專利名稱：陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于液晶顯示裝置領(lǐng)域，特別涉及在切割過(guò)程中能夠防止柵絕緣薄膜和鈍 化薄膜破損或開(kāi)裂的陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱為IXD) 是一種主要的平板顯示裝 置(Flat Panel Display，簡(jiǎn)稱為 FPD)。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，液晶顯示裝置分為垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置和水平 電場(chǎng)型液晶顯示裝置。垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括扭曲向列(TwistNematic，簡(jiǎn)稱 為T(mén)N)型液晶顯示裝置；水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括邊界電場(chǎng)切換(Fringe Field Switching，簡(jiǎn)稱為FFS)型液晶顯示裝置，共平面切換(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱為IPS) 型液晶顯示裝置。圖Ia為現(xiàn)有液晶面板的平面示意圖。圖Ib為圖Ia中A-Al切面示意圖。如圖Ia 和圖Ib所示，一個(gè)母板包括了第一液晶面板、第二液晶面板、第三液晶面板和第四液晶面 板。在切割區(qū)域內(nèi)通過(guò)切割方法對(duì)母板進(jìn)行切割，最終形成4個(gè)液晶面板。其中液晶面板 由基板1和彩膜基板構(gòu)成。在基板1上設(shè)有柵絕緣薄膜11，在柵絕緣薄膜11上設(shè)有數(shù)據(jù)線 12，在數(shù)據(jù)線12上方設(shè)有鈍化薄膜13。圖2a為現(xiàn)有的液晶面板中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損示意圖。圖2b為現(xiàn)有的 液晶面板中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開(kāi)裂示意圖。如圖2a和圖2b所示，進(jìn)行切割時(shí)，由于 現(xiàn)有的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜容易被切碎，從而導(dǎo)致了柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損即開(kāi) 裂，則需要適當(dāng)?shù)臏p少密封區(qū)域(sealing area)的寬度，這將會(huì)影響密封的質(zhì)量。如果對(duì) 密封區(qū)域不進(jìn)行變化，則會(huì)增加非顯示區(qū)域的面積。在制造液晶面板的過(guò)程中，進(jìn)行切割時(shí)若出現(xiàn)了柵絕緣薄膜和鈍化薄膜開(kāi)裂的現(xiàn) 象，則露出的數(shù)據(jù)線在穩(wěn)定性測(cè)試過(guò)程中將會(huì)被腐蝕，從而有可能導(dǎo)致斷線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法，以克服現(xiàn) 有技術(shù)中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜破損或開(kāi)裂的缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制造方法，包括提供一基板，所 述基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū) 域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域；在所述基板上形成柵線和柵電極；在形成有所述 柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕道；在形成有所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的所 述基板上沉積鈍化薄膜，并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔；在形 成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素 電極；在所述基板的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。其中，所述在所述基板的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜具體為在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔的同時(shí)，蝕刻在所述基板的切割區(qū)域 的所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。其中，所述在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形成有 所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極 具體為采用雙調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形 成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上通過(guò)剝離工藝形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極 電連接的像素電極。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè) 切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū) 域，所述液晶面板區(qū)域包括柵絕緣薄膜和鈍化薄膜，所述切割區(qū)域露出基板的表面。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種液晶面板的制造方法，包括陣列基板的制 造方法和彩膜基板的制造方法，其中，所述陣列基板的制造方法包括提供一基板，所述基 板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之 間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域；在所述基板上形成柵線和柵電極；在形成有所述柵線 和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，并且在所述柵電極上形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電 極、漏電極和溝道；在形成有所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄 膜，并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔；在形成有所述鈍化層過(guò)孔 的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極；在所述基板的切 割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。其中，所述在所述基板的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜具體為 在在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔的同時(shí)，蝕刻在所述基板的切割區(qū) 域的所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。其中，所述在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形成有 所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極 具體為采用雙調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形 成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上通過(guò)剝離工藝形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極 電連接的像素電極。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種液晶面板，包括陣列基板和彩膜基板，所 述陣列基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面 板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域，所述液晶面板區(qū)域包括柵絕緣薄膜和鈍化薄 膜，所述切割區(qū)域露出基板的表面。本發(fā)明的陣列基板制造方法形成了完整的陣列基板結(jié)構(gòu)之后，將位于陣列基板的 切割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜去除。從而可以在切割過(guò)程當(dāng)中，有效地克服柵絕緣 薄膜和鈍化薄膜破損或開(kāi)裂的缺陷，因此不僅可以防止在小型液晶面板中由柵絕緣薄膜和 鈍化薄膜的破損而引起的各種缺陷，而且還可以防止由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開(kāi)裂而引 起的斷線。下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖Ia為現(xiàn)有液晶面板的平面示意圖；圖Ib為圖Ia中A-Al切面示意圖；圖2a為現(xiàn)有的液晶面板中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損示意圖；圖2b為現(xiàn)有的液晶面板中柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開(kāi)裂示意圖；圖3為本發(fā)明陣列基板制造方法的第一實(shí)施例流程圖；圖4a為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例流程圖；圖4b為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例中提供的基板示意圖；圖4c為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例中柵線和柵電極的示意圖；圖4d為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、 漏電極和溝道的示意圖；圖4e為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例中形成鈍化層過(guò)孔的示意圖；圖4f為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例中形成像素電極的示意圖；圖5a為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例流程圖；圖5b為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例中提供的基板示意圖；圖5c為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例中形成柵線和柵電極的示意圖；圖5d為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極和 漏電極的示意圖；圖5e為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例中形成鈍化層過(guò)孔和像素電極的 示意圖；圖5f為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例中去除柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的 示意圖；圖6為本發(fā)明陣列基板的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明液晶面板制造方法的第一實(shí)施例的流程圖；圖8a為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例流程圖；圖8b為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例中提供的基板示意圖；圖8c為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例中柵線和柵電極的示意圖；圖8d為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、 漏電極和溝道的示意圖；圖8e為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例中形成鈍化層過(guò)孔的示意圖；圖8f為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例中形成像素電極的示意圖；圖9a為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例流程圖；圖9b為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例中提供的基板示意圖；圖9c為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例中形成柵線和柵電極的示意圖；圖9d為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極和 漏電極的示意圖；圖9e為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例中形成鈍化層過(guò)孔和像素電極的示意圖；圖9f為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例中去除柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的示意圖；圖10為本發(fā)明液晶面板的第一實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-基板；11-柵絕緣薄膜； 12-數(shù)據(jù)線；13-鈍化薄膜； 14-柵電極；15-有源層；16-像素電極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明陣列基板制造方法的第一實(shí)施例圖3為本發(fā)明陣列基板制造方法的第一實(shí)施例流程圖。如圖3所示，本發(fā)明的陣 列基板制造方法包括步驟101，提供一基板，所述基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切 割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域；步驟102，在所述基板上形成柵線和柵電極；步驟103，在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，并且在所述 柵電極上形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道；步驟104，在形成有所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄 膜，并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔；步驟105，在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所 述漏電極電連接的像素電極；步驟106，在所述基板的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。本實(shí)施例的陣列基板制造方法形成了完整的陣列基板結(jié)構(gòu)之后，將位于陣列基板 的切割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜去除。從而可以在切割過(guò)程當(dāng)中，有效地克服柵絕 緣薄膜和鈍化薄膜破損或開(kāi)裂的缺陷，因此不僅可以防止在小型液晶面板中由柵絕緣薄膜 和鈍化薄膜的破損而引起的各種缺陷，而且還可以防止由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開(kāi)裂而 引起的斷線。本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例圖4a為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例流程圖。圖4b為本發(fā)明陣列基板 制造方法的第二實(shí)施例中提供的基板示意圖。圖4c為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí) 施例中柵線和柵電極的示意圖。圖4d為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例中形成有 源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的示意圖。圖4e為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí) 施例中形成鈍化層過(guò)孔的示意圖。圖4f為本發(fā)明陣列基板制造方法的第二實(shí)施例中形成 像素電極的示意圖。如圖4a所示，本發(fā)明的陣列基板制造方法包括步驟201，如圖4b所示，提供基板1，所述基板1包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切 割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域。步驟202，如圖4c所示，采用一個(gè)單調(diào)掩模板(Full Tone Mask)在所述基板1上 形成柵線和柵電極14。步驟203，如圖4d所示，在形成有所述柵線和柵電極14的所述基板1上依次沉積 柵絕緣薄膜、半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)線薄膜，并且采用一個(gè)雙調(diào)掩模板(Dual Tone Mask)在所述柵電極14上形成有源層15、數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道。步驟204，如圖4e所示，在形成有所述數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道的所述基 板1上沉積鈍化薄膜，并且采用一個(gè)單調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成 鈍化層過(guò)孔，同時(shí)在所述基板1的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。步驟205，如圖4f所示，在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板1上，采用一個(gè)單調(diào) 掩模板形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極16。
本實(shí)施例的陣列基板制造方法通過(guò)在4次掩模工藝中形成鈍化層過(guò)孔時(shí)去除位 于切割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的方式，在增加掩模工藝的前提下去除了位于切割 區(qū)域內(nèi)的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜。從而可以在不增加制造成本的前提下有效地改善了由柵 絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損或開(kāi)裂引起的各種缺陷，提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例圖5a為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例流程圖。圖5b為本發(fā)明陣列基板 制造方法的第三實(shí)施例中提供的基板示意圖。圖5c為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí) 施例中形成柵線和柵電極的示意圖。圖5d為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí)施例中形 成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的示意圖。圖5e為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí) 施例中形成鈍化層過(guò)孔和像素電極的示意圖。圖5f為本發(fā)明陣列基板制造方法的第三實(shí) 施例中去除柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的示意圖。如圖5a所示，本發(fā)明的陣列基板制造方法包 括步驟301，圖5b所示，提供基板1，所述基板1包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割 區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域。步驟302，圖5c所示，采用一個(gè)單調(diào)掩模板在所述基板1上形成柵線和柵電極14。步驟303，圖5d所示，在形成有所述柵線和柵電極14的所述基板1上依次沉積柵絕 緣薄膜11、半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)線薄膜，并且采用一個(gè)雙調(diào)掩模板在所述柵電極14上形成有源 層15、數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道。此時(shí)，溝道對(duì)應(yīng)雙調(diào)掩模板的半透射區(qū)域；數(shù)據(jù)線 12、源電極和漏電極對(duì)應(yīng)雙調(diào)掩模板的非透射區(qū)域；其他區(qū)域?qū)?yīng)雙調(diào)掩模板的透射區(qū)域。步驟304，圖5e所示，在形成有所述數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道的所述基板 1上沉積鈍化薄膜13，并且采用一個(gè)雙調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜13上形 成鈍化層過(guò)孔。此時(shí)，鈍化層過(guò)孔對(duì)應(yīng)雙調(diào)掩模板的透射區(qū)域；將要形成的像素電極16對(duì) 應(yīng)雙調(diào)掩模板的半透射區(qū)域；其他區(qū)域?qū)?yīng)雙調(diào)掩模板的非透射區(qū)域。然后在與雙調(diào)掩模 板的半透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域露出數(shù)據(jù)線薄膜，即露出漏電極，并沉積透明導(dǎo)電薄膜。通過(guò)剝 離(lift off)工藝將與雙調(diào)掩模板的非透射區(qū)域?qū)?yīng)的透明導(dǎo)電薄膜剝離掉，形成與漏電 極電連接的像素電極16。步驟305，圖5f所示，采用一個(gè)單調(diào)掩模板，在所述基板1的切割區(qū)域去除所述柵 絕緣薄膜11和所述鈍化薄膜13。本實(shí)施例的陣列基板的制造方法在3次掩模工藝中增加了去除位于切割區(qū)域內(nèi) 的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的工藝，從而有效地改善了由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損或開(kāi) 裂引起的各種缺陷，提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。在本實(shí)施例中，在步驟304中形成鈍化層過(guò)孔時(shí)，去除位于切割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣 薄膜和鈍化薄膜，同樣可以改善由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損或開(kāi)裂引起的各種缺陷。
本發(fā)明陣列基板的第一實(shí)施例圖6為本發(fā)明陣列基板的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，本發(fā)明的陣列基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域 之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域，所述液晶面板區(qū)域設(shè)有由柵絕緣薄膜11和鈍化薄膜 13構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，所述切割區(qū)域露出基板1的表面，即切割區(qū)域沒(méi)有柵絕緣薄膜11和鈍 化薄膜13。本實(shí)施例的陣列基板通過(guò)僅在非顯示區(qū)域的其他區(qū)域設(shè)置由柵絕緣薄膜和鈍化 薄膜構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，在切割區(qū)域露出陣列基板的方式，克服了在切割過(guò)程當(dāng)中產(chǎn)生的柵 絕緣薄膜和鈍化薄膜破損或開(kāi)裂的缺陷。從而不僅可以防止在小型液晶面板中由柵絕緣薄 膜和鈍化薄膜的破損而引起的各種缺陷，而且還可以防止由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開(kāi)裂 而引起的斷線。本發(fā)明液晶面板制造方法的第一實(shí)施例圖7為本發(fā)明液晶面板制造方法的第一實(shí)施例的流程圖。如圖7所示，本發(fā)明的 液晶面板的制造方法包括陣列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中陣列基板的制 造方法具體包括步驟401，提供一基板，所述基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切 割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域；步驟402，在所述基板上形成柵線和柵電極；步驟403，在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，并且在所述 柵電極上上形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道；步驟404，在形成有所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄 膜，并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔；步驟405，在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所 述漏電極電連接的像素電極；步驟406，在所述基板的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。本實(shí)施例的液晶面板制造方法形成了完整的陣列基板結(jié)構(gòu)之后，將位于陣列基板 的切割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜去除。從而可以在切割過(guò)程當(dāng)中，有效地克服柵絕 緣薄膜和鈍化薄膜破損或開(kāi)裂的缺陷，因此不僅可以防止在小型液晶面板中由柵絕緣薄膜 和鈍化薄膜的破損而引起的各種缺陷，而且還可以防止由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開(kāi)裂而 引起的斷線。本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例圖8a為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例流程圖。圖8b為本發(fā)明液晶面板 制造方法的第二實(shí)施例中提供的基板示意圖。圖8c為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí) 施例中柵線和柵電極的示意圖。圖8d為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例中形成有 源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的示意圖。圖8e為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí) 施例中形成鈍化層過(guò)孔的示意圖。圖8f為本發(fā)明液晶面板制造方法的第二實(shí)施例中形成 像素電極的示意圖。如圖8a所示，本發(fā)明的液晶面板的制造方法包括陣列基板的制造方法 和彩膜基板的制造方法，其中陣列基板的制造方法具體包括步驟501，如圖8b所示，提供基板1，所述基板1包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域。步驟502，如圖8c所示，采用一個(gè)單調(diào)掩模板在所述基板1上形成柵線和柵電極 14。步驟503，如圖8d所示，在形成有所述柵線和柵電極14的所述基板1上依次沉積柵絕緣薄膜、半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)線薄膜，并且采用一個(gè)雙調(diào)掩模板在所述柵電極14上形成 有源層15、數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道。步驟504，如圖Se所示，在形成有所述數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道的所述基 板1上沉積鈍化薄膜，并且采用一個(gè)單調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成 鈍化層過(guò)孔，同時(shí)在所述基板1的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。步驟505，如圖8f所示，在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板1上，采用一個(gè)單調(diào) 掩模板形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極16。本實(shí)施例的液晶面板制造方法通過(guò)在4次掩模工藝中形成鈍化層過(guò)孔時(shí)去除位 于切割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的方式，在不增加掩模工藝的前提下去除了位于切 割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜。從而可以在不增加制造成本的前提下有效地改善了由 柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損或開(kāi)裂引起的各種缺陷，提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例圖9a為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例流程圖。圖9b為本發(fā)明液晶面板 制造方法的第三實(shí)施例中提供的基板示意圖。圖9c為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí) 施例中形成柵線和柵電極的示意圖。圖9d為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí)施例中形 成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的示意圖。圖9e為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí) 施例中形成鈍化層過(guò)孔和像素電極的示意圖。圖9f為本發(fā)明液晶面板制造方法的第三實(shí) 施例中去除柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的示意圖。如圖9a所示，本發(fā)明的液晶面板的制造方法 包括陣列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中陣列基板的制造方法具體包括步驟601，如圖9b所示，提供基板1，所述基板1包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切 割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域。步驟602，如圖9c所示，采用一個(gè)單調(diào)掩模板在所述基板1上形成柵線和柵電極 14。步驟603，如圖9d所示，在形成有所述柵線和柵電極14的所述基板1上依次沉積 柵絕緣薄膜11、半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)線薄膜，并且采用一個(gè)雙調(diào)掩模板在所述柵電極14上形 成有源層15、數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道。此時(shí)，溝道對(duì)應(yīng)雙調(diào)掩模板的半透射區(qū)域； 數(shù)據(jù)線12、源電極和漏電極對(duì)應(yīng)雙調(diào)掩模板的非透射區(qū)域；其他區(qū)域?qū)?yīng)雙調(diào)掩模板的透 射區(qū)域。步驟604，如圖9e所示，在形成有所述數(shù)據(jù)線12、源電極、漏電極和溝道的所述基 板1上沉積鈍化薄膜13，并且采用一個(gè)雙調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜13上 形成鈍化層過(guò)孔。此時(shí)，鈍化層過(guò)孔對(duì)應(yīng)雙調(diào)掩模板的透射區(qū)域；將要形成的像素電極16 對(duì)應(yīng)雙調(diào)掩模板的半透射區(qū)域；其他區(qū)域?qū)?yīng)雙調(diào)掩模板的非透射區(qū)域。然后在與雙調(diào)掩 模板的半透射區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域露出露出數(shù)據(jù)線薄膜，即露出漏電極，并沉積透明導(dǎo)電薄膜。 通過(guò)剝離(lift off)工藝將與雙調(diào)掩模板的非透射區(qū)域?qū)?yīng)的透明導(dǎo)電薄膜剝離掉，形成 與漏電極電連接的像素電極16。
步驟605，如圖9f所示，采用一個(gè)單調(diào)掩模板，在所述基板1的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜11和所述鈍化薄膜13。本實(shí)施例的陣列基板的制造方法在3次掩模工藝中增加了去除位于切割區(qū)域內(nèi) 的柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的工藝，從而有效地改善了由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損或開(kāi) 裂引起的各種缺陷，提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。在本實(shí)施例中，在步驟603中形成鈍化層過(guò)孔時(shí)，去除位于切割區(qū)域內(nèi)的柵絕緣 薄膜和鈍化薄膜，同樣可以改善由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破損或開(kāi)裂引起的各種缺陷。 因此，可以在3次掩模工藝中不增加工藝步驟的前提下改善由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的破 損或開(kāi)裂引起的各種缺陷。本發(fā)明液晶面板的第一實(shí)施例圖10為本發(fā)明液晶面板的第一實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10所示， 本發(fā)明的液晶面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多 個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板 區(qū)域，所述液晶面板區(qū)域設(shè)有由柵絕緣薄膜11和鈍化薄膜13構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，所述切割區(qū) 域露出基板1的表面，即切割區(qū)域沒(méi)有柵絕緣薄膜11和鈍化薄膜13。本實(shí)施例的液晶面板通過(guò)僅在非顯示區(qū)域的其他區(qū)域設(shè)置由柵絕緣薄膜和鈍化 薄膜構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，在切割區(qū)域露出陣列基板的方式，克服了在切割過(guò)程當(dāng)中產(chǎn)生的柵 絕緣薄膜和鈍化薄膜破損或開(kāi)裂的缺陷。從而不僅可以防止在小型液晶面板中由柵絕緣薄 膜和鈍化薄膜的破損而引起的各種缺陷，而且還可以防止由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜的開(kāi)裂 而引起的斷線。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
一種陣列基板的制造方法，包括提供一基板，所述基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域；在所述基板上形成柵線和柵電極；在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，并且在所述柵電極上形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道；在形成有所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄膜，并且在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔；在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極；其特征在于，在所述基板的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的切割 區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜具體為在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔的同時(shí)，蝕刻在所述基板的切割 區(qū)域的所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述漏電極上方 的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò) 所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極具體為采用雙調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形成有 所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上通過(guò)剝離工藝形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連 接的像素電極。
4.一種陣列基板，包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的 所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域，其特征在于，所述液晶面板區(qū)域包 括柵絕緣薄膜和鈍化薄膜，所述切割區(qū)域露出基板的表面。
5.一種液晶面板的制造方法，包括陣列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法，其中， 所述陣列基板的制造方法包括提供一基板，所述基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相 鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶面板區(qū)域；在所述基板上形成柵線和柵電極；在形成有所述柵線和柵電極的所述基板上沉積柵絕緣薄膜，并且在所述柵電極上形成 有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道；在形成有所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和溝道的所述基板上沉積鈍化薄膜，并且在所述 漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔；在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連 接的像素電極；其特征在于，在所述基板的切割區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的切割 區(qū)域去除所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜具體為在在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上 形成鈍化層過(guò)孔的同時(shí)，蝕刻在所述基板的切割區(qū)域的所述柵絕緣薄膜和所述鈍化薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，所述在所述漏電極上方 的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形成有所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上形成通過(guò) 所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連接的像素電極具體為采用雙調(diào)掩模板在所述漏電極上方的所述鈍化薄膜上形成鈍化層過(guò)孔，并且在形成有 所述鈍化層過(guò)孔的所述基板上通過(guò)剝離工藝形成通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與所述漏電極電連 接的像素電極。
8.一種液晶面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括多個(gè)液晶面板區(qū)域 和多個(gè)切割區(qū)域，所述切割區(qū)域位于相鄰的所述液晶面板區(qū)域之間，以隔離每個(gè)所述液晶 面板區(qū)域，其特征在于，所述液晶面板區(qū)域包括柵絕緣薄膜和鈍化薄膜，所述切割區(qū)域露出 基板的表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板及制造方法和液晶面板及制造方法，其中陣列基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括切割區(qū)域和其他區(qū)域，所述其他區(qū)域設(shè)有由柵絕緣薄膜和鈍化薄膜構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，所述切割區(qū)域露出基板。從而可以在切割過(guò)程當(dāng)中，有效地克服柵絕緣薄膜和鈍化薄膜破損或開(kāi)裂的缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101826488SQ20091007887
公開(kāi)日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2009年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月4日
發(fā)明者樸相鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司