專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件中有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光 器件的制備方法。
背景技術(shù)：
近年來，導(dǎo)電聚合物聚3， 4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)由于具有電導(dǎo)率高、 熱穩(wěn)定及透明性好等特點(diǎn)，逐步成為有機(jī)電子材料研究的熱點(diǎn)。摻雜態(tài)的PEDOT 具有較高的電導(dǎo)率，為一種富空穴材料，因而可以作為有機(jī)電子器件的空穴傳 輸材料。其后通過共聚的方法，拜爾公司獲得了一種電導(dǎo)率可調(diào)控且水溶性的 聚3， 4-乙烯基二氧瘞吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)導(dǎo)電聚合物膠體，它具有 環(huán)境穩(wěn)定性好以及良好的電子阻擋特性和透明性，并對ITO有良好的親合性，成 為有機(jī)電致發(fā)光器件空穴注入緩沖層的理想材料。在發(fā)光層之間引入能級(jí)和ITO 相匹配的有機(jī)材料作為空穴注入緩沖層進(jìn)行界面修飾，可以增強(qiáng)空穴的注入效 率，從而減小開啟電壓，在一定程度上增強(qiáng)發(fā)光效率。目前，為了提高PEDOT:PSS 作為空穴注入層的注入效率主要有兩方面的寺艮道 一方面通過和不同有才幾溶劑 混合、加入摻雜劑以及用臭氧、等離子處理和施加電場等方法對它的空穴注入 性能進(jìn)行改善，以提高器件的發(fā)光性能。另一方面通過改變空穴注入層的薄膜 結(jié)構(gòu)，如采用準(zhǔn)有序膜來代替無序旋涂膜來制備PEDOT:PSS空穴注入層，可以 明顯提高空穴注入效率，從而改善器件的發(fā)光性能。但由于PEDOT:PSS材料自 身的電導(dǎo)率較低，當(dāng)完全采用其作為空穴注入層后，器件的空穴注入效率受到 影響。
導(dǎo)電聚合物納米材料由于其特殊的結(jié)構(gòu)形態(tài)，^使其具有比塊體材料高得多 的電導(dǎo)率，因此采用納米粒子來制備有^L電致發(fā)光器件的空穴注入層，必然可 以改善空穴的注入效率。但目前針對PEDOT納米粒子來制備復(fù)合納米材料的報(bào) 道較少，由于難以獲得分散良好的聚合物體系，使得PEDOT納米粒子無法充分發(fā)揮其導(dǎo)電性能高的特點(diǎn)，因此采用一種有效的方法來獲得超薄、均勻分散的
PEDOT納米粒子復(fù)合薄膜，對于制備高性能的空穴注入層并提高有機(jī)電致發(fā)光 器件的性能具有重要意義。
從目前研究來看，對PEDOT納米粒子作為空穴注入材料的的研究取得了 一 定的進(jìn)展，但也存在很多問題。首先需要解決的的是PEDOT納米粒子的分散性 問題，以及分散體系的選取。如果不能獲得分散性良好的復(fù)合納米材料，會(huì)影 響載流子的遷移速率；另外，納米復(fù)合體系的成膜性能也需要注意的問題，獲 得致密缺陷少的導(dǎo)電薄膜是改善器件空穴注入效率以及提高器件穩(wěn)定性的重要 保證。
OLED技術(shù)的發(fā)展在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域中仍然存在很多瓶頸。無論是從薄膜 的材料還是從薄膜的結(jié)構(gòu)來提高器件的空穴注入效率都是至關(guān)重要的。利用已 知的具有優(yōu)良光電性能的導(dǎo)電聚合物材料，尤其是新型的納米結(jié)構(gòu)材料，是實(shí) 現(xiàn)載流子注入效率的提高，而獲得高效、低成本器件的重要途徑。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題是如何提供一種有機(jī)發(fā)光電致器件的制備方法，該 方法所制備的有機(jī)電致發(fā)光器件能克服了現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，改善了空穴 載流子的注入效率，提高了器件的發(fā)光效率，同時(shí)制備方法簡單易于操作。
本發(fā)明所提出的技術(shù)問題是這樣解決的提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制 備方法，器件包括陽極層、陰極層以及設(shè)置在所述陽極層和陰極層之間的有機(jī) 功能層，所述有機(jī)功能層至少包括空穴注入層和發(fā)光層，所述發(fā)光層在外加電 源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光，其特征在于，制備方法包括以下步驟
(1) 將器件陽極層襯底進(jìn)行表面清潔干燥處理；
(2) 將可溶性導(dǎo)電聚合物與導(dǎo)電聚合物納米粒子混合均勻，形成導(dǎo)電聚合物 納米復(fù)合材料；
(3) 將步驟(2)得到的導(dǎo)電聚合物納米復(fù)合材料旋涂于器件陽極表面作為 空穴注入層；(4) 將制備了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；
(6) 將步驟(5)所得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊?br>
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。 按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述可
溶性導(dǎo)電聚合物包括3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸，導(dǎo)電聚合物納米粒子 材料包括3， 4-聚乙撐二氧噻吩、聚吡咯和聚苯胺。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，可溶性 導(dǎo)電聚合物具有良好的成膜特性，可與導(dǎo)電聚合物納米粒子形成良好^t體系。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空 穴注入層制備過程中，可以選擇不同的導(dǎo)電聚合物納米粒子來獲得不同納米復(fù) 合材料作為空穴注入層。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有 機(jī)功能層還包括空穴傳輸層或者電子傳輸層。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā) 光層是發(fā)出藍(lán)光的熒光材料層或者發(fā)出綠光的熒光材料層或者發(fā)出紅光的摻雜 材料層，在所述外加電源的驅(qū)動(dòng)下，發(fā)出藍(lán)光或者綠光或者紅光。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽 極層是金屬氧化物薄膜或者金屬薄膜，該金屬氧化物薄膜可以是ITO薄膜或者 氧化鋅薄膜或氧化錫鋅薄膜，該金屬薄膜可以是金、銅、銀等功函數(shù)較高的金 屬薄膜；所述陰極層是金屬薄膜或合金薄膜，該金屬薄膜可以是鋰或鎂或釣或 鍶或鋁或銦等功函數(shù)較低的金屬薄膜或它們與銅或金或銀等的合金薄膜。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電 子傳輸層是金屬配合物材料或者噁二唑類電子傳輸材料，或者咪唑類電子傳輸 材料；所述空穴傳輸材料是芳香族二胺類化合物或星形三苯胺化合物。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)
7藍(lán)光的熒光材料層是雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對苯基苯酚)鋁(BAlq)或者9，10-二 -(2-萘基)蒽(ADN或BAN);所述發(fā)出綠光的熒光材料層是Alq3 ;所述的發(fā)出紅 色的摻雜熒光材料為Alq3:DCJTB摻雜型材料，主體材料為Alq3,或者ADN等 能級(jí)差異較大的材料，摻雜染料一般為DCJTB或者DCM或者DCM1等紅光染 料。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以 下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后 用干燥氮?dú)獯蹈桑?br>
(2) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺酸和3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒 子超聲^t,形成穩(wěn)定^lt體系，兩者的質(zhì)量比為1: 1;
(3) 將步驟(2)得到^t體系采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器 件空穴注入層；
(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行電極的制備，所 述電極包括陰極層或者陽極層；
(6) 將#支好的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，器件結(jié)構(gòu)自下而上為陽極層、3， 4-聚乙撐二氧嗜吩/聚苯乙烯磺^/3, 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層，手套箱為氮?dú)夥諊?br>
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光鐠參數(shù)。 按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以
下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后 用干燥氮?dú)獯蹈桑?br>
(2) 將3, 4-聚乙撐二氧瘞呤/聚苯乙烯磺酸和聚吡咯納米粒子超聲^:，形 成穩(wěn)定M體系，兩者的質(zhì)量比為1: 1;
8(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子形成的分散體系 采用旋涂的方法沉積于陽^l層表面，作為器件空穴注入層；
(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；
(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，器件的結(jié)構(gòu)自下而上 為陽極層、3， 4-聚乙撐二氧遙吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，手套箱為氮?dú)夥諊?br>
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。 按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以
下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后 用干燥氮?dú)獯蹈桑?br>
(2) 將3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸和聚苯胺納米粒子超聲分散，形 成穩(wěn)定M體系，兩者的質(zhì)量比為1: 1;
(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子形成的分散體系 采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器件空穴注入層；
(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；
(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，器件的結(jié)構(gòu)為陽極層、 3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、陰極層，手套箱為氮?dú)夥諊?br>
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。 本發(fā)明所提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中空穴注入層通過旋涂
法獲得，空穴注入材料采用了導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電聚合物納米粒子復(fù)合體系，由于
9有機(jī)材料間良好的匹配性能，使得復(fù)合納米材料具有較高的導(dǎo)電性能，通過復(fù) 合膜厚度的控制，可以實(shí)現(xiàn)空穴注入效率的提高。制備方法合理簡單，易于操 作，與器件其它結(jié)構(gòu)的制備工藝兼容。采用的可溶性導(dǎo)電聚合物與納米粒子組
成了良好的復(fù)合體系，具有較好的成膜性能，同時(shí)對ITO粗糙表面具有一定的 平滑作用。這種有序納米薄膜結(jié)構(gòu)可以有效的減小陽極層與空穴傳輸層之間接 觸勢壘，增加空穴栽流子的注入效率，提高OLED器件的發(fā)光效率。
空穴注入層中的導(dǎo)電聚合物納米粒子通常是通過化學(xué)原位聚合的方法獲 得，具有較大的比表面積和高的電導(dǎo)率，發(fā)明不僅用于制作高發(fā)光效率、長壽 命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，而且可應(yīng)用于彩色液晶顯示的背光燈、照明燈板 等領(lǐng)域。
圖l是導(dǎo)電聚合物多層有序膜作為空穴注入層后器件原理其中，1、陽極層，2、空穴注入層(導(dǎo)電聚合物納米粒子復(fù)合薄膜)，3、
空穴傳輸層，4、發(fā)光層，5、電子傳輸層，6、陰極層，7、外加電源。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖以及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
本發(fā)明提供了一種在陽極層上構(gòu)筑導(dǎo)電聚合物復(fù)合納米薄膜作為空穴注入 層的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。通過將比表面積大、導(dǎo)電性好的納米粒 子與成膜性能好的可溶性導(dǎo)電聚合物復(fù)合，得到分散良好的納米復(fù)合體系，然 后將其采用旋涂的方法制備于陽極表面。得到導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電聚合物納米粒子 復(fù)合納米薄膜結(jié)構(gòu)作為OLED器件的空穴注入層，空穴注入層的厚度可以通過 復(fù)合體系的濃度及旋涂轉(zhuǎn)速來進(jìn)行調(diào)控?？昭ㄗ⑷雽又苽渫旰螅梢酝ㄟ^常規(guī) 方法制備器件其它功能層，空穴注入層的制備方法與OLED器件的制備工藝兼 容。
圖l是導(dǎo)電聚合物多層有序膜作為空穴注入層后器件原理圖，其中1、陽 極層，2、空穴注入層(導(dǎo)電聚合物納米粒子復(fù)合薄膜)，3、空穴傳輸層，4、 發(fā)光層，5、電子傳輸層，6、陰極層，7、外加電源?？昭ㄗ⑷雽?可以通過選 擇不同的導(dǎo)電聚合物納米粒子來構(gòu)筑不同的空穴注入層薄膜。本發(fā)明的特點(diǎn)是采用了一種層狀納米粒子復(fù)合體系結(jié)構(gòu)作為OLED器件的 空穴注入層，空穴注入層的厚度不僅可以通過工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，同時(shí)可以通 過不同納米粒子尺寸的控制來實(shí)現(xiàn)空穴注入效率的改變。
依托成熟的旋涂成膜方法，以及納米復(fù)合體系良好的成膜特性，本發(fā)明制 備的空穴注入層可以轉(zhuǎn)移至多種基片上，并實(shí)現(xiàn)大面積成膜，適宜于大面積 OLED器件的制備。.
采用本發(fā)明制備的一些有機(jī)電致發(fā)光器件舉例如下
① 陽極/3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/3， 4-聚乙撐二氧噻吩/空穴傳輸 層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
② 陽極/3， 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺酸/聚吡咯納米粒子/空穴傳輸層/ 發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
③ 陽極3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸/聚苯胺納米粒子/空穴傳輸層/ 發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例
實(shí)施例1
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO /{3， 4-聚乙撐二氧漆吩/聚苯乙烯磺粉3， 4-聚乙撐二氧瘞吩 納米粒子(粒徑20nm) /NPB(30nm)/BAlq(10mn)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
制備方法如下
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后用 干燥氮?dú)獯蹈桑?br>
(2) 將3， 4-聚乙撐二氧壘吩/聚苯乙烯磺酸和3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒 子超聲分敉，形成穩(wěn)定分散體系，兩者的質(zhì)量比為1: 1;
(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒子 采用旋涂的方法(轉(zhuǎn)速為500r/min)沉積于陽極表面，作為器件空穴注入層；(8) 將沉積完空穴注入層后的基片轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，待室內(nèi)氣壓為 4xl0,a,開始進(jìn)行有機(jī)薄膜的蒸鍍。按照如上所述器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍的空穴傳 輸層NPB為30nm,發(fā)光層材料BAlq層10 nm， Al化層10 nm并且兼作電子 傳輸層。各有機(jī)層的蒸鍍速率0.1nm/s，蒸鍍速率及厚度由安裝在基片附近的膜 厚儀監(jiān)控；
(9) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將基片傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行金屬電極的制 備。其氣壓為3xlO-3pa，蒸鍍速率為1 nm/s，合金中Mg， Ag比例為~ 10:1，膜 層厚度為90nm。蒸鍍速率及厚度由安裝在基片附近的膜厚儀監(jiān)控；
(10) 將^故好的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為99.9%氮?dú)夥諊?br>
(11) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光鐠參數(shù)。 實(shí)施例2
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO /{3， 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺粉3， 4-聚乙撐二氧漆吩 納米粒子(粒徑30nm) /NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3(10 nm)/Mg'.Ag(90 nm)
器件的制備流程與實(shí)施方式1相同 實(shí)施例3
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材^T十為BAIq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/IT0/(3, 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子(粒徑 20腿)/ NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90腿)
器件的制備流程與實(shí)施方式1相同 實(shí)施例4
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子
12傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸
材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/1丁0/{3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子(粒徑
10nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90 nm) 器件的制備流程與實(shí)施方式1相同
實(shí)施例5
如圖1所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3,陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO/p， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子(粒徑 15nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10腿)/Mg:Ag(90 nm)
器件的制備流程與實(shí)施方式1相同 實(shí)施例6
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB,發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO/卩，4-聚乙撐二氧瘞汾/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子(粒徑 20nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90應(yīng))
器件的制備流程與實(shí)施方式1相同。
1權(quán)利要求
1、一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，器件包括陽極層、陰極層以及設(shè)置在所述陽極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層至少包括空穴注入層和發(fā)光層，所述發(fā)光層在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光，其特征在于，制備方法包括以下步驟(1)將器件陽極層襯底進(jìn)行表面清潔干燥處理；(2)將可溶性導(dǎo)電聚合物與導(dǎo)電聚合物納米粒子混合均勻，形成導(dǎo)電聚合物納米復(fù)合材料；(3)將步驟(2)得到的導(dǎo)電聚合物納米復(fù)合材料旋涂于器件陽極表面作為空穴注入層；(4)將制備了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；(5)在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；(6)將步驟(5)所得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊?7)測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述可溶性導(dǎo)電聚合物包括3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸，導(dǎo)電聚合物納米 粒子材料包括3， 4-聚乙撐二氧瘞吩、聚吡咯和聚苯胺。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述有機(jī)功能層還包括空穴傳輸層或者電子傳輸層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所摻雜材料層，在所述外加電源的驅(qū)動(dòng)下，發(fā)出藍(lán)光或者綠光或者紅光。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述電子傳輸層是金屬配合物材料或者噁二唑類電子傳輸材料，或者咪唑類電子 傳輸材料；所述空穴傳輸材料是芳香族二胺類化合物或星形三苯胺化合物。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述發(fā)藍(lán)光的熒光材料層是雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對苯基苯酚)鋁或者9，10-二-(2-萘基)蒽；所述發(fā)出綠光的熒光材料層是Alq3 ;所述的發(fā)出紅色的摻雜熒光材料 為Alq3:DCJTB摻雜型材料，主體材料為Alq3，或者ADN，摻雜染料為DCJTB 或者DCM或者DCM1紅光染料。
7、 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后 用干燥氮?dú)獯蹈桑?2) 將3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸和3, 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒 子超聲^t，形成穩(wěn)定分散體系，兩者的質(zhì)量比為1: 1;(3) 將步驟(2)得到分散體系采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器 件空穴注入層；(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；(5) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行電極的制備，所 述電極包括陰極層或者陽極層；(6) 將做好的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，器件結(jié)構(gòu)自下而上為陽極層、3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/3， 4-聚乙撐二氧瘞吩納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層，手套箱為氮?dú)夥諊?7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。
8、 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后 用干燥氮?dú)獯蹈桑?2) 將3， 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺酸和聚吡咯納米粒子超聲分敉，形 成穩(wěn)定*體系，兩者的質(zhì)量比為1: 1;(3) 將3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子形成的^t體系 采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器件空穴注入層；(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；(5) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，器件的結(jié)構(gòu)自下而上 為陽極層、3, 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層和陰4及層，手套箱為氮?dú)夥諊?7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光鐠參數(shù)。
9、 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子7K對陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后 用干燥氮?dú)獯蹈桑?2) 將3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸和聚苯胺納米粒子超聲分散，形 成穩(wěn)定*體系，兩者的質(zhì)量比為1: 1;(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子形成的分散體系 采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器件空穴注入層；(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；(5) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，器件的結(jié)構(gòu)為陽極層、 3， 4-聚乙撐二氧p塞吩/聚苯乙烯磺紛聚苯胺納米粒子、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、陰極層，手套箱為氮?dú)夥諊?7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，首先在器件陽極上構(gòu)筑導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電聚合物納米粒子復(fù)合材料作為器件的空穴注入層，再進(jìn)行器件其它功能層及電極薄膜的制備?？昭ㄗ⑷雽又械膶?dǎo)電聚合物包含了導(dǎo)電聚合物及其納米粒子，具有電導(dǎo)率高、薄膜平整度好的特點(diǎn)。本發(fā)明不僅用于制作高發(fā)光效率、長壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，而且可應(yīng)用于彩色液晶顯示的背光燈、照明燈板等領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101540379SQ20091005906
公開日2009年9月23日 申請日期2009年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月24日
發(fā)明者徐建華, 楊亞杰, 蔣亞東 申請人:電子科技大學(xué)