專利名稱：反熔絲及其形成方法和具有該反熔絲的非易失性存儲器件的單位單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，更是具體涉及非易 失性存儲器件的可一次編程(OTP)單位單元(unit cell)及其制造方 法。
背景技術(shù)：
OTP單位單元是用于在諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、電可 擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)以及閃存的易失性或非易失性存 儲器件中的存儲器修復(fù)。OTP單位單元也用于在模擬芯片及數(shù)字芯片 共存的混合信號芯片中修整內(nèi)部操作電壓或頻率。通常，OTP單位單元包括由金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET，下文中稱為"MOS晶體管")組成的反熔絲(anti-fuse) 以及一個或多個MOS晶體管。OTP單位單元是以單個類型或陣列類型 形成且用于修復(fù)或修整。圖l說明OTP單位單元的典型反熔絲的橫截面圖。為了描述的便 利，說明了包括OTP單位單元的典型反熔絲的特定部分而未說明由其 它OTP單位單元組成的其它晶體管。參看圖1， OTP單位單元的典型反熔絲包括襯底100、形成在襯底 100上的柵電極105以及形成在由柵電極105側(cè)壁暴露的襯底100的一 部分中的結(jié)區(qū)106如源極區(qū)域和漏極區(qū)域。此外，典型反熔絲還包括形 成在柵電極105與襯底100之間的具有相對較薄厚度的柵極介電層104。下文將描述具有上述結(jié)構(gòu)的典型OTP單位單元的寫入操作。結(jié)區(qū)106與拾取區(qū)域(pick-up region ) 107互連且與VSS連接。拾 取區(qū)域107用于將偏壓施加至阱101。寫入電壓VwR經(jīng)由金屬互連層108 而施加至柵電極105。因此，高場效應(yīng)發(fā)生于柵電極105與襯底100之 間且引起柵極介電層104的擊穿。因此，柵電極105和襯底100短路。
然而，OTP單位單元的典型反熔絲的柵極介電層104的局限在于其 不被所施加的寫入電壓穩(wěn)定地擊穿。
在寫入操作期間，經(jīng)由金屬互連層108轉(zhuǎn)移至柵電極105的寫入電 壓VwR具有由薄層電阻Rs (由金屬互連層108所引起)導(dǎo)致的下降電 壓，且下降的寫入電壓VwR被施加至柵電極105。因此，由于柵電極105 與襯底IOO之間的場效應(yīng)同下降電壓一樣地減小，因此柵極介電層104 沒有穩(wěn)定地擊穿。
此外，在寫入操作的初始周期期間，柵極介電層104部分擊穿且柵 電極105和襯底100部分地短路。在此情況下，存在的問題是由于阱 101與溝道阻擋區(qū)域102之間的漏電流，導(dǎo)致在柵電極105與襯底100 之間沒有持續(xù)地形成高場效應(yīng)。部分擊穿表示柵極介電層104被擊穿的 程度未達到目標水平的狀態(tài)。
舉例而言，當阱101如圖1中所示為P-阱時，溝道阻擋區(qū)域102摻 雜有N型雜質(zhì)。因此，正向二極管形成在阱101與溝道阻擋區(qū)域102 之間。因此，當柵電極105與襯底100由于柵極介電層104的部分擊穿 而部分短路時，正向二極管操作并且引起漏電流。
當在阱101與溝道阻擋區(qū)域102之間引起漏電流時，難以使柵極介 電層104的穩(wěn)定擊穿的程度達到目標水平。因此，在讀取操作期間，因 為數(shù)據(jù)的感測容限減小，故器件發(fā)生故障。該故障減小OTP單位單元 的讀取操作的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施方案涉及一種反熔絲以及制造方法，其能夠通過使得 包括金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS )晶體管的反熔絲的柵極介電層穩(wěn)定擊穿 而改良操作可靠性，從而在讀操作期間改良數(shù)據(jù)感測容限，還涉及具有 該反熔絲的非易失性存儲器件的單位單元。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種反熔絲。該反熔絲包括形成在襯 底上的柵極介電層；柵電極，其包括本體部分以及從本體部分延伸的至 少一個突出部分，其中本體部分和突出部分以接觸柵極介電層的方式形 成在該觸柵極介電層上；和結(jié)區(qū)，其形成在由所述突出部分的側(cè)壁暴露 的襯底的一部分中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種反熔絲。該反熔絲包括金屬氧化 物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS晶體管)以及平行接觸MOS晶體管的補 償電容器。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種包括反熔絲的非易失性存儲器件 的單位單元。該反熔絲包括形成在襯底上的柵極介電層；柵電極，其 包括本體部分以及從本體部分延伸的至少一個突出部分，其中本體部分 和突出部分形成為在柵極介電層上與該層接觸；和結(jié)區(qū)，其形成在由所 述突出部分的側(cè)壁暴露的襯底的一部分中。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供一種包括反熔絲的非易失性存儲器件 的單位單元。該反熔絲包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS晶 體管)以及平行接觸MOS晶體管的補償電容器，其中補償電容器包括 接觸MOS晶體管的柵電極的第一電極、接觸MOS晶體管的結(jié)區(qū)的第 二電極以及形成在第一電極與第二電極之間的第一介電層，其中柵電極 和第一電極包含金屬材料或多晶硅層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造反熔絲的方法。該方法 包括在襯底上形成柵極介電層，在柵極介電層上形成包括本體部分和從 本體部分延伸的至少一個突出部分的柵電極以及在由所述突出部分的 側(cè)壁暴露的襯底的一部分中形成結(jié)區(qū)。


圖l說明OTP單位單元的典型反熔絲的橫截面圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明實施方案的非易失性存儲器件的單位單元的反熔 絲平面圖。
圖3說明沿圖2的線I-I，截取的橫截面圖。圖4說明沿圖2的線n-n'截取的橫截面圖。 圖5說明沿圖2的線ni-iir截取的橫截面圖。
圖6A為描述根據(jù)本發(fā)明實施方案的反熔絲的操作特性的橫截面圖。
圖6B為描述根據(jù)本發(fā)明實施方案的反熔絲操作特性的詳細電路圖。
圖7A至圖7F為描述根據(jù)本發(fā)明實施方案的用于制造反熔絲的方法 的橫截面圖。
具體實施例方式
在附圖中，為說明的清晰起見，層及區(qū)域的尺寸被放大。還應(yīng)理解， 當一層被稱作位于另一層或襯底"上/下"時，其可直接位于所述另一層或 襯底上/下，或也可存在插入層。同樣，當一層被稱作在兩層"之間"時， 其可為兩層之間的唯一層，或也可存在一個或多個插入層。整個附圖中相 同的附圖標記表示相同的元件。另外，在層的附圖標記之后的不同英文字 母字符表示層在一個或多個處理步驟(諸如，蝕刻工藝或拋光工藝)之后 的不同狀態(tài)。
下文中，將參看根據(jù)附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。
圖2為根據(jù)本發(fā)明實施方案的非易失性存儲器件的單位單元的反熔絲 平面圖。圖3說明沿圖2的線I-r截取的橫截面圖，圖4說明沿圖2的線 II-II'截取的橫截面圖，圖5說明沿圖2的線in-iir截取的橫截面圖。
參看圖2至圖5，根據(jù)本發(fā)明實施方案的非易失性存儲器件的單位單
209的柵電極205A。反熔絲還包括形成在柵電極205A與襯底200之間的 柵極介電層204A。反熔絲還包括形成在由突出部分209的側(cè)壁暴露的襯底 200的一部分中的結(jié)區(qū)206如源極區(qū)域和漏極區(qū)域。
上方，以接觸柵極介電層204A。以下情況是可能的在每側(cè)上可形成一個 或多個突出部分209，總共四個側(cè)面。然而，理想的是突出部分209通過 從一側(cè)延伸而彼此平行地形成，以便簡化制造方法。即，突出部分在同一 方向上自本體部分的一側(cè)延伸。在此，"延伸"包括突出部分209作為本體部分208的一部分而以單一體類型形成的結(jié)構(gòu)，以及電接觸本體部分208 的結(jié)構(gòu)(突出部分209通過使用與形成本體部分208的材料不同的材料所 形成)。此外，本體部分208和突出部分209形成為在襯底200的有源區(qū)中 重迭。突出部分209的數(shù)量、寬度(是指短軸上的長度)及長度(是指長 軸上的長度)并非限制性的，并且可根據(jù)預(yù)設(shè)寫入電壓的水平與柵極介電 層204A的厚度而適當?shù)丶右赃x擇。
柵極介電層204A包括形成在與本體部分208重迭的部分中的第一介 電層以及形成在與突出部分209重迭的部分中的第二介電層。第一介電層 和第二介電層可形成為具有高度差。理性的是第一介電層的厚度大于第二 介電層的厚度。在此，根據(jù)寫入電壓的7JC平，可在第一介電層的厚度的大 約三分之一的至大約一半的范圍內(nèi)選擇第二介電層的厚度。此外，第一介 電層和第二介電層可通過使用相同材料而形成為具有單一體(single body) 類型結(jié)構(gòu)，或可通過使用不同材料而形成。
結(jié)區(qū)206可包括輕摻雜雜質(zhì)的區(qū)域及高摻雜雜質(zhì)的區(qū)域，其中高摻雜 雜質(zhì)的區(qū)域可形成在輕摻雜雜質(zhì)的區(qū)域中。高摻雜雜質(zhì)的區(qū)域在結(jié)區(qū)206 與接觸塞(未圖示)之間引起歐姆接觸。
下文中，參看圖6A至圖7,將描述根據(jù)本發(fā)明實施方案的在非易失性 存儲器件的單位單元的寫入操作期間反熔絲的操作特性。
圖6A說明沿圖2的線II-II，截取的橫截面圖，圖6B為其詳細電路圖。 在此，舉例而言，反熔絲包括具有n-溝道的MOS晶體管。
參看圖6A及圖6B，在反熔絲中存在兩個電容器。電容器中的一個可 用作熔絲Fs,因為電容器由寫入電壓VwR擊穿，另一個電容器可用作補償 電容器Cc，其不被寫入電壓VwR擊穿并且補償電容器Cc累積電荷。
結(jié)區(qū)206與拾取區(qū)域207彼此互連并且還連接至VSS。寫入電壓VwR 施加至柵電極205A，并實施單位單元的寫入操作。在寫入操作的初始周期 期間，寫入電壓VwR累積在補償電容器Cc中。當作為第二介電層的熔絲 Fs的介電層被擊穿時，補償電容器Cc補償由芯片中金屬互連層210的薄 層電阻Rs所引起的下降寫入電壓VWR。即，可通過使用累積在補償電容 器Cc中的電荷而獲取電壓抽運效應(yīng)(voltage pumping effect )。
可通過使用補償電容器Cc的電壓抽運效應(yīng)而將等于或大于寫入電壓 VWR的高電壓不斷地施加至熔絲Fs的第二介電層。通過在柵電極205A(其是圖2的突出部分209)與襯底200之間不斷維持產(chǎn)生高場效應(yīng)，高電壓 可穩(wěn)定地擊穿第二介電層。
下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明實施方案的用于制造非易失性存儲器件的 單位單元的反熔絲的方法。
圖7A至圖7F為描述制造過程的沿圖2的線II-ir截取的橫截面圖。
參看圖7A，阱201形成在襯底200中。本文中，襯底200包括半導(dǎo)體 襯底且可包括塊體襯底或絕緣體上珪(SOI)襯底。襯底200的半導(dǎo)體層 可包括選自由以下各物組成的組中的一種Si、 Ge、 SiGe、 GaP、 GaAs、 SiC、 SiGeC、 InAs和InP。
在襯底200的一部分中形成溝槽(未圖示)，并實施離子注入工藝以 在溝槽的內(nèi)表面中形成溝道阻擋區(qū)域202。在此，溝道阻擋區(qū)域202形成 為具有與阱201不同的雜質(zhì)類型，如P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì)。例如，當通過 使用P型雜質(zhì)形成阱201時，則通過使用N型雜質(zhì)形成溝道阻擋區(qū)域202。
通過形成填充溝槽的絕緣層而形成隔離層203。因此，在襯底200上 限定有源區(qū)和非有源區(qū)(填充區(qū)域)。在此，可通過化學(xué)氣相沉積(CVD) 方法使用具有良好填充特性的高密度等離子體(HDP)-未摻雜硅酸鹽玻璃 (USG)層而形成隔離層203。
參看圖7B，在襯底200上形成具有不同厚度的介電層204。介電層204 用于柵極介電層?？赏ㄟ^使用氧化方法形成具有極佳層品質(zhì)的柵極介電層 204。氧化方法可包括選自由以下工藝組成的組中的一種干氧化工藝、濕 氧化工藝以及使用自由基離子的氧化工藝。柵極介電層可包括選自由以下 各物質(zhì)組成的組中的一種氧化物層、氮化物層、氧氮化物層、金屬氧化 物層及其組合。
特定地，可通過使用下文將描述的三種不同方法來形成柵極介電層
204。
第一，在襯底200上形成第一介電層。光刻膠圖案(未圖示)暴露出 與圖2的柵電極205A的突出部分209重迭的部分，且使用光刻膠圖案作 為蝕刻掩模經(jīng)由蝕刻工藝來選擇性地移除由光刻膠圖案暴露的第一介電 層。在移除了第一介電層的部分上形成第二介電層。在此，第二介電層可 具有比第一介電層厚度更薄的厚度。可通過使用氧化方法來形成第一介電 層和第二介電層。第二，在襯底200上形成第一介電層。光刻膠圖案(未圖示)暴露出 與圖2的柵電極205A的本體部分208重迭的部分，且使用光刻膠圖案作 為蝕刻掩模經(jīng)由蝕刻工藝來選擇性地移除由光刻膠圖案暴露的第一介電 層。在移除了第一介電層的部分上形成第二介電層。在此，第二介電層可 具有比第一介電層厚度更厚的厚度?？赏ㄟ^使用氧化方法來形成第一介電 層和第二介電層。
第三，在襯底200上形成第一介電層。光刻膠圖案(未圖示)暴露出 與圖2的柵電極205A的本體部分208重迭的部分。第二介電層形成在光 刻膠圖案和第一介電層上，而光刻膠圖案覆蓋與突出部分209重迭的部分。 隨著移除光刻膠圖案而選擇性地移除在光刻膠圖案上形成的第二介電層。 用于選擇性地移除第二介電層的方法被稱為剝離(lift-off)方法。因此， 第一介電層和第二介電層形成在與本體部分208重迭的部分上，且第一介 電層僅形成在與突出部分209重迭的部分上。在此，第一介電層與第二介 電層可具有相同厚度。
參看圖7C,在^lh極介電層204上形成導(dǎo)電層205。導(dǎo)電層205用于柵 電極。導(dǎo)電層205可包括過渡金屬、半導(dǎo)體材料、含有過渡金屬的化合物 以及過渡金屬氧化物。特定地，選自由以下各物質(zhì)組成的組中的一種可用 作過渡金屬Sc、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、 Y、 Zr、 Nb、 Mo、 Tc、 Ru、 Rh、 Pd、 Ag、 Cd、 La、 Hf、 Ta、 W、 Fe、 Os、 Ir、 Pt、 Au和Hg。將具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料用作半導(dǎo)體材料。特定地，選自 由以下各物質(zhì)組成的組中的一種Si、 Ge、 Sn、 Se、 Te、 B、包括金剛石 的C、 P、 B國C、 B-P(BP6)、 B-Si、 Si畫C、 Si-Ge、 Si-Sn、 Ge-Sn、 SiC、 BN/BP/BAs、 Al隱lP/AlAs/AlSb 、 GaN/GaP/GaAs/GaSb 、 InN/InP/InAs歸b 、 BN/BP/BAs、 Al隱lP/AlAs/AlSb、 GaN/GaP/GaAs/GaSb 、 InN/InP/InAs/InSb 、ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe 、 CdS/CdSe/CdTe 、 HgS/HgSe/HgTe、 BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、 GeS、 GeSe、 GeTe、 SnS、 SnSe、 SnTe、 PbO、 PbS、 PbSe、 PbTe、 CuF、 CuCl、 CuBr、 Cul、 AgF、 AgCl、 AgBr、 Agl、 BeSiN2、 CaCN2、 ZnGeP2、 CdSnAs2、 ZnSnSb2、 CuGeP3、 CuSi2P3、 (Cu，Ag)(Al，Ga，In，Ti,Fe)(S，Se,Te)2、 Si3N4、 Ge3N4、 A1203、 (Al， Ga，In)2(S，Se,Te)3、 Al2CO及其組合。
含有過渡金屬的化合物可包括諸如LaNi5、 MnNi3及Mg2Ni的含Ni 的化合物、諸如TiMn2、 TiV2、 TiFe、 TiCo、 TiVCr及TiVMn的含Ti的。換言之，可通過使用選自含有過渡 金屬的化合物(包括與其它材料結(jié)合的過渡金屬)或具有穩(wěn)定形式的過渡 金屬中的一種來形成導(dǎo)電層205。就過渡金屬氧化物而言，諸如V02、 V203
及V20s的釩氧化物。
參看圖7D，通過蝕刻導(dǎo)電層205而形成具有本體部分208及多個突出 部分209的柵電極205A (如圖2中所示)。在此，通過使用干蝕刻工藝、 濕蝕刻工藝或兩者來實施蝕刻工藝。
盡管在導(dǎo)電層205的蝕刻期間如圖7C中所示也蝕刻導(dǎo)電層205下的 柵極介電層204,但導(dǎo)電層205下的柵極介電層204可不被蝕刻而保留。
參看圖7E，在由柵電極205A的一側(cè)所暴露的襯底200的一部分中形 成結(jié)區(qū)206。結(jié)區(qū)206可包括作為輕摻雜雜質(zhì)區(qū)域的輕摻雜漏極(LDD)區(qū) 域。即，結(jié)區(qū)206可包括高摻雜雜質(zhì)區(qū)域及輕摻雜雜質(zhì)區(qū)域。舉例而言， 輕摻雜雜質(zhì)的區(qū)域形成在襯底200中，高摻雜雜質(zhì)的區(qū)域形成在輕摻雜雜 質(zhì)區(qū)域中。
參看圖7F,通過實施離子注入工藝在襯底200中形成拾取區(qū)域207。 拾取區(qū)域207形成為與結(jié)區(qū)206接觸。
盡管^示，但形成分別接觸柵電極205A、結(jié)區(qū)206及拾取區(qū)域207 的接觸塞以及與接觸塞接觸的金屬互連層。
盡管已用特定實施方案對本發(fā)明進行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將容 易了解，在不脫離以下權(quán)利要求中所界定的本發(fā)明精神及范疇的情況下， 可進行各種改變及修改。
才艮據(jù)包括上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，可實現(xiàn)下文將描述的效應(yīng)。
第一，根據(jù)本發(fā)明，可通過在形成包括本體部分及多個突出部分的柵 電極和擊穿與所述多個突出部分中的一個相重迭的介電層時終止寫入操 作而改良寫入操作特性。
第二，根據(jù)本發(fā)明，可通過在寫入操作期間經(jīng)補償電容器提供補償電 壓(其是寫入電壓的下降電壓)而實現(xiàn)穩(wěn)定的寫入操作。在此，因為根據(jù) 與柵電極重迭的部分，將柵極介電層形成為具有不同厚度，因此可通過形 成用作柵電極與襯底之間的熔絲的電容器及補償電容器而提供補償電壓。
1權(quán)利要求
1. 一種反熔絲，包括形成在襯底上的柵極介電層；柵電極，所述柵電極包括本體部分和從所述本體部分延伸的至少一個突出部分，其中所述本體部分和所述突出部分形成為在所述柵極介電層上與該層接觸；和結(jié)區(qū)，所述結(jié)區(qū)形成在由所述突出部分的側(cè)壁暴露出的所述襯底的一部分中。
2. 權(quán)利要求1的反熔絲，其中所述柵極介電層包括第一介電層和比所述第一介電層更薄的第二介電層。
3. 權(quán)利要求2的反熔絲，其中所述第一介電層與所述本體部分相重迭，所述第二介電層與所述突出部分相重迭。
4. 權(quán)利要求2的反熔絲，其中所述突出部分與所述第一介電層和所述第二介電層相重迭。
5. 權(quán)利要求1的反熔絲，其中所述突出部分在相同方向上從所述本體部分的一側(cè)延伸。
6. 權(quán)利要求1的反熔絲，其中所述本體部分和所述突出部分與所述襯底的有源區(qū)相重迭。
7. 權(quán)利要求1的反熔絲，其中所述柵極介電層包括選自由氧化物層、氮化物層、氧氮化物層、金屬氧化物層及其組合所組成的組中的一種。
8. —種反熔絲，包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS晶體管)；和補償電容器，其平行接觸所述MOS晶體管。
9. 權(quán)利要求8的反熔絲，其中所述補償電容器包括具有與所述MOS晶體管的柵電極成單一體類型結(jié)構(gòu)的第一電極；接觸所述MOS晶體管的結(jié)區(qū)的第二電極；和形成在所述第一電極與所述第二電極之間的第一介電層。
10. 權(quán)利要求9的反熔絲，其中所述第一介電層的厚度大于形成在所述柵電極與襯底之間的第二介電層的厚度。
11. 權(quán)利要求8的反熔絲，其中所述補償電容器包括第一電極，其接觸所述MOS晶體管的柵電極；第二電極，其接觸所述MOS晶體管的結(jié)區(qū)；和第一介電層，其形成在所述第一電極與所述第二電極之間。
12. 權(quán)利要求ll的反熔絲，其中所述第一介電層的厚度大于形成在所述柵電極與襯底之間的第二介電層的厚度。
13. 權(quán)利要求ll的反熔絲，其中所述第一電極由與用于形成所述柵電極的材料相同的材料形成。
14. 權(quán)利要求11的反熔絲，其中所述第一電極由與用于形成所述柵電極的材料不同的材料形成。
15. 權(quán)利要求11的反熔絲，其中所述柵電極和所述第一電極包含金屬材料或多晶硅層。
16. 權(quán)利要求10的反熔絲，其中所述第一介電層和所述第二介電層包括選自由氧化物層、氮化物層、氧氮化物層、金屬氧化物層及其組合所組成的組中的一種。
17. —種包含反熔絲的非易失性存儲器件的單位單元，所述反熔絲包括形成在襯底上的柵極介電層；柵電極，其包括本體部分和從所述本體部分延伸的至少一個突出部分，其中所述本體部分和所述突出部分形成為在所述柵極介電層上與該層接觸；和結(jié)區(qū)，其形成在由所述突出部分的側(cè)壁暴露出的所述襯底的一部分中。
18. —種包含反熔絲的非易失性存儲器件的單位單元，所述反熔絲包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOS晶體管)；和補償電容器，其平行接觸所述MOS晶體管，其中所述補償電容器包括接觸所述MOS晶體管的柵電極的第一電極、接觸所述MOS晶體管的結(jié)區(qū)的第二電極以及形成在所述第一電極與所述第二電極之間的第一介電層，其中所述柵電極和所述第一電極包含金屬材料或多晶硅層。
19. 一種用于制造反熔絲的方法，所述方法包括在襯底上形成柵極介電層；在所述柵極介電層上形成包括本體部分和從所述本體部分延伸的多個突出部分的柵電極；和在由所述突出部分的側(cè)壁暴露出的所述襯底的一部分中形成結(jié)區(qū)。
20. 權(quán)利要求19的方法，其中所述柵極介電層的形成包括在所述襯底上形成第一介電層；移除在與所述突出部分相重迭的部分上所形成的所述第一介電層的部分；和在移除了所述第一介電層的所述部分上形成比所述第一介電層更薄的第二介電層。
21. 權(quán)利要求19的方法，其中所述柵極介電層的形成包括在所述襯底上形成第一介電層；移除在與所述本體部分相重迭的部分上所形成的所述第一介電層的部分；和在移除了所述第一介電層的所述部分上形成比所述第一介電層更厚的第二介電層。
22. 權(quán)利要求19的方法，其中所述柵極介電層的形成包括在所述襯底上選擇性地在與所述本體部分重迭的部分上形成第一介電層；和在所述第一介電層上形成第二介電層。
23. 權(quán)利要求19的方法，其中所述突出部分在相同方向上從所述本體部分的一側(cè)延伸。
24. 權(quán)利要求19的方法，其中所述本體部分和所述突出部分與所述襯底的有源區(qū)相重迭。
25. 權(quán)利要求19的方法，其中所述柵極介電層包括選自由氧化物層、氮化物層、氧氮化物層、金屬氧化物層及其組合所組成的組中的一種。
26. 權(quán)利要求19的方法，在形成所述柵極介電層之前，還包括在所述襯底的一部分中形成溝槽；在所述溝槽的內(nèi)表面中形成溝道阻擋區(qū)域；和形成填充所述溝槽的隔離層。
27. 權(quán)利要求19的方法，在形成所述結(jié)區(qū)之前，還包括在待形成所述結(jié)區(qū)的部分中形成輕摻雜漏極(LDD)區(qū)域，其中所述LDD區(qū)域具有低于所述結(jié)區(qū)的雜質(zhì)濃度。
全文摘要
本發(fā)明是涉及一種反熔絲及其形成方法和具有該反熔絲的非易失性存儲器件的單位單元，所述反熔絲包括柵極介電層，其形成在襯底上；柵電極，其包括本體部分和從本體部分延伸的多個突出部分，其中本體部分和突出部分形成為在柵極介電層上與該層接觸；和結(jié)區(qū)，其形成在通過所述突出部分的側(cè)壁暴露的襯底的一部分中。
文檔編號H01L27/105GK101521190SQ20091000568
公開日2009年9月2日 申請日期2009年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月20日
發(fā)明者全成都, 曹基錫, 辛昌熙 申請人:美格納半導(dǎo)體有限會社