專利名稱：基板載置臺、基板處理裝置和被處理基板的溫度控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有靜電卡盤的半導(dǎo)體晶片等的基板的載置臺，涉 及能夠消除由靜電卡盤的供電線周圍的熱傳導(dǎo)的特異性而造成的基板 溫度不均勻的基板載置臺，具有該載置臺的基板處理裝置以及被處理 基板的溫度控制方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片等的基板處理裝置中，為了保持固定基板，大多使用 靜電卡盤。對于靜電卡盤，由電介體構(gòu)成基板的載置臺表面，在其正 下方埋入金屬性質(zhì)的電極板，對該電極板施加直流高電壓，通過庫侖 力或約翰遜 拉別克力吸附并保持基板。
此外，在等離子體處理裝置中，為了使作為被處理基板的晶片從上 方受熱，由熱傳導(dǎo)率高的材料例如金屬構(gòu)成基板載置臺，其內(nèi)部設(shè)置 有冷卻介質(zhì)流路，對載置臺進(jìn)行冷卻，并且向載置臺和晶片背面的間
隙導(dǎo)入He氣體等熱傳導(dǎo)用氣體，促進(jìn)晶片的冷卻。
為了從電源供給施加電壓，在靜電卡盤的電極板上安裝有供電線。 該供電線具有下述情形例如以下述專利文獻(xiàn)1所記載的方式設(shè)置在 載置臺中央部的情形，例如以下述專利文獻(xiàn)2所記載的方式設(shè)置在載 置臺周緣部的情形。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2000—317761號公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2001—274228號公報(bào)
由于施加給靜電卡盤的電極板的電壓是高電壓，因而供電線的周圍 必須由絕緣材料構(gòu)成。通常，由于絕緣材料的熱傳導(dǎo)率低，因而會產(chǎn) 生因供電線周圍的絕緣材料部分和其以外的高熱傳導(dǎo)率材料的部分， 從基板向載置臺的傳熱量不同這樣的問題。即，供電線的周圍向冷卻 介質(zhì)的傳熱量減少，載置臺表面的溫度變高。由此，從基板向載置臺 的傳熱量減少，使基板溫度比其它部分的高。因此，在進(jìn)行等離子體蝕刻等處理時(shí)，會在供電線的周圍和其它部分產(chǎn)生蝕刻等處理特性的 差異，優(yōu)選沒有這些差異。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種基板載置臺和溫度控制方法，在 進(jìn)行等離子體處理的減壓腔室內(nèi)，對于通過靜電卡盤吸附保持被處理 基板的基板載置臺，在靜電卡盤的供電線周圍和其它部分，能夠?qū)?自基板的傳熱量控制在期望值，使基板的整體溫度大致均勻。
為了解決上述問題，本發(fā)明的基板載置臺的特征在于包括設(shè)置在 對基板進(jìn)行等離子體處理的處理腔室內(nèi)、供電線周圍由絕緣材料構(gòu)成 的供電部和設(shè)置在內(nèi)部的冷卻介質(zhì)流路的基板載置臺，該基板載置臺 設(shè)置有將上述載置臺的基板載置面?zhèn)确指舫啥鄠€區(qū)域的凸部；將冷 卻氣體導(dǎo)入到由上述凸部所分隔的區(qū)域中的導(dǎo)入口；和調(diào)節(jié)上述冷卻 氣體的壓力或流量的調(diào)節(jié)單元。
該載置臺也可以分別在由上述凸部所分隔的多個區(qū)域中形成包括 上述冷卻氣體的導(dǎo)入口和排出口的氣體流路。
此外，在該載置臺中，優(yōu)選上述區(qū)域的面積越靠近上述供電線中心 的區(qū)域越小。
上述供電部也可以在上述基板載置臺的中心部。在這種情況下，也 可以形成以規(guī)定的半徑呈同心圓狀地將上述供電部的周圍分隔成多個 區(qū)域的凸部。
在基板載置臺的周緣部也可以具有至少一個以上的上述供電部。在 這種情況下，也可以形成以規(guī)定的半徑呈同心圓狀地將上述供電部的 周圍分隔成至少一個以上的區(qū)域的凸部。此外，上述凸部也可以以上 述供電部的中心作為中心軸形成為同心圓狀。
本發(fā)明的被處理基板的溫度控制方法的特征在于:該溫度控制方法 是被載置在基板載置臺上的被處理基板的溫度控制方法，其中，所述 基板載置臺包括設(shè)置在對基板進(jìn)行等離子體處理的處理腔室內(nèi)、供電 線周圍由絕緣材料構(gòu)成的供電部和設(shè)置在內(nèi)部的冷卻介質(zhì)流路，在該 方法中，在上述載置臺的基板載置面?zhèn)刃纬蓪⑸鲜龉╇娋€周圍分隔成 多個區(qū)域的凸部，將冷卻氣體分別導(dǎo)入到由上述凸部所分隔的多個區(qū)域，通過調(diào)節(jié)供給至上述區(qū)域的上述冷卻氣體的壓力或流量來調(diào)節(jié)被 處理基板的溫度。
在該溫度控制方法中，優(yōu)選使所述區(qū)域的面積比其外側(cè)區(qū)域的面積 小來調(diào)整被處理基板的溫度。
此外，優(yōu)選形成以上述供電部作為中心、以規(guī)定的半徑呈同心圓狀 地將上述供電部的周圍分隔成多個區(qū)域的凸部來調(diào)整被處理基板的溫 度。
此外，本發(fā)明包括具有上述基板載置臺的基板處理裝置。 根據(jù)本發(fā)明，能夠消除設(shè)置于載置臺的靜電卡盤的供電線周圍的傳
熱特異狀態(tài)，能夠使載置臺上的基板的溫度均勻，提高被處理基板的品質(zhì)。


圖1是表示在本發(fā)明的實(shí)施中所使用的等離子體處理裝置(等離子 體蝕刻裝置)的簡要構(gòu)成圖。
圖2是表示在本發(fā)明的一個實(shí)施例中的基座上部的結(jié)構(gòu)圖。 圖3是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施例中的基座上部的結(jié)構(gòu)圖。 圖4是表示在本發(fā)明的第三實(shí)施例中的基座上部的結(jié)構(gòu)圖。 圖5是基座上部的傳熱解析條件及其結(jié)果的說明圖。 圖6是表示實(shí)際的基座表面溫度分布和與其對應(yīng)的區(qū)域分割的方 案的說明圖。
圖7是表示估算冷卻氣體的壓力和基板溫度的關(guān)系的結(jié)果的例子 的示意圖。 符號說明
1腔室；2基座(載置臺)；3筒狀保持部；4筒狀支撐部；5 聚焦環(huán)；6排氣流路；7緩沖板；8排氣管；9排氣裝置；10搬 入搬出口； 11門閥；12直流高壓電源；13供電線；14絕緣部 件；15噴淋頭；16靜電卡盤；17內(nèi)部電極；18冷卻介質(zhì)流路； 19冷卻介質(zhì)單元；20、 20a、 20b配管；21周緣環(huán)狀凸部；22 冷 卻氣體供給部；23a、 23b、 23c氣體供給管；24 電極板；25 電極 支撐體；26緩沖室；27氣體導(dǎo)入口； 28處理氣體供給部；29氣體導(dǎo)入管；30環(huán)形磁石；31、 31a、 31b 內(nèi)部環(huán)狀凸部；32、 32a、 32b 內(nèi)側(cè)區(qū)域；33 外側(cè)區(qū)域；34 電介質(zhì)層；35a、 35b、 35c 氣 體排出管；36流量調(diào)節(jié)閥；37壓力計(jì)；W基板(半導(dǎo)體晶片)
具體實(shí)施例方式
下面，參照實(shí)施例的附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明。圖1表示在本發(fā)明的 實(shí)施中所使用的等離子體處理裝置(等離子體蝕刻裝置)整體的簡要 構(gòu)成圖。在圖1中，腔室1由例如鋁、不銹鋼等材料構(gòu)成，呈能夠氣 密(氣體密封)地密閉內(nèi)部的圓筒形。該腔室l與地接地連接。
在腔室1的內(nèi)部設(shè)置有載置被處理基板例如半導(dǎo)體晶片W的載置 臺(下面稱為"基座")2。圖1所示的基座2用作通過與半導(dǎo)體晶片 W接觸進(jìn)行熱交換來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體晶片W的溫度的熱交換板?；?由 鋁等導(dǎo)電性和熱傳導(dǎo)性好的材料構(gòu)成，并兼作下部電極。
基座2被支撐在陶瓷等絕緣性的筒狀保持部3上。筒狀保持部3 被支撐在腔室1的筒狀支撐部4上。在筒狀保持部3的上面配置有環(huán) 狀地圍繞基座2的上面的、由石英等構(gòu)成的聚焦環(huán)5。
在腔室1的側(cè)壁與筒狀支持部4之間形成有環(huán)狀的排氣流路6。在 該排氣流路6的入口處或途中安裝有環(huán)狀的緩沖板7。排氣流路6的底 部通過排氣管8與排氣裝置9連接。排氣裝置9具有真空泵，能夠?qū)?腔室1內(nèi)的空間減壓至規(guī)定的真空度。在腔室1的側(cè)壁上安裝有用于 打開關(guān)閉半導(dǎo)體晶片W的搬入搬出口 IO的門閥11。
用于等離子體生成的高頻電源通過整流器和供電棒(都沒有圖示 出)與基座2電連接。高頻電源將例如40 MHz的高頻率的高頻電力供 給至由基座2兼作的下部電極。在腔室1的頂部設(shè)置有噴淋頭15作為 上部電極。利用來自于高頻電源的高頻電力，在基座2和噴淋頭15之 間生成等離子體。
此外，將等離子體中的離子引向半導(dǎo)體晶片W的偏壓用高頻電源 通過整流器和供電棒(都沒有圖示出)與基座2連接。偏壓用高頻電 源向基座2供給例如12.88 MHz、 3.2MHZ等略低頻率的高頻電力。
在基座2的上面設(shè)置有用于利用靜電吸附力保持半導(dǎo)體晶片W的 由陶瓷等介電體構(gòu)成的靜電卡盤16。在靜電卡盤16的內(nèi)部埋入設(shè)置有由導(dǎo)電體例如銅、鎢等導(dǎo)電膜構(gòu)成的內(nèi)部電極17。內(nèi)部電極17通過供 電線13與高電壓例如2500V、 3000V等的直流高壓電源12電連接。 當(dāng)從直流高壓電源12向內(nèi)部電極17施加直流高電壓時(shí)，通過庫侖力 或約翰遜 拉別克力將半導(dǎo)體晶片W吸附并保持在靜電卡盤16上。
在2基座的內(nèi)部設(shè)置有冷卻介質(zhì)流路18。從冷卻介質(zhì)單元19通過 配管20向該冷卻介質(zhì)流路18循環(huán)供給例如冷水。
在靜電卡盤16的邊緣設(shè)置有周緣環(huán)狀凸部21，在靜電卡盤16的 表面與半導(dǎo)體晶片W的背面之間形成有間隙。該間隙通過在供電線13 的周圍以規(guī)定半徑設(shè)置的內(nèi)部環(huán)狀凸部31而被劃分成內(nèi)側(cè)區(qū)域32和 外側(cè)區(qū)域33。來自于冷卻氣體供給部22的冷卻氣體例如He氣體通過 氣體供給管23a被供給至內(nèi)側(cè)區(qū)域32，通過氣體供給管23b被供給至 外側(cè)區(qū)域33。通過改變該冷卻氣體的壓力，能夠得到任意控制靜電卡 盤16、即基座2與半導(dǎo)體晶片W之間的熱傳導(dǎo)程度的效果。該方面為 本發(fā)明的發(fā)明點(diǎn)，在下面將詳細(xì)進(jìn)行說明。
噴淋頭15包括具有多個氣體通氣孔的下電極板24;和可裝卸地 支撐該電極板24的電極支撐體25。在電極支撐體25的內(nèi)部設(shè)置有緩 沖室26，該緩沖室26的氣體導(dǎo)入口 27與來自處理氣體供給部28的氣 體導(dǎo)入管29連接。
噴淋頭15與基座2平行地相對設(shè)置，起到作為一對電極即上部電 極和下部電極的功能。在噴淋頭15與載置有半導(dǎo)體晶片W的基座2 之間的空間中，利用高頻電力形成垂直方向的高頻電場，利用高頻放 電在半導(dǎo)體晶片W的表面附近生成高密度的等離子體。此外，在腔室 1的周圍配置有與腔室1呈同心圓狀的環(huán)狀的環(huán)形磁石30，在噴淋頭 15與基座2之間的處理空間中形成磁場。
圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例的基座上部的結(jié)構(gòu)圖。圖2 (a)是截面 圖，圖2 (b)是圖2 (a)的A—A截面的平面圖。在基座2的上部形 成有電介質(zhì)層34，在其正下方埋入設(shè)置有由導(dǎo)電膜構(gòu)成的內(nèi)部電極17。 通過供電線13向內(nèi)部電極17施加直流高電壓。在供電線13的周圍配 置有圓筒狀的絕緣部件14以防止漏電?；?由熱傳導(dǎo)率高的材料例 如金屬構(gòu)成，其內(nèi)部設(shè)置有冷卻介質(zhì)流路18。該冷卻介質(zhì)從配管20a 被供給至冷卻介質(zhì)流路18，然后從配管20b被排出，從而該冷卻介質(zhì)進(jìn)行循環(huán)。
在基座2的上端的整個外周緣上，設(shè)置有周緣環(huán)狀凸部21，基板 W被載置在該周緣環(huán)狀凸部21上。這樣，在基板W與電介質(zhì)層34之 間形成微小空間。此外，以圍繞絕緣部件14的方式設(shè)置內(nèi)部環(huán)狀凸部 31 ，將上述空間劃分為內(nèi)側(cè)區(qū)域和外側(cè)區(qū)域。
冷卻氣體通過氣體供給管23a被供給至內(nèi)側(cè)區(qū)域，從氣體排出管 35a排出。冷卻氣體通過氣體供給管23b被供給至外側(cè)區(qū)域33，從氣 體排出管35b排出。在氣體供給管23a、 23b和氣體排出管35a、 35b 上配設(shè)有流量調(diào)節(jié)閥36，并且在氣體供給管23a、 23b上分別設(shè)置有壓 力計(jì)37。能夠通過調(diào)節(jié)流量調(diào)節(jié)閥36，將內(nèi)側(cè)區(qū)域32和外側(cè)區(qū)域33 的壓力控制在期望值。
此外，在本實(shí)施例中，雖然設(shè)置有冷卻氣體的供給管和排出管，但 是排出管不一定是必須的。通過調(diào)整周緣環(huán)狀凸部21、內(nèi)部環(huán)狀凸部 31與基板W之間的密封的方法(密封的程度)，能夠通過使冷卻氣體 泄漏到腔室內(nèi)而產(chǎn)生氣體流。
在本發(fā)明中，將基座2與基板W之間的間隙劃分成內(nèi)側(cè)區(qū)域32 和外側(cè)區(qū)域33并且分別獨(dú)立地使冷卻氣體流入的理由為，為了調(diào)節(jié)來 自于基板W的發(fā)熱量以保持整個基板的溫度一致。因?yàn)楣╇娋€13周 圍的絕緣部件14的熱傳導(dǎo)程度小，所以難以向冷卻介質(zhì)傳熱。因此， 基座2的表面溫度在內(nèi)側(cè)區(qū)域比在外側(cè)區(qū)域的高，從基板W向基座2 的傳熱量變低。因此，在內(nèi)側(cè)區(qū)域32和外側(cè)區(qū)域33分別控制在基座2 的表面與基板W之間的間隙中流動的冷卻氣體的壓力，促進(jìn)在內(nèi)側(cè)區(qū) 域32中的通過冷卻氣體的傳熱，是本發(fā)明的發(fā)明點(diǎn)。
艮P，在等離子體處理裝置內(nèi)，因?yàn)橄鄬τ诳臻g的維持壓力，空間的 代表長度較短，因此，導(dǎo)入到裝置內(nèi)的冷卻氣體存在分子流區(qū)域。在 分子流區(qū)域中，因?yàn)闅怏w的熱傳導(dǎo)程度與其壓力成比例，通過使內(nèi)側(cè) 區(qū)域32的壓力比外側(cè)區(qū)域33的壓力高，能夠促進(jìn)由基板W向基座2 的傳熱，由此，能夠使基板W的整體溫度相同。關(guān)于其可能的根據(jù)， 將在后面詳細(xì)地說明。
圖3是表示在本發(fā)明第二實(shí)施例中的基座上部的結(jié)構(gòu)圖(只將中央 附近放大示出)，圖3 (a)是截面圖，圖3 (b)是平面圖。在該實(shí)施
9例中，在供電線13的周圍的絕緣部件14的周邊，設(shè)置有雙重內(nèi)部環(huán) 狀凸部即內(nèi)側(cè)第一環(huán)狀凸部31a和外側(cè)第二環(huán)狀凸部31b。由此，基座 2與基板W之間的間隙被分割成第一內(nèi)側(cè)區(qū)域32a、第二內(nèi)側(cè)區(qū)域32b 和外側(cè)區(qū)域33。各區(qū)域分別獨(dú)立地流入冷卻氣體，能夠獨(dú)立地控制區(qū) 域內(nèi)部的壓力。
艮P，冷卻氣體通過氣體供給管23a被供給至第一區(qū)域32a，從氣體 排出管35a排出。冷卻氣體通過氣體供給管23c被供給至第二內(nèi)側(cè)區(qū) 域32b，從氣體排出管35c排出。此外，冷卻氣體通過氣體供給管23b 被供給至外側(cè)區(qū)域33，從氣體排出管35b排出。在氣體供給管23a、 23b、 23c和氣體排出管35a、 35b、 35c上分別配設(shè)有流量調(diào)節(jié)閥(未 圖示)，能夠獨(dú)立地控制各區(qū)域的壓力。如此分割成三個區(qū)域的理由是 為了提高基板的溫度控制精度，關(guān)于該方面在后面進(jìn)行詳述。
此外，在本實(shí)施例中，雖然第一環(huán)狀凸部31a和第二環(huán)狀凸部31b 是以供電線13的中心作為中心軸而形成為同心圓狀，但是，同心圓的 中心也可以不與供電線13的中心一致，只要大致在其附近即可。
圖4是表示在本發(fā)明第三實(shí)施例中的基座上部的結(jié)構(gòu)圖。圖4 (a) 是截面圖，圖4 (b)是圖4 (a)的B-B截面的平面圖。在該實(shí)施例中， 供電線13不在基座2的中央，而是在周緣附近在大致對稱的位置設(shè)置 有一對。與圖2相同，供電線13的周圍由絕緣部件14絕緣。因此， 在各自的絕緣部件14的周圍設(shè)置有內(nèi)部環(huán)狀凸部31 ，基座2與基板W 之間的間隙被分割成兩個內(nèi)側(cè)區(qū)域32和外側(cè)區(qū)域33。利用這樣的結(jié) 構(gòu)，即使在向內(nèi)部電極17供電的供電線13在基座2的周緣時(shí)，也能 夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的。
下面，對成為本發(fā)明根據(jù)的熱解析結(jié)果進(jìn)行說明。圖5是基座上部 的傳熱解析條件以及結(jié)果的說明圖。為了簡單地計(jì)算，以假定熱量只 在高度方向流動的一維熱傳導(dǎo)模型進(jìn)行考慮。假定熱流束在任何位置 為定值2W/cm2，冷卻介質(zhì)的溫度即冷卻流路的表面溫度為T,(定值)， 傳熱層的厚度為15mm。此外，假定供電線周圍的絕緣材料(A1203) 的熱傳導(dǎo)率為16W/m*K，其它的構(gòu)造材料(Al)的熱傳導(dǎo)率為160 W/m K。
以該條件計(jì)算基座表面溫度的結(jié)果表明，絕緣材料和構(gòu)造材料的表面溫度的溫差A(yù)T二T2 (絕緣材料)一T2 (構(gòu)造材料)為16.9°C。如果 基座表面溫度產(chǎn)生這樣的差值，則基板在其附近也會產(chǎn)生溫差，并且 對等離子體處理的品質(zhì)的均勻性產(chǎn)生不良影響的可能性增大。
實(shí)際的熱流并非一維模型，因?yàn)闄M向也存在熱的擴(kuò)散，因此，有必 要考慮軸對稱的二維傳熱模型。圖6是表示實(shí)際的基座表面溫度分布 的概念圖和與其對應(yīng)的坐標(biāo)區(qū)域分割的說明圖。如圖6 (a)所示，分 為表面溫度丁2為峰狀時(shí)變高的區(qū)域1、 丁2逐漸降低的區(qū)域2和丁2成為 一定值的區(qū)域3。因此，如圖6 (b)所示，在基板W和基座2之間的 空間由第一環(huán)狀凸部31a和第二環(huán)狀凸部31b設(shè)置雙重分隔，分割成 第一內(nèi)側(cè)區(qū)域(區(qū)域l)和第二內(nèi)側(cè)區(qū)域(區(qū)域2)和外側(cè)區(qū)域(區(qū)域 3)，將壓力P控制成(區(qū)域l)〉(區(qū)域2)〉(區(qū)域3)即可。
因此，通過適當(dāng)?shù)乜刂茀^(qū)域1 3的壓力，能夠進(jìn)一步提高基板W 的溫度的均勻性。上述的第二實(shí)施例旨在根據(jù)如上所述的方法，進(jìn)行 比第一實(shí)施例更加精確的基板溫度的控制。此外，也可以有更多的區(qū) 域分割數(shù)。
此外，也可以如第三實(shí)施例那樣，在將供電線13設(shè)置在基座2的 周緣部的情況下，在各供電線13的絕緣部14設(shè)置雙重或雙重以上的 環(huán)狀凸部31，各自分割成三個以上的區(qū)域也可以。由此，能夠提高基 板溫度控制的精度。
下面，對給冷卻氣體壓力的傳熱帶來的影響進(jìn)行說明。在等離子體 處理等的真空處理裝置中，在基板W和基座2之間的空間所導(dǎo)入的冷 卻氣體存在分子流域，其熱傳導(dǎo)程度與絕對壓力成比例。因此，通過 冷卻氣體從基板W向基座2所傳導(dǎo)的熱量與冷卻氣體的壓力成比例地 增加。這樣，假設(shè)熱流束和基座表面的溫度一定，則冷卻氣體(He) 的壓力與基板溫度之間的關(guān)系的計(jì)算結(jié)果的例子示于圖7中。在該圖 中，以He壓力為50Torr的情形作為基準(zhǔn)，設(shè)定此時(shí)基板溫度為0"C的 條件，計(jì)算He壓力變化時(shí)基板的溫度。
如圖7所示，假設(shè)He壓力為50Torr時(shí)基板溫度為0。C，則基板溫 度隨著He壓力的降低而升高，當(dāng)壓力為20Torr時(shí)，基板溫度約為10 。C，當(dāng)壓力為10Torr時(shí)，基板溫度約為20。C。由此，可以理解，為了 與前面圖5所示的絕緣材料和構(gòu)造材料的表面溫度的溫差16.9X:相當(dāng)，使從基板W向基座2的傳熱量增加，只需使絕緣材料的部分(內(nèi)側(cè)區(qū)
域32)的He壓力為50Torr，使構(gòu)造材料的部分(外側(cè)區(qū)域33)的壓 力為13.5Torr左右即可。從上面基本的推定可以得知，在本發(fā)明的方 法中，在如上所述那樣地控制He壓力的方面不存在困難，通過本發(fā)明 能夠避免供電線部分的基板溫度的特異性。
權(quán)利要求
1. 一種基板載置臺，其特征在于，包括設(shè)置在對基板進(jìn)行等離子體處理的處理腔室內(nèi)，并且供電線周圍由絕緣材料構(gòu)成的供電部；和設(shè)置在內(nèi)部的冷卻介質(zhì)流路，其中，所述載置臺設(shè)置有將所述載置臺的基板載置面?zhèn)确指舫啥鄠€區(qū)域的凸部；將冷卻氣體導(dǎo)入到由所述凸部所分隔的區(qū)域中的導(dǎo)入口；和調(diào)節(jié)所述冷卻氣體的壓力或流量的調(diào)節(jié)單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基板載置臺，其特征在于-分別在由所述凸部分隔的多個區(qū)域中形成所述冷卻氣體的排出口。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板載置臺，其特征在于 所述區(qū)域的面積越靠近所述供電線的中心的區(qū)域越小。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板載置臺，其特征在于 所述供電部位于基板載置臺的中心部。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板載置臺，其特征在于 所述凸部以規(guī)定的半徑呈同心圓狀地在所述供電部的周圍形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板載置臺，其特征在于 所述凸部以所述供電部的中心作為中心軸形成為同心圓狀。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板載置臺，其特征在于 在基板載置臺的周緣部具有至少一個以上的所述供電部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板載置臺，其特征在于 形成以規(guī)定的半徑呈同心圓狀地將所述供電部的周圍分隔成至少一個以上的區(qū)域的凸部。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板載置臺，其特征在于 所述凸部以所述供電部的中心作為中心軸形成為同心圓狀。
10. —種基板處理裝置，其特征在于-包括權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的基板載置臺。
11. 一種被處理基板的溫度控制方法，其特征在于 該溫度控制方法是載置在基板載置臺上的被處理基板的溫度控制方法，其中，所述基板載置臺包括設(shè)置在對基板進(jìn)行等離子體處理的處理 腔室內(nèi)并且供電線周圍由絕緣材料構(gòu)成的供電部和設(shè)置在內(nèi)部的冷卻 介質(zhì)流路，在該溫度控制方法中，在所述載置臺的基板載置面?zhèn)刃纬蓪⑺龉╇娋€周圍分隔成多個區(qū) 域的凸部，將冷卻氣體分別導(dǎo)入由所述凸部所分隔的多個區(qū)域， 通過調(diào)節(jié)供給到所述區(qū)域的所述冷卻氣體的壓力或流量來調(diào)節(jié)被處 理基板的溫度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的被處理基板的溫度控制方法，其特征在于使所述區(qū)域的面積比其外側(cè)區(qū)域的面積小來調(diào)整被處理基板的溫度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的被處理基板的溫度控制方法，其特征在于形成以所述供電部作為中心、以規(guī)定的半徑呈同心圓狀地將所述供 電部的周圍分隔成多個區(qū)域的凸部來調(diào)整被處理基板的溫度。
全文摘要
本發(fā)明涉及基板載置臺、基板處理裝置和被處理基板的溫度控制方法。在具有靜電卡盤的基板載置臺中，由于向靜電卡盤電極供電的供電線的周圍由絕緣材料包圍，因而產(chǎn)生傳熱不良的部分。由此，提供一種補(bǔ)償該部分的傳熱，使基板整體溫度均勻的手段。在供電線周圍的基板載置臺表面形成有環(huán)狀凸部，將基板與載置臺之間的間隙的空間劃分為內(nèi)側(cè)區(qū)域和外側(cè)區(qū)域，在各區(qū)域配置冷卻氣體的供給管和排出管，獨(dú)立地控制各區(qū)域冷卻氣體的壓力。
文檔編號H01L21/687GK101504928SQ200910005160
公開日2009年8月12日 申請日期2009年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月6日
發(fā)明者佐佐木康晴 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社