專利名稱：具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子模塊的構(gòu)裝方法，特別是涉及一種具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體技術(shù)及半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展，使得目前半導(dǎo)體的電子元件構(gòu)裝后的 最終元件產(chǎn)品能更加小型化、薄形化；亦使得目前電子產(chǎn)品有能力再朝向更輕薄的方向設(shè) 計(jì)。但是，當(dāng)電子元件小型化后，因?yàn)閷?dǎo)線之間的距離拉近，造成導(dǎo)線之間的信號(hào)相互 干擾，因此反而要增設(shè)穩(wěn)定信號(hào)的線路設(shè)計(jì)；除此之外，部份小型化電子元件，特別是應(yīng)用 于中高頻段或高頻段的電子模塊，容易感應(yīng)外界電磁信號(hào)產(chǎn)生誤動(dòng)作，因此使用該等電子 模塊的廠商，都必須最后在電子產(chǎn)品內(nèi)加設(shè)抗電磁干擾的結(jié)構(gòu)；如此一來(lái)卻又占用了電子 產(chǎn)品內(nèi)部的空間。由上述說(shuō)明可知，如何在現(xiàn)今半導(dǎo)體構(gòu)裝工藝中加入制作抗電磁干擾結(jié)構(gòu)的方 法，亦是有助于未來(lái)縮小電子產(chǎn)品尺寸的關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的電子模塊的構(gòu)裝方法存在的缺陷，而提供一種新 的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是令電子模塊構(gòu)裝完成后具 有抗電磁干擾的功能。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于其包括以下步驟提供一封膠后 的電子模塊半成品，其中該半成品包含一載板、多數(shù)晶片及一膠體，該載板包含有多數(shù)導(dǎo)線 區(qū)域，各導(dǎo)線區(qū)域上設(shè)有至少一晶片且包含有至少一接地導(dǎo)線，該接地導(dǎo)線延伸至相鄰導(dǎo) 線區(qū)域邊界處，該膠體全面覆于載板及晶片上；沿著導(dǎo)線區(qū)域邊界切割半成品膠體及部份 載板，形成多數(shù)行列交錯(cuò)的剖溝，令各導(dǎo)線區(qū)域的接地導(dǎo)線外露；濺鍍上一步驟的半成品， 令膠體表面及剖溝內(nèi)壁均勻鍍上一金屬層，其中剖溝內(nèi)的金屬層與各外露接地導(dǎo)線外露； 以及沿著剖溝切斷載板，以成型多數(shù)個(gè)獨(dú)立電子模塊。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，在第一道切割步驟之前，進(jìn)一步包 含激光雕刻步驟，該激光雕刻步驟是以激光雕刻各導(dǎo)線區(qū)域的對(duì)應(yīng)膠體上表面，以形成一 凹凸標(biāo)示圖案。前述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其中所述的載板上表面形成至少一 接地線路，以延伸與至少一相鄰導(dǎo)線區(qū)域的邊界。前述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其中所述的載板下表面形成有至少 一接地線路，并延伸至與至少一相鄰導(dǎo)線區(qū)域的邊界，且該載板對(duì)應(yīng)該接地線路處形成有金屬貫孔，該金屬貫孔位于相鄰導(dǎo)線區(qū)域邊界。前述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其中所述的晶片包含IC晶片。前述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其中所述的晶片包含表面粘著型元件。前述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其中所述的晶片包含表面粘著型元件。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為達(dá)到上述目 的，本發(fā)明提供了一種具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，包含有以下步驟提供一封膠 后的電子模塊半成品；沿著導(dǎo)線區(qū)域邊界切割半成品膠體及部份載板，形成多數(shù)行列交錯(cuò) 的剖溝，令各導(dǎo)線區(qū)域的接地導(dǎo)線外露；濺鍍上一步驟的半成品，令膠體表面及剖溝內(nèi)壁均 勻鍍上一金屬層，其中剖溝內(nèi)的金屬層與各外露接地導(dǎo)線外露；及沿著剖溝切斷載板，以成 型多數(shù)個(gè)獨(dú)立電子模塊。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法至少具有下列優(yōu) 點(diǎn)及有益效果上述本發(fā)明主要設(shè)計(jì)載板上各導(dǎo)線區(qū)域中的接地導(dǎo)線延伸至與至少一相鄰 導(dǎo)線區(qū)域的邊界處，配合二次切割步驟及一次濺鍍步驟，即能在膠體上表面形成金屬層，且 該金屬層又確保能與其對(duì)應(yīng)的接地導(dǎo)線連接，而具有抗電磁干擾的功效。本發(fā)明次一目的是提供一種類似金屬烙印標(biāo)示圖案的電子模塊構(gòu)裝方法，即在第 一道切割步驟之前，先以激光雕刻膠體表面，以形成一凹凸的標(biāo)示圖案，再進(jìn)行第一道切割 步驟；如此一來(lái)，待完成濺鍍步驟后，膠體上金屬層表面即能同樣顯示凹凸的標(biāo)示圖案，呈 現(xiàn)金屬烙印觀感的標(biāo)示圖案；是以，使用本發(fā)明不必?fù)?dān)心制作電子模塊成品后的標(biāo)示圖案。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，是主要在電 子模塊構(gòu)裝的封膠工藝后，自載板上膠體沿著各電子模塊邊界向下切割，以切開(kāi)載板上部 份接地導(dǎo)線為止，即不切穿載板；如此即在膠體上形成有多數(shù)道剖溝，之后再對(duì)載板進(jìn)行濺 鍍，均勻地在膠體及剖溝表面鍍上一金屬層，令該金屬層與載板的接地導(dǎo)線連接；最后，再 執(zhí)行第二道切割步驟，即沿著各剖溝將載板切穿，完成多數(shù)個(gè)獨(dú)立的電子模塊構(gòu)裝；由于各 電子模塊膠體上金屬層與其載板的接地導(dǎo)線電連，故可作抗電磁干擾用。本發(fā)明在技術(shù)上 有顯著的進(jìn)步，具有明顯的積極效果，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是用于本發(fā)明的一種設(shè)有晶片的載板的俯視平面示意圖。圖2是圖1其中一導(dǎo)線區(qū)域俯視平面示意。圖3是本發(fā)明構(gòu)裝方法的第一較佳實(shí)施例各步驟的剖面示意圖。圖4是用于本發(fā)明的另一種載板的仰視平面示意圖。圖5是圖4其中一導(dǎo)線區(qū)域仰視平面圖。圖6是本發(fā)明構(gòu)裝方法的第二較佳實(shí)施例各步驟的剖面示意圖。圖7是本發(fā)明制作最終電子模塊的局部剖面圖。
10 載板101 導(dǎo)線區(qū)域102:邊界11 上表面12 接地線13 下表面15 金屬貫孔16 膠體
161 剖溝162:圖案17:金屬層20:晶片30:電子模塊31:圖案
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法其具體實(shí)施 方式、步驟、特征及其功效進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1、圖2及圖3A所示，為本發(fā)明構(gòu)裝方法所使用的一種載板10的俯視平 面圖，其包含有多數(shù)呈矩陣排列的導(dǎo)線區(qū)域101，各導(dǎo)線區(qū)域101上下表面分別形成信號(hào)線 路及接地線路12，其中上表面是供固定至少一晶片20用；在本實(shí)施例中，該上表面至少一 接地線路12是分別延伸與至少一相鄰導(dǎo)線區(qū)域101的邊界102。請(qǐng)參閱圖2、圖5及圖6A所示，為本發(fā)明構(gòu)裝方法所使用的另一種載板IOa的底視 平面圖，其包含有多數(shù)呈矩陣排列的導(dǎo)線區(qū)域101，各導(dǎo)線區(qū)域101上下表面分別形成信號(hào) 線路及接地線路12，其中上表面是供固定至少一晶片用；在本實(shí)施例中，該下表面的至少 一接地線路12是延伸至與至少一相鄰導(dǎo)線區(qū)域101的邊界102，且對(duì)應(yīng)該接地線路102處 形成有金屬貫孔15，即該金屬貫孔15位于相鄰導(dǎo)線區(qū)域101的邊界102。上述晶片是包含有IC晶片及/或表面粘著型元件。請(qǐng)參閱圖3中A至D所示，是本發(fā)明構(gòu)裝方法的第一較佳實(shí)施例各步驟的剖面示 意圖。本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其包含有以下步 驟提供一封膠后的電子模塊半成品；其中該半成品是將圖1所示的載板10進(jìn)行封膠 步驟，即一膠體16是全面覆于載板10上表面，并將晶片20封合于其中；沿著導(dǎo)線區(qū)域邊界102向下切割半成品膠體16及部份載板10，形成多數(shù)行列交錯(cuò) 的剖溝161，令各導(dǎo)線區(qū)域10的接地導(dǎo)線12外露；濺鍍上一步驟的半成品，令膠體16表面及剖溝161內(nèi)壁均勻鍍上一金屬層17，其 中剖溝161內(nèi)的金屬層17是與各外露接地導(dǎo)線12外露；及沿著剖溝切斷載板10，以成型多數(shù)個(gè)獨(dú)立電子模塊30。請(qǐng)參閱圖6中A至D所示，是本發(fā)明構(gòu)裝方法的第二較佳實(shí)施例各步驟的剖面示 意圖。本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的構(gòu)裝方法，其包含有以下步驟提供一封膠后的電子模塊半成品；其中該半成品是將圖1所示的載板IOa進(jìn)行封 膠步驟，即一膠體16是全面覆于載板IOa上表面，并將晶片20封合于其中；沿著導(dǎo)線區(qū)域邊界102向下切割半成品膠體16、部份載板101及其金屬貫孔15， 形成多數(shù)行列交錯(cuò)的剖溝161，令與金屬各導(dǎo)線區(qū)域101的金屬貫孔15部份側(cè)壁外露；濺鍍上一步驟的半成品，令膠體16表面及剖溝161內(nèi)壁均勻鍍上一金屬層17，如此該剖溝161內(nèi)的金屬層17即與各外露金屬貫孔15側(cè)邊連接；及沿著剖溝切斷載板10a，以成型多數(shù)個(gè)獨(dú)立電子模塊30。由上述第一及第二較佳實(shí)施例可知，本發(fā)明主要令載板上各導(dǎo)線區(qū)域中的接地導(dǎo) 線延伸至與至少一相鄰導(dǎo)線區(qū)域的邊界處，如此即能配合一次半切、一次濺鍍及一全切步 驟，將金屬層形成于膠體的上表面，并且令金屬層與各導(dǎo)線區(qū)域的接地線路直接連接或透 過(guò)金屬貫孔連接，讓電子模塊焊接至電路板上時(shí)，其金屬層藉由接地線路電連接至電路板 的接地端，而具有抗電磁干擾的功效。此外，為使本發(fā)明容易進(jìn)行后續(xù)的標(biāo)示圖案動(dòng)作，請(qǐng)參閱圖7所示，即在上述各實(shí) 施例的第一道切割步驟之前，先以激光雕刻對(duì)應(yīng)各導(dǎo)線區(qū)域的膠體16上表面，以形成一凹 凸標(biāo)示圖案162，之后才進(jìn)行第一道切割步驟；如此一來(lái)，待完成濺鍍步驟后，膠體16上金 屬層17表面即能同樣顯示凹凸的標(biāo)示圖案，呈現(xiàn)金屬烙印觀感的標(biāo)示圖案；是以，使用本 發(fā)明不必?fù)?dān)心制作 電子模塊30成品后的標(biāo)示圖案31。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì) 以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于其包括以下步驟提供一封膠后的電子模塊半成品；其中該半成品包含一載板、多數(shù)晶片及一膠體；該載板包含有多數(shù)導(dǎo)線區(qū)域，各導(dǎo)線區(qū)域上設(shè)有至少一晶片且包含有至少一接地導(dǎo)線，該接地導(dǎo)線延伸至相鄰導(dǎo)線區(qū)域邊界處，該膠體全面覆于載板及晶片上；沿著導(dǎo)線區(qū)域邊界切割半成品膠體及部份載板，形成多數(shù)行列交錯(cuò)的剖溝，令各導(dǎo)線區(qū)域的接地導(dǎo)線外露；濺鍍上一步驟的半成品，令膠體表面及剖溝內(nèi)壁均勻鍍上一金屬層，其中剖溝內(nèi)的金屬層與各外露接地導(dǎo)線外露；以及沿著剖溝切斷載板，以成型多數(shù)個(gè)獨(dú)立電子模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于在第一道 切割步驟之前，進(jìn)一步包含激光雕刻步驟，該激光雕刻步驟是以激光雕刻各導(dǎo)線區(qū)域的對(duì) 應(yīng)膠體上表面，以形成一凹凸標(biāo)示圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于其中 所述的載板上表面形成至少一接地線路，以延伸與至少一相鄰導(dǎo)線區(qū)域 的邊界。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于其中 所述的載板下表面形成有至少一接地線路，并延伸至與至少一相鄰導(dǎo)線區(qū)域的邊界，且該 載板對(duì)應(yīng)該接地線路處形成有金屬貫孔，該金屬貫孔位于相鄰導(dǎo)線區(qū)域邊界。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于其中 所述的晶片包含IC晶片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于其中 所述的晶片包含表面粘著型元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于其中所述 的晶片包含表面粘著型元件。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種具有抗電磁干擾電子模塊的構(gòu)裝方法，是主要于電子模塊構(gòu)裝的封膠工藝后，自載板上膠體沿著各電子模塊邊界向下切割，以切開(kāi)載板上部份接地導(dǎo)線為止，即不切穿載板；如此即在膠體上形成有多數(shù)道剖溝，之后再對(duì)載板進(jìn)行濺鍍，均勻地在膠體及剖溝表面鍍上一金屬層，令該金屬層與載板的接地導(dǎo)線連接；最后，再執(zhí)行第二道切割步驟，即沿著各剖溝將載板切穿，完成多數(shù)個(gè)獨(dú)立的電子模塊構(gòu)裝；由于各電子模塊膠體上金屬層與其載板的接地導(dǎo)線電連，故可作抗電磁干擾用。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101800214SQ20091000625
公開(kāi)日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月6日
發(fā)明者江大祥 申請(qǐng)人:同欣電子工業(yè)股份有限公司