專利名稱：發(fā)光二極管及其相關(guān)背光模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管及其相關(guān)背光模塊，尤指-種具有透鏡(lens;)的發(fā)光二極管， 使發(fā)光二極管具有側(cè)向光場以及相關(guān)背光模塊。
背景技術(shù)：
近年來發(fā)光二極管(以下簡稱LED (light emitting diode))的應用領(lǐng)域不斷地被開發(fā)。LED 系屬冷發(fā)光，具有耗電量低、組件壽命長、無須暖燈時間、反應速度快等優(yōu)點，再加t:其體 積小、耐震動、適合量產(chǎn)，容易配合應用需求制成極小或數(shù)組式的組件等優(yōu)點。發(fā)光二極管 (LED)裝置為符合應用的需求，往往需要在光束場型(beampattern)、視角(viewangle)、或出光 角度上加以配合；故當LED以矩陣排列，需將間距與欲照射平面距離考慮好才可在欲照射表 面有均勻亮度分布。
一般LED的發(fā)光場形為(朗伯)Lambertian發(fā)散，其發(fā)散角約120度左右，且LED表 面法線方向之光線(中心光源)最強。也正因為如此，在組成背光模塊時，如欲縮短與照射甲-面距離或拉大LED間距，照射平面上便會呈現(xiàn)亮點型式之分布。
為了解決上述問題， 一般背光模塊皆以全側(cè)向發(fā)光之LED為主，目前已有許多現(xiàn)有技術(shù) 陸續(xù)被公開，包含美國專利4,907,044、 2006/0076568以及2007/0195534等，其均在LED封 裝體上加上一透鏡結(jié)構(gòu)并在透鏡表面中心附近鍍上反射層，利用透鏡曲率折光至貼近水平方 向之大角度出光，以得到接近水平發(fā)散的發(fā)光場形，但此種LED在法線方向的光強度極弱， 幾乎沒有任何出射光線。
美國專利2006/0102914進一步揭露了具有翅膀形光場的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其利用兩層曲 面中間含有溝槽(gap)的結(jié)構(gòu)，可達到大角度的翅膀形光場，其法線方向的光場強度為與法線 夾70-80度的光場強度的5-33%。此外，請參考第1圖，第1圖為美國專利公告第2007/0187705 Al號所揭露習知發(fā)光二極管的剖面示意圖。為調(diào)整發(fā)光二極管100的發(fā)光場形，使其呈現(xiàn)翅 膀場形，利用芯片110上方具有凹槽130的透鏡120型式以達成不同形狀的發(fā)光場形。但上 述LED側(cè)向光強度與側(cè)向角度控制卻不盡理想，故當LED欲組成背光模塊時，其組成的數(shù) 組間距亦受限于一定距離以內(nèi)，以避免造成亮度不夠與亮度不均等問題，但這樣的解決方法 卻造成LED數(shù)量必須增加，成本也隨之提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管及其相關(guān)背光模組，該發(fā)光二極管具有側(cè)向光場，其不僅 使得具有該發(fā)光二極管的相關(guān)背光模組的亮度增加，且控制了制造成本。
本發(fā)明提供的發(fā)光二極管是這樣實現(xiàn)的 一種發(fā)光二極管，其包含有-一發(fā)光二極管芯片；
一基底結(jié)構(gòu)，該基底結(jié)構(gòu)具有一m槽，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該凹槽內(nèi)；
一熒光粉層，于該凹槽內(nèi)覆蓋于該發(fā)光二極管芯片上；以及
一透鏡，設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)上，該透鏡具有一曲面?zhèn)缺?，頂部具有一平面，頂部中央?有一倒圓錐結(jié)構(gòu)的凹錐。
本發(fā)明更提供了一種背光模組，其是這樣實現(xiàn)的
一種背光模塊，其包含有
一反射板；
一擴散板，設(shè)置于該反射板上方；
復數(shù)個發(fā)光二極管，設(shè)置丁該反射板與該擴散板之間，任兩相鄰發(fā)光二極管的設(shè)置間距 介于20毫米至40毫米，其中每一發(fā)光二極管包含有 一發(fā)光二極管芯片；
一基底結(jié)構(gòu)，其具有一凹槽，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該凹槽內(nèi)；以及 一透鏡，設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)上，該透鏡具有一曲面?zhèn)缺?，頂部具有一平面，頂部中央?有一倒圓錐結(jié)構(gòu)的凹錐。
本發(fā)明亦提供了另一種背光模組，其是這樣實現(xiàn)的
一種背光模塊，其包含有
一反射板；
一擴散板，設(shè)置于該反射板上方；
復數(shù)個發(fā)光二極管，設(shè)置于該反射板與該擴散板之間，任兩相鄰的該發(fā)光二極管設(shè)置間 距的高度與寬度比介于0. 5至1之間，其屮每一發(fā)光—極管包含有-
一發(fā)光二極管芯片；
一基底結(jié)構(gòu)，其具有凹槽，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該凹槽內(nèi)；以及 一透鏡，設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)上，該透鏡具有一曲面?zhèn)缺?，頂部具有一平面，頂部中央?有一倒圓錐結(jié)構(gòu)的凹錐。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明發(fā)光二極管及其相關(guān)背光模組具有以下優(yōu)點 本發(fā)明揭露的發(fā)光二極管，其利用特殊外型的透鏡以及凹槽與透鏡間相對特殊比例作用， 藉以調(diào)整發(fā)光二極管的發(fā)光場形特征，形成具有側(cè)向光場的發(fā)光二極管，其場形強度最大值 約介于與法線夾40-70度角間，而法線方向的光強度約為最大光強度極大值的40%至70%。 本發(fā)明的發(fā)光二極管可有效改變發(fā)光二極管芯片的發(fā)光光場，其翅膀形狀的發(fā)光場形可使發(fā) 光二極管具有大視角發(fā)光及較大的照射半徑的特性。
本發(fā)明所提供的背光模塊，可利用本發(fā)明具有側(cè)向光場的發(fā)光二極管，在不影響照明均 勻度及亮度的情況下，將發(fā)光二極管設(shè)置的數(shù)組間距加大，可有效減少發(fā)光二極管使用數(shù)目 以達到降低成本的目的。此外，為因應目前背光市場朝向輕薄發(fā)展，本案的發(fā)光二極管可應 用于在直下式背光模塊的設(shè)計上，使其達到厚度薄形化的目的。且本發(fā)明更可應用于路燈或 一般光源應用上，使其達到更大的設(shè)計彈性，并使模塊成本更低，且極具競爭力。
—廠面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進一步詳細說明 圖1為習知發(fā)光二極管的剖面示意圖。 圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管第一實施例的剖面圖。 圖3為本發(fā)明發(fā)光二極管第二實施例的剖面圖。
圖4為本發(fā)明透鏡的剖面圖。
圖5為本發(fā)明發(fā)光二極管第一實施例的第一基板不意圖。 圖6為本發(fā)明發(fā)光二極管第一實施例的第二基板示意圖。 圖7為本發(fā)明發(fā)光二極管第一實施例的第三基板示意圖。 圖8為本發(fā)明發(fā)光二極管第一實施例加入透鏡的示意圖。 圖9為本發(fā)明發(fā)光二極管第一實施例的基板底視圖。
圖10為本發(fā)明發(fā)光二極管C與現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管D光強度與發(fā)光角度關(guān)系的曲線圖。 圖11為本發(fā)明發(fā)光二極管C與現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管D照射于平面上的亮度分布圖。 圖12為本發(fā)明背光模塊的示意圖。
具體實施例方式
請參考圖2、圖3。本發(fā)明發(fā)光二極管20、 30包含一基底結(jié)構(gòu)200、 300、 一發(fā)光二極管 芯片252、 352、 一熒光粉層254、 354以及一透鏡(lens) 240、 340，其中基底結(jié)構(gòu)200、 300具有凹槽250、 350，可使發(fā)光二極管芯片252、 352置于其中，而熒光粉層254、 354設(shè)置 于凹槽250內(nèi)且覆蓋于發(fā)光二極管芯片252、 352上，用以將芯片發(fā)光波長轉(zhuǎn)換為其它發(fā)光波 L(并增加發(fā)光二極管20、 30的出光光色均勻性，透鏡240、 340設(shè)置于基底結(jié)構(gòu)200、 300上， 用以調(diào)整發(fā)光二極管芯片252所發(fā)出的光線，改變其發(fā)光場形，而基底結(jié)構(gòu)200、 300更包含 至少一導電端了 202、 203、 302、 303，用以提供發(fā)光一.極管芯片252、 352發(fā)光所須的電壓。
此外，基底結(jié)構(gòu)為多層基板堆棧結(jié)構(gòu)，也就是說，基底結(jié)構(gòu)200、 300至少為一第一 基板210、 310以及一位于第謹板210、 310上的第二基板220、 320迭合而成，換言之，基 底結(jié)構(gòu)200、 300亦可包含一第三基板230，迭合于第二基板220、 320上方。
此外，導電端子202、 203、 302、 303為一多層金屬導電架構(gòu)的一部分，也就是說，基 底結(jié)構(gòu)200、 300為該多層金屬導電架構(gòu)與多層基板堆棧結(jié)構(gòu)結(jié)合而成，其中以圖2為例，該 多層金屬導電架構(gòu)至少包含一第二金屬層222用以形成其正負導電端子202、 203以及一位于 第一基板210與第二基板220間的第一金屬層212，進而提供一個熱電合一的架構(gòu)，使得發(fā) 光二極管芯片252發(fā)光所產(chǎn)牛的熱可藉由第二金屬層222導出；其中該多層金屬導電架構(gòu)形 成方法可藉由披覆(coating)、電鍍(plating)、印刷(printing)、金屬薄片夾層或引線框架的方式 設(shè)置二金屬層212、 222;并更包含連接二金屬層212、 222的導體260，該連接方式可為一 體成型的引線框架360或于該多層基板間設(shè)置至少二穿孔(如圖5所示第一孔洞214、 215及 圖6所示第二孔洞224、 225)，并于該些穿孔中填充一金屬物(如圖2及圖3所示導體260、 360)，進而其中一該穿孔用以提供第一金屬層212與第二金屬層222電性連接，故該些穿孔 亦可稱為導電孔，而填充金屬物的方法系可藉由電鍍或灌入金屬漿或金屬膠的方式以達到填 充目的。
此外，為使發(fā)光二極管芯片252、 352與基底結(jié)構(gòu)200、 300電件連結(jié)，則設(shè)置至少一導 線270、 370連接發(fā)光二極管芯片252、 352及導電端子202、 203、 302、 303。其中引線框架 360、第一金屬層212及第二金屬層222的材料為以銅/鎳/銀合余(Cu/Ni/Ag)或銅/鎳/金 (Cu/Ni/Au)合金所組成，導體層260材料由銀(Ag)所組成。
此外，基底結(jié)構(gòu)200、 300 (亦即第一基板210、 310，第二基板220、 320以及第二基板 230)由散熱板、導電板、電路板或陶瓷板所構(gòu)成，其組成材料可為硅材料、陶瓷材料或金屬 材料等個別或混合材料。
此外，基底結(jié)構(gòu)200、 300更包含一散熱塊280、 380，發(fā)光二極管芯片252、 352位于散 熱塊280、 380上，其中散熱塊280、 380的材質(zhì)系為銅(Cu)或銀(Ag)，于發(fā)光二極管芯片252、 352作用而產(chǎn)生熱能時，散熱塊280、 380藉由熱傳導的特性可將發(fā)光二極管芯片252、 352
7所產(chǎn)生的熱能傳遞出去，于本發(fā)明的實施例中，散熱塊280、 380亦可視為第一基板210、 310
的一部分。
請參考圖4，本發(fā)明所述的透鏡240具有獨特外形，包括具有一曲面?zhèn)缺?42，透鏡 240頂部具有一平面244，目.頂部中央具有一倒圓錐結(jié)構(gòu)的凹錐(conical concave portion) 246， 透鏡240可調(diào)整發(fā)光二極管芯片252、 352的發(fā)光場形，使其呈現(xiàn)側(cè)向光場。此外請一并參照 圖2及圖3，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管20、 30的基底結(jié)構(gòu)200、 300的凹槽250、 350邊長A 尺寸系小于透鏡240、 340直徑B三分之一，因此發(fā)光二極管芯片252、 352在凹槽250、 350 中可以呈現(xiàn)類似點光源的形式發(fā)光。
此外，以本發(fā)明實施例而言，于發(fā)光二極管20底部更包含一第三金屬層，用以形成一驅(qū)
動電路(圖未示)，也就是提供至少一對應的m負電壓于該驅(qū)動電路，再藉由與發(fā)光二極管芯
片252電性導通的二正負導電端子202、 203而使其產(chǎn)牛光源。參考圖5至圖8且搭配圖2為 例，當?shù)谝换?10與第二基板220堆棧時，第一孔洞214、 215、 216、 217與第二孔洞224、 225、 226、 227填充該金屬物使其與第三金屬層形成的相對應該驅(qū)動電路產(chǎn)生電性連接，以 單一芯片為例，發(fā)光二極管芯片252的正極可利用導線270連接導電端子202后，透過仟一 第一孔洞215、 217與該任一第一孔洞相對的第二孔洞225、 227內(nèi)的該金屬物外接相對應該 驅(qū)動電路的正極接點；同理，發(fā)光二極管芯片252的負極可利用導線270連接導電端子203 后，透過任一第一孔洞214、 216與該任一第一孔洞相對的第二孔洞224、 226內(nèi)的該金屬物 外接相對應該驅(qū)動電路的負極接點，如此完成。其中，發(fā)光二極管芯片252的正負極亦可利 用導線270分別連接另一導電端子202、 203。
請參考圖9，圖9為本發(fā)明發(fā)光二極管20第一實施例的第一基板210底視圖。發(fā)光二極 管20的第一基板210底部具有一第三金屬層，其包含復數(shù)個金屬墊218，至少二第一基板210 底部四端的金屬墊218與發(fā)光二極管芯片252的正負極相連接，并提供該正負電壓于該驅(qū)動 電路，且與發(fā)光二極管芯片252電性導通產(chǎn)生光源。此外，亦可于該發(fā)光二極管20中置入復 數(shù)個發(fā)光二極管芯片252于凹槽250中(如圖2所示)，其中該復數(shù)個芯片電性連接關(guān)系可視 需求為串聯(lián)或并聯(lián)。更進一步的說，該芯片間的串并聯(lián)關(guān)系可藉由該些金屬墊218搭配外接 相對該應該驅(qū)動電路的正負極接點以及導線270搭配導電端子202、203加以調(diào)整。舉例來說， 與外部驅(qū)動電路電性連接該些金屬墊218，僅提供一對正負電性，將該二芯片藉由該些導線 270與該些導電端子202、 203電性聯(lián)接，或者，將一芯片正極與另一芯片負極直接另一導線 連接該二芯片，則可提供二芯片的電性串聯(lián)關(guān)系；其中正負極可視需求互換。
請圖2且由第5圖至圖8， 一第一基板210具有至少第一金屬層212，其中第一金屬層212具有復數(shù)個第一孔洞214、 215、 216、 217。由圖6可知， 一第二基板320具有至少一第 二金屬層322，其中第二金屬層222具有復數(shù)個第二孔洞224、 225、 226、 227。為提供發(fā)光 二極管芯片252與外部電源的電性連接，則第一孔洞214、 215、 216、 217與第二孔洞224、 225、 226、 227兩兩相對相互重迭，并填充入一金屬物形成一貫穿第一基板與第二基板的導 體260(又稱導電孔)，使正負導電端—-P202、 203可藉由導體260與外部電源電性連接，此外， 部份的第二孔洞224、 225中的導體260更用以提供第'金屬層212與第二金屬層222電性連 接。由圖7可知，第三基板230迭合于第二基板220上方，且第三基板230具有一容置空間， 可容置連接于發(fā)光二極管芯片252以及第二金屬層222之間的導線270，以保護發(fā)光二極管 20的線路。最后由圖8可知，透鏡240迭合于第三基板230上方，可調(diào)整發(fā)光二極管芯片252 的發(fā)光場形。
本發(fā)明利用透鏡240、 340結(jié)構(gòu)改良發(fā)光二極管20、 30的發(fā)光場形，使發(fā)光二極管20、 30具有一翅膀形狀的發(fā)光場形，同時搭配將發(fā)光二極管芯片252、 352設(shè)置于凹槽250、 350 內(nèi)，且凹槽250、 350與透鏡240、 340具有特殊比例的尺寸關(guān)系，使發(fā)光二極管芯片252、 352以近似點光源的形式發(fā)光，如此一來，發(fā)光二極管20、 30可以產(chǎn)牛:中心強度較斜向光強 度稍弱的翅膀狀發(fā)光場形，凼此當發(fā)光二極管20、 30之設(shè)置間距拉大后，或與欲照射面距離 拉近時，兩發(fā)光二極管20、 30間的亮度與發(fā)光二極管20、 30上方的亮度不至于相差太多， 因此在提供均勻光強度的條件下，本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管20、 30可以更大之間距配置。 換言之，當將發(fā)光二極管20、 30應用于直下式背光模塊的背光源時，具有大視角的發(fā)光 二極管20、 30可以有效縮短背光模塊與薄膜晶體管-液晶顯示器模塊的距離。此外，本發(fā) 明所揭露的發(fā)光二極管20、 30結(jié)構(gòu)所發(fā)出的光線的波長范圍介于300奈米(nm)至700奈米 之間，請參照圖10及圖11，圖10為本發(fā)明發(fā)光二極管C與現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管D光強度與 發(fā)光角度關(guān)系的曲線圖，圖11為發(fā)光二極管C與現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管D照射于平面上亮度 分布圖。由圖10 bJ知，現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管D結(jié)構(gòu)所提供發(fā)光場形的最大強度在中心法線 方向，而偏離中心法線方向越遠，其光強度呈現(xiàn)遞減現(xiàn)象。然本發(fā)明發(fā)光二極管C結(jié)構(gòu)所提 供發(fā)光場形，其場形強度最大值約介于與法線夾40-70度角間，而法線方向的光強度約為最 大光強度極大值的40%至70%。由圖11可知，現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管D的光亮度半徑較本發(fā) 明發(fā)光二極管C小。故由上述可知，本發(fā)明的發(fā)光二極管20、 30可有效改變發(fā)光二極管芯 片252、 352的發(fā)光光場，其翅膀形狀的發(fā)光場形可使發(fā)光二極管20、 30具有大視角發(fā)光及 較大的照射半徑的特性。
請參考圖12。圖12為應用本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管20、 30背光模塊400的示意圖。其中背光模塊(back light unit)400包含反射板(reflective sheet) 420、 一擴散板(diffuser plate) 440以及復數(shù)個發(fā)光二極管20(或發(fā)光二極管30)。其中擴散板440設(shè)置于反射板420上方， 復數(shù)個發(fā)光二極管20則設(shè)置于反射板420與擴散板440之間。此夕卜，擴散板440上方可另增 設(shè)一第一擴散膜(diffuser film) 442、 一第一增亮膜(brightness enhancement film-BEF) 460、 一第
二增亮膜462以及一第二擴散膜444。其中發(fā)光二極管20所產(chǎn)生的光線由擴散板440散射至 顯示面板(圖未顯示)，于發(fā)光二極管20下方的反射板420則可將發(fā)光二極管20向下散射的 光線反射至擴散板440，以有效利用發(fā)光二極管20發(fā)出光線。而擴散板440上的擴散膜460 則具有導光功能。在背光模塊400中，由于發(fā)光二極管20具有如前述翅膀狀的發(fā)光場形，因 此在背光模塊400內(nèi)任兩相鄰發(fā)光二極管20的設(shè)置間距可介于20毫米(mm)至40毫米(mm;) 之間，較佳為25毫米(mm)至29毫米(mm)之間。除此之外，任兩相鄰的發(fā)光二極管20設(shè)置 間距的高度與寬度比介于0.5至1之間，故利用本發(fā)明的發(fā)光二極管20所組成的背光模塊400， 可有效減少發(fā)光二極管20的數(shù)量，同時符合背光模塊400的光強度及均勻度需求。此外，發(fā) 光二極管20與擴散板440的距離H亦因發(fā)光二極管20的側(cè)向光場特性可進一步縮小，進而 達到背光模塊400薄型化的目的。
本發(fā)明揭露的發(fā)光二極管，其利用特殊外型的透鏡以及凹槽與透鏡間相對特殊比例作用， 藉以調(diào)整發(fā)光二極管的發(fā)光場形特征，形成具有側(cè)向光場的發(fā)光二極管，其中，本發(fā)明的技 術(shù)內(nèi)容特祉不僅局限于圖2、圖3中利用打線技術(shù)(wirebounding)將芯片與基底結(jié)構(gòu)上的導電 端子連接以提供發(fā)光二極管芯片所需發(fā)光電壓，本發(fā)明亦適用于覆晶封裝(Flip-Chip)技術(shù)，于 芯片上生成至少一凸塊(bump)，再將芯片翻轉(zhuǎn)(flip)使該凸塊與基底結(jié)構(gòu)直接連結(jié)，也就是說， 不論應用于何種封裝技術(shù)，只要于基底結(jié)構(gòu)上裝設(shè)本發(fā)明特殊形狀的透鏡皆為本發(fā)明的技術(shù) 內(nèi)容特征，而本發(fā)明所提供的背光模塊，可利用本發(fā)明具有側(cè)向光場的發(fā)光二極管，在不影 響照明均勻度及亮度的情況下，將發(fā)光二極管設(shè)置的數(shù)組間距加大，口i有效減少發(fā)光二極管 使用數(shù)目以達到降低成本的目的。此外，為因應目前背光市場朝向輕薄發(fā)展，本案的發(fā)光二 極管可應用于在直下式背光模塊的設(shè)計上，使其達到厚度薄形化的目的。且本發(fā)明更可應用 于路燈或一般光源應用上，使其達到更大的設(shè)計彈性，并使模塊成本更低，且極具競爭力。
惟以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發(fā)明實施的范圍，即 大凡依本發(fā)明申請專利范圍及發(fā)明說明內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專 利涵蓋的范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光二極管，其包含有一發(fā)光二極管芯片；基底結(jié)構(gòu)，該基底結(jié)構(gòu)具有一凹槽，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該凹槽內(nèi)；一熒光粉層，于該凹槽內(nèi)覆蓋于該發(fā)光二極管芯片上；以及一透鏡，設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)上，該透鏡具有一曲面?zhèn)缺?，頂部具有一平面，頂部中央具有一倒圓錐結(jié)構(gòu)的凹錐。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光—極管，其特征在于，該基底結(jié)構(gòu)包含一散熱塊，該發(fā)光二極管 芯片位于該散熱塊上。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該基底結(jié)構(gòu)包含一第一基板與一第二基板， 該第一基板具有一第一金屬層，該第二基板具有一第二金屬層，該第一金屬層具有至少一第 一孔洞，該第二金屬層具有至少一第二孔洞，至少一該第'孔洞與該第二孔洞相互重迭。
4. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管更包含一金屬物，填充于該 第一孔洞及該第二孔洞內(nèi)，電性連接該第一基板的該第一金屬層及該第二基板的該第二金屬 層。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該基底結(jié)構(gòu)包含具有一第一金屬層的一第 一基板、具有一第二金屬層的一第二基板與一第三基板，該第三基板具有一容置空間并迭合 于該第二基板上，用以容置電性連接該發(fā)光二極管芯片及該第二基板的該第二金屬層之一導 線。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該基底結(jié)構(gòu)更包含一與其結(jié)合的引線框架。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該基底結(jié)構(gòu)包含一第一基板、 一第二基板 與一第三基板，該第三基板具有一容置空間并迭合于該第二基板上，用以容置電性連接該發(fā) 光二極管芯片及該引線框架的一導線。
8. 如權(quán)利要求3或5或7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該凹槽藉由該第二基板與該第一 基板迭合而成。
9. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管所發(fā)出光強度最大值界于與 法線夾40-70度角間，法線向量的光強度為最大光強度值的40%至70%。
10. 如權(quán)利要求1或3或5或7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該凹槽邊長小十該透鏡直徑的三分之一。
11. 一種背光模塊，其包含有-一反射板；一擴散板，設(shè)置于該反射板上方；復數(shù)個發(fā)光二極管，設(shè)置于該反射板與該擴散板之間，任兩相鄰發(fā)光二極管的設(shè)置間距 介于20毫米至40毫米，其中每一發(fā)光二極管包含有 一發(fā)光二極管芯片；一基底結(jié)構(gòu)，其具有一凹槽，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該凹槽內(nèi)；以及 一透鏡，設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)上，該透鏡具有一曲面?zhèn)缺?，頂部具有一平而，頂部中央?有一倒圓錐結(jié)構(gòu)的凹錐。
12. 如權(quán)利要求ll所述背光模塊，其特征在于，該每一發(fā)光二極管更包含一熒光粉層，于該凹槽內(nèi)覆蓋于該發(fā)光二極管芯片上。
13. —種背光模塊，其包含有-一反射板；一擴散板，設(shè)置于該反射板上方；復數(shù)個發(fā)光二極管，設(shè)置于該反射板與該擴散板之間，任兩相鄰的該發(fā)光二極管設(shè)置間 距的高度與寬度比介于0. 5至1之間，其中每一發(fā)光二極管包含有一發(fā)光二極管芯片；一基底結(jié)構(gòu)，其具有一凹槽，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該凹槽內(nèi)；以及 一透鏡，設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)上，該透鏡只.有一曲面?zhèn)缺?，頂部具有一平面，頂部中央?有一倒圓錐結(jié)構(gòu)的凹錐。
14. 如權(quán)利要求13所述的背光模塊，其特征在于，該每一發(fā)光二極管更包含一熒光粉層，于 該凹槽內(nèi)覆蓋于該發(fā)光二極管芯片上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，其包含一發(fā)光二極管芯片、一基底結(jié)構(gòu)、一熒光粉層，以及一透鏡(lens)。其中該基底結(jié)構(gòu)具有一凹槽使該發(fā)光二極管芯片與該熒光粉層同時設(shè)置于該凹槽內(nèi)，而該透鏡則設(shè)置于該基底結(jié)構(gòu)上，其具有一曲面?zhèn)缺?，頂部具有一平面，頂部中央具有一倒圓錐(cone)結(jié)構(gòu)的凹錐。
文檔編號H01L33/00GK101510581SQ20091003810
公開日2009年8月19日 申請日期2009年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月19日
發(fā)明者吳嘉豪, 周孟松, 林貞秀, 王修辭, 高志強 申請人:旭麗電子(廣州)有限公司;光寶科技股份有限公司