專利名稱：快恢復二極管及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及微電子領域，尤其涉及一種快恢復二極管及其制造方法。
背景技術：
快恢復二極管(Fast Recovery Diode,以下簡稱FRD)是在普通二極管基礎上引入 深能級金屬雜質，形成復活中心，從而提高開關速度的高速開關器件。圖IA-圖IC為現(xiàn)有 技術FRD的制造方法示意圖，如圖1A-1C所示，首先用傳統(tǒng)工藝在P型硅襯底上形成重摻雜 N型陽極，在金屬淀積前的清洗完成后，直接淀積金屬，而兩步工藝之間的時間間隔里，硅片 表面會迅速形成不均勻的自然氧化層(二氧化硅層)，從而影響金屬硅化物厚度的均勻性， 導致現(xiàn)有技術的FRD普遍存在芯片與芯片(DIE to DIE)和硅片與硅片(WAFER to WAFER) 開關速度均勻性問題?？旎謴投O管的速度有差異，最終將導致這些快恢復二極管制備的產(chǎn)品也會有差 異。當速度的一致性不夠時，就不能用在對開關一致性要求高的場合，降低了產(chǎn)品的品質和質量。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種快恢復二極管，能夠解決DIE toDIE和 WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。為解決上述技術問題，本發(fā)明快恢復二極管采用如下技術方案一種快恢復二極管，包括硅襯底、淀積在所述硅襯底上的重摻雜陽極和淀積在所 述硅襯底上、且處于所述重摻雜陽極兩側的場氧，還包括形成在所述重摻雜陽極上的白金 硅化物層和形成在所述白金硅化物層上均勻的二氧化硅層。本發(fā)明實施例提供的快恢復二極管，通過在在金屬淀積前的清洗完成后沉積一 層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了 DIE toDIE和WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。本發(fā)明所要解決的另一個技術問題在于提供一種快恢復二極管制造方法，能夠解 決DIE to DIE禾口 WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。為解決上述技術問題，本發(fā)明快恢復二極管制造方法采用如下技術方案一種快恢復二極管制造方法，包括在清洗后的淀積了重摻雜陽極和場氧的硅襯底上形成均勻的二氧化硅層；用濺射或者蒸發(fā)的方法淀積金屬層；通過合金工藝，形成均勻的硅化物結。本發(fā)明實施例提供的快恢復二極管制造方法，通過在在金屬淀積前的清洗完成后 沉積一層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了 DIE to DIE和 WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。
圖1A-1C為現(xiàn)有技術FRD的制造方法示意圖；圖2為本發(fā)明FRD實施例的結構示意圖；圖3為本發(fā)明FRD制造方法實施例的流程圖；圖4A-4C為本發(fā)明FRD的制造方法實施例的示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供一種快恢復二極管及其制造方法，能夠解決DIE to DIE和 WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。下面結合附圖對本發(fā)明實施例快恢復二極管及其制造方法進行詳細描述。圖2為本發(fā)明FRD實施例的結構示意圖，如圖2所示，本發(fā)明實施例的快恢復二極 管包括硅襯底、淀積在硅襯底上的重摻雜陽極和淀積在硅襯底上、且處于重摻雜陽極兩側 的場氧，還包括形成在重摻雜陽極上的白金硅化物層和形成在白金硅化物層上均勻的二
氧化硅層。本發(fā)明實施例提供的快恢復二極管，通過在在金屬淀積前的清洗完成后沉積一 層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了 DIE toDIE和WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。圖3為本發(fā)明FRD制造方法實施例的流程圖，如圖3所示，本發(fā)明快恢復二極管制 造方法實施例包括步驟1、在清洗后的淀積了重摻雜陽極和場氧的硅襯底上形成均勻的二氧化硅 層；步驟2、用濺射或者蒸發(fā)的方法淀積金屬層；步驟3、通過合金工藝，形成均勻的硅化物結。本發(fā)明實施例提供的快恢復二極管制造方法，通過在在金屬淀積前的清洗完成后 沉積一層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了 DIE to DIE和 WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。在上一實施例的基礎上，進一步地，步驟2中所述均勻的二氧化硅層為采用雙氧 水浸泡或涂布的方法形成的，或者采用化學氣相沉淀的方法形成的。再進一步地，步驟2中的金屬層為金屬鉬層。圖4A-4C為本發(fā)明FRD的制造方法實施例的示意圖，首先用傳統(tǒng)工藝在P型硅襯 底上形成重摻雜N型陽極，再進行普通的淀積金屬前的清洗，緊接著立即用本發(fā)明提供的 方法形成一層厚度均勻的二氧化硅，該層二氧化硅厚度均勻，且能有效防止自然形成的厚 度不均勻的二氧化硅層，如圖4A所示；用濺射或者蒸發(fā)的方法淀積金屬層，如圖4B所示； 通過合金工藝，形成均勻的硅化物結，如圖4C所示。本發(fā)明實施例提供的快恢復二極管制造方法，通過在在金屬淀積前的清洗完成后 沉積一層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了 DIE to DIE和 WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應所述以權利要求的 保護范圍為準。
權利要求
一種快恢復二極管，包括硅襯底、淀積在所述硅襯底上的重摻雜陽極和淀積在所述硅襯底上、且處于所述重摻雜陽極兩側的場氧，其特征在于，還包括形成在所述重摻雜陽極上的白金硅化物層和形成在所述白金硅化物層上均勻的二氧化硅層。
2.一種快恢復二極管制造方法，其特征在于，包括在清洗后的淀積了重摻雜陽極和場氧的硅襯底上形成均勻的二氧化硅層； 用濺射或者蒸發(fā)的方法淀積金屬層； 通過合金工藝，形成均勻的硅化物結。
3.根據(jù)權利要求2所述的快恢復二極管制造方法，其特征在于，所述均勻的二氧化硅層為采用雙氧水浸泡或涂布的方法形成的，或者采用化學氣相沉 淀的方法形成的。
4.根據(jù)權利要求2所述的快恢復二極管制造方法，其特征在于， 所述金屬層為金屬鉬層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種快恢復二極管及其制造方法，涉及微電子領域，解決了由于傳統(tǒng)工藝制備的快恢復二極管的DIE to DIE和WAFER to WAFER開關速度均勻性問題。快恢復二極管包括硅襯底、淀積在所述硅襯底上的重摻雜陽極和淀積在所述硅襯底上、且處于所述重摻雜陽極兩側的場氧，還包括形成在所述重摻雜陽極上的白金硅化物層和形成在所述白金硅化物層上均勻的二氧化硅層。方法包括在清洗后的淀積了重摻雜陽極和場氧的硅襯底上形成均勻的二氧化硅層；用濺射或者蒸發(fā)的方法淀積金屬層；通過合金工藝，形成均勻的硅化物結。本發(fā)明應用于快恢復二極管的制造。
文檔編號H01L29/861GK101882631SQ20091005072
公開日2010年11月10日 申請日期2009年5月7日 優(yōu)先權日2009年5月7日
發(fā)明者商海涵 申請人:商海涵