專利名稱：一種電源總線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種電源總線。
背景技術(shù)：
電源總線(PowerBus)是集成電路設(shè)計中重要的部分，由很寬的金屬構(gòu) 成，是連接電源與電路的通路，能流經(jīng)較大的電流。由于輸入輸出電路會產(chǎn) 生很大的瞬態(tài)電流，并且需要提供靜電保護電流的通路，所以狹義的Power Bus指的是輸入輸出電路中的寬金屬結(jié)構(gòu)。
在Power Bus所在的區(qū)域，其上層金屬與下層金屬或器件無法實現(xiàn)互聯(lián)。 為了實現(xiàn)這類互連，上、下層金屬必須超出該Power Bus所在區(qū)域，繞開該 Power Bus進行連接。這需要額外的面積和額外的金屬層，從而增加了流片 成本。通常的Power Bus是整片的寬金屬設(shè)計，.為了防止后段金屬和介質(zhì)間 剝離(Peeling)在整片的寬金屬中根據(jù)版圖規(guī)則加入狹長的金屬槽。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述的技術(shù)問題，提供了一種電源總線，其目的在于，不阻礙 上下層互連的Power Bus。
本發(fā)明提供了一種電源總線，包括金屬槽和金屬島；
金屬島置于金屬槽內(nèi)；金屬島用于連接位于電源總線上方和下方的金屬 或器件。
金屬槽的形狀和金屬島的形狀均為狹長形，并且金屬槽的長邊和金屬島 的長邊均與電源總線中的電流方向平行。 '
金屬島置于MOS BJT的漏端的上方，MOS BJT的漏端與金屬島相連， MOS BJT的源端和襯底端均與電源總線相連。
金屬島位于二極管plus區(qū)的正上方；二極管的重摻雜區(qū)與金屬島相連， 二極管的襯底端與電源總線相連。
3金屬島位于硅控晶閘管陽極的上方，硅控晶閘管陽極與金屬島相連，硅 控晶閘管陰極與電源總線相連。
金屬槽的寬度為2~5微米，金屬島的寬度為0.5-4微米。 金屬槽和金屬島的長度均為10-60微米。
本發(fā)明不但能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)有的電源總線的功能，還提供了上下層間的互連 平臺。
圖la和圖lb是現(xiàn)有技術(shù)中電源總線的示意圖2a和圖2b是本發(fā)明提供的電源總線的示意圖3a和圖3b是Power Bus下器件為MOS BJT的示意圖4a和圖4b是Power Bus下器件為二極管的示意圖5a和圖5b是Power Bus下器件為硅控晶閘管(SCR)的示意圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明做進一步的詳細描述。
本發(fā)明提供的一種新型的Power Bus結(jié)構(gòu)。該Power Bus在同層金屬中 分為兩個部分Power Bus部分和金屬島部分。其中Power Bus部分仍能實現(xiàn) 傳統(tǒng)Power Bus的功能，金屬島部分則提供了上下層間的互連平臺。本發(fā)明 需要適當加大金屬槽的寬度，并在其中插入金屬島。該金屬島可用于Power Bus上下層間的互連。適當加寬防介質(zhì)剝離金屬槽的寬度為2~5微米。插入 金屬島的寬度為0.5 4微米。金屬槽和金屬島的長度為10~60微米。
圖la和圖lb是現(xiàn)有技術(shù)中電源總線的示意圖。Power bus下面是一個靜 電釋放(ESD)金屬氧化物雙極結(jié)型晶體管(MOS BJT)，其源端(source)需 要連接到Power Bus,由于Power Bus就在器件上方，這種連接很容易實現(xiàn)。 但是器件漏端(dmin)需要連接到Power Bus上方的金屬，該連接就受到了 Power Bus的阻隔。不得不在Power Bus外再增加一片金屬連接區(qū)域?qū)ｉT用于 連接Power Bus下方的MOS BJT和Power Bus上方的金屬。圖la為俯視圖， 圖lb為切面圖。
圖2a和圖2b是本發(fā)明提供的電源總線的示意圖。將金屬槽置于MOSBJT的漏端(drain)上方，在其間放入金屬島(metal island)。該金屬島可以用 于連接漏端和Power Bus上方的金屬。金屬槽和金屬島應(yīng)當為狹長形，其長 邊與Power Bus中(即Power Bus本身)的電流方向平行。圖2a為俯視圖， 圖2b為切面圖。
圖3a和圖3b是Power Bus下器件為MOS BJT的示意圖。圖3a為Power bus正下方MOS BJT的俯視圖，圖3b為MOS BJT正上方Power Bus的俯視 圖。金屬槽和金屬島位于MOS BJT漏端的正上方，其長邊與Power Bus中的 電流方向平行。MOSBJT的漏端與金屬島相連，源端和襯底端與Power Bus 相連。 -
圖4a和圖4b是Power Bus下器件為二極管的示意圖。圖4a為Power Bus 正下方二極管的俯視圖，圖4b為二極管正上方Power Bus的俯視圖。金屬槽 和金屬島位于二極管plus (重摻雜)區(qū)的正上方，其長邊與Power Bus中的 電流方向平行。二極管的plus區(qū)與金屬島相連，襯底端與Power Bus相連。
圖5a和圖5b是Power Bus下器件為硅控晶閘管(SCR)的示意圖。圖5a 為Power Bus正下方硅控晶閘管的俯視圖，圖5b為硅控晶閘管正上方Power Bus的俯視圖。金屬槽和金屬島位于硅控晶閘管陽極的正上方，其長邊與 Power Bus中的電流方向平行。硅控晶閘管陽極與金屬島相連，陰極與Power Bus相連。
本發(fā)明中，體接觸對應(yīng)的英文是Pickup,阱對應(yīng)的英文是Wdl，通孔對 應(yīng)的英文是Via。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離權(quán)利要求書確定的本發(fā)明的精神和范圍的條 件下，還可以對以上內(nèi)容進行各種各樣的修改。因此本發(fā)明的范圍并不僅限 于以上的說明，而是由權(quán)利要求書的范圍來確定的。
權(quán)利要求
1.一種電源總線，其特征在于，包括金屬槽和金屬島；金屬島置于金屬槽內(nèi)；金屬島用于連接位于電源總線上方和下方的金屬或器件。
2. 如權(quán)利要求l所述的電源總線，其特征^于，金屬槽的形狀和金屬島 的形狀均為狹長形，并且金屬槽的長邊和金屬島的長邊均與電源總線中的電 流方向平行。
3. 如權(quán)利要求l所述的電源總線，其特征在于，金屬島置于MOSBJT 的漏端的上方，MOS BJT的漏端與金屬島相連，MOS BJT的源端和襯底端 均與電源總線相連。
4. 如權(quán)利要求2所述的電源總線，其特征在于，金屬島位于二極管plus 區(qū)的正上方；二極管的重摻雜區(qū)與金屬島相連，二極管的襯底端與電源總線 相連。
5. 如權(quán)利要求2所述的電源總線，其特征在于，金屬島位于硅控晶閘管 陽極的上方，硅控晶閘管陽極與金屬島相連，硅控晶閘管陰極與電源總線相連。
6. 如權(quán)利要求1所述的電源總線，其特征在于，金屬槽的寬度為2~5 微米，金屬島的寬度為0.5 4微米。
7. 如權(quán)利要求6所述的電源總線，其特征在于，金屬槽和金屬島的長度 均為10~60微米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電源總線，其特征在于，包括金屬槽和金屬島；金屬島置于金屬槽內(nèi)；金屬島用于連接位于電源總線上方和下方的金屬或器件。本發(fā)明不但能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)有的電源總線的功能，還提供了上下層間的互連平臺。
文檔編號H01L23/52GK101567358SQ20091005218
公開日2009年10月28日 申請日期2009年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月27日
發(fā)明者軍 何 申請人:上海宏力半導體制造有限公司