專利名稱：形成橫向分布發(fā)光二極管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別是涉及一種在晶片上形成橫向分布紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)，特別是白色發(fā)光二極管，已逐漸普遍應(yīng)用于移動電話或筆記型 電腦的液晶顯示器的背光源。此外，紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管也藉由色彩混合來得到更豐富的 色彩范圍。然而，現(xiàn)今發(fā)光二極管的效能及照度不夠高，而結(jié)合紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管的封裝 成本則很高。圖IA顯示傳統(tǒng)分離式封裝技術(shù)，其將分離發(fā)光二極管元件予以組合。圖IB 則顯示一種改良的傳統(tǒng)晶片直接封裝(chip-on-board，COB)技術(shù)，其是將發(fā)光二極管晶 片直接固定在封裝體上，而非將分離發(fā)光二極管元件予以組合。圖IB所示的晶片直接封 裝(COB)的高度小于組合的分離發(fā)光二極管元件(圖1A)的高度。再者，使用晶片直接封 裝(COB)的發(fā)光二極管最小間距可達(dá)到2毫米(mm)，而使用分離式封裝的發(fā)光二極管最小 間距僅能達(dá)到5毫米。即使使用晶片直接封裝(COB)所能達(dá)到的2毫米間距仍然無法達(dá) 到高的混色效果；若要提高混色效果，則必須增加成本使用反射板及導(dǎo)光板(light guide plate，LGP)。有文獻(xiàn)揭露一種垂直堆疊發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)及工藝(或稱為制程)，例如麥可 古德曼(Michael J. Grundmann)等人于固態(tài)物理刊物(Phys. StatsSol.) (c) 4，No. 7， 2830-2833(2007)所提出的“使用誘導(dǎo)偏極化通道接面的多顏色發(fā)光二極管(Multi-color Light Emitting Diode UsingPolarization-induced tunnel Junctions)，，。然而，此禾中垂 直堆疊發(fā)光二極管的電發(fā)光(electroluminescence)會隨著入射電流而改變。另有文獻(xiàn)揭露一種橫向分布發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)及工藝，例如Il-KyuPark(日奎 樸)等人于應(yīng)用物理刊物(Applied Physics Letters)92,091110 (2008)所提出的“具橫 向分布多重量子阱的無磷白色發(fā)光二極管(Phosphor-free White Light-emitting Diode with Laterally Distributed MultipleQuantum Wells)”。在其工藝中，多重量子阱 (multiple quantum well,MQff)的蝕刻會形成表面的破壞，因而造成低發(fā)光效能。鑒于上述傳統(tǒng)發(fā)光二極管無法有效得到較佳的發(fā)光特性，因此亟需提出一種新穎 的發(fā)光二極管制造方法，用以提高輸出效能、簡化封裝工藝、提高混色效能并減少晶片面 積。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述，本發(fā)明的目的在于提出一種在晶片上形成橫向分布紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極 管的方法，用以提高輸出效能、簡化封裝工藝、提高混色效能并減少晶片面積。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其包括以下步驟提供一半導(dǎo)體基板；在該半導(dǎo)體基板上形成一第一緩沖層，該第一緩沖層具有第一導(dǎo)電性；在該第一緩沖層上形成一介電層；圖樣化(patterning)該介電層，在該介電層內(nèi)形成一第一圖樣化區(qū)域；在該介電層 的第一圖樣化區(qū)域內(nèi)形成一第一主動層；圖樣化該介電層，在該介電層內(nèi)形成一第二圖樣 化區(qū)域；在該介電層的第二圖樣化區(qū)域內(nèi)形成一第二主動層，該第二主動層所發(fā)射光線的 顏色異于該第一主動層；在該第一主動層及該第二主動層上形成第二緩沖層，該第二緩沖 層具有第二導(dǎo)電性；以及在該第二緩沖層、該第一緩沖層上形成電極。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，所述的第一緩沖層或第二緩沖層包含氮 化鎵(GaN)。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第一主動層或第二主動層包 含一或多對多重量子阱(MQW)，該多重量子阱(MQW)包含氮為基礎(chǔ)的材料InxGai_xN/GaN (氮 化銦鎵/氮化鎵)(0 < χ < 1)。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其還包含以下步驟在形成該第二主動 層后，圖樣化該介電層，在該介電層內(nèi)形成一第三圖樣化區(qū)域；以及在該介電層的第三圖樣 化區(qū)域內(nèi)形成一第三主動層，該第三主動層所發(fā)射光線的顏色異于該第一主動層及該第二 主動層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其包括以下步驟提供一半導(dǎo)體基板；在該半導(dǎo)體 基板上形成一第一緩沖層，該第一緩沖層具有第一導(dǎo)電性；在該第一緩沖層上形成一第一 介電層；圖樣化(patterning)該第一介電層并去除該第一介電層的一部份，在該第一介電 層內(nèi)形成一第一圖樣化區(qū)域；在該第一圖樣化區(qū)域內(nèi)形成一第一多重量子阱(MQW)；在該 第一介電層上形成一第二介電層；圖樣化該第二介電層并去除該第二介電層、第一介電層 的一部份，以在該第一介電層內(nèi)形成一第二圖樣化區(qū)域；在該第二圖樣化區(qū)域內(nèi)形成一第 二多重量子阱，該第二多重量子阱所發(fā)射光線的顏色異于該第一多重量子阱；在該第二介 電層或第一介電層上形成一第三介電層；圖樣化該第三介電層并去除該第三介電層、第二 介電層、第一介電層的一部份，以在該第一介電層內(nèi)形成一第三圖樣化區(qū)域；在該第三圖樣 化區(qū)域內(nèi)形成一第三多重量子阱，該第三多重量子阱所發(fā)射光線的顏色異于該第一多重量 子阱及該第二多重量子阱；在該第一主動層、第二主動層、第三主動層上形成第二緩沖層， 該第二緩沖層具有第二導(dǎo)電性；以及形成在該第二緩沖層、該第一緩沖層上電極。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第一緩沖層或第二緩沖層包 含氮化鎵(GaN)。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第一介電層、第二介電層或 第三介電層包含氧化硅(Si02)。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第一多重量子阱、第二多重 量子阱或第三多重量子阱包含一或多對量子阱。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第一多重量子阱及第二多重 量子阱包含氮為基礎(chǔ)的材料InxGai_xN/GaN(氮化銦鎵/氮化鎵)(0 < χ < 1)，上述的第三 多重量子阱包含氮為基礎(chǔ)的材料InxGai_xN/GaN (氮化銦鎵/氮化鎵)(0 < χ < 1)或者磷為基礎(chǔ)的材料InxGai_xP/Iny(AlxGai_x)P (磷化銦鎵/磷化銦鋁鎵)(0<X<1且0<7<1)。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第二多重量子阱的銦(In) 含量高于該第一多重量子阱，且該第三多重量子阱的銦(In)含量高于該第二多重量子阱。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第二多重量子阱的形成溫度 低于該第一多重量子阱，且該第三多重量子阱的形成溫度低于該第二多重量子阱。前述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其中所述的第一多重量子阱發(fā)射藍(lán)光， 該第二多重量子阱發(fā)射綠光，且第三多重量子阱發(fā)射紅光。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為達(dá)到上述目 的，根據(jù)本發(fā)明實施例，首先，形成具第一導(dǎo)電性(例如η型)的第一緩沖層于半導(dǎo)體基板 上，且形成介電層于第一緩沖層上。對介電層進(jìn)行圖樣化(patterning)，以形成第一圖樣化 區(qū)域于其內(nèi)，接著形成第一主動層(例如多重量子阱，MQW)于第一圖樣化區(qū)域內(nèi)。對介電 層進(jìn)行圖樣化，以形成第二圖樣化區(qū)域于其內(nèi)，接著形成第二主動層(例如多重量子阱)于 第二圖樣化區(qū)域內(nèi)。在一實施例中，更形成第三主動層(例如多重量子阱)于介電層內(nèi)。接著，形成具 第二導(dǎo)電性(例如P型)的第二緩沖層于第一主動層、第二(及第三)主動層上。最后，形 成電極于第二、第一緩沖層上。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明形成橫向分布發(fā)光二極管的方法至少具有下列優(yōu)點及 有益效果本發(fā)明形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，使得紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管的最小間距 小至數(shù)十微米或更小，因而得以提高其混色效能且降低其晶片面積。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖IA顯示傳統(tǒng)分離式封裝技術(shù)，其將分離發(fā)光二極管元件予以組合的示意圖。圖IB顯示傳統(tǒng)晶片直接封裝(COB)技術(shù)，其將發(fā)光二極管晶片直接固定于封裝體 上的示意圖。圖2A至圖2J是本發(fā)明實施例在晶片上形成橫向分布紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管的工藝 及剖面示意圖。10 基板(藍(lán)寶石)12 :n型緩沖層(Ii+-GaN)14 第一介電層(第一氧化硅層)15 第一圖案化區(qū)域16 藍(lán)色多重量子阱18 第二介電層(第二氧化硅層)19 第二圖案化區(qū)域20 綠色多重量子阱22 第三介電層(第三氧化硅層)23 第三圖案化區(qū)域24 紅色多重量子阱26 :p型緩沖層(P+-GaN)28A φ型導(dǎo)電電極28B :n型導(dǎo)電電極
具體實施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法其具體實施方 式、步驟、特征及其功效進(jìn)行詳細(xì)說明。請參閱圖2A至圖2J所示，是本發(fā)明實施例在晶片上形成橫向分布紅、綠、藍(lán)發(fā)光 二極管的工藝及剖面圖。本發(fā)明的發(fā)光二極管可應(yīng)用于(但不限定于)固態(tài)發(fā)光源或顯示 器背光源。在本實施例中雖然形成有紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管，但是，并不需要形成所有顏色發(fā) 光二極管。例如，僅形成藍(lán)及綠發(fā)光二極管即足以作為白色發(fā)光二極管。再者，紅、綠、藍(lán)發(fā) 光二極管的部分顏色也可以使用其他顏色來取代。例如，可以使用黃色發(fā)光二極管來取代 紅色發(fā)光二極管。另外，本實施例雖以藍(lán)、綠、紅的順序來制造發(fā)光二極管，然而制造順序可 以加以改變。此外，本實施例所形成的橫向分布紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管可以整體作為白色發(fā) 光二極管使用，也可以個別顏色來使用。本發(fā)明的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，包括以下步驟如圖2A所示，在半導(dǎo)體基板10上形成η型緩沖(buffer)層12，例如使用金屬有 機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)形成的η+-氮化鎵(GaN)層。η+-氮化鎵層12的厚度可大約介于 2. 0微米至6. 0微米(μ m)，本實施例的較佳厚度大約為6. 0微米。η+-氮化鎵層12的形成 溫度可大約介于950°C至1100°C，本實施例的較佳形成溫度大約為1100°C?；?0可以 使用藍(lán)寶石晶片，但也可以使用下列或其他材料AIN(氮化鋁)、Ζη0(氧化鋅)、SiC(碳化 硅)、BP (磷化硼)、CaAs (砷化鈣)、CaP (磷化鈣)、Si (硅)、LiAIO2 (鋁酸鋰)、LaAIO3 (鋁 酸鑭)。接下來，如圖2B所示，沉積第一介電(dielectric)層14于η+-氮化鎵層12之上。 第一介電層14可以是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的氧化硅(Si02)層。第一 氧化硅層14的厚度可大約介于0. 2微米至0. 5微米，本實施例的較佳厚度大約為0. 3微米。 使用微影技術(shù)將第一氧化硅層14圖樣化(pattern)，并使用氫氟酸(HF或Β0Ε)濕蝕刻法 (或其他方法)去除暴露第一圖樣化區(qū)域15，直到η+-氮化鎵層12露出。如圖2C所示，以圖樣化第一氧化硅層14作為遮罩(mask)，在第一圖樣化區(qū)域15 內(nèi)選擇性地成長(selectively grow) 一或多對藍(lán)色多重量子阱(MQW) 16。在本實施例中， 共形成有10對藍(lán)色多重量子阱。藍(lán)色多重量子阱16是作為主動(active)層，其形成溫度 可大約介于750°C至800°C，本實施例的較佳形成溫度大約為780°C。在本實施例中，每一層 量子阱包含氮為基礎(chǔ)的材料InxGai_xN/GaN(氮化銦鎵/氮化鎵)(0 < χ < 1)。之后，如圖2D所示，沉積第二介電層18于第一氧化硅層14和藍(lán)色多重量子阱16 之上。第二介電層18可以是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的氧化硅(Si02)層。 第二氧化硅層18的厚度可大約介于0. 1微米至0. 5微米，本實施例的較佳厚度大約為0. 1 微米，其薄于第一氧化硅層14。使用微影技術(shù)將第二氧化硅層18圖樣化(pattern)，并使 用氫氟酸(HF或Β0Ε)濕蝕刻法(或其他方法)去除暴露第二圖案化區(qū)域19，直到η+-氮化 鎵層12露出。如圖2Ε所示，以圖樣化第二氧化硅層18作為遮罩(mask)，在圖樣化區(qū)域19內(nèi)選 擇性地成長(selectively grow) 一或多對綠色多重量子阱(MQW) 20。在本實施例中，共形 成有10對綠色多重量子阱。綠色多重量子阱20作為主動(active)層，其形成溫度可大約 介于700°C至760°C，本實施例的較佳形成溫度大約為750°C。由于綠色多重量子阱20的銦 (In)含量高于藍(lán)色多重量子阱16，因此綠色多重量子阱20的形成溫度通常須低于圖2C中藍(lán)色多重量子阱16的形成溫度。在本實施例中，綠色多重量子阱20的每一層量子阱包含氮為基礎(chǔ)的材料InxGai_xN/GaN (氮化銦鎵/氮化鎵)(0 < χ < 1)。之后，如圖2F所示，沉積第三介電層22于第二氧化硅層18和綠色多重量子阱20 之上。第三介電層22可以是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的氧化硅(Si02)層。 第三氧化硅層22的厚度可大約介于0. 1微米至0. 5微米，本實施例的較佳厚度大約為0. 1 微米，其和第二氧化硅層18的厚度大致相同但是薄于第一氧化硅層14。使用微影技術(shù)將第 三氧化硅層22圖樣化(pattern)，并使用氫氟酸(HF或Β0Ε)濕蝕刻法(或其他方法)去除 暴露區(qū)域23，直到η+-氮化鎵層12露出。如圖2G所示，以圖樣化第三氧化硅層22作為遮罩(mask)，在圖樣化區(qū)域23內(nèi)選 擇性地成長(selectively grow) 一或多對紅色多重量子阱(MQW) 24。在本實施例中，共形 成有10對紅色多重量子阱。紅色多重量子阱24作為主動(active)層，其形成溫度可大約 介于550°C至650°C，本實施例的較佳形成溫度大約為650°C。由于紅色多重量子阱24的銦 (In)含量高于綠色多重量子阱20，因此紅色多重量子阱24的形成溫度通常須低于圖2E中 綠色多重量子阱20的形成溫度。在本實施例中，紅色多重量子阱24的每一層量子阱包含 氮為基礎(chǔ)的材料InxGai_xN/GaN(氮化銦鎵/氮化鎵)(0 < χ < 1)。在另一實施例中，紅色 多重量子阱24的每一層量子阱包含磷為基礎(chǔ)的材料InxGai_xP/Iny (AlXGal-X)P (磷化銦鎵 /磷化銦鋁鎵)(0<乂<1且0<7<1)。接下來，如圖2H所示，使用微影技術(shù)將第三氧化硅層22圖樣化(pattern)，并使用 氫氟酸(HF)濕蝕刻法(或其他方法)去除藍(lán)色多重量子阱16上面的暴露區(qū)域15以及綠 色多重量子阱20上面的暴露區(qū)域19。以圖樣化第三氧化硅層22作為遮罩(mask)，分別在 藍(lán)色多重量子阱16、綠色多重量子阱20、紅色多重量子阱24上面形成ρ型緩沖(buffer) 層26，例如使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)形成的P+-氮化鎵(GaN)層。p+_氮化鎵層 26的厚度可大約介于0. 1微米至0. 25微米(μ m)，本實施例的較佳厚度大約為0. 2微米。 P+-氮化鎵層26的形成溫度可大約介于900°C至1000°C，本實施例的較佳形成溫度大約為 900 "C。參閱第二 I圖所示，使用氫氟酸(HF)濕蝕刻法(或其他方法)去除第三氧化硅層 22和第二氧化硅層18。最后，如圖2J所示，使用氫氟酸(HF或Β0Ε)濕蝕刻法(或其他方 法)去除部分的第一氧化硅層14，直到η+-氮化鎵層12露出。接下來，分別在η+-氮化鎵 層12和ρ+-氮化鎵層26上面形成η型、ρ型導(dǎo)電電極(或歐姆接觸)28Α、28Β。導(dǎo)電電極 28Α、28Β可以含鈦/鋁(Ti/Al)和鎳/金(Ni/Au)層。藉此，在晶片上形成橫向分布紅、綠、 藍(lán)發(fā)光二極管，如圖2J所示。根據(jù)本發(fā)明實施例，形成于晶片上的橫向分布紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管可組合以發(fā)射 白光。換句話說，紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管整體作為白色發(fā)光二極管之用，其通常又稱為多晶片 (multi-chip)白色二極管。紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管的色彩混合可以較冷陰極管(CCFL)具有 較豐富的色彩范圍及特性。本實施例的白色發(fā)光二極管為一種無磷白色發(fā)光二極管，其具 有高輸出效能及簡化封裝工藝。由于紅、綠、藍(lán)發(fā)光二極管的最小間距小至數(shù)十微米或更 小，因而得以提高其混色效能且降低其晶片面積。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對 以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其包括以下步驟提供一半導(dǎo)體基板；形成一第一緩沖層于該半導(dǎo)體基板上，該第一緩沖層具有第一導(dǎo)電性；形成一介電層于該第一緩沖層上；圖樣化該介電層，以形成一第一圖樣化區(qū)域于該介電層內(nèi)；形成一第一主動層于該介電層的第一圖樣化區(qū)域內(nèi)；圖樣化該介電層，以形成一第二圖樣化區(qū)域于該介電層內(nèi)；形成一第二主動層于該介電層的第二圖樣化區(qū)域內(nèi)，該第二主動層所發(fā)射光線的顏色異于該第一主動層；形成第二緩沖層于該第一主動層及該第二主動層上，該第二緩沖層具有第二導(dǎo)電性；以及形成電極于該第二緩沖層、該第一緩沖層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第 一緩沖層或第二緩沖層包含氮化鎵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第 一主動層或第二主動層包含一或多對多重量子阱，該多重量子阱包含氮為基礎(chǔ)的材料氮化 銦鎵/氮化鎵InxGai_xN/GaN，其中O < χ < 1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其還包含以下 步驟在形成該第二主動層后，圖樣化該介電層，以形成一第三圖樣化區(qū)域于該介電層內(nèi)；及 形成一第三主動層于該介電層的第三圖樣化區(qū)域內(nèi)，該第三主動層所發(fā)射光線的顏色 異于該第一主動層及該第二主動層。
5.一種形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其包括以下步驟 提供一半導(dǎo)體基板；形成一第一緩沖層于該半導(dǎo)體基板上，該第一緩沖層具有第一導(dǎo)電性； 形成一第一介電層于該第一緩沖層上；圖樣化該第一介電層并去除該第一介電層的一部份，以形成一第一圖樣化區(qū)域于該第 一介電層內(nèi)；形成一第一多重量子阱于該第一圖樣化區(qū)域內(nèi)； 形成一第二介電層于該第一介電層上；圖樣化該第二介電層并去除該第二介電層及第一介電層的一部份，以形成一第二圖樣 化區(qū)域于該第一介電層內(nèi)；形成一第二多重量子阱于該第二圖樣化區(qū)域內(nèi)，該第二多重量子阱所發(fā)射光線的顏色 異于該第一多重量子阱；形成一第三介電層于該第二介電層或第一介電層上；圖樣化該第三介電層并去除該第三介電層、該第二介電層及該第一介電層的一部份， 以形成一第三圖樣化區(qū)域于該第一介電層內(nèi)；形成一第三多重量子阱于該第三圖樣化區(qū)域內(nèi)，該第三多重量子阱所發(fā)射光線的顏色 異于該第一多重量子阱及該第二多重量子阱；形成第二緩沖層于該第一主動層、第二主動層及第三主動層上，該第二緩沖層具有第 二導(dǎo)電性；以及形成電極于該第二緩沖層、該第一緩沖層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第 一緩沖層或第二緩沖層包含氮化鎵。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第 一介電層、第二介電層或第三介電層包含氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第 一多重量子阱、第二多重量子阱或第三多重量子阱包含一或多對量子阱。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第 一多重量子阱及第二多重量子阱包含氮為基礎(chǔ)的材料氮化銦鎵/氮化鎵InxGai_xN/GaN，其 中O < χ < 1 ；上述的第三多重量子阱包含氮為基礎(chǔ)的材料氮化銦鎵/氮化鎵IrixGai_xN/ GaN，其中O < χ < 1，或者磷為基礎(chǔ)的材料磷化銦鎵/磷化銦鋁鎵InxGai_xP/Iny (AlxGa1JP, 其中 0<χ<1 且 0<y<l。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的 第二多重量子阱的銦含量高于該第一多重量子阱，且該第三多重量子阱的銦含量高于該第 二多重量子阱。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第二多重量子阱的形成溫度低于該第一多重量子阱，且該第三多重量子阱的形成溫度低于 該第二多重量子阱。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，其特征在于其中所述的第一多重量子阱發(fā)射藍(lán)光，該第二多重量子阱發(fā)射綠光，且第三多重量子阱發(fā)射紅光。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種形成橫向分布發(fā)光二極管的方法。首先，形成具第一導(dǎo)電性的第一緩沖層在半導(dǎo)體基板上，且形成介電層于第一緩沖層上。對介電層進(jìn)行圖樣化(patterning)，以形成第一圖樣化區(qū)域于其內(nèi)，接著形成第一主動層在第一圖樣化區(qū)域內(nèi)。對介電層進(jìn)行圖樣化，以形成第二圖樣化區(qū)域于其內(nèi)，接著形成第二主動層在第二圖樣化區(qū)域內(nèi)。形成具第二導(dǎo)電性的第二緩沖層在第一、第二主動層上。最后，形成電極在第二、第一緩沖層上。本發(fā)明的形成橫向分布發(fā)光二極管的方法，可以提高輸出效能、簡化封裝工藝、提高混色效能并減少晶片面積。
文檔編號H01L33/00GK101800273SQ20091000627
公開日2010年8月11日 申請日期2009年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月11日
發(fā)明者張俊彥, 楊宗禧, 陳燕晟 申請人:立景光電股份有限公司;張俊彥