專利名稱：相變存儲(chǔ)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，特別涉及相變存儲(chǔ)器(PCRAM，Phase change RAM)及其 制造方法。
背景技術(shù)：
相變存儲(chǔ)器作為一種新興的不揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)，在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí) 間、單元面積、多值實(shí)現(xiàn)等諸多方面對(duì)快閃存儲(chǔ)器FLASH都具有較大的優(yōu)越性，成為目前不 揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)研究的焦點(diǎn)。相變存儲(chǔ)技術(shù)的不斷進(jìn)步使之成為未來不揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)市場(chǎng)主 流產(chǎn)品最有力的競(jìng)爭(zhēng)者之一。在相變存儲(chǔ)器中，可以通過對(duì)記錄了數(shù)據(jù)的相變層進(jìn)行熱處理，而改變存儲(chǔ)器的 值。構(gòu)成相變層的相變材料會(huì)由于所施加電流的加熱效果而進(jìn)入結(jié)晶狀態(tài)或非晶狀態(tài)。當(dāng) 相變層處于結(jié)晶狀態(tài)時(shí)，PCRAM的電阻較低，此時(shí)存儲(chǔ)器賦值為“0”。當(dāng)相變層處于非晶狀 態(tài)時(shí)，PCRAM的電阻較高，此時(shí)存儲(chǔ)器賦值為“1”。因此，PCRAM是利用當(dāng)相變層處于結(jié)晶狀 態(tài)或非晶狀態(tài)時(shí)的電阻差異來寫入/讀取數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。隨著集成電路制造技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體制造已經(jīng)進(jìn)入45nm技術(shù)階段。現(xiàn)有的相變 存儲(chǔ)器均采用一選通管一存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)(1T1R，T transistor, R :RAM)，且選通管多用二極 管來獲得較大的驅(qū)動(dòng)電流。公開號(hào)為CN1832190A的中國(guó)專利“使用二極管的相變存儲(chǔ)器及 制造方法”提供一種典型的相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括相互垂直的字線1、位線2以及相變存儲(chǔ)單元3，選通二極管4 ；所述相變存儲(chǔ)單元包括底部電極301、頂部電極303、以及底部電極301與頂部電 極303之間的相變層302 ；選通二極管4 一端與字線1電連接，另一端與底部電極301電連接，所述頂部電極 303與位線2電連接。在相變存儲(chǔ)器中，相變層302的晶態(tài)轉(zhuǎn)變過程需要較高的溫度，一般使用底部電 極301對(duì)相變層302進(jìn)行加熱，而頂部電極303僅起到互連作用。底部電極301對(duì)相變302 的加熱效果好壞將直接影響相變存儲(chǔ)器的讀寫速率。為了獲得良好的加熱效果，相變存儲(chǔ) 器一般采用大驅(qū)動(dòng)電流，因此其寫操作電流要達(dá)到ImA左右，然而驅(qū)動(dòng)電流并不能無限制 地上升，大驅(qū)動(dòng)電流會(huì)造成外圍驅(qū)動(dòng)電路以及邏輯器件的小尺寸化困難。還有一種提高加 熱效果的方法是，縮小底部電極301與相變層302的接觸面積，提高接觸電阻。然而現(xiàn)有工 藝中，底部電極301的形成過程主要是先在間隔層中形成接觸孔，然后填充金屬，所述接觸 孔的頂部寬度總是大于底部，因此所形成的底部電極301呈倒喇叭狀，難以進(jìn)一步縮小底 部電極301與相變層302的接觸面積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其相變存儲(chǔ)單元中底部電極與相 變層之間的接觸面積較小，使得底部電極對(duì)相變層具有更優(yōu)異的加熱效果。
本發(fā)明提供的一種相變存儲(chǔ)器，包括字線、位線以及相變存儲(chǔ)單元，選通管；所述相變存儲(chǔ)單元包括底部電極、頂部電極、以及底部電極與頂部電極之間的相 變層；所述選通管一端與字線電連接，另一端與底部電極電連接，所述頂部電極與位線電連 接；所述底部電極與相變層連接的一端呈倒錐形，且錐頂與相變層形成歐姆接觸。作為可選方案，所述底部電極的材料為Co，Ni，W，AL，Cu，Ti以及金屬硅化物、多晶 硅中的一種或其組合；所述底部電極的倒錐形一端，優(yōu)選錐角范圍為15 45度。作為可選方案，所述底部電極形成于第一介質(zhì)層以及第二介質(zhì)層內(nèi)，所述第一介 質(zhì)層位于選通管表面，第二介質(zhì)層位于第一介質(zhì)層表面；其中第一介質(zhì)層以及第二介質(zhì)層 的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或有機(jī)物絕緣層。本發(fā)明提供的一種相變存儲(chǔ)器的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成字線以及與字線連接的選通管；在所述選通管的表面形成第一介質(zhì)層；刻蝕所述第一介質(zhì)層形成通孔，所述通孔底部露出選通管；在所述通孔內(nèi)填充金屬形成底部電極；減薄所述第一介質(zhì)層，使得底部電極部分露出第一介質(zhì)層；將底部電極露出第一介質(zhì)層的部分錐形化；在第一介質(zhì)層的表面形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋底部電極；減薄所述第二介質(zhì)層，直至露出底部電極；在底部電極上形成相變層、頂部電極以及與頂部電極連接的位線。作為可選方案，所述錐形化方法為對(duì)底部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行離子轟 擊，可以采用氬離子。作為可選方案，所述離子轟擊具體為對(duì)底部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行RIE 等離子刻蝕；工藝參數(shù)為輸入含氬氣體，壓強(qiáng)0. 5 2托，射頻功率500 lOOOw，反應(yīng)時(shí) 間1 10分鐘。作為可選方案，所述離子轟擊具體為使用離子束轟擊底部電極露出第一介質(zhì)層的 部分，且離子束與第一介質(zhì)層表面形成夾角，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓；工藝參數(shù)為使用氬離子束， 與第一介質(zhì)層表面形成夾角15 45度，在真空環(huán)境下，射頻功率500-1000W，晶圓旋轉(zhuǎn)速度 15 50rpm，反應(yīng)時(shí)間1 10分鐘。作為可選方案，所述錐形化方法為對(duì)底部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行選擇性 濕法刻蝕。作為可選方案，所述底部電極錐形化的一端，錐角范圍為15 45度。作為可選方案，所述底部電極的材料為Co，Ni，W，AL，Cu，Ti以及金屬硅化物、多晶 硅中的一種或其組合；所述第一介質(zhì)層以及第二介質(zhì)層為氧化硅、氮化硅或者有機(jī)絕緣層。本發(fā)明所提供的相變存儲(chǔ)器中，底部電極與相變層連接的一端呈倒錐形，且錐頂 與相變層形成歐姆接觸，兩者之間接觸面積較小。與現(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器相比，同等驅(qū)動(dòng)電流 下底部電極對(duì)相變層具有更優(yōu)異的加熱效果，從而提高了相變存儲(chǔ)器的讀寫速度。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其他目 的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。附圖中與現(xiàn)有技術(shù)相同的部件使用了相同的附圖標(biāo)記。附圖 并未按比例繪制，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。在附圖中為清楚起見，放大了層和區(qū)域的尺 寸。圖1是現(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明所述相變存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明所述相變存儲(chǔ)器制造方法流程圖；圖4至圖11為本發(fā)明所述相變存儲(chǔ)器制造方法工藝的示意圖；圖7a為本發(fā)明所述對(duì)底部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行錐形化的另一實(shí)施例 示意圖。
具體實(shí)施例方式在現(xiàn)有的制造方法所形成的相變存儲(chǔ)器中，底部電極為倒喇叭狀，頂部的截面相 對(duì)底部較大，因此受現(xiàn)有工藝的限制，與相變層的接觸面積難以進(jìn)一步縮小，本發(fā)明通過將 底部電極的頂部一端錐形化，錐頂與相變層構(gòu)成歐姆接觸，而達(dá)到減小接觸面積的目的。如圖2所示，本發(fā)明所述的相變存儲(chǔ)器，包括字線1、位線2以及相變存儲(chǔ)單元3，選通管4 ；所述相變存儲(chǔ)單元3包括底部電極301、頂部電極303、以及底部電極301與頂部 電極303之間的相變層302;所述選通管4 一端與字線1電連接，另一端與底部電極301電 連接，所述頂部電極303與位線2電連接；所述底部電極301與相變層302連接的一端呈倒錐形，且錐頂與相變層302形成 歐姆接觸。作為可選方案，所述底部電極301的材料為Co，Ni, W，AL, Cu，Ti以及金屬硅化物 中的一種或其組合；所述底部電極301的倒錐形一端，優(yōu)選錐角范圍為15 45度。作為可選方案，所述底部電極301形成于第一介質(zhì)層102以及第二介質(zhì)層103內(nèi)， 所述第一介質(zhì)層102位于選通管4表面，第二介質(zhì)層103位于第一介質(zhì)層102表面；其中第 一介質(zhì)層102以及第二介質(zhì)層103的材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或有機(jī)物絕緣層。在上述結(jié)構(gòu)中，底部電極301與相變層302可等效為點(diǎn)接觸，與現(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器 相比，較大程度地減小了兩者之間的接觸面積，提高了接觸電阻，在同等驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)過時(shí)， 相變層302與底部電極301相接觸的部分加熱效果更為明顯，更容易發(fā)生晶態(tài)的轉(zhuǎn)變，提高 了存儲(chǔ)器的讀寫速度。如圖3所示，本發(fā)明所述相變存儲(chǔ)器的制造方法，主要包括Si、提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成字線以及與字線連接的選通管；S2、在所述選通管的表面形成第一介質(zhì)層；刻蝕所述第一介質(zhì)層形成通孔，所述通 孔底部露出選通管；在所述通孔內(nèi)填充金屬形成底部電極；所述第一介質(zhì)層可以為氧化硅、氮化硅或者有機(jī)絕緣層；作為可選方案，所述底部電極的材料為Co，Ni，W，AL，Cu，Ti以及金屬硅化物、多晶
硅中的一種或其組合。
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S3、減薄所述第一介質(zhì)層，使得底部電極部分露出第一介質(zhì)層；S4、將底部電極露出第一介質(zhì)層的部分錐形化；其中，優(yōu)選的錐角范圍是15 45度。作為可選方案，所述錐形化方法為對(duì)底部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行離子轟 擊，可以采用氬離子；所述離子轟擊可以是RIE等離子刻蝕，也可以是用固定方向的離子束 轟擊，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓。作為另一種可選方案，所述錐形化方法為對(duì)底部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行 選擇性濕法刻蝕。S5、在第一介質(zhì)層的表面形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋底部電極；所述第一介質(zhì)層可以為氧化硅、氮化硅或者有機(jī)絕緣層；S6、減薄所述第二介質(zhì)層，直至露出底部電極；S7、在底部電極上形成相變層、頂部電極以及與頂部電極連接的位線。下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述的相變存儲(chǔ)器制造方法作詳細(xì)介紹。圖4至圖11為本發(fā)明所述相變存儲(chǔ)器制造方法工藝示意圖。如圖4所示，提供半導(dǎo)體襯底100，在半導(dǎo)體襯底100上形成字線1以及與字線1 連接的選通管4 ；其中所述字線之間形成有溝槽隔離101，選通管4可以是二極管。如圖5所示，在所述選通管的表面形成第一介質(zhì)層102 ；刻蝕所述第一介質(zhì)層102 形成通孔，通孔的底部露出選通管4 ；在所述通孔內(nèi)填充金屬形成底部電極301 ；其中，第一介質(zhì)層102可以為氧化硅、氮化硅或者有機(jī)絕緣層，厚度范圍為 IOOnm 500nm ；本實(shí)施例中所述第一介質(zhì)層102為氧化硅；厚度為400nm，可以通過化學(xué)氣 相沉積CVD形成，。底部電極301的材料為Co，Ni，W，AL, Cu，Ti以及金屬硅化物、多晶硅中的一種或 其組合，可以通過化學(xué)氣相沉積CVD或者電鍍等工藝形成，底部電極301的高度等于第一介 質(zhì)層102的厚度，而截面尺寸取決于刻蝕第一介質(zhì)層102時(shí)所形成的通孔大小，可以根據(jù) 需要進(jìn)行選擇；本實(shí)施例中所述底部電極301的材料為AL，通過電鍍工藝形成，形狀為圓柱 形，直徑為lOOnm，高度為400nm。如圖6所示，減薄所述第一介質(zhì)層102，使得底部電極301的頂部一段露出第一介 質(zhì)層102 ；其中，減薄第一介質(zhì)層102可以至原厚度的2/3 1/3，可以采用選擇性施法刻蝕。 本實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)層102為氧化硅，因此采用氫氟酸刻蝕減薄第一介質(zhì)層102至原 厚度的1/2處，使得底部電極301露出第一介質(zhì)層102的部分高度為200nm。如圖7所示，將底部電極301露出第一介質(zhì)層102的部分錐形化；所述錐形化工藝可以對(duì)底部電極301露出第一介質(zhì)層102的部分進(jìn)行離子轟擊也 可以進(jìn)行選擇性濕法刻蝕，優(yōu)選的錐角范圍是15 45度。作為一個(gè)可選實(shí)施例，對(duì)底部電極301露出第一介質(zhì)層102的部分，采用氬離子進(jìn) 行RIE等離子刻蝕。雖然RIE等離子刻蝕是趨于各向同性的，但在實(shí)際工藝中，頂部部分首 先接觸到反應(yīng)離子，因此刻蝕速度總是比底部快，在一定時(shí)間內(nèi)，能夠使得底部電極301的 頂端形成錐形。底部電極301的尺寸以及RIE等離子刻蝕的刻蝕速度等決定了錐角大小， 可根據(jù)需要設(shè)定刻蝕的工藝參數(shù)，優(yōu)選的工藝參數(shù)范圍如下輸入含氬氣體，壓強(qiáng)0. 5 2
7托，射頻功率500 lOOOw，反應(yīng)時(shí)間1 10分鐘。本實(shí)施例中，所述RIE等離子刻蝕的工藝參數(shù)為向反應(yīng)腔中通入氬氣，壓強(qiáng)0. 5 托，射頻功率800w，反應(yīng)時(shí)間5分鐘。錐形化后，所述底部電極301的頂部錐角約為45度， 露出第一介質(zhì)層102部分的高度約為lOOnm。作為可選實(shí)施例，除了采用氬離子進(jìn)行等離子刻蝕外，還可以使用選擇性施法刻 蝕所述底部電極301露出第一介質(zhì)層102的部分，其原理相類似，也是利用頂部部分首先接 觸到刻蝕劑，刻蝕速度總是比底部快，使得底部電極301的頂端形成錐形。底部電極301的 尺寸以及刻蝕劑的類型、濃度、刻蝕時(shí)間決定了錐角大小，可根據(jù)需要進(jìn)行選擇。需要指出的是，在濕法刻蝕過程中，由于各個(gè)存儲(chǔ)單元的底部電極301之間的間 隔較近，底部電極301中靠近第一介質(zhì)層102表面的部分容易形成空穴難以被刻蝕劑接觸， 而在頂部容易形成過刻蝕，得到的錐角較大，工藝難以控制，且清洗去除殘留的刻蝕劑較為 麻煩。如圖7a所示，還提供了另一可選實(shí)施例，對(duì)底部電極301露出第一介質(zhì)層102的 部分進(jìn)行錐形化，具體為采用定向的離子束對(duì)底部電極301進(jìn)行轟擊，其中離子束與水平 面(即第一介質(zhì)層102的表面)形成一定的夾角α，可以使得底部電極301頂部形成的一斜 面，然后在離子轟擊的過程中同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓，便可以得到錐形的結(jié)構(gòu)。錐角的大小基本與所 述離子束與水平面的夾角α相近，而錐形結(jié)構(gòu)的大小與底部電極301的尺寸、離子束的能 量、轟擊時(shí)間有關(guān)，可根據(jù)需要進(jìn)行選擇，優(yōu)選工藝參數(shù)如下使用氬離子束，與第一介質(zhì)層 表面形成夾角15 45度，在真空環(huán)境下，射頻功率500-1000W，晶圓旋轉(zhuǎn)速度15 50rpm， 反應(yīng)時(shí)間1 10分鐘。。本實(shí)施例中，使用與第一介質(zhì)層102表面的夾角為30度的氬離子束，在真空環(huán) 境下，射頻功率800w，轟擊所述底部電極301露出第一介質(zhì)層102的部分，晶圓旋轉(zhuǎn)速度 30rpm，反應(yīng)時(shí)間5分鐘。錐形化后，所述底部電極301的頂部錐角為30度，露出第一介質(zhì) 層102部分的高度約為150nm。如圖8所示，在第一介質(zhì)層102的表面形成第二介質(zhì)層103，所述第二介質(zhì)層103 覆蓋底部電極；其中，第二介質(zhì)層103可以為氧化硅、氮化硅或者有機(jī)絕緣層，本實(shí)施例中，所述 第二介質(zhì)層103為氧化硅，沉積厚度200nm 500nm，可以通過化學(xué)氣相沉積CVD形成。如圖9所示，減薄所述第二介質(zhì)層103，直至露出底部電極301 ；由于底部電極301的頂部已形成錐形結(jié)構(gòu)，因此隨著減薄第二介質(zhì)層103，露出的 底部電極301的截面積也越來越大，所述截面積即后續(xù)工藝中底部電極301與相變層形成 的接觸面積；根據(jù)已知的錐角大小，很容易得到減薄后第二介質(zhì)層103的厚度與露出的底 部電極301截面積的關(guān)系，可以根據(jù)需要選擇減薄第二介質(zhì)層103的厚度。本實(shí)施例中，可 采用化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝減薄所述第二介質(zhì)層103。如圖10所示，在第二介質(zhì)層103的表面形成間隔層104，刻蝕所述間隔層104形成 槽，槽底露出底部電極301，在所述槽內(nèi)沉積相變材料形成相變層302，所述相變層302與底 部電極301形成歐姆接觸。由于底部電極301與相變層302形成歐姆接觸的部分為倒錐形一端的錐頂，因此 兩者之間的接觸面積較小，使得制成的相變存儲(chǔ)器中，底部電極301對(duì)相變層302具有良好的加熱效果，且具體的接觸面積可以進(jìn)行調(diào)整，工藝流程簡(jiǎn)單，易于生產(chǎn)制造。如圖11所示，在相變層302上形成頂部電極303以及與頂部電極303連接的位線 2 ；其中，底部電極301、相變層302以及頂部電極303構(gòu)成了相變存儲(chǔ)單元。此處為公知技 術(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易推得具體的制造工藝。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求
一種相變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括字線、位線以及相變存儲(chǔ)單元，選通管；所述相變存儲(chǔ)單元包括底部電極、頂部電極、以及底部電極與頂部電極之間的相變層；所述選通管一端與字線電連接，另一端與底部電極電連接，所述頂部電極與位線電連接；所述底部電極與相變層連接的一端呈倒錐形，且錐頂與相變層形成歐姆接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述底部電極的材料為Co，Ni，W，AL， Cu, Ti以及金屬硅化物、多晶硅中的一種或其組合。
3.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述底部電極的倒錐形一端，錐角范 圍為15 45度。
4.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述底部電極形成于第一介質(zhì)層以 及第二介質(zhì)層內(nèi)，所述第一介質(zhì)層位于選通管表面，第二介質(zhì)層位于第一介質(zhì)層表面。
5.如權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一介質(zhì)層以及第二介質(zhì)層的 材質(zhì)為氧化硅、氮化硅或有機(jī)物絕緣層。
6.一種相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成字線以及與字線連接的選通管； 在所述選通管的表面形成第一介質(zhì)層； 刻蝕所述第一介質(zhì)層形成通孔，所述通孔底部露出選通管； 在所述通孔內(nèi)填充金屬形成底部電極； 減薄所述第一介質(zhì)層，使得底部電極部分露出第一介質(zhì)層； 將底部電極露出第一介質(zhì)層的部分錐形化；在第一介質(zhì)層的表面形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋底部電極；減薄所述第二介質(zhì)層，直至露出底部電極；在底部電極上形成相變層、頂部電極以及與頂部電極連接的位線。
7.如權(quán)利要求6所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述錐形化方法為對(duì)底 部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行離子轟擊。
8.如權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述離子轟擊具體為對(duì) 底部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行RIE等離子刻蝕。
9.如權(quán)利要求8所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述RIE等離子刻蝕工藝 參數(shù)為輸入含氬氣體，壓強(qiáng)0. 5 2托，射頻功率500 lOOOw，反應(yīng)時(shí)間1 10分鐘。
10.如權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述離子轟擊具體為使 用離子束轟擊底部電極露出第一介質(zhì)層的部分，且離子束與第一介質(zhì)層表面形成夾角，同 時(shí)旋轉(zhuǎn)晶圓。
11.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述使用離子轟擊的 工藝參數(shù)為使用氬離子束，與第一介質(zhì)層表面形成夾角15 45度，在真空環(huán)境下，射頻功 率500-1000w，晶圓旋轉(zhuǎn)速度15 50rpm，反應(yīng)時(shí)間1 10分鐘。
12.如權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述離子轟擊采用的是 M1罔子。
13.如權(quán)利要求6所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述錐形化方法為對(duì)底 部電極露出第一介質(zhì)層的部分進(jìn)行選擇性濕法刻蝕。
14.如權(quán)利要求6所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述底部電極錐形化的 一端，錐角范圍為15 45度。
15.如權(quán)利要求6所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述底部電極的材料為 Co, Ni，W，AL, Cu，Ti以及金屬硅化物、多晶硅中的一種或其組合。
16.如權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層以及第 二介質(zhì)層為氧化硅、氮化硅或者有機(jī)絕緣層。
全文摘要
一種相變存儲(chǔ)器及其制造方法，其中相變存儲(chǔ)器包括字線、位線以及相變存儲(chǔ)單元，選通管；所述相變存儲(chǔ)單元包括底部電極、頂部電極、以及底部電極與頂部電極之間的相變層；所述選通管一端與字線電連接，另一端與底部電極電連接，所述頂部電極與位線電連接；所述底部電極與相變層連接的一端呈倒錐形，且錐頂與相變層形成歐姆接觸。與現(xiàn)有的相變存儲(chǔ)器相比，本發(fā)明所述相變存儲(chǔ)器在同等驅(qū)動(dòng)電流下底部電極對(duì)相變層具有更優(yōu)異的加熱效果，從而提高了相變存儲(chǔ)器的讀寫速度。
文檔編號(hào)H01L27/24GK101958337SQ20091005495
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月16日
發(fā)明者何其旸, 洪中山 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司