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具有硅化物光反射層的背面受光成像傳感器的制作方法

文檔序號(hào):6925783閱讀:225來源:國(guó)知局
專利名稱:具有硅化物光反射層的背面受光成像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及成像傳感器,尤其涉及但不限于背面受光成像傳感器。
背景技術(shù)
當(dāng)今,許多半導(dǎo)體成像傳感器是正面受光。亦即,它們包含構(gòu)建在一半導(dǎo)體晶 片的正面的成像陣列,其中光是自相同正面在成像陣列處被接收的。然而,正面受光成 像傳感器有許多缺點(diǎn),缺點(diǎn)之一是有限的填充因子。背面受光成像傳感器是正面受光成像傳感器的一替代物,其解決與正面受光相 關(guān)的填充因子問題。背面受光成像傳感器包含構(gòu)建在半導(dǎo)體晶片的正面的成像陣列,但 是透過該晶片的背面接收光。然而,為檢測(cè)來自背面的光,晶片必須非常地薄。為了 改良背面受光傳感器的靈敏度,彩色濾光片及微透鏡可被納入該晶片的背面。為了改良 靈敏度及減少串?dāng)_,晶片的厚度可被最優(yōu)化。然而,一般而言,靈敏度愈高導(dǎo)致串?dāng)_愈 高。亦即,隨著增加最終半導(dǎo)體晶片厚度,光可通過晶片更有效地收集。同時(shí),期望用 于像素的光可能具有到達(dá)不期望接收該光的其它像素的較高可能性(或較大機(jī)會(huì))。因 此,存在需要具有改良靈敏度的背面受光裝置,其減少串?dāng)_。


參考下述附圖描述本發(fā)明的非限制及非窮舉實(shí)施例,其中除非另有規(guī)定,全篇 各種視圖中同一參考數(shù)字是指同一部分。圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例繪示一背面受光成像傳感器的方塊圖;圖2是背面受光成像傳感器的成像像素的截面圖;及圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的背面受光成像傳感器的成像像素的截面圖。主要元件符號(hào)說明100背面受光成像傳感器105像素陣列110讀出電路115功能邏輯120控制電路200成像像素205半導(dǎo)體基板207 JEM209 背面210彩色濾光片
4
215微透鏡
220保護(hù)氧化物
225層間電介質(zhì)
230金屬堆棧
235光電二極管區(qū)域
240固定層
245金屬間介電層
250金屬間介電層
255傳輸柵極
260間隔物
265柵極氧化物
300成像像素
305硅化物光反射層
具體實(shí)施例方式本文描述一具有硅化物光反射層的背面受光成像傳感器的實(shí)施例。在下述描述 中陳述大量特定詳細(xì)數(shù)據(jù)以提供實(shí)施例的全面理解。然而,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到, 可在不使用特定詳細(xì)數(shù)據(jù)之一或多個(gè),或在使用其它方法、元件、材料等等下,實(shí)施本 文描述的技術(shù)。在其它實(shí)例中,為了避免某些方面不清楚,并未繪示或詳細(xì)描述已熟知 的結(jié)構(gòu)、材料或操作。此說明書中全篇參考「一個(gè)實(shí)施例」或「一實(shí)施例」意旨結(jié)合該實(shí)施例描述的 一特定特征、結(jié)構(gòu)或特性是包括于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此,此說明書的全篇 各處出現(xiàn)的詞組「在一個(gè)實(shí)施例中」或「在一實(shí)施例中」未必都是指同一實(shí)施例。而 且,特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任一適合方式組合在一或多個(gè)實(shí)施例中。圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例繪示一背面受光成像傳感器100的方塊圖。成像傳 感器100的繪示實(shí)施例包含像素陣列105、讀出電路110、功能邏輯115及控制電路120。像素陣列105是背面受光成像傳感器或像素(例如,像素Pl,P2···,Pn)的二 維(〃 2D")陣列。在一實(shí)施例中,每一像素是有源像素傳感器(〃 APS"),諸如互補(bǔ) 金屬氧化物半導(dǎo)體(“CMOS")成像像素。如圖所示,每一像素被配置成列(例如, 列Rl至Ry)及行(例如,行Cl至Cx)以獲取人物、位置或?qū)ο蟮膱D像數(shù)據(jù),然后它們 可用以呈現(xiàn)人物、位置或?qū)ο蟮?D圖像。在每一像素已獲取其圖像數(shù)據(jù)或圖像電荷之后,圖像數(shù)據(jù)被讀出電路110讀出 且傳輸至功能邏輯115。讀出電路110可包含放大電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路或其它。功能邏 輯115可簡(jiǎn)單儲(chǔ)存圖像數(shù)據(jù)或甚至通過應(yīng)用后置圖像效果來操縱該圖像數(shù)據(jù)(例如,裁 剪、旋轉(zhuǎn)、移除紅眼、調(diào)整亮度、調(diào)整對(duì)比度或其它)。在一實(shí)施例中,讀出電路110可 沿著(有示出)讀出行線一次讀出一行圖像數(shù)據(jù)或可使用各種其它技術(shù)(沒有示出)讀出 圖像數(shù)據(jù),諸如同時(shí)串行讀出或完全并行讀出全部像素??刂齐娐?20被耦合至像素陣列105以控制像素陣列105的運(yùn)行特性。例如, 控制電路120可產(chǎn)生一快門信號(hào)用以控制圖像獲取。
5
圖2是背面受光成像傳感器的成像像素200的截面圖。成像像素200的繪示 實(shí)施例包含半導(dǎo)體層(亦即,半導(dǎo)體基板205)、彩色濾光片210、微透鏡215、保護(hù)氧 化物220、層間電介質(zhì)225,及金屬堆棧230。半導(dǎo)體基板205繪示為包含淺溝槽隔離 (“STI")、光電二極管區(qū)域235、浮動(dòng)擴(kuò)散(“FD"),及固定層240。金屬堆棧230 繪示為包含金屬互連層Ml及M2及金屬間介電層245及250。圖2中亦繪示傳輸柵極 255,側(cè)壁間隔物260及柵極氧化物265已被耦合至傳輸柵極255。在圖2繪示的實(shí)施例中,光電二極管區(qū)域235被形成在半導(dǎo)體基板205的正面 207上且經(jīng)配置以接收來自背面209的光。光電二極管區(qū)域235被繪示作為經(jīng)由任選的 固定層240的固定光電二極管。在一實(shí)施例中,光電二極管區(qū)域235可為非固定的光電 二極管或部分固定的光電二極管。此外,光電二極管區(qū)域235可為任一光敏元件,諸如 一光間或光電容器。而且,本文使用的術(shù)語“像素”意指包含所有像素設(shè)計(jì),包含CCD 像素。耦合至背面209的是任選的彩色濾光片210以實(shí)施彩色傳感器及微透鏡215,以 使光聚焦到光電二極管區(qū)域235上。耦合至正面207的是保護(hù)氧化物220及層間電介質(zhì) 225。在一實(shí)施例中,層間電介質(zhì)225是二氧化硅。亦被納入成像像素200中的是傳輸 柵極255,傳輸柵極255被耦合以傳輸累積在光電二極管區(qū)域235的電荷至浮動(dòng)擴(kuò)散FD。 在一實(shí)施例中,傳輸柵極255是多晶硅結(jié)構(gòu)。如圖2中繪示,成像像素200包含金屬堆棧230。金屬堆棧230的繪示實(shí)施例包 含通過金屬間介電層245及250分離的兩個(gè)金屬層Ml及M2。盡管圖2繪示兩層金屬堆 棧,但是金屬堆棧230可包含更多或更少金屬層,用于將信號(hào)路由至基板205的正面207 上。在一實(shí)施例中,金屬互連層Ml及M2是諸如鋁、銅或其它合金的金屬。在一實(shí)施 例中,經(jīng)由濺射、準(zhǔn)直濺射、低壓濺射、反應(yīng)性濺射、電鍍、化學(xué)氣相沉積或蒸發(fā)而形 成金屬互連層Ml及M2。在一實(shí)施例中,傳輸柵極255及浮動(dòng)擴(kuò)散FD經(jīng)過一個(gè)洞、通 孔或其它連接構(gòu)件(沒有顯示)透過保護(hù)氧化物220及層間電介質(zhì)225被電耦合至一或 多個(gè)金屬互連層Ml及M2。在一實(shí)施例中,鈍化層(沒有顯示)被沉積在金屬堆棧230 上。操作期間,微透鏡215接收入射光,其透過彩色濾光片210使光聚焦至背面209 且透過基板205通過光電二極管區(qū)域235接收光。響應(yīng)于接收的光而產(chǎn)生電子空穴對(duì)。 然后,電子被收集在光電二極管區(qū)域235,傳輸至浮動(dòng)擴(kuò)散(FD),且轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。然 而,從圖2可見,在光電二極管區(qū)域235接收的光的一部分可透過基板205的正面207繼 續(xù)傳播。在一些實(shí)例中,此光繼續(xù)進(jìn)入一或多個(gè)金屬間介電層(例如,245及250)且通 過金屬層(例如,Ml及M2)反射回來朝向不同(例如,鄰近)像素,其中響應(yīng)于這個(gè)不 同像素中的反射光,產(chǎn)生一電信號(hào)。光以此方式反射回至一鄰近或不同的像素,此處稱 為「光串?dāng)_」且增加噪聲及降低由像素陣列產(chǎn)生的合成圖像中的質(zhì)量。在一實(shí)例中,像素200經(jīng)配置以經(jīng)由彩色濾光片210基本上只接收紅色頻率范圍 的光,該彩色濾光片210是紅色彩色濾光片。鄰近像素(沒有顯示)可經(jīng)類似配置以經(jīng)由 綠色彩色濾光片基本上只接收綠色頻率范圍的光。在此實(shí)例中,光被接收在微透鏡215, 然后通過彩色濾光片210過濾成紅色光,然后其中紅色光透過基板205傳播至光電二極管 區(qū)域235。然后,在光電二極管區(qū)域235產(chǎn)生一代表接收的紅色光的電信號(hào)。然后,紅色光的一部分透過正面207繼續(xù)傳播且被反射離開金屬互連層Ml朝向鄰近像素。現(xiàn)在, 在鄰近像素中,不僅響應(yīng)于通過對(duì)應(yīng)綠色彩色濾光片的綠色光,而且亦響應(yīng)于自像素200 反射的紅色光,而產(chǎn)生電信號(hào)。因此,通過像素陣列產(chǎn)生的合成圖像可能具有由于此光 串?dāng)_而產(chǎn)生的不準(zhǔn)確的色值。亦即,鄰近像素由于組合的綠色光及反射的紅色光可輸出 一較高值。額外光串?dāng)_可能是由光被反射離開其它金屬互連層,諸如M2而產(chǎn)生。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的背面受光成像傳感器的成像像素300的截面圖。成 像像素300是圖1顯示的像素陣列105的至少一個(gè)像素之一的可能的實(shí)現(xiàn)方式。成像像素 300的繪示實(shí)施例包含半導(dǎo)體基板205、彩色濾光片210、微透鏡215、保護(hù)氧化物220、 層間電介質(zhì)225、金屬堆棧230,及硅化物光反射層305。如圖3所顯示,成像像素300包含沉積在金屬堆棧230與半導(dǎo)體基板205的正面 207之間的硅化物光反射層305。為了減少光串?dāng)_,硅化物光反射層305是經(jīng)配置以將透 過光電二極管區(qū)域235繼續(xù)傳播的光反射回后到達(dá)同一光電二極管區(qū)域235上。在一實(shí) 施例中,硅化物光反射層305被沉積在保護(hù)氧化物220之上。保護(hù)氧化物220可被事先 形成為一相對(duì)薄的厚度,使得硅化物光反射層305非常接近光電二極管區(qū)域235以便確保 透過光電二極管區(qū)域235傳播的光被反射回到同一光電二極管區(qū)域235上而不反射到鄰近 像素上。在一實(shí)施例中,硅化物光反射層305被沉積在光電二極管區(qū)域235之上而不是 沉積在浮動(dòng)擴(kuò)散FD或傳輸柵極255之上。在一實(shí)施例中,硅化物光反射層305是一層硅化物。在此實(shí)施例,硅化物層是 在保護(hù)氧化物220沉積到半導(dǎo)體基板205的正面207上之后形成。首先,一薄層多晶硅 被沉積在保護(hù)氧化物220上。在一實(shí)施例中,多晶硅層的厚度在10納米與100納米之 間。在一實(shí)施例中,然后執(zhí)行光蝕刻步驟以自除光電二極管區(qū)域235上外的其它各處移
除多晶硅層。在一實(shí)施例中,多晶硅層的沉積是經(jīng)配置以減少沿著晶體管間隔物側(cè)壁(例 如,間隔物260)的多晶硅沉積。例如,多晶硅層的沉積可被配置成更多各向異性而不是 各向同性,且后續(xù)選擇性蝕刻可包含大量過度蝕刻。保護(hù)氧化物220可充作多晶硅層蝕 刻的蝕刻停止層。因此,保護(hù)氧化物220的厚度可能需要經(jīng)配置以調(diào)節(jié)多晶硅層的這種 過度蝕刻。在多晶硅層的圖案化之后,保護(hù)氧化物220可被圖案化及蝕刻以用于成像像素 300的可能期望被硅化的其它區(qū)域。然后,繼一典型CMOS處理流程之后形成硅化物。 例如,可通過共同蒸發(fā)、濺射或真空沉積緊接著熱退火的方法而形成或沉積該硅化物。 這些方法可產(chǎn)生硅化物光反射層305,其是自一金屬與多晶硅反應(yīng)產(chǎn)生以形成硅化物,或 另一選擇為,硅化物光反射層305可為共同沉積的金屬及硅的混合物。在一實(shí)例中,硅 化物光反射層305可通過硅化物化(salicidation)的自對(duì)準(zhǔn)方法形成。在一實(shí)施例中,硅化物光反射層305是一層硅化鎢。在此實(shí)施例中,硅化鎢層 經(jīng)由物理氣相沉積方法非保形地沉積在保護(hù)氧化物220上。因此,在此實(shí)施例中,硅化 物光反射層305可在典型的硅化物化步驟之后沉積,為成像像素300的制造方法提供更多 彈性。在其它實(shí)施例中,硅化物光反射層305是一層硅化鈦或硅化鈷。在成像像素300的操作中,微透鏡215接收入射光,微透鏡215使光穿過彩色濾 光片210而聚焦至背面209且該光將穿過基板205而由光電二極管區(qū)域235予以接收。然
7后,響應(yīng)于接收的光而在光電二極管區(qū)域235中產(chǎn)生電信號(hào),其中這些電信號(hào)是透過金 屬堆棧230的一或多個(gè)金屬層進(jìn)行路由的。如先前實(shí)例,光電二極管區(qū)域235接收的光 的一部分可透過基板205的正面207繼續(xù)傳播。然而,因?yàn)榘杌锕夥瓷鋵?05,光 被反射回至同一光電二極管區(qū)域235而不是一鄰近像素。然后,響應(yīng)于此反射光而在同 一光電二極管區(qū)域235產(chǎn)生電信號(hào)。因此,在緊密接近半導(dǎo)體基板的正面207處包含硅 化物光反射層305實(shí)質(zhì)上防止在光電二極管區(qū)域接收的光反射到另一光電二極管區(qū)域, 藉此減少上文討論的光串?dāng)_。此外,硅化物光反射層305可通過將已經(jīng)通過光電二極管 區(qū)域235的光反射回至同一光電二極管區(qū)域而增加光電二極管區(qū)域235的靈敏度。本發(fā)明的繪示實(shí)施例的上述描述,包含摘要中的描述,不期望窮舉或?qū)⒈景l(fā)明 限于揭示的精確形式。同時(shí),本文描述的本發(fā)明的特定實(shí)施例及實(shí)例是為說明的目的, 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種修改。根據(jù)上述詳細(xì)描述,可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行這些修改。用于下述權(quán)利要求書中的術(shù)語 不應(yīng)看作將本發(fā)明限于說明書中揭示的特定實(shí)施例。確切而言,本發(fā)明的范圍全部通過 權(quán)利要求書決定,應(yīng)根據(jù)權(quán)利要求的解釋的建立原則解讀這些權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種背面受光成像傳感器,包含半導(dǎo)體層,其具有正面及背面,該半導(dǎo)體層具有成像像素,該成像像素包含形成于 該半導(dǎo)體層內(nèi)的光電二極管區(qū)域;金屬互連層,其電耦合至該光電二極管區(qū)域;及硅化物光反射層,其設(shè)置在該金屬互連層與該半導(dǎo)體層的正面之間,其中該光電二 極管區(qū)域接收來自該半導(dǎo)體層的背面的光,其中接收的光的一部分透過該光電二極管區(qū) 域傳播至該硅化物光反射層,其中該硅化物光反射層是經(jīng)配置以反射來自該光電二極管 區(qū)域的接收的光的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其進(jìn)一步包含保護(hù)氧化物,該保護(hù)氧化 物被沉積在該硅化物光反射層與該半導(dǎo)體層的正面之間。
3.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該硅化物光反射層被直接設(shè)置在該 保護(hù)氧化物之上,其中該硅化物光反射層接近該光電二極管區(qū)域以將來自該光電二極管 區(qū)域的接收的光的一部分反射回至該光電二極管區(qū)域上。
4.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該硅化物光反射層經(jīng)配置以基本上 防止來自該光電二極管的接收的光的一部分被反射到鄰近的光電二極管區(qū)域上。
5.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其進(jìn)一步包含介電層,該介電層被設(shè)置 在該硅化物光反射層與該金屬互連層之間。
6.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該成像像素進(jìn)一步包含浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域,其形成在該半導(dǎo)體層的正面上;及傳輸柵極,其耦合在該光電二極管區(qū)域與該浮動(dòng)擴(kuò)散之間;其中該硅化物光反射層 被設(shè)置在該光電二極管區(qū)域之上而不是在該浮動(dòng)擴(kuò)散與傳輸柵極之上。
7.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該硅化物光反射層是一層硅化鎢。
8.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該成像像素是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體(“CMOS")背面受光成像像素。
9.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該硅化物光反射層是一層多晶硅的 硅化物。
10.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該硅化物光反射層是選自由硅化 鈦及硅化鈷組成的組中的一層材料。
11.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其進(jìn)一步包含微透鏡,其被設(shè)置在該光電二極管區(qū)域之下的半導(dǎo)體層的背面上且經(jīng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)以使 光透過該半導(dǎo)體層的背面聚焦到該光電二極管區(qū)域上;及彩色濾光片,其被設(shè)置在該微透鏡與該光電二極管區(qū)域之間以對(duì)光進(jìn)行濾光處理。
12.如權(quán)利要求1所述的背面受光成像傳感器,其中該硅化物光反射層是硅化物的自 對(duì)準(zhǔn)層。
13.—種方法,包含在半導(dǎo)體層的背面接收光學(xué)信號(hào);透過該半導(dǎo)體層傳輸該光學(xué)信號(hào)至該半導(dǎo)體層內(nèi)所形成的成像像素的光電二極管區(qū)域;用該光電二極管區(qū)域響應(yīng)于該光學(xué)信號(hào)而產(chǎn)生電信號(hào),其中該光學(xué)信號(hào)的一部分透過該光電二極管區(qū)域而傳播至該半導(dǎo)體層的正面;及使用設(shè)置在金屬互連層與該半導(dǎo)體層的正面之間的硅化物光反射層來反射透過該光 電二極管區(qū)域而傳播的光學(xué)信號(hào)的一部分。
14.如權(quán)利要求13所述的方法,其中使用該硅化物光反射層來反射光學(xué)信號(hào)的一部分 包含將光學(xué)信號(hào)的一部分反射到光電二極管區(qū)域上。
15.如權(quán)利要求12所述的方法,其中該成像像素是像素陣列的多個(gè)成像像素之一,其 中每一個(gè)成像像素包含光電二極管區(qū)域,其中該硅化物光反射層經(jīng)配置以基本上防止從 一個(gè)光電二極管區(qū)域接收到的光學(xué)信號(hào)的一部分被反射到另一個(gè)光電二極管區(qū)域上。
16.如權(quán)利要求15所述的方法,其中該硅化物光反射層是一層多晶硅的硅化物。
17.—種成像傳感器,包含半導(dǎo)體層,其具有正面及背面,該半導(dǎo)體層具有背面受光成像像素陣列,其中每一 個(gè)成像像素包含光電二極管區(qū)域,其形成在該半導(dǎo)體層內(nèi);金屬互連層,其電耦合至該光電二極管區(qū)域;及硅化物光反射層,其被設(shè)置在該金屬互連層與該半導(dǎo)體層的正面之間,其中該光電 二極管區(qū)域接收來自該半導(dǎo)體層的背面的光,其中接收的光的一部分透過該光電二極管 區(qū)域而傳播至該硅化物光反射層,其中該硅化物光反射層是經(jīng)配置以反射來自該光電二 極管區(qū)域的接收的光的一部分。
18.如權(quán)利要求17所述的成像傳感器,其進(jìn)一步包含保護(hù)氧化物,該保護(hù)氧化物被設(shè) 置在該硅化物光反射層與該半導(dǎo)體層的正面之間。
19.如權(quán)利要求17所述的成像傳感器,其進(jìn)一步包含介電層,該介電層被設(shè)置在該硅 化物光反射層與該金屬互連層之間。
20.如權(quán)利要求17所述的背面受光成像傳感器,其中每一個(gè)成像像素進(jìn)一步包含浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域,其形成在該半導(dǎo)體層的正面上;及傳輸柵極,其耦合在該光電二極管區(qū)域與該浮動(dòng)擴(kuò)散之間;其中該硅化物光反射層 被設(shè)置在該光電二極管區(qū)域之上而不是在該浮動(dòng)擴(kuò)散與傳輸柵極之上。
21.如權(quán)利要求17所述的成像傳感器,其中每一個(gè)成像像素是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (“CMOS")背面受光成像像素。
22.如權(quán)利要求17所述的成像傳感器,其中該硅化物光反射層是一層多晶硅的硅化物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種背面受光成像傳感器,其包含半導(dǎo)體層、金屬互連層及硅化物光反射層。半導(dǎo)體層具有正面及背面。包含光電二極管區(qū)域的成像像素形成在半導(dǎo)體層內(nèi)。金屬互連層被電耦合至光電二極管區(qū)域,且硅化物光反射層被耦合在金屬互連層與半導(dǎo)體層的正面之間。操作中,光電二極管區(qū)域接收來自半導(dǎo)體層的背面的光,其中所接收光的一部分透過光電二極管區(qū)域傳播至硅化物光反射層。該硅化物光反射層是經(jīng)配置以反射來自光電二極管區(qū)域的所接收光部分。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102017148SQ200880126427
公開日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2008年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月8日
發(fā)明者D·毛, H·E·羅茲, V·韋內(nèi)齊亞, 戴幸志 申請(qǐng)人:美商豪威科技股份有限公司
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