專利名稱：光電子器件的制作方法
光電子器件本專利申請要求德國專利申請102007061480. 4和德國專利申請102008011809. 5 的優(yōu)先權(quán)，它們的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。在公開文獻(xiàn)DE 10040448A1中描述了一種半導(dǎo)體芯片和一種用于在薄層技術(shù)中 制造半導(dǎo)體芯片的方法。在襯底上設(shè)置有由有源層序列和基層構(gòu)成的層復(fù)合結(jié)構(gòu)。此外， 將增強(qiáng)層和輔助承載層添加到層復(fù)合結(jié)構(gòu)，在脫離襯底之前將這些層以電鍍方式施加到基 層上。在被脫離的襯底一側(cè)上為了處理由層復(fù)合結(jié)構(gòu)形成的半導(dǎo)體芯片而層壓有膜。此外，由公開文獻(xiàn)DE 10234978A1已知了一種帶有半導(dǎo)體芯片和兩個(gè)外部端子 的、可表面安裝的半導(dǎo)體器件，其中外部端子安裝在膜上。本發(fā)明所基于的任務(wù)是提出一種光電子器件，其可以盡可能高效地被使用。該任務(wù)通過獨(dú)立權(quán)利要求的特征來解決。本發(fā)明的有利的擴(kuò)展方案在從屬權(quán)利要 求中表明。本發(fā)明的特征在于帶有至少一個(gè)金屬本體和層序列的光電子器件，該層序列施加 在基體上并且被構(gòu)造用于發(fā)射電磁輻射并且其中在至少一個(gè)側(cè)面上施加絕緣物，其中所述 至少一個(gè)金屬本體施加到絕緣物的至少一個(gè)區(qū)域上并且構(gòu)造為使得其與基體導(dǎo)熱接觸。在對光電子器件施加電流使得發(fā)射電磁輻射期間，通?？偸且伯a(chǎn)生熱，該熱尤其 是在光電子器件的情況下在大電流應(yīng)用中會(huì)導(dǎo)致較低的光產(chǎn)出以及降低的工作時(shí)間并且 甚至導(dǎo)致光電子器件的損毀。此外，高的熱生成會(huì)導(dǎo)致所發(fā)射的電磁輻射的波長推移并且 由此導(dǎo)致色度坐標(biāo)波動(dòng)?；w設(shè)計(jì)用于施加層序列，該層序列在施加以電流的情況下發(fā)射電磁輻射。在基 體上可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)層序列?；w通常構(gòu)造為散熱器并且特別適于將光電子器件的工 作期間產(chǎn)生的熱散發(fā)，使得相應(yīng)的光電子器件可以特別高效地工作。為了可以將熱特別良 好地散發(fā)到基體中，光電子器件包括至少一個(gè)金屬本體，其與基體導(dǎo)熱接觸。為了不由于金 屬本體而產(chǎn)生短路，在層序列的至少一個(gè)側(cè)面上施加絕緣物，該絕緣物優(yōu)選電絕緣地構(gòu)造 并且例如在光電子器件的切割期間保護(hù)層序列免受污染。金屬本體可以被分配給光電子器 件的一個(gè)或多個(gè)側(cè)面。通過這種方式，可以根據(jù)對相應(yīng)光電子器件的散熱要求將熱量特別 合適地散發(fā)并且特別高效地驅(qū)動(dòng)光電子器件。在一個(gè)有利的擴(kuò)展方案中，絕緣物構(gòu)造為絕緣層或者構(gòu)造為絕緣層序列。通過這種方式，可以特別可靠地保證在金屬本體和層序列之間的電絕緣。此外可 以借助絕緣層或借助絕緣層序列保證針對層序列污染的特別可靠的保護(hù)。在另一有利的擴(kuò)展方案中，絕緣層或者絕緣層序列具有鈍化層和/或至少一個(gè)空氣層。構(gòu)造為鈍化層的絕緣層或者絕緣層序列優(yōu)選電絕緣地被構(gòu)造，使得借助金屬本體 不會(huì)產(chǎn)生短路。此外，鈍化層例如在光電子器件的切割期間保護(hù)層序列免受污染?？諝鈱涌梢栽O(shè)置在鈍化層和層序列之間和/或在鈍化層和金屬本體之間，使得金 屬層與層序列電絕緣，從而可以可靠地避免短路。在另一有利的擴(kuò)展方案中，金屬本體構(gòu)造為金屬掩模。
在此，金屬掩模構(gòu)造為使得其具有用于光電子器件的相應(yīng)的層序列的凹部，使得 構(gòu)造為金屬掩模的金屬本體可以包括層序列。優(yōu)選的是，金屬掩模構(gòu)造為環(huán)形的金屬本體。 這樣其例如可以施加到層序列的相應(yīng)側(cè)面的、構(gòu)造為絕緣層或者絕緣層序列的絕緣物上， 使得在層序列中產(chǎn)生的熱可以特別良好地散發(fā)到基體上。優(yōu)選的是，金屬掩模可以具有多 個(gè)用于層序列的復(fù)合結(jié)構(gòu)的凹部并且由此同時(shí)被施加到層序列的復(fù)合結(jié)構(gòu)上，使得相應(yīng)的 光電子器件可以成本特別低廉地制造。在另一有利的擴(kuò)展方案中，金屬本體借助電鍍方法來制造。借助電鍍方法可以將金屬本體特別適合地施加到層序列的相應(yīng)的絕緣物上，使得 金屬本體與基體導(dǎo)熱接觸。通過這種方式，通過光電子器件的工作產(chǎn)生的熱可以被良好地 引出并且由此光電子器件可以特別高效地工作。在另一有利的擴(kuò)展方案中在層序列的背離基體的表面的至少一個(gè)區(qū)域上施加電 流分布結(jié)構(gòu)。電流分布結(jié)構(gòu)通常是至光電子器件的層序列的電耦合。電流分布結(jié)構(gòu)例如可以借 助光刻方法和/或電鍍方法施加到層序列的背離基體的表面上。在此，電流分布結(jié)構(gòu)被施 加到層序列的相應(yīng)表面上，使得例如在方形或者矩形的結(jié)構(gòu)中在光電子器件工作期間被輸 送的電流可以特別均勻地引入層序列中，使得光電子器件可以特別高效地工作。在層序列 的背離基體的表面上的這樣構(gòu)造的電流分布結(jié)構(gòu)特別適于用于高電流應(yīng)用的大面積的光 電子器件。在另一有利的擴(kuò)展方案中，所述至少一個(gè)金屬本體與電流分布結(jié)構(gòu)導(dǎo)電接觸并且 與電連接區(qū)域?qū)щ娊佑|用于電接觸光電子器件。通過進(jìn)一步將金屬本體用作在電流分布結(jié)構(gòu)和電連接區(qū)域之間的導(dǎo)電連接用于 電接觸光電子器件，可以成本特別低廉地制造該光電子器件。在此，借助金屬本體與層序列 的表面上的電流分布結(jié)構(gòu)耦合的電連接區(qū)域是光電子器件的第二電連接區(qū)域。第一電連接 區(qū)域通常被分配給層序列的朝向基本面的表面。在此，相應(yīng)的絕緣物優(yōu)選構(gòu)造為使得該絕 緣物電絕緣地設(shè)置在第一和第二電連接區(qū)域之間，從而避免短路。在另一有利的擴(kuò)展方案中，基體被構(gòu)造為陶瓷本體、鈍化的硅本體或者構(gòu)造為鈍 化的金屬本體?；w的這種構(gòu)造特別適于作為散熱器并且由此用于散發(fā)在光電子器件工作期間 產(chǎn)生的熱。包括構(gòu)造為散熱器的基體的、所制造的光電子器件在優(yōu)選的應(yīng)用中可以設(shè)置 為使得基體與由合適的導(dǎo)熱材料制成的其他本體耦合，使得光電子器件可以特別有效地工 作。通常，導(dǎo)電的基體借助合適導(dǎo)熱地構(gòu)造的鈍化層來涂敷，在該鈍化層上可以施加層序列 和/或電連接區(qū)域。在另一有利的擴(kuò)展方案中，所述至少一個(gè)金屬本體具有組成部分Au、Ag或者Ni至 少之一。這種材料特別適于散發(fā)熱量并且同時(shí)作為電導(dǎo)體。在金屬本體與基體合適地耦合 的情況下，光電子器件可以成本特別低廉地制造并且特別有效地工作。在另一有利的擴(kuò)展方案中，所述至少一個(gè)金屬本體構(gòu)造為反射器，用于將電磁輻 射反射到預(yù)先給定的發(fā)射方向。金屬本體可以構(gòu)造為層序列的殼體，使得借助其邊緣可以保證所發(fā)射的電磁輻射至預(yù)先給定的發(fā)射方向中的反射。通過這樣構(gòu)造金屬本體，可以特別有利地影響光電子器 件的發(fā)射特征。這樣構(gòu)造的光電子器件的特征在于成本低廉的制造和高的效率。在另一有利的擴(kuò)展方案中，光電子器件具有帶有至少一種發(fā)光材料的轉(zhuǎn)換層，該 轉(zhuǎn)換層施加到層序列的背離基體的表面的至少一個(gè)區(qū)域上，并且與所述至少一個(gè)金屬本體 導(dǎo)熱接觸。轉(zhuǎn)換層通常構(gòu)造為具有至少一種發(fā)光材料的發(fā)光轉(zhuǎn)換層。發(fā)光材料可以通過由光 電子器件發(fā)射的電磁輻射(其也可以被稱為初級電磁輻射)來激勵(lì)并且發(fā)射次級輻射。初 級輻射和次級輻射在此具有不同的波長范圍。所希望的得到的光電子器件色度坐標(biāo)例如可 以通過調(diào)節(jié)初級輻射和次級輻射的混合關(guān)系來調(diào)節(jié)。通常，轉(zhuǎn)換層具有至少一種選自硅樹 脂、硅氧烷、旋涂氧化物和可光結(jié)構(gòu)化材料的材料。所述至少一種發(fā)光材料例如作為有機(jī)發(fā) 光材料和/或部分作為納米顆粒存在。發(fā)光材料可以由于通過初級輻射的激勵(lì)(尤其是在UV初級輻射情況下)非常強(qiáng) 烈地被加熱并且由此強(qiáng)烈地加熱轉(zhuǎn)換層。通過金屬本體與這種轉(zhuǎn)換層的導(dǎo)熱耦合，在轉(zhuǎn)換 層中所產(chǎn)生的熱可以特別良好地輸送到構(gòu)造為散熱器的基體中并且由此特別有效地驅(qū)動(dòng) 光電子器件。此外，可以防止色度坐標(biāo)波動(dòng)并且由此特別有利地影響光電子器件的發(fā)射特 征。本發(fā)明的實(shí)施例在下面借助示意圖進(jìn)一步闡述。其中

圖1示出了光電子器件的示意性截面圖，圖2A、2B分別示出了光電子器件的另一示意性截面圖，圖3示出了光電子器件的示意性俯視圖，圖4示出了帶有金屬掩模的光電子器件的另一示意性截面圖，圖5示出了多個(gè)光電子器件的復(fù)合結(jié)構(gòu)的示意圖。在實(shí)施例和附圖中相同的或者作用相同的組成部分分別設(shè)置有相同的參考標(biāo)記。 所示的組成部分以及組成部分之間的大小關(guān)系不能視為合乎比例的。相反，附圖的一些細(xì) 節(jié)為了更好的理解而被夸大地示出。在圖1中示出了光電子器件10，其例如構(gòu)造為發(fā)光二極管。光電子器件10包括基 體11，基體11例如構(gòu)造為陶瓷本體或者鈍化的金屬本體或者鈍化的硅本體?；w11優(yōu)選 構(gòu)造為帶有小的熱阻的散熱器并且通常具有小的厚度，例如ΙΟΟμπι的厚度，由此可以實(shí)現(xiàn) 光電子器件的小的結(jié)構(gòu)高度。特別地，基體是膜?；w11用作用于層序列17的承載體，該 層序列被構(gòu)造用于在施加電流時(shí)發(fā)射電磁輻射。層序列17例如構(gòu)造為薄膜層。薄膜層例如基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料并且具有至少一個(gè)有源區(qū)，該有源區(qū)適 于發(fā)射電磁輻射。電磁輻射例如具有來自藍(lán)色和/或紫外光譜的波長。在此，層序列17通 常生長在單獨(dú)的生長襯底上，隨后從該生長襯底脫離以及施加到基體11上。所述脫離可以 借助激光脫離方法來進(jìn)行，如例如從WO 98/14986中所公開的那樣，其就此而言的內(nèi)容通 過引用結(jié)合于此?？商孢x地，所述脫離可以通過刻蝕或者其他合適的去除方法來進(jìn)行。氮化物化合物半導(dǎo)體材料是包含氮的化合物半導(dǎo)體材料，例如來自InxAlyGai_x_yN 系的材料，其中0 < χ < 1，0 < y < 1并且x+y < 1。薄膜層例如具有由氮化物化合物半導(dǎo) 體材料制成的至少一個(gè)半導(dǎo)體層。在層序列17的有源區(qū)中例如可以包含傳統(tǒng)的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)
5(SQW結(jié)構(gòu))或者多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW結(jié)構(gòu))。這些結(jié)構(gòu)對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的并且 因此這里不再詳細(xì)闡述。層序列17在其側(cè)面上具有構(gòu)造為絕緣層的絕緣物12，其例如構(gòu)造為鈍化層并且 具有例如Si02作為組成部分。此外，絕緣物12構(gòu)造為施加到層序列17上的漆層。絕緣物 12優(yōu)選具有電絕緣的特性，即特別高的電阻。構(gòu)造為鈍化層的絕緣物12可以直接與層序 列17的側(cè)面接觸?？商孢x地，層序列17可以在其側(cè)面上具有構(gòu)造為絕緣層序列的絕緣物 12。該絕緣物除了鈍化層之外還可以具有至少一個(gè)另外的層，例如為空氣層和/或漆層，其 例如設(shè)置在層序列17的側(cè)面和鈍化層之間。在層序列17和基體11之間設(shè)置有反射性的電接觸結(jié)構(gòu)18，該電接觸結(jié)構(gòu)18與第 一電連接區(qū)域13電耦合。在反射性的電接觸結(jié)構(gòu)18上，由反射層序列17所發(fā)射的電磁輻 射被反射。第一電連接區(qū)域13在另外的絕緣層12上被施加到基體11上，該另外的絕緣層 12例如構(gòu)造為鈍化層。然而，第一電連接區(qū)域13也可以沒有另外的絕緣物12地施加到基 體11上。層序列17借助反射性的電接觸結(jié)構(gòu)18焊接或者粘合到基體11上，其中基體11 優(yōu)選電絕緣地被構(gòu)造，即具有特別高的電阻?？商孢x地，層序列17也可以借助反射性的電 接觸結(jié)構(gòu)18和基體11之間的電絕緣的焊劑或者鈍化層來施加到其上。在層序列17的背離基體11的表面上施加有電流分布結(jié)構(gòu)14。該電流分布結(jié)構(gòu)通 常以金屬方式(于是例如由Au或者Ag制成)構(gòu)造在層序列17的表面上。通常，電流分布 結(jié)構(gòu)14以接觸接片的形式在層序列17的表面上延伸。優(yōu)選的是，接觸接片構(gòu)成多個(gè)矩形 或者方形的輪廓。特別優(yōu)選的是，多個(gè)矩形或者方形分別具有至少一個(gè)共同的側(cè)邊緣(在 圖1中未示出)，特別優(yōu)選的是甚至兩個(gè)共同的側(cè)邊緣。特別地，接觸接片可以構(gòu)成分別具 有共同的角點(diǎn)的多個(gè)方形和/或矩形的輪廓。電流分布結(jié)構(gòu)14被構(gòu)造用于在施加以電流的 情況下將電流均勻地引入層序列17中，以保證在層序列17中盡可能均勻的電流分布。借 助這種電流分布結(jié)構(gòu)14，可以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的光電子器件19的特別均勻的發(fā)射特征，特別是當(dāng) 該電流分布結(jié)構(gòu)特別大面積地、例如大于Imm2地構(gòu)造時(shí)。除了反射性的電接觸結(jié)構(gòu)18之外，在基體11上施加有第二電連接區(qū)域16，該第二 電連接區(qū)域借助金屬本體15與電流分布結(jié)構(gòu)14電耦合。金屬本體15施加在層序列17的 絕緣物12的至少一個(gè)區(qū)域上并且例如具有鈍化層。可替選地，金屬本體15也可以施加到 構(gòu)造為絕緣層序列的絕緣物12的至少一個(gè)區(qū)域上，該絕緣物例如具有鈍化層和空氣層。金 屬本體15例如借助電鍍方法施加到第二連接區(qū)域16和/或絕緣物12上。然而，基本上， 其他對于本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的用于施加金屬本體15的方法也可用。金屬本體15在此可 以直接施加到構(gòu)造為鈍化層的絕緣物12的至少一個(gè)區(qū)域上。在金屬本體15和鈍化層之間 也可以至少局部地設(shè)置另一層，即例如空氣層。金屬本體15通常包含Au、Ag或者Ni的組 成部分并且由此其特征在于低的熱阻以及低的電阻。金屬本體15借助第二連接區(qū)域16與 基體11導(dǎo)熱地耦合。例如，第一和第二電連接區(qū)域13和16或者通過使用模板來壓印或者整面地施加 并且隨后借助光刻以所希望的方式結(jié)構(gòu)化。優(yōu)選的是，第一和第二連接區(qū)域13和16由金 屬或者金屬化合物構(gòu)成。特別地，第一和第二連接區(qū)域13和16包含Au或者Ag。在光電子器件10的工作期間產(chǎn)生的熱可以垂直于層序列17地被導(dǎo)出到基體11中并且附加地借助金屬本體15橫向于層序列17地被導(dǎo)出至基體11中(參見箭頭19)。在 此，金屬本體15可以根據(jù)光電子器件10的相應(yīng)散熱要求體積或大或小地構(gòu)造。特別地，在 用于高電流應(yīng)用的光電子器件10的情況下(這些光電子器件例如具有Imm的邊緣長度并 且在3V至4V的供電電壓情況下例如需要IA的電流來驅(qū)動(dòng))，金屬本體15特別大體積地并 且大面積地與第二連接區(qū)域16耦合，以便將所產(chǎn)生的熱特別有效地散發(fā)給基體11。反射性的電接觸結(jié)構(gòu)18和第二電連接區(qū)域16借助絕緣物12彼此電絕緣，使得可 以避免在兩個(gè)連接區(qū)域之間的短路。基本上，光電子器件10也可以構(gòu)造為使得電流分布結(jié)構(gòu)14并不借助金屬本體15 與第二電連接區(qū)域16耦合。在這種構(gòu)型中，金屬本體15通常僅僅用于散熱并且由此也可 以直接施加到基體11上，使得保證了特別高的散熱。在圖2A中示出了光電子器件10的另一實(shí)施例，其帶有金屬本體15，該金屬本體構(gòu) 造為金屬邊，其將層序列17的所有四個(gè)側(cè)面包圍(在圖2A中僅僅示出了左邊和右邊的側(cè) 面)，其中金屬本體15并不與層序列17的背離基體11的表面上的電流分布結(jié)構(gòu)14電耦 合?？商孢x地，電流分布結(jié)構(gòu)14可以借助焊線與第二電連接區(qū)域16電耦合(未示出)，其 中焊線例如被分配給至少一個(gè)矩形或者方形的角點(diǎn)，其中該矩形或者方形的輪廓通過接觸 接片來構(gòu)造。特別地，焊線可以被分配給多個(gè)方形和/或矩形的共同的角點(diǎn)。通過金屬本 體15與層序列17的多個(gè)側(cè)面的導(dǎo)熱接觸，還可以提高至基體11中的橫向散熱的效率，其 中要注意的是，金屬本體15并未同時(shí)與第一和第二電連接區(qū)域13和16電耦合。光電子器件10的特征此外在于其包括構(gòu)造為發(fā)光轉(zhuǎn)換層的帶有至少一種發(fā)光材 料的轉(zhuǎn)換層20a。適于作為該發(fā)光材料例如是無機(jī)發(fā)光材料，其包括用稀土尤其是用Ce或 者Tb摻雜的石榴石，其優(yōu)選具有基本結(jié)構(gòu)A3B5O12,或者適于作為發(fā)光材料的例如是有機(jī)材 料，如二萘嵌苯發(fā)光材料。轉(zhuǎn)換層20a借助透明的中間層21與層序列17的背離基體11的表面耦合。通常， 透明的中間層構(gòu)造為鈍化層。透明的中間層21優(yōu)選導(dǎo)熱地、即具有小熱阻地被構(gòu)造，并且 此外導(dǎo)熱地與金屬本體15耦合。光電子器件10的這種構(gòu)造特別適于將層序列17的所產(chǎn) 生的熱散發(fā)并且將轉(zhuǎn)換層20a的發(fā)光材料所產(chǎn)生的熱(該熱在從初級輻射至次級輻射的轉(zhuǎn) 換中產(chǎn)生，尤其是在初級輻射在UV波長范圍中的情況下)導(dǎo)出至基體11。在另一有利的實(shí)施例中，金屬本體15被構(gòu)造和成形為使得其在金屬本體邊緣22 上(這些邊緣對應(yīng)于層序列17的被發(fā)射的電磁輻射的主發(fā)射方向)起反射作用并且由此 有利地影響光電子器件10的發(fā)射特征。金屬本體15是光電子器件10的殼體，附加的光學(xué)元件和/或?qū)印⒗鐜в猩涫?形特性的覆蓋層和/或光學(xué)透鏡可以施加到該殼體上。例如在圖2B中所示的實(shí)施例中，將轉(zhuǎn)換陶瓷20b施加在金屬本體15上。轉(zhuǎn)換陶 瓷尤其是一種基板，包括例如陶瓷作為基本材料，在該陶瓷中引入發(fā)光材料，該發(fā)光材料吸 收第一波長的初級輻射并且轉(zhuǎn)換為另外的不同于第一波長的波長的次級輻射。例如上提及 的無機(jī)材料適于作為發(fā)光材料。金屬本體15在圖2B的實(shí)施例中用作轉(zhuǎn)換陶瓷20b的支撐承載體。此外，可以有 利地通過金屬本體15將轉(zhuǎn)換陶瓷20b的發(fā)光材料產(chǎn)生的熱(該熱在從初級輻射至次級輻 射的轉(zhuǎn)換中產(chǎn)生，尤其是在初級輻射在UV波長范圍中的情況下)導(dǎo)出至基體11。
在轉(zhuǎn)換陶瓷20b和層序列17之間可以設(shè)置空氣?？諝饩哂械偷膶?dǎo)熱性，使得可以 實(shí)現(xiàn)在轉(zhuǎn)換陶瓷20b和層序列17之間的熱隔離?？商孢x地，轉(zhuǎn)換層20b可以相應(yīng)于圖2A 的實(shí)施例借助透明的中間層與層序列17的背離基體11的表面相連。此外，圖2B的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例一致。在圖3中示出了光電子器件10的俯視圖。在基體11上施加有光電子器件10的第 一和第二電連接區(qū)域13和16。第一電連接區(qū)域13與反射性的電接觸結(jié)構(gòu)18電耦合(未 示出)。第二電連接區(qū)域16借助金屬本體15與電流分布結(jié)構(gòu)14電耦合。電流分布結(jié)構(gòu) 14作為矩形結(jié)構(gòu)被施加到層序列17的背離基體的表面上，即例如借助電鍍方法來施加。借 助矩形地設(shè)置的電流分布結(jié)構(gòu)14，電流可以特別均勻地輸送給層序列17，以便尤其是在大 面積的光電子器件的情況下保證特別均勻的發(fā)射特征。電流分布結(jié)構(gòu)14可替選地也可以 方形地或者以同心方形的形式和/或帶有至少一個(gè)共同的角點(diǎn)的矩形地設(shè)置?；w15在三個(gè)側(cè)面上包圍層序列17并且由此保證了至基體11中的特別良好的 散熱。包圍層序列17的所有四個(gè)側(cè)面也是可能的。在圖4中示出了帶有層序列17和施加在其上的電流分布結(jié)構(gòu)14的另一光電子器 件10。圖4示出了另一實(shí)施例，其中金屬本體15不是被電鍍地施加，而是以構(gòu)造為金屬掩 模的方式施加到層序列17的絕緣物12上。構(gòu)造為金屬掩模的金屬本體15通常包括層序 列17形式的凹部并且可以直接施加(即例如焊接或者粘合)到層序列17的絕緣物12上。 構(gòu)造為金屬掩模的金屬本體15可以構(gòu)造為使得僅僅層序列17的側(cè)面分別以金屬本體15 覆蓋。金屬掩模也可以環(huán)形地被構(gòu)造，使得超過一個(gè)側(cè)面借助金屬本體15來覆蓋。當(dāng)金屬 掩模具有層序列17形式的多個(gè)凹部并由此光電子器件10的層序列17的復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)置在 例如帶有金屬本體15的共同的基體11上時(shí)，施加被構(gòu)造為金屬掩模的金屬本體15是特別 有利的。光電子器件的這種制造的成本特別低廉。在另一實(shí)施例中，光電子器件10可以構(gòu)造為使得第一電連接區(qū)域13借助非反射 性的電接觸結(jié)構(gòu)18與層序列的被分配給基體15的表面耦合。此外，基體11在層序列17 的區(qū)域中(圖4中的虛線)可以透明地、這樣例如可以借助玻璃或者借助層序列17形狀的 凹部來構(gòu)造，使得光電子器件10在背離基體11的發(fā)射方向上以及在朝向基體11的發(fā)射方 向上發(fā)射電磁輻射。在光電子器件10的這種構(gòu)型中也保證了熱橫向地借助金屬本體15被 導(dǎo)出至基體11中。在圖5中示出了在基體11上的多個(gè)光電子器件10的復(fù)合結(jié)構(gòu)。所示的光電子器 件10的每個(gè)都包括第一和第二電連接區(qū)域13和16。根據(jù)要求，各光電子器件10可以電連 接在一起，例如串聯(lián)。相應(yīng)的光電子器件10的電接觸例如可以借助光刻方法來進(jìn)行。構(gòu)造 為金屬掩模的金屬本體15也是可能的，該金屬本體15具有多個(gè)凹部用于光電子器件10的 復(fù)合結(jié)構(gòu)的所有層序列17。光電子器件10的每個(gè)都分別包括在構(gòu)造為絕緣層或者絕緣層序列的絕緣物12上 的金屬本體15。通過各光電子器件10的這種構(gòu)型，相應(yīng)的光電子器件10的所需面積特別 小，并且由此在預(yù)給定的基體11上的器件密度可以被設(shè)計(jì)得特別高?；旧?，金屬本體15 也可以環(huán)形地圍繞層序列17地被構(gòu)造。在圖5中所示的光電子器件10矩形地構(gòu)造。然而光電子器件10的其他形狀也是 可能的，例如矩形形狀或者圓形形狀。特別是考慮到最優(yōu)的散熱和/或最優(yōu)地利用基體11的預(yù)給定的面積來決定最合適地構(gòu)造何種形狀。 此外，在圖5中所示的光電子器件10的復(fù)合結(jié)構(gòu)可以裝配有附加的電子器件，例 如電容器、電阻和/或電感。附加的電子器件可以布置成為預(yù)先定的電路裝置用于控制光 電子器件，例如用于限流或者控制亮度。
權(quán)利要求
一種帶有至少一個(gè)金屬本體(15)和層序列(17)的光電子器件(10)，該層序列被施加在基體(11)上并且被構(gòu)造用于發(fā)射電磁輻射并且其中在至少一個(gè)側(cè)面上施加有絕緣物(12)，其中所述至少一個(gè)金屬本體(15)被施加到絕緣物(12)的至少一個(gè)區(qū)域上并且被構(gòu)造為使得其與該基體(11)導(dǎo)熱接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件(10)，其中所述絕緣物(12)被構(gòu)造為絕緣層或 者被構(gòu)造為絕緣層序列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電子器件(10)，其中所述絕緣層或者絕緣層序列具有鈍化 層和/或至少一個(gè)空氣層。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，其中所述至少一個(gè)金屬本 體(15)被構(gòu)造為金屬掩模(40)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，其中所述至少一個(gè)金屬本 體(15)借助電鍍方法來制造。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，其中在該層序列(17)的背 離基體(11)的表面的至少一個(gè)區(qū)域上施加有電流分布結(jié)構(gòu)(14)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電子器件(10)，其中所述至少一個(gè)金屬本體(15)與所 述電流分布結(jié)構(gòu)(14)導(dǎo)電接觸并且與電連接區(qū)域(16)導(dǎo)電接觸用于電接觸光電子器件 (10)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，其中該基體(11)被構(gòu)造為 陶瓷本體、鈍化的硅本體或者被構(gòu)造為鈍化的金屬本體。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，其中所述至少一個(gè)金屬本 體(15)具有組成部分Au、Ag或者Ni至少之一。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，其中所述至少一個(gè)金屬本 體(15)被構(gòu)造為反射器，用于將電磁輻射反射到預(yù)先給定的發(fā)射方向。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，所述光電子器件具有帶有 至少一種發(fā)光材料的轉(zhuǎn)換層(20a)，該轉(zhuǎn)換層被施加在所述層序列(17)的背離所述基體 (11)的表面的至少一個(gè)區(qū)域上，并且與所述至少一個(gè)金屬本體(15)導(dǎo)熱接觸。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件(10)，所述光電子器件具有帶有 至少一種發(fā)光材料的轉(zhuǎn)換陶瓷(20b)，該轉(zhuǎn)換陶瓷被施加在金屬本體(15)的背離基體(11) 的表面的至少一個(gè)區(qū)域上，并且與所述至少一個(gè)金屬本體(15)導(dǎo)熱接觸。
全文摘要
一種帶有至少一個(gè)金屬本體(15)和層序列(17)的光電子器件(10)，該層序列施加在基體(11)上并且構(gòu)造用于發(fā)射電磁輻射并且其中在至少一個(gè)側(cè)面上施加絕緣物(12)，其中所述至少一個(gè)金屬本體(15)施加到絕緣物(12)的至少一個(gè)區(qū)域上并且構(gòu)造為使得其與基體(11)導(dǎo)熱接觸。
文檔編號H01L33/44GK101904022SQ200880121702
公開日2010年12月1日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月20日
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