專利名稱：一種加熱方法、裝置及基片處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基片加工/處理技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種在基片處理設(shè)備中對載 板及待加工工件進(jìn)行加熱處理的加熱方法和加熱裝置。此外，本發(fā)明還涉及應(yīng)用上述加熱 裝置和/或加熱方法的基片處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前，基片處理技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、TFT面板以及大規(guī)模集成電路等 高科技產(chǎn)品的制造工藝中。例如，作為一種重要的基片處理技術(shù)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相 沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor D印osition，以下簡稱PECVD)技術(shù)就常被應(yīng)用于 上述領(lǐng)域和工藝中。下面以PECVD為例對基片處理技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)說明。盡管在廣大科研人員的不懈努力下，PECVD技術(shù)已得到長足發(fā)展并日臻完善，但是 隨著對產(chǎn)品質(zhì)量要求的提高，依然存在諸多技術(shù)細(xì)節(jié)有待關(guān)注與改進(jìn)。例如，在PECVD工藝 中，往往需要對載板、工件以及整個腔室環(huán)境進(jìn)行加熱處理，而加熱溫度的均勻性是影響等 離子體分布和產(chǎn)品加工質(zhì)量的重要因素。因此，對載板及待加工工件進(jìn)行均勻的加熱處理 是保證產(chǎn)品最終加工質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。請參閱圖1，為目前較為常用的一種在PECVD設(shè)備的工藝腔室內(nèi)對載板及待加工 工件進(jìn)行加熱的原理示意圖。在該密閉的反應(yīng)腔室1內(nèi)，由上至下依次為上電極2、待加工 工件3 (即為諸如硅片等的待加工/處理的基片)、載板4和加熱電阻絲5。當(dāng)進(jìn)行加熱處 理時，待加工工件3均勻地排列在載板4上，然后接通加熱電源使加熱電阻絲5產(chǎn)生熱量從 而使載板4升溫，載板4再將熱量傳遞至其上的待加工工件3，以期進(jìn)行均勻的加熱處理。目前，加熱電阻絲常采用三相交變電源供電，具體是在電源的各相中均串接一組 加熱電阻絲從而使電源的各相電壓趨于穩(wěn)定。各相中加熱電阻絲的發(fā)熱功率可通過式(1) 表示P = U2AL理想狀態(tài)下，各組加熱電阻絲的阻值相等、電源各相電壓值也相等，從而可 對載板及其上的工件進(jìn)行均勻的加熱。然而在實際應(yīng)用中，各相的電壓值并不能一直或者 完全相等，因此，電壓值的差異將使電阻絲的發(fā)熱功率也存在差異。而且由式(1)可知，由 于加熱電阻絲的發(fā)熱功率與電壓值的平方成正比，因此，即便是電壓值的較小差異也可對 加熱電阻絲的發(fā)熱功率造成較大影響，并進(jìn)而影響載板預(yù)熱的均勻性。此外，載板通常采用石墨材料制成，其受熱后會有一定程度的膨脹，如果其受熱不 均勻就會出現(xiàn)扭曲變形的情況。例如，圖2就示出了一種常見的因受熱不均而引起的載板 變形情況。其中，載板4中間區(qū)域由于受熱較多而使其膨脹程度大于邊緣區(qū)域，從而導(dǎo)致載 板4的中間區(qū)域向上凸起，有時該凸起部分甚至能夠接觸到上電極2。這將使得載板及其所 承載的待加工工件受熱更加不均勻，進(jìn)而給工藝生產(chǎn)帶來下述問題首先，由于載板受熱不均而出現(xiàn)的扭曲、變形，將直接使置于載板上方的待加工工 件受熱產(chǎn)生變化，而使位于載板上方不同位置處的工件受熱不同，更甚者同一工件上不同 位置的受熱也不一致。這將嚴(yán)重影響產(chǎn)品的加工質(zhì)量，并會造成物力和財力的浪費。其次，在放電過程中，石墨載板將作為下電極使用。而載板變形后，會導(dǎo)致反應(yīng)腔室內(nèi)部的電場分布不均，進(jìn)而影響工藝所需的等離子體環(huán)境，最終降低產(chǎn)品質(zhì)量。為解決上述因載板受熱不均而出現(xiàn)變形所帶來的各種問題，技術(shù)人員采用了一種 如圖3所示的載板分區(qū)加熱的方式。如圖所示，將載板分為內(nèi)區(qū)10和外區(qū)20兩部分，并對 各區(qū)施加不同電壓來進(jìn)行加熱處理，以期望能夠抵消由于電壓差異所導(dǎo)致的石墨載板升溫 不均的問題。但是由于串接在各區(qū)中的加熱電阻絲自身結(jié)構(gòu)差異等的原因，使得分區(qū)加熱 依然無法解決因石墨載板受熱不均而出現(xiàn)變形所帶來的工藝問題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種加熱方法、加熱裝置以及基片處理設(shè)備，其能夠 在對載板及其所承載的待加工工件進(jìn)行加熱的同時，有效消除甚至避免載板因受熱而產(chǎn)生 的變形，進(jìn)而有效提高工藝質(zhì)量。為此，本發(fā)明提供一種加熱方法，用于在基片處理設(shè)備的工藝腔室中，對載板及其 所承載的待加工工件進(jìn)行加熱，直至達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度I"，該方法包括下述步驟 100)檢測所述載板的平面度并判斷載板是否出現(xiàn)變形，如果是，則不對所述載板進(jìn)行加 熱，而使其進(jìn)入恒溫狀態(tài)以消除所述變形；如果否，則對所述載板進(jìn)行加熱；200)重復(fù)步驟 100，直至將所述載板及待加工工件加熱至目標(biāo)溫度I"。其中，在所述步驟100之前，還包括對載板及待加工工件進(jìn)行加熱的步驟，而使所 述載板及待加工工件的溫度達(dá)到第一溫度Tl。其中，所述預(yù)熱溫度Tl為在30 150°C范圍內(nèi)的任一溫度。其中，步驟100中，當(dāng)判斷出載板無變形后，對所述載板及待加工工件進(jìn)行加熱使 其溫度升高一個溫度增量ΔΤ。其中，所述溫度增量ΔΤ為在30 100°C范圍內(nèi)的任一溫度。其中，在所述步驟100中，采用激光對射傳感器和/或變形傳感器來檢測所述載板 的平面度。其中，所述載板采用石墨材料制成。作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種加熱裝置，用于在基片處理設(shè)備的工藝腔 室中，對載板及其所承載的待加工工件進(jìn)行加熱，直至達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度T*，該裝置 包括變形檢測單元、控制單元和加熱單元。其中，所述變形檢測單元用于檢測載板的平面 度，并將檢測數(shù)據(jù)傳輸至控制單元；所述控制單元根據(jù)來自所述變形檢測單元的檢測數(shù)據(jù)， 判斷所述載板是否出現(xiàn)變形，如果是，則使所述載板及待加工工件進(jìn)入恒溫狀態(tài)，并在恒溫 一段時間后再次啟動變形檢測單元；如果否，則指示所述加熱單元執(zhí)行加熱操作，并在所述 載板及待加工工件的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的階段溫度后再次啟動變形檢測單元；所述加熱單元在 所述控制單元的控制下，對所述載板及待加工工件進(jìn)行加熱。其中，所述預(yù)設(shè)的階段溫度包括第一溫度Tl，所述第一溫度Tl為30 150°C范圍 內(nèi)的任一溫度。其中，所述預(yù)設(shè)的階段溫度包括前一階段溫度與溫度增量ΔΤ之和，所述溫度增 量ΔΤ為30 100°C范圍內(nèi)的任一溫度。其中，所述載板采用石墨材料制成。其中，所述加熱單元包括加熱電阻絲，所述變形檢測單元包括激光對射傳感器和/或變形傳感器。此外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，其包括工藝腔室和置于工藝腔室內(nèi)的載 板，其應(yīng)用上述本發(fā)明提供的加熱方法，對所述載板及置于載板上的待加工工件進(jìn)行加熱處理。另外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，其包括工藝腔室和置于工藝腔室內(nèi)的載 板，其在所述工藝腔室內(nèi)設(shè)置有上述本發(fā)明提供的加熱裝置，對所述載板及置于所述載板 上的待加工工件進(jìn)行加熱處理。本發(fā)明具有下述有益效果本發(fā)明提供的加熱方法采用分段加熱并檢測載板平面度的方式，S卩，將載板及其 所承載的待加工工件升至某一階段溫度，并對載板的平面度進(jìn)行檢測，若載板出現(xiàn)變形，則 停止加熱而使之進(jìn)入恒溫狀態(tài)，以使載板各處的溫度逐漸趨于一致，從而消除載板因受熱 而產(chǎn)生的變形；若載板未出現(xiàn)變形或上述變形已被消除，則繼續(xù)進(jìn)行加熱而使載板及其所 承載的待加工工件升至下一階段溫度。重復(fù)這樣的操作，直至使載板及待加工工件的溫度 達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度I"。由此可見，由于本發(fā)明提供的加熱方法采用了分段加熱并檢 測載板平面度的加熱方式，因此其能夠有效地消除甚至避免載板因受熱不均而出現(xiàn)變形這 樣的問題，進(jìn)而消除甚至避免因載板變形而導(dǎo)致其所承載的待加工工件受熱不均并最終影 響工件質(zhì)量的問題，和/或消除甚至避免在放電過程中因作為下電極的石墨載板變形而導(dǎo) 致的腔室內(nèi)電場分布不均等問題。所以說，本發(fā)明提供的加熱方法能夠使待加工工件受熱 均勻，并能夠為基片加工/處理提供較為均勻的電場環(huán)境，并因此而進(jìn)一步提高產(chǎn)品的加 工質(zhì)量和產(chǎn)品良率。此外，由于本發(fā)明提供的加熱裝置以及基片處理設(shè)備同樣采用了上述分段加熱并 檢測載板平面度的加熱方式，因而其同樣能夠有效地解決前述因載板受熱不均而出現(xiàn)的問 題，并進(jìn)而能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)品良率。


圖1為一種目前常用的在PECVD工藝腔室內(nèi)對載板及待加工工件進(jìn)行加熱的原理 示意圖；圖2為一種常見的載板變形情況；圖3為一種載板分區(qū)加熱的原理示意圖；圖4為本發(fā)明提供的加熱方法的示意流程圖；圖5為本發(fā)明提供的加熱方法第一種具體實施方式
的流程圖；圖6為本發(fā)明提供的加熱方法第二種具體實施方式
的流程圖；以及圖7為本發(fā)明提供的加熱裝置的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提 供的加熱方法、加熱裝置以及基片處理設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明所提供的加熱方法，主要用于在諸如等離子體處理設(shè)備的基片處理設(shè)備內(nèi) 的工藝腔室中，對載板及其所承載的待加工工件進(jìn)行加熱處理，直至達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度I"。這里，載板多采用石墨材料制成。本發(fā)明提供的加熱方法能夠有效地解決載板因 受熱不均而出現(xiàn)變形的問題，并能夠在工藝腔室內(nèi)形成均勻的電場分布，從而有效提高產(chǎn) 品加工質(zhì)量。請參閱圖4，本發(fā)明提供的加熱方法主要包括下述步驟步驟100，檢測所述載板的平面度并判斷載板是否出現(xiàn)變形，如果是，則不對載板 進(jìn)行加熱，而使其進(jìn)入恒溫狀態(tài)以消除所述變形；如果否，則對載板進(jìn)行加熱。這里，檢測載板的平面度的步驟通常采用激光對射傳感器和/或變形傳感器來進(jìn) 行。而當(dāng)檢測到載板未出現(xiàn)變形時，則對載板及待加工工件進(jìn)行加熱并使其溫度升高一個 溫度增量ΔΤ。該溫度增量Δ T可以是30 100°C范圍內(nèi)的任一溫度，例如，可以使其為 50 "C。步驟200，重復(fù)步驟100，直至將載板及待加工工件加熱至目標(biāo)溫度f。本發(fā)明提供的加熱方法在實際應(yīng)用中，一般在步驟100之前，還包括對載板及待 加工工件進(jìn)行加熱的步驟，將載板及待加工工件的溫度加熱至第一溫度Tl。這里，第一溫度 Tl可以是在30 150°C范圍內(nèi)的任一溫度值，例如，第一溫度Tl可以為100°C。請參見圖5，其中示出了本發(fā)明提供的加熱方法的一種具體實施方式
的流程圖。首先，執(zhí)行步驟510，將載板及其所承載的待加工工件加熱至第一溫度Tl。本實施 例中，使所述第一溫度Tl的溫度值為100°C。然后，轉(zhuǎn)到步驟520。事實上，步驟520具體可包括步驟521至步驟523等多個分 步驟。其中，步驟521，對載板的平面度進(jìn)行檢測，并判斷載板是否出現(xiàn)變形，如果是，則轉(zhuǎn)到 步驟522 ；如果否，則執(zhí)行步驟523。步驟522，停止對載板加熱而使其進(jìn)入恒溫狀態(tài)以消除 所述變形，具體恒溫過程可以是，待停止加熱后每隔一段時間即重新檢測一次載板平面度， 當(dāng)檢測到變形消失后則轉(zhuǎn)到步驟523，至于具體間隔的時間長度可以根據(jù)以往的實際經(jīng)驗 來確定，或者，可以通過反復(fù)實驗而得出精確的間隔時長。步驟523，對載板繼續(xù)進(jìn)行加熱處 理并使其溫度升高一個溫度增量Δ T，之后轉(zhuǎn)到步驟530。步驟530，檢測載板及待加工工件的溫度是否達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度Τ*，如果 是，則結(jié)束；如果否，則回到步驟521，重新檢測載板的變形情況，以再次執(zhí)行步驟520的載 板加熱過程，從而對載板及待加工工件繼續(xù)加熱。在上述執(zhí)行過程中，例如可以采用激光對射傳感器和/或變形傳感器對載板平面 度進(jìn)行測量；而采用加熱電阻絲來實現(xiàn)對載板的升溫；并采用測溫?zé)崤紒頊y量載板及待加 工工件的溫度。需要指出的是，在同一加熱過程中，上述溫度增量Δ T的取值并不是固定不變，而 可以根據(jù)工藝需要進(jìn)行調(diào)整。例如，目標(biāo)溫度!"為280°C，可以先將載板及待加工工件加熱 到100°C的第一溫度Tl，然后，使溫度增量Δ T分別取50°C、50°C、5(TC、3(rC而進(jìn)行逐步升 溫最終達(dá)到工藝所需溫度。還需要指出的是，本發(fā)明所提供的加熱方法在不脫離其精神和實質(zhì)的情況下可以 有多種變形，例如，圖6就示出了本發(fā)明提供的加熱方法的另一種實施方式(即，第二種實 施方式)的流程圖。其中步驟610中對載板進(jìn)行加熱，以使載板及待加工工件的溫度達(dá)到第一溫度Tl。步驟620，與圖5所示的實施方式類似，具體可包括步驟621至步驟623等多個分步驟。其中，步驟621，對載板的平面度進(jìn)行檢測，并判斷載板是否出現(xiàn)變形，如果是，則轉(zhuǎn)到 步驟622 ；如果否，則轉(zhuǎn)到步驟623。步驟622，停止對載板加熱而使其進(jìn)入恒溫狀態(tài)以消除 所述變形，然后轉(zhuǎn)到步驟630。步驟623，對載板繼續(xù)進(jìn)行加熱處理并使其溫度升高一個溫 度增量ΔΤ，之后轉(zhuǎn)到步驟621，重新檢測載板的平面度。步驟630，檢測載板及待加工工件的溫度是否達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度T*，如果 是，則結(jié)束；如果否，則轉(zhuǎn)到步驟623以繼續(xù)加熱。本實施方式與圖5所示的實施方式相比，其不同之處在于第一，每次載板升溫之 后，立即執(zhí)行步驟621而對載板的變形情況進(jìn)行檢測；第二，在執(zhí)行步驟622而使載板變形 消失之后，改為執(zhí)行步驟630中檢測載板及待加工工件的溫度是否達(dá)到目標(biāo)溫度f的操 作；第三，當(dāng)步驟630檢測出載板溫度未達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度T*后，再執(zhí)行步驟623繼 續(xù)升溫ΔΤ的操作；第四，在步驟610之前，還包括有預(yù)先設(shè)定第一溫度Tl、溫度增量ΔΤ、 目標(biāo)溫度!"的取值的步驟。需要指出的是，雖然上述圖5和圖6所示的實施方式具有諸多的不同之處，但是 其加熱過程的實質(zhì)內(nèi)容是一致的，即，采用分段加熱并檢測載板平面度的加熱方式，也就是 將對載板及待加工工件的加熱過程分為多個加熱階段來進(jìn)行，并在每次升溫之后對載板平 面度進(jìn)行檢測，如發(fā)現(xiàn)載板變形則停止加熱而保持恒溫直至其變形消失之后再繼續(xù)進(jìn)行加 熱，如此重復(fù)直至將載板及待加工工件加熱至目標(biāo)溫度。作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供了一種加熱裝置，其用于在基片處理設(shè)備的 工藝腔室中，對載板及待加工工件進(jìn)行加熱，直至達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度I"。這里，所述 載板同樣采用石墨材料制成。請參閱圖7，本發(fā)明提供的加熱裝置主要包括變形檢測單元、控制單元和加熱單兀。其中，變形檢測單元，用于檢測載板的平面度，并將檢測數(shù)據(jù)傳輸至控制單元。在 實際應(yīng)用中，所述變形檢測單元可以包括激光對射傳感器和/或變形傳感器。控制單元，根據(jù)來自變形檢測單元的檢測數(shù)據(jù)，判斷載板是否出現(xiàn)變形，如果是， 則不向加熱單元傳輸加熱指令，而使載板及待加工工件進(jìn)入恒溫狀態(tài)，并在恒溫一段時間 后再次啟動變形檢測單元；如果否，則指示加熱單元執(zhí)行加熱操作，并在載板及待加工工件 的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)的階段溫度后再次啟動變形檢測單元。這里，所述預(yù)設(shè)的階段溫度包括第 一溫度Tl，或者，包括前一階段溫度與溫度增量ΔΤ之和。其中，第一溫度Tl可以為30 150°C范圍內(nèi)的任一溫度；溫度增量Δ T可以為30 100°C范圍內(nèi)的任意溫度。加熱單元，其在控制單元的控制下，對載板及待加工工件進(jìn)行加熱。實際應(yīng)用中， 所述加熱單元可以包括加熱電阻絲。此外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，包括工藝腔室和置于工藝腔室內(nèi)的載板， 其應(yīng)用上述本發(fā)明所提供的加熱方法，對載板及放置在載板上的待加工工件進(jìn)行加熱處理。另外，本發(fā)明還提供一種基片處理設(shè)備，包括工藝腔室和置于工藝腔室內(nèi)的載板， 并在工藝腔室內(nèi)設(shè)置有上述本發(fā)明所提供的加熱裝置，用以對載板及放置在載板上的待加 工工件進(jìn)行加熱處理。本發(fā)明所提供的加熱方法、裝置，以及應(yīng)用上述方法/裝置的基片處理設(shè)備，采用對載板及待加工工件進(jìn)行逐步升溫的加熱過程，并在升溫過程中對載板的平面度進(jìn)行檢 測，當(dāng)檢測出載板出現(xiàn)變形時，對其進(jìn)行恒溫控制以及時消除變形，從而有效地解決了載板 因受熱不均而出現(xiàn)變形的問題，進(jìn)而避免因待加工工件受熱不均所造成的產(chǎn)品質(zhì)量問題， 提高產(chǎn)品合格率。而且，由于本發(fā)明的技術(shù)方案有效地解決了載板變形的問題，因此，在等 離子體處理過程的放電過程中，作為下電極的石墨載板所產(chǎn)生的電場能夠大致均勻分布， 為基片加工/處理提供了良好的電場環(huán)境，從而有效提高產(chǎn)品的加工質(zhì)量。需要指出的是，本發(fā)明提供的加熱方法/裝置并不局限于在基片處理設(shè)備的工藝 腔室內(nèi)使用，其同樣可用于預(yù)熱腔室中對載板及待加工工件的預(yù)熱過程。還需要指出的是，本發(fā)明所提供的加熱方法/裝置的逆過程可被用作對載板及待 加工工件的降溫處理，從而能夠有效避免載板因冷卻速率過高或受冷不均而出現(xiàn)變形的情 況?？梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤┓绞絻H僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種加熱方法，用于在基片處理設(shè)備的工藝腔室中，對載板及其所承載的待加工工件進(jìn)行加熱，直至達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度T*，其特征在于，該方法包括下述步驟100)檢測所述載板的平面度并判斷載板是否出現(xiàn)變形，如果是，則不對所述載板進(jìn)行加熱，而使其進(jìn)入恒溫狀態(tài)以消除所述變形；如果否，則對所述載板進(jìn)行加熱；200)重復(fù)步驟100，直至將所述載板及待加工工件加熱至目標(biāo)溫度T*。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱方法，其特征在于，在所述步驟100之前，還包括對載板 及待加工工件進(jìn)行加熱的步驟，而使所述載板及待加工工件的溫度達(dá)到第一溫度Tl。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱方法，其特征在于，所述預(yù)熱溫度Tl為在30 150°C范 圍內(nèi)的任一溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱方法，其特征在于，所述預(yù)熱溫度Tl為100°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱方法，其特征在于，步驟100中，當(dāng)判斷出載板無變形后， 對所述載板及待加工工件進(jìn)行加熱使其溫度升高一個溫度增量Δ Τ。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加熱方法，其特征在于，所述溫度增量ΔT為在30 100°C 范圍內(nèi)的任一溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的加熱方法，其特征在于，所述溫度增量ΔΤ為50°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱方法，其特征在于，在所述步驟100中，采用激光對射傳 感器和/或變形傳感器來檢測所述載板的平面度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱方法，其特征在于，所述載板采用石墨材料制成。
10.一種加熱裝置，用于在基片處理設(shè)備的工藝腔室中，對載板及其所承載的待加工工 件進(jìn)行加熱，直至達(dá)到工藝所需的目標(biāo)溫度T*，其特征在于，該裝置包括變形檢測單元、控 制單元和加熱單元，其中所述變形檢測單元用于檢測載板的平面度，并將檢測數(shù)據(jù)傳輸至控制單元；所述控制單元根據(jù)來自所述變形檢測單元的檢測數(shù)據(jù)，判斷所述載板是否出現(xiàn)變形， 如果是，則使所述載板及待加工工件進(jìn)入恒溫狀態(tài)，并在恒溫一段時間后再次啟動變形檢 測單元；如果否，則指示所述加熱單元執(zhí)行加熱操作，并在所述載板及待加工工件的溫度達(dá) 到預(yù)設(shè)的階段溫度后再次啟動變形檢測單元；所述加熱單元在所述控制單元的控制下，對所述載板及待加工工件進(jìn)行加熱。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的階段溫度包括第一溫 度Tl，所述第一溫度Tl為30 150°C范圍內(nèi)的任一溫度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的階段溫度包括前一階 段溫度與溫度增量ΔΤ之和，所述溫度增量ΔΤ為30 100°C范圍內(nèi)的任一溫度。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述載板采用石墨材料制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述加熱單元包括加熱電阻絲，所 述變形檢測單元包括激光對射傳感器和/或變形傳感器。
15.一種基片處理設(shè)備，其包括工藝腔室和置于工藝腔室內(nèi)的載板，其特征在于，應(yīng)用 權(quán)利要求1至9中任意一項所述的加熱方法，對所述載板及置于所述載板上的待加工工件 進(jìn)行加熱處理。
16.一種基片處理設(shè)備，其包括工藝腔室和置于工藝腔室內(nèi)的載板，其特征在于，在所 述工藝腔室內(nèi)設(shè)置如權(quán)利要求10至14中任意一項所述的加熱裝置，對所述載板及置于所述載板上的待加工工件進(jìn)行加熱處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種加熱方法，用于在基片處理設(shè)備的工藝腔室中對載板及待加工工件進(jìn)行加熱，其包括100)檢測所述載板的平面度并判斷載板是否出現(xiàn)變形，如果是，則不對所述載板進(jìn)行加熱，而使其進(jìn)入恒溫狀態(tài)以消除所述變形；如果否，則對所述載板進(jìn)行加熱；200)重復(fù)步驟100，直至將所述載板及待加工工件加熱至目標(biāo)溫度T*。上述加熱方法的優(yōu)點在于，可對載板及待加工工件進(jìn)行均勻加熱并有效避免載板變形，從而提高產(chǎn)品加工質(zhì)量。此外，本發(fā)明還提供一種加熱裝置及應(yīng)用上述方法/裝置的基片處理設(shè)備。
文檔編號H01L21/324GK101924016SQ20091008711
公開日2010年12月22日 申請日期2009年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月11日
發(fā)明者鄭能濤 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司