專利名稱：Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖像傳感器，特別是涉及CMOS圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器從物體接收光信號且將光信號轉(zhuǎn)化為電信號，電信號可以被傳輸用于 進一步的處理，諸如數(shù)字化，然后在諸如存儲器、光盤或磁盤的存儲器件中存儲，或用于在 顯示器上顯示等。圖像傳感器通常用于諸如數(shù)碼相機、攝像機、掃描儀、傳真機等裝置。圖 像傳感器通常包括電荷耦合器件(CXD)圖像傳感器和CMOS圖像傳感器(CIS，CMOS Image Sensor)。相比于CCD圖像傳感器，CMOS圖像傳感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等 優(yōu)點。現(xiàn)有的一種玻璃上貼片(C0G，Chip on Glass)封裝(package)結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳 感器如圖1所示，所示CMOS圖像傳感器包括硅襯底10，形成在硅襯底10上的圖像傳感區(qū) 11 和電極墊(electrode pad) 12，焊球(solder ball) 13、14，金屬導(dǎo)電路徑(metallization trace) 15,涂膠層(glue layer) 16,透光基板(light transparent substrate)例如玻璃 17以及聚光透鏡(或透鏡組)18和透鏡支架19。圖像傳感區(qū)11包括接收光線產(chǎn)生光電信 號的光敏二極管(Photodiode)陣列、控制光電信號輸出的晶體管陣列和對應(yīng)所述光敏二 極管陣列的微透鏡(micro lens)陣列(圖中未示出)。圖像傳感區(qū)11可以通過電極墊12、焊球13、14和金屬導(dǎo)電路徑15與外部電路連 接；金屬導(dǎo)電路徑15沉積于透光基板17表面；涂膠層16填涂于硅襯底10上的電極墊12 和透光基板17表面的金屬導(dǎo)電路徑15之間，用于粘接硅襯底10和透光基板17，以防止圖 像傳感區(qū)11受到外界污染。聚光透鏡(optical lensfor light collection) 18由透鏡支 架19固定在透光基板17的上方，聚光透鏡18的中心與圖像傳感區(qū)11的中心對準(zhǔn)。美國專利申請US20080217715公開了一種硅片直通孔(TSV, throughsiIicon via)封裝結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中，所述CMOS圖像傳感器也包括聚光透 鏡和透鏡支架。現(xiàn)有技術(shù)中，采用聚光透鏡和透鏡支架的CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，并且， CMOS圖像傳感器的封裝和聚光透鏡、透鏡支架的制造會在不同的工廠完成，然后拼裝在一 起，因而使得CMOS圖像傳感器的制造工藝復(fù)雜，并且制造成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的是現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器采用聚光透鏡和透鏡支架，其結(jié)構(gòu) 和制造工藝復(fù)雜、并且制造成本高的問題。為解決上述問題，本發(fā)明實施方式提供一種CMOS圖像傳感器的制造方法，包括 提供晶圓的封裝結(jié)構(gòu)，所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)包括硅襯底、形成于硅襯底上的圖像傳感區(qū)和 電極墊、以及連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)；用壓模法在所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖像傳感 區(qū)的表面覆蓋聚光樹脂。
為解決上述問題，本發(fā)明實施方式還提供一種CMOS圖像傳感器，包括晶圓的封 裝結(jié)構(gòu)，包括硅襯底、形成于硅襯底上的圖像傳感區(qū)和電極墊、以及連接所述電極墊的連接 結(jié)構(gòu)；聚光樹脂，用壓模法覆蓋在所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖像傳感區(qū)的表面。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案的CMOS圖像傳感器及其制造方法采用壓模法在 晶圓的封裝結(jié)構(gòu)上覆蓋聚光樹脂，由于壓模工藝的操作簡單、易于控制，可以直接將聚光樹 脂粘接在晶圓的封裝結(jié)構(gòu)上，因而解決了現(xiàn)有技術(shù)采用聚光透鏡和透鏡支架，使得CMOS圖 像傳感器的結(jié)構(gòu)和制造工藝復(fù)雜、并且制造成本高的問題。因此，采用壓模法將聚光樹脂覆蓋在晶圓的封裝結(jié)構(gòu)上，以聚光樹脂代替現(xiàn)有的 聚光透鏡和透鏡支架，可以簡化CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)和制造工藝，并降低制造成本。


圖1是現(xiàn)有的一種CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明CMOS圖像傳感器的制造方法的一個實施例流程圖；圖3A至圖3E是本發(fā)明實施例的CMOS圖像傳感器的制造過程示意圖；圖4是圖2所示制造方法的步驟S12的壓模示意圖；圖5是圖2所示制造方法的步驟S13的一個實例流程圖；圖6是圖2所示制造方法的步驟S14的壓模示意圖；圖7是圖2所示制造方法完成后的晶圓俯視圖；圖8是本發(fā)明CMOS圖像傳感器的一個實施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明CMOS圖像傳感器的制造方法的另一個實施例流程圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施方式采用工藝簡單，易于控制的壓模法(compression moldingmethod)在晶圓的封裝結(jié)構(gòu)上覆蓋聚光樹脂，以聚光樹脂代替現(xiàn)有的聚光透鏡和透 鏡支架，簡化了 CMOS圖像傳感器的制造工藝和結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施方式的圖像傳感器的制造方法包括提供晶圓的封裝結(jié)構(gòu)，所述晶圓 的封裝結(jié)構(gòu)包括硅襯底、形成于硅襯底上的圖像傳感區(qū)和電極墊、以及連接所述電極墊的 連接結(jié)構(gòu)；用壓模法在所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖像傳感區(qū)的表面覆蓋聚光樹脂。下面結(jié) 合附圖和實施例對本發(fā)明實施方式進行詳細的說明。實施例1圖2是本實施例的CMOS圖像傳感器的制造方法流程圖，圖3A至3E是所述制造方 法的過程示意圖。本實施例是以TSV封裝結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器及其制造方法為例進行 說明的，對于其他封裝結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器，例如，COG封裝結(jié)構(gòu)、芯片尺寸封裝(CSP， chip scale package)結(jié)構(gòu)等，同樣也可以應(yīng)用上述實施方式的制造方法。請結(jié)合參考圖2和3A，首先執(zhí)行步驟Sl 1，提供晶圓30，所述晶圓30包括形成有圖 像傳感區(qū)32和電極墊34a的正面30a及相對于所述正面30a的背面30b。如圖3A所示，晶 圓30包括半導(dǎo)體襯底(例如硅襯底)31、層間介質(zhì)層(ILD)33、金屬互連結(jié)構(gòu)(IMD) 34和 保護層(例如氮化硅層)35。圖像傳感區(qū)32包括層間介質(zhì)層33中的多個光敏二極管(圖 中未示出)和分別對應(yīng)連接光敏二極管的多個晶體管32b以及在保護層35上對應(yīng)于光敏二極管的位置形成的多個微透鏡32a，光敏二極管、晶體管和微透鏡32a以陣列方式排列。 電極墊34a形成于金屬互連結(jié)構(gòu)34中，以提供圖像傳感區(qū)32與外圍電路的電性連接。請結(jié)合參考圖2和3B，接著執(zhí)行步驟S12，用壓模法在所述晶圓正面30a覆蓋樹脂 層36。采用壓模法可以直接使樹脂層36粘接在晶圓正面30a，因而不需要粘接劑，樹脂層 36可以用于保護晶圓的圖像傳感區(qū)32不受外界環(huán)境污染和在后續(xù)晶圓背面研磨等工藝中 支撐晶圓，并且可以透過外界光線，因此，樹脂層可以代替現(xiàn)有的透光基板和粘膠層，簡化 了 CMOS圖像傳感器的制造工藝和結(jié)構(gòu)。樹脂層36的折射率小于微透鏡32b的折射率，以達到聚光的目的，例如，樹脂層36 的折射率可以小于或等于1. 5。樹脂層36具有足夠的強度和厚度以在后續(xù)晶圓背面研磨 等工藝中能夠支撐晶圓，樹脂層36的厚度可以為200 μ m 700 μ m，本實施例中，樹脂層36 的厚度為400 μ m。因此，樹脂層36的材料可以選用硅膠(silicone resin)或環(huán)氧樹脂等 透光性能好、折射率小、強度大的有機物。另外，壓模工藝易于控制，可以減小形成的樹脂層 36的缺陷，例如，在真空條件進行壓模，可以使得形成的樹脂層36沒有氣泡(bubble)。另外，根據(jù)光學(xué)原理f，= η，/ (η，_11)打，其中，廣為景深(imaging depth),η ^J 入射折射率，η’為微透鏡的折射率，r為微透鏡的半徑。本實施例中，由于樹脂層代替了透 光基板，光線在樹脂層中傳播后入射微透鏡代替了光線在空氣中傳播后(空氣的折射率為 1)入射微透鏡，使得入射折射率η增大，因此，為了得到相同的景深，需要減小微透鏡的半 徑r，這在微透鏡的制作工藝中應(yīng)當(dāng)容易實現(xiàn)的。圖4是本實施例壓模形成樹脂層36 (例如硅膠)的示意圖，壓模機的上架(top chase) 41連接有吸盤41a，吸盤41a吸附圖3A所示的晶圓30的背面，晶圓30的正面朝下， 正對壓模機的下架(low chase) 42，傳動裝置43連接下架42，使下架42可以進行上下往復(fù) 運動。下架42為根據(jù)實際需要壓模的形狀設(shè)計的模具，由于需要在晶圓正面30a覆蓋一層 硅膠36，下架42被設(shè)計為具有平坦表面的模具。預(yù)定厚度(例如400μπι)的硅膠36涂在 下架42的上表面，利用傳動裝置43移動下架42，以將硅膠36壓覆在晶圓30的正面。請繼續(xù)參考圖2、3C和3D，接著執(zhí)行步驟S13，在晶圓背面30b形成連接所述電極 墊34a的連接結(jié)構(gòu)，使電極墊34a可以通過所述連接結(jié)構(gòu)與外圍電路實現(xiàn)電性連接，所述連 接結(jié)構(gòu)包括通孔37、保護層38、填充在通孔37中的導(dǎo)電材料39a、形成在通孔37表面并連 接所述導(dǎo)電材料39a的通孔接觸(viaC0ntaCt)39b和形成在通孔接觸表面的焊塊(solder bump) 39c,圖5是本實施例形成連接結(jié)構(gòu)的流程圖。首先執(zhí)行步驟S131，研磨晶圓背面30b。如圖3C所示，可以采用化學(xué)機械研磨法 (CMP)研磨晶圓背面30b，以減薄晶圓、縮小晶圓體積，同時便于后續(xù)工藝的進行，例如通過 蝕刻在晶圓背面30b形成通孔(via)37。接著執(zhí)行步驟S132，在晶圓背面形成通孔37，以暴露出電極墊34a。如圖3C所示， 可以采用反應(yīng)離子蝕刻法(RIE)刻蝕半導(dǎo)體襯底31和層間介質(zhì)層33，形成暴露電極墊34a 的通孔37，本實施例中，通孔37側(cè)邊具有一定的傾斜度，以便于后續(xù)在通孔37中形成保護 層和填充金屬，如半導(dǎo)體襯底31上的孔徑大于電極墊34a上的孔徑，孔徑可以大于、小于或 等于電極墊34a的寬度。接著執(zhí)行步驟S133，在晶圓背面和通孔37表面形成保護層38，并去除電極墊34a 表面的保擴層。如圖3D所示，可以用等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在晶圓背面(即半導(dǎo)體襯底31表面)和通孔37表面沉積保護層38，并去除電極墊34a表面的保護層，暴露 出電極墊34a。保護層38的材料可以是氧化物，例如二氧化硅；也可以是氮化物，例如氮化娃。接著執(zhí)行步驟S134，填充通孔并在通孔表面形成通孔接觸。如圖3D所示，在通孔 中填充導(dǎo)電材料39a例如金屬或合金，并在通孔表面形成與導(dǎo)電材料39a連接的通孔接觸 39b?？梢杂秒婂兎?plating)或印刷法(printing)將焊接材料(solder paste)連接導(dǎo) 電材料39a，形成通孔接觸39b。導(dǎo)電材料39a和通孔接觸39b的材料可以相同，也可以不 同，例如選自金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎢(W)或者所述金屬的合金。接著執(zhí)行步驟S135，在通孔接觸39b表面形成焊塊39c。如圖3D所示，在通孔接 觸39b的區(qū)域形成與通孔接觸39b連接的焊塊39c，焊塊39c的材料可以是銅、金、鎳/金合 金、錫/金合金等導(dǎo)電材料。在CMOS圖像傳感器的封裝工藝完成后，即經(jīng)過步驟Sll至S13，得到本實施例的晶 圓的封裝結(jié)構(gòu)，如3D所示。請繼續(xù)參考圖2和圖3E，接著執(zhí)行步驟S14，用壓模法在所述樹脂層36上覆蓋聚 光樹脂40。本實施例中，在TSV封裝工藝(包括步驟S131至S135)完成后，用壓模法在樹 脂層36上覆蓋聚光樹脂40。聚光樹脂40具有弧形表面，聚光樹脂40的覆蓋范圍應(yīng)大于或 等于圖像傳感區(qū)32，且聚光樹脂40的中心與圖像傳感區(qū)32的中心對準(zhǔn)。聚光樹脂40可以 選用硅膠或環(huán)氧樹脂等聚光性能好的有機物。圖6是本實施例壓模形成聚光樹脂的示意圖，壓模機的上架(top chase) 41連接 有吸盤41a，吸盤41a吸附圖3D所示的晶圓的背面，晶圓30的正面朝下，正對壓模機的下架 (low chase) 45，傳動裝置43連接下架45，使下架45可以進行上下往復(fù)運動。下架45為根 據(jù)實際需要壓模的形狀設(shè)計的模具，由于需要在晶圓正面的樹脂層36上覆蓋聚光樹脂40， 下架45被設(shè)計為具有弧形凹面陣列的模具。聚光樹脂40涂在下架45的弧形凹面陣列中， 利用傳動裝置43移動下架42，以將聚光樹脂40壓覆在晶圓正面的樹脂層36上，形成覆蓋 有樹脂層36和聚光樹脂40的晶圓30結(jié)構(gòu)，圖7為覆蓋有樹脂層36和聚光樹脂40的晶圓 30的俯視圖。采用壓模法可以直接使聚光樹脂40粘接在樹脂層36表面，聚光樹脂可以代替現(xiàn) 有的聚光透鏡和透鏡支架，因此簡化了 CMOS圖像傳感器的制造工藝和結(jié)構(gòu)。最后，將圖7所示的覆蓋有樹脂層36和聚光樹脂40的晶圓30沿切割道30c分割 成多個晶格(die)，每個晶格包括一個具有弧形表面的聚光樹脂40。 對應(yīng)地，本實施例的CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)如圖3E所示，包括晶圓30，樹脂層 36、連接結(jié)構(gòu)和聚光樹脂40。晶圓，包括形成有圖像傳感區(qū)32和電極墊34a的正面及相對于所述正面的背面。 圖像傳感區(qū)32包括層間介質(zhì)層33中的多個光敏二極管(圖中未示出)和分別對應(yīng)連接光 敏二極管的多個晶體管32b以及在保護層35上對應(yīng)于光敏二極管的位置形成的多個微透 鏡32a，光敏二極管、晶體管和微透鏡32a以陣列方式排列。電極墊34a形成于金屬互連結(jié) 構(gòu)34中。樹脂層36，用壓模法覆蓋在所述晶圓正面。樹脂層36的折射率小于微透鏡32a的折射率。所述樹脂層的折射率小于或等于1.5。樹脂層的材料可以為硅膠或環(huán)氧樹脂。樹 脂層36的厚度為200 μ m 700 μ m。連接結(jié)構(gòu)包括通孔，形成在所述晶圓背面，并暴露出所述電極墊34a ；保護層38， 形成在所述晶圓背面和通孔表面，并暴露出所述電極墊34a ；導(dǎo)電材料39a，填充所述通孔； 通孔接觸39b，形成在通孔表面并連接所述導(dǎo)電材料39a ；焊塊39c，形成在通孔接觸39b表面。聚光樹脂40，用壓模法覆蓋在樹脂層36上。聚光樹脂40具有弧形表面，可以選用 硅膠或環(huán)氧樹脂等聚光性能好的有機物。實施例2本實施例是以COG封裝結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器及其制造方法為例進行說明的。本實施例的CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)如圖8所示，包括晶圓的封裝結(jié)構(gòu)，包括硅襯 底10、形成于硅襯底10上的圖像傳感區(qū)11和電極墊12、以及連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)； 聚光樹脂40’，用壓模法覆蓋在所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖像傳感區(qū)的表面。其中，所述連接結(jié)構(gòu)包括透光基板17，包括形成有金屬導(dǎo)電路徑15的第一表面； 第一焊球13，連接所述硅襯底10上的電極墊12和透光基板17表面的金屬導(dǎo)電路徑15 ；第 二焊球14，連接所述透光基板17表面的金屬導(dǎo)電路徑15 ；涂膠層16，填涂于硅襯底10上 的電極墊12和透光基板17表面的金屬導(dǎo)電路徑15之間。結(jié)合圖8和圖9，本實施例的CMOS圖像傳感器的制造方法包括步驟S21，提供晶圓，所述晶圓包括硅襯底10、形成于硅襯底10上的圖像傳感區(qū)11 和電極墊12。步驟S22，提供透光基板17，所述透光基板17包括形成有金屬導(dǎo)電路徑15的第一 表面和相對于所述第一表面的第二表面。步驟S23，形成連接所述硅襯底10上的電極墊12和透光基板17表面的金屬導(dǎo)電 路徑15的第一焊球13。步驟S24，在硅襯底10上的電極墊12和透光基板17表面的金屬導(dǎo)電路徑15之間 填涂涂膠層16。步驟S25，形成連接所述透光基板17表面的金屬導(dǎo)電路徑15的第二焊球14。步驟S26，用壓模法在所述透光基板17的第二表面覆蓋聚光樹脂40’。用壓模法 覆蓋聚光樹脂40’的過程如實施例1所述，在此不再重復(fù)說明。綜上所述，上述技術(shù)方案的CMOS圖像傳感器及其制造方法采用壓模法在晶圓的 封裝結(jié)構(gòu)上覆蓋聚光樹脂，由于壓模工藝的操作簡單、易于控制，可以直接將聚光樹脂粘接 在晶圓的封裝結(jié)構(gòu)上，因而解決了現(xiàn)有技術(shù)采用聚光透鏡和透鏡支架，使得CMOS圖像傳感 器的結(jié)構(gòu)和制造工藝復(fù)雜、并且制造成本高的問題。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保 護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，包括提供晶圓的封裝結(jié)構(gòu)，所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)包括硅襯底、形成于硅襯底上的圖像傳感區(qū)和電極墊、以及連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)；用壓模法在所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖像傳感區(qū)的表面覆蓋聚光樹脂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述聚光樹脂的 材料為硅膠或環(huán)氧樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)采 用玻璃上貼片封裝工藝形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，形成所述連接結(jié) 構(gòu)包括提供透光基板，所述透光基板包括形成有金屬導(dǎo)電路徑的第一表面； 形成連接所述硅襯底上的電極墊和透光基板表面的金屬導(dǎo)電路徑的第一焊球； 在硅襯底上的電極墊和透光基板表面的金屬導(dǎo)電路徑之間填涂涂膠層； 形成連接所述透光基板表面的金屬導(dǎo)電路徑的第二焊球。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述透光基板還 包括相對于所述第一表面的第二表面，所述聚光樹脂覆蓋在所述透光基板的第二表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)采 用硅片直通孔封裝工藝形成。
7.一種CMOS圖像傳感器，其特征在于，包括晶圓的封裝結(jié)構(gòu)，包括硅襯底、形成于硅襯底上的圖像傳感區(qū)和電極墊、以及連接所述 電極墊的連接結(jié)構(gòu)；聚光樹脂，用壓模法覆蓋在所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖像傳感區(qū)的表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述聚光樹脂的材料為硅膠 或環(huán)氧樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)為玻璃 上貼片封裝結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)包括 透光基板，包括形成有金屬導(dǎo)電路徑的第一表面；第一焊球，連接所述硅襯底上的電極墊和透光基板表面的金屬導(dǎo)電路徑；第二焊球，連接所述透光基板表面的金屬導(dǎo)電路徑；涂膠層，填涂于硅襯底上的電極墊和透光基板表面的金屬導(dǎo)電路徑之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述透光基板還包括相對 于所述第一表面的第二表面，所述聚光樹脂覆蓋在所述透光基板的第二表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)為硅片 直通孔封裝結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，所述CMOS圖像傳感器包括提供晶圓的封裝結(jié)構(gòu)，所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)包括硅襯底、形成于硅襯底上的圖像傳感區(qū)和電極墊、以及連接所述電極墊的連接結(jié)構(gòu)；用壓模法在所述晶圓的封裝結(jié)構(gòu)對應(yīng)圖像傳感區(qū)的表面覆蓋聚光樹脂。所述CMOS圖像傳感器及其制造方法解決了現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)和制造工藝復(fù)雜、并且制造成本高的問題。
文檔編號H01L23/28GK101996898SQ200910056518
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者劉釗, 奚民偉, 徐錦心, 朱虹 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司