂表面111和邊緣表面113，邊緣表面113遠離基板102的頂表面以陡峭角度延伸，使得在邊緣表面113會合基板102的頂表面101處產(chǎn)生明顯的角度。例如，在所示的實施例中，在基板102的頂表面101與導電凸柱108的邊緣表面113之間形成大于90度的角度。角度將取決于導電凸柱108的形狀而不同。例如，圓柱形凸柱在基板102的頂表面101與導電凸柱108之間可具有90度的角度。在于2006年12月19日提交的名為“ChipCapacitorEmbeddedPWB”的臨時申請No.60/875，730、T2007ip815HΙ^^^^"MultilayerSubstratewithInterconnectionViasandMethodofManufacturingtheSame”的臨時申請No.60/964，916以及于2007年8月15H%“InterconnectionElementwithPostsFormedbyPlating"^itNo.60/964，823中描述了示例性工藝和凸柱，上述所有文獻均以引用的方式結(jié)合到本文中。例如，導電凸柱108可通過蝕刻工藝來形成，如在本文中將更詳細描述的那樣。備選地，導電凸柱108可通過電鍍來形成，其中凸柱108通過將金屬經(jīng)由諸如感光層的介電層中的圖形化開口鍍到基金屬層上而形成。導電凸柱108的尺寸可在較大范圍內(nèi)變化，但最常見地從介電元件102A的頂表面103延伸的每個導電凸柱108的高度Hl是至少50微米且可延伸高達300毫米。這些導電凸柱108可具有大于其直徑或?qū)挾萕l的高度HI。然而，高度Hl還可小于寬度W1，例如高度Hl是寬度Wl大小的至少一半。導電凸柱108可由任何導電材料制成，導電材料例如銅、銅合金、金及其組合。導電凸柱108可包括焊料潤濕型(wettable)的至少暴露金屬層。例如，凸柱可包括銅，其中金層在凸柱的表面上。此外，導電凸柱108可包括至少一個金屬層，所述金屬層的熔化溫度大于要結(jié)合的焊料的熔化溫度。例如，這種導電凸柱108可包括銅層或者完全由銅形成。導電凸柱108還可采用許多不同的形狀，包括截頭圓錐形。每個導電凸柱108的底部114和頂部116可大致成圓形或者具有不同的形狀，例如橢圓形。導電凸柱108的底部114的直徑通常在約50-300μm，而頂部116的直徑通常在約25-200μm。每個導電凸柱108可具有鄰近于介電基板102的底部114和遠離介電基板的頂部116。此外，導電凸柱距介電元件102A的頂表面101的高度Hl(除了任何焊料掩膜之外)通常在小至30μm和高達200μm的范圍內(nèi)。如圖所示，焊料掩膜118(圖2)可布置在基板102上且鄰近導電凸柱108。焊料掩膜118有助于在回流相期間防止焊料在鄰近桿106之間回流和橋接。參考圖1B，微電子元件104具有前表面122和后表面124。微電子元件104優(yōu)選地是在其封裝和與另一元件互連之前的半導體芯片等等。例如，微電子元件是裸片。一種示例性導電凸柱和制造能夠從微電子元件等等延伸的導電凸柱的方法在AdvanpakSolutionsPte.Ltd.(〃Advanpak“)的網(wǎng)站、以及受讓給Advanpak的美國專利No.6，681，982,No.6，592，109和No.6，578，754中進行了描述，上述專利以引用的方式結(jié)合到本文中。例如，導電凸柱110可通過蝕刻工藝來形成。備選地，導電凸柱110可通過電鍍來形成，其中凸柱110通過將金屬經(jīng)由諸如感光層的介電層中印制的開口鍍到基金屬層上而形成。類似于從基板延伸的導電凸柱108，從微電子元件104延伸的凸柱110可具有頂表面111和從邊緣表面113，邊緣表面113從微電子元件的上述頂表面122以陡峭角度延伸開來，使得在微電子元件與導電凸柱之間形成明顯的角度。為了在導電凸柱110與微電子元件104之間提供金屬觸頭，可在微電子元件104的前表面122上提供凸塊下金屬化層120。凸塊下金屬化層120通常由包括鈦、鈦-鎢、鉻的材料組成。凸塊下金屬化層120操作成導電桿106的導電金屬觸頭。鈍化層119也可使用本領域已知的方法來提供在微電子元件104的前表面122上位于微電子元件104與凸塊下金屬化層120之間。參考圖1B、1C和2，從微電子元件104延伸的導電凸柱110的尺寸也可在較大范圍內(nèi)變化，但是最常見地，每個導電凸柱110的高度H2不小于50微米。導電凸柱110的高度H2可大于其寬度W2。然而，高度也可小于寬度W2，例如為寬度的至少一半。導電凸柱110優(yōu)選地由銅或銅合金制成，但是還可包括其它導電材料，例如金或金與銅的組合。此外，導電凸柱110可包括至少一個金屬層，該金屬層的熔化溫度大于要結(jié)合的焊料的熔化溫度。例如，這種凸柱可包括銅層或者完全由銅形成。在具體的實施例中，導電凸柱110可以是圓柱形，以便凸柱底部126和凸柱頂部128的直徑大致相等。在一個實施例中，導電凸柱的底部126和頂部128的直徑可在約30-150μm。每個導電凸柱110可具有鄰近于基板102的底部126和遠離基板102的頂部128。備選地，導電凸柱110可采用各種形狀，例如截頭圓錐形、矩形或桿形。焊料130的涂層或帽部可附連到導電凸柱110的頂部128或者導電凸柱未附連到微電子元件104的部分。焊料130的帽部可具有與導電凸柱110相同的直徑或?qū)挾萕2，從而變成導電凸柱110的延伸部。在一個示例中，焊料130的帽部可具有在約25-80μm的范圍內(nèi)變化的高度H3。應當理解的是，導電凸柱110從微電子元件104的前表面122延伸的高度H2可等于導電凸柱108從介電元件102A的頂表面101延伸的高度Hl(圖1A)。但是備選地，高度可不同，使得導電凸柱110的高度H2可小于或大于導電凸柱108的高度HI。在具體描述的示例中，從微電子元件104延伸的導電凸柱110可具有長度為50μm的高度H2，而從基板延伸的導電凸柱108可具有55μm的高度Hl(圖2)。為了將微電子元件104和基板102導電地連接在一起，微電子元件104上的導電凸柱110必須連接到基板102上的導電凸柱108。參考圖1C，微電子元件104被倒置，使得微電子元件104的導電凸柱110和基板102的導電凸柱108彼此相互對齊且十分接近。微電子元件104上的焊料130帽部進行回流，以允許焊料潤濕微電子元件104上的導電凸柱110和基板102上的導電凸柱108的表面。如圖2-2A所示，焊料將潤濕到導電凸柱的暴露表面并形成從微電子元件延伸到基板的導電桿106。焊料所結(jié)合的微電子元件104和基板102上的導電桿108、110的增加表面區(qū)域可有助于減少在焊料接口處的電流密度。電流密度的這種減少可有助于減少電遷移并提供更好的耐用性。如圖所示，導電桿106包括導電地互連導電凸柱的焊料。在一個示例中，在從微電子元件延伸的導電凸柱底部與從基板延伸的底部暴露部分之間延伸的導電桿的直立或高度H在80-100μπι的范圍內(nèi)。如圖2和2Α所示，導電桿106的壁132可以是凸形或桶形，其中導電桿的中點區(qū)域Μ(即，在微電子元件的導電凸柱110與基板的導電凸柱108之間)具有寬度W，該寬度W大于分別鄰近基板102的頂表面101和微電子元件104的前表面102的導電桿106的部分的寬度Wl和WZ0如圖2Α進一步所示，觸頭焊盤117可使用已知的方法形成在微電子元件104和基板102上。在一個實施例中，遠離基板102延伸的下部凸柱108以及下部觸頭焊盤117可通過分離的蝕刻步驟來形成，例如于2008年6月28公布的國際申請PCT序號No.WO2008/076428中所公開的，該申請以引用的方式結(jié)合到本文中。例如，具有頂部和底部金屬層123以及中間蝕刻止擋層或內(nèi)部金屬層121的三金屬基板可用來形成導電凸柱108和觸頭焊盤117。在一個這種工藝中，三層或更多層的金屬結(jié)構(gòu)的暴露金屬層根據(jù)光刻圖案光敏層進行蝕刻，以形成導電凸柱108，蝕刻工藝停止于結(jié)構(gòu)的內(nèi)部金屬層121上。內(nèi)部金屬層121包括不同于頂部和底部金屬層123的一種或多種金屬，內(nèi)部金屬層的這種組成使得其不能由用來蝕刻頂部金屬層123的蝕刻劑附連。例如，導電凸柱108所蝕刻的頂部金屬層123主要包括銅，底部金屬層123也可主要包括銅，而內(nèi)部金屬層121主要包括鎳。鎳提供相對于銅的良好選擇性，以避免與金屬層附連的鎳層被蝕刻以形成導電凸柱108。為了形成觸頭焊盤117，可根據(jù)另一光刻圖案光敏層來進行另一蝕刻步驟。凸柱108可與其它導電特征(例如，過渡件115)進一步互連，其它導電特征繼而與其它導電特征(未示出)進一步互連。參考圖3，導電桿106’的壁232也可以是直的，使得寬度W5基本等于分別鄰近于基板102，的頂表面101，和微電子元件104，的前表面122，的導電桿106，的寬度W4、W4，。應當理解的是，寬度W4、W4，不需要是相等的。備選地，導電桿106，的壁232，取決于要實現(xiàn)的直立程度可以是凹形的(見圖4)。根據(jù)本發(fā)明的導電桿106允許在介電元件與微電子元件之間的更大直立高度同時允許暴露于微電子元件104的前表面122的每個導電凸柱110之間的間距P(見圖1B、2)以及暴露于基板102的頂表面101的每個導電凸柱108之間的間距P都明顯減少。在一個實施例中，間距P可以小至50μm或大至200μm。應當理解的是，通過將導電桿108、110彼此相互對齊，每個導電凸柱108、110之間的間距P將相等。間距P還可以是導電凸柱108、110的直徑或?qū)挾萕l、W2的函數(shù)，使得導電凸柱的底部直徑W1、W2高達間距P的75%。換句話說，直徑W1、W2與間距P的比率可高達34。例如，如果間距P是145μπι，那么導電凸柱108、110的直徑Wl、W2可以變化成高達108μm或間距P的75%。增加的直立高度減少了低_k介電材料的應變，該應變可存在于微電子元件中。此外，增加的直立有助于使得通常與小間距相關的問題(例如，電遷移和擁擠)最小化。這是因為導電桿106能夠潤濕導電凸柱108、110的表面。參考圖5-6，示出了將微電子元件上的導電凸塊結(jié)合到基板上的導電凸塊的備選配置。參考圖5，不是將焊料帽部230放置在從微電子元件204延伸的導電凸柱210的頂部228上，而是焊料帽部230可放置在從基板202延伸的導電凸柱208的頂部216處。在一個實施例中，焊料帽部230的寬度或直徑W5大致等于導電凸柱208的底部214的直徑W6。因此，焊料帽部230延伸超出從基板202延伸的導電凸柱208的頂部216。然而，一旦焊料回流，導電桿將優(yōu)選地采用圖2中所示的導電桿形狀。參考圖6，在又另一備選配置中，焊料帽部330可放置在從微電子元件304和基板302兩者延伸的導電凸柱310、308上。導電凸柱310、308放置成彼此相互十分接近。施加熱量從而使得焊料帽部330回流、潤濕并熔合導電凸柱308、310。一旦回流，導電桿306將優(yōu)選地類似于圖2中所示的導電桿306。參考圖7，示出了微電子封裝的備選配置。該配置類似于圖2中所示的配置，唯一的不同在于，在鄰近從基板延伸的導電凸柱處不存在焊料掩膜。在該備選配置中，過渡件307可用來將導電桿406導電地連接到電子電路(未示出)，電子電路暴露于基板402的底表面上，與基板402的頂表面401相反。使用過渡件307省去了焊料掩膜的需要。參考圖8，示出了備選的實施例，其中在導電凸柱之間進行金屬對金屬鍵合而不使用焊料。相反，通過將導電凸柱508、510變形使之彼此相互接合來在導電凸柱508、510之間形成鍵合。導電凸柱508、510優(yōu)選地由延展性材料制成，延展性材料具有極小的彈性或彈性回復，例如大體上的純金。此外，導電凸柱508、510可通過在凸柱與蓋件材料之間的共熔鍵合或陽極鍵合而鍵合在一起。例如，導電凸柱508、510的頂部516、517可涂覆小量錫、硅、鍺或與金形成相對低熔合金的其它材料，且凸柱可完全由金形成或在其表面上具有金涂層。當導電凸柱508、510彼此相互接合并被加熱時，在導電凸柱508、510的材料與導電凸柱的頂部516上的材料之間的擴散形成熔點比在凸柱與壁的接口處單一元素的熔點更低的合金。當組件保持在升高溫度時，進一步擴散使得合金元素從接口擴散開來進入到凸柱的金塊體中，藉此升高在接口處材料的熔化溫度并使得接口固化，從而在部件之間形成固態(tài)連接。參考圖9，該圖與圖8—致，除了導電凸柱608、610均優(yōu)選地包括銅且在導電凸柱之間不存在低熔點金屬(例如焊料或錫)的情況下彼此相互直接熔合之外。優(yōu)選地，為了實現(xiàn)強鍵合，在導電凸柱608、610結(jié)合到端子之前，導電凸柱608、610的結(jié)合表面必須是清潔的且大致無氧化物(例如，自然氧化物)。通常，可執(zhí)行特征為進行蝕刻或微蝕刻的表面的工藝，以去除貴金屬(例如，銅、鎳、鋁和其它)的表面氧化物，表面蝕刻工藝被執(zhí)行而通常不會影響位于其下方的凸塊或金屬層的厚度。該清潔工藝僅在實際結(jié)合工藝前不久最佳地實施。在不影響凸塊與電容端子之間要實現(xiàn)的鍵合強度的前提下，在結(jié)合工藝之前，在部件在清潔后被保持在處于約30至70百分比相對濕度的正常濕度環(huán)境的狀況下，清潔工藝通?？蓪嵤?shù)個小時(例如，六個小時)。如圖10-11所示，在施行結(jié)合導電凸柱608、610的工藝期間，間隔器結(jié)構(gòu)726被放置在基板602的頂表面601上。間隔器結(jié)構(gòu)626可由一種或多種材料(例如，聚酰亞胺、陶瓷)或者一種或多種金屬(例如，銅)形成。微電子元件604被放置在間隔器結(jié)構(gòu)626上方，使得微電子元件604的導電凸柱610的頂部628位于基板602的導電凸柱608的頂部616上面，導電凸柱610從微電子元件604延伸。參考圖10，間隔器結(jié)構(gòu)626、微電子元件604和基板602被插入在一對板640之間，且同時在以箭頭636指示的方向上施加熱量和壓力給導電凸柱。如圖9所示，施加給板640的壓力具有這樣的影響將導電凸柱的高度減少至高度H6，高度H6低于初始制得導電凸柱608、610的初始高度H5(圖10)。在該步驟期間所施加壓力的示例性范圍在約20kg/cm2至約150kg/cm2之間。例如，結(jié)合工藝在從約140攝氏度至約500攝氏度范圍內(nèi)的溫度下進行。結(jié)合工藝將導電凸柱608、610壓縮到使得導電凸柱608、610的前頂表面下方的金屬在熱量和壓力下接觸并結(jié)合的程度。由于該結(jié)合工藝，導電凸柱608、610的高度可按照1微米或更多來減少。當導電凸柱608、610主要包括銅時，導電凸柱之間的接頭也主要包括銅，從而形成包括凸塊和端子的連續(xù)銅結(jié)構(gòu)。因此，如圖9所示，板和間隔器結(jié)構(gòu)被去除，剩下具有由導電凸柱608、610的導電接頭形成的導電桿606的子組件250。參考圖12，示出了根據(jù)本發(fā)明的另一備選實施例。在此唯一的區(qū)別在于，不是使用單層基板，可使用多層基板，例如在2007年8月15日提交的名為“InterconnectionElementwithPostsFormedbyPlating”的美國申請No.60/964，823、在2007年8月15Hil^W^^j"MultilayerSubstrateWithInterconnectionViasandMethodofManufacturingtheSame，，的美國申請No.60/964，916、以及在2007年6月29日提交的名為"MultilayerWiringElementHavingPinInterface，，的美國申請No.11/824，484中描述的多層基板，上述申請以引用的方式結(jié)合到本文中。如圖所示，多層基板702以倒裝的方式與微電子元件704結(jié)合，例如具有有源裝置、無源裝置或者有源或無源裝置于其上的半導體芯片。導電凸柱710的頂部716如本文所述結(jié)合到從微電子元件延伸的導電凸柱710，導電凸柱710的頂部716從多層基板的頂表面701突出。如圖所示，多層基板702的導電凸柱708可直接結(jié)合到從微電子元件的前表面延伸的導電凸柱710，例如通過在凸柱頂部160處加工后的金屬(例如，金)與存在于導電焊盤和凸柱中的另一金屬之間形成擴散連接來實現(xiàn)。備選地，導電凸柱708、710可通過可熔合金屬(例如，焊料、錫或共熔組合物)而結(jié)合到一起，可熔合金屬將凸柱和焊盤潤濕以形成潤濕或焊接的接頭。例如，可熔合金屬可通過暴露在微電子元件704的前表面722處的以焊料凸塊(未示出)的形式來提供，凸塊被提供在導電凸柱頂部的一個或兩個頂部末端。導電桿還可用在疊層式封裝中，例如在共同擁有的于2007年8月3日提交的名%"DieStackPackageFabricatedattheWaferLevelwithPadExtensionsAppliedToReconstitutedWaferElements，，的美國申請No.60/963,209、于2007年8月9日W^^J"WaferLevelStackedPackageswithIndividualChipSelection，，白勺_國申請No.60/964，069、于2007年7月27日提交的名為‘‘ReconstitutedWaferStackPackagingwithAfter-AppliedPadExtensions"白勺_ffl_itNo.60/962,200>VXR于2007年6月20日提交的名為‘‘ReconstitutedWaferLevelStacking，，的美國申請No.60/936，617中所描述的這種封裝。例如，參考圖13，在備選的實施例中，疊層式封裝組件包括第一子組件800和第二17子組件802。第一和第二子組件事實上與圖2中所示的封裝微電子元件相同，除了基板806、806’進一步延伸出以便容納在第一和第二子組件的基板806、806’之間延伸的導電桿808。導電桿808還包括從基板延伸的導電凸柱812，導電桿808連接到延伸經(jīng)過第二子組件上基板的頂表面和底表面的過渡件814。雖然本發(fā)明參考具體的實施例進行描述，但是應當理解的是，這些實施例僅為了描述本發(fā)明的原理和應用。因此，應當理解的是，在不偏離由所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明精神和范圍的前提下可作出描述性實施例的許多變型且可構(gòu)想出其它配置。權(quán)利要求一種封裝微電子元件，包括微電子元件，所述微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸塊，每個所述凸柱具有在前表面的方向上的寬度和從前表面延伸的高度，其中高度是所述寬度的至少一半；和基板，所述基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，所述多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且用可熔合金屬結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，所述第二凸柱具有頂表面和遠離所述頂表面以陡峭角度延伸的邊緣表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述多個第一和第二固態(tài)金屬凸柱主要包括銅。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸塊的直徑與所述第一凸柱之間的間距的比率不大于34。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝微電子元件，還包括位于所述第一凸塊下面的凸塊下金屬化層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸塊的直徑小于每個所述第一凸塊之間的間距的一半。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸塊或第二凸柱被蝕刻。7.一種封裝微電子元件，包括微電子元件，所述微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱，每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度，其中高度是所述寬度的至少一半；和基板，所述基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，所述多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，其中所述第一和第二凸柱擴散連接在一起。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱的直徑與所述第一凸柱之間的間距的比率不大于34。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱的每個的直徑等于所述第二金屬凸柱的每個的直徑。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝微電子元件，還包括在所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的底部填充材料。12.一種封裝微電子元件，包括微電子元件，所述微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱，每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度，所述凸柱主要包括除了焊料、鉛或錫之外的金屬；和基板，所述基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，所述多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且用可熔合金屬結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，其中所述第一或第二固態(tài)金屬凸柱的直徑與所述多個第一或第二固態(tài)金屬凸柱之間的間距的比率不大于34。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱的每個的直徑等于所述第二金屬凸柱的直徑。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述基板是多層基板。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱的直徑小于所述第一凸柱中每個之間的間距的一半。16.一種封裝微電子元件，包括微電子元件，所述微電子元件具有前表面和遠離前表面延伸的多個第一固態(tài)金屬凸柱，每個凸柱具有在前表面方向上的寬度和從前表面延伸的高度；和基板，所述基板具有頂表面和多個第二固態(tài)金屬凸柱，所述多個第二固態(tài)金屬凸柱從頂表面延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱，其中所述第一凸柱的間距在50至200微米的范圍內(nèi)變化，且所述微電子元件的所述底表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝微電子元件，其特征在于，可熔合金屬被用來將所述第二凸柱結(jié)合到所述第一凸柱。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱中每個的直徑等于所述第二金屬凸柱的直徑。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱的直徑小于所述第一凸柱中每個之間的間距的一半。20.一種封裝微電子元件，包括微電子元件；基板；以及在所述微電子元件與所述基板之間延伸的多個支柱，所述多個支柱中的每個包括附連到所述微電子元件的第一金屬凸柱部分、附連到所述基板的第二金屬凸柱部分、以及金屬可熔合部分，其中所述第一金屬部分和第二金屬部分結(jié)合在一起，所述多個支柱的長度不大于50微米，且所述第一金屬凸柱部分和第二金屬凸柱部分的所述高度是所述寬度的至少一半。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述微電子元件的所述前表面與所述基板的所述頂表面之間的距離大于80微米。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述基板是多層基板。23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱中每個的直徑等于所述第二金屬凸柱的直徑。24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱的直徑小于所述第一凸柱中每個之間的間距的一半。25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的封裝微電子元件，其特征在于，所述第一凸柱或第二凸柱被蝕刻。26.一種組裝封裝微電子元件的方法，包括(a)提供微電子元件，所述微電子元件具有遠離其第一表面延伸的多個導電凸柱，所述凸柱具有頂表面和遠離所述頂表面以陡峭角度延伸的邊緣表面，且可熔合金屬面部附連到所述多個導電凸柱的末端；(b)將微電子元件的凸柱與從基板的第一表面延伸的多個凸柱至少大致對齊；以及(c)將微電子元件的凸柱與基板的凸柱結(jié)合。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，步驟(c)包括將可熔合金屬加熱到熔化溫度，其中可熔合金屬流動到凸柱邊緣表面的暴露部分上。28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的組裝方法，其特征在于，鈍化層和凸塊下金屬化層沉積在所述微電子元件上。全文摘要一種封裝微電子組件，包括具有前表面(122)和遠離前表面(122)延伸的多個第一固態(tài)凸柱(110)的微電子元件(104)。每個第一凸柱(110)具有在前表面(122)方向上的寬度和從前表面(122)延伸的高度，其中高度(H2)是寬度(W1)的至少一半。還存在基板(102)，基板(102)具有頂表面(101)和從頂表面(102)延伸且結(jié)合到第一固態(tài)金屬凸柱(110)的多個第二固態(tài)金屬凸柱(108)。文檔編號H01L21/60GK101874296SQ200880117714公開日2010年10月27日申請日期2008年9月26日優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日發(fā)明者J·權(quán)申請人:泰塞拉公司