專利名稱：帶門極電阻布局的功率mosfet模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝及功率模塊領(lǐng)域，具體地說是一種新型 帶I、 j極電阻布局的功率MOSFET模塊。
背景技術(shù)：
功率MOSFET (即功率金屬-氧化物-硅場效應(yīng)晶體管)模塊主要 包括基板、直接敷銅基板(DBC)、功率MOSFET芯片和功率端子。 在對(duì)該模塊中的直接敷銅基板(DBC)進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，要考慮熱設(shè)計(jì)、 結(jié)構(gòu)應(yīng)力設(shè)計(jì)、EMC設(shè)計(jì)和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，此還同時(shí)要考慮設(shè)計(jì)產(chǎn) 品的生產(chǎn)成本。現(xiàn)有的功率MOSFET模塊(功率金屬-氧化物-硅場效 應(yīng)晶休管模塊)設(shè)計(jì)中存在的主要問題是產(chǎn)品的兼容性不夠、熱設(shè)計(jì) 不合理和生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是設(shè)計(jì)出一種帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊。
本發(fā)明要解決的現(xiàn)有功功率MOSFET模塊(功率金屬-氧化物-硅 場效應(yīng)晶體管模塊)存在的兼容性不夠、熱設(shè)計(jì)不合理和生產(chǎn)成本高 的問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是它包括基板、直接敷銅基板(DBC)、
MOSFET芯片和功率端子，基板和直接敷銅基板(DBC)通過釬焊 結(jié)合，MOSFET芯片和直接敷銅基板(DBC)之間通過釬焊結(jié)合， 基板和直接敷銅基板(DBC)通過釬焊結(jié)合?；迳镶F焊有兩組四塊 直接敷銅基板(DBC)，每塊直接敷銅基板(DBC)都由門極、源極
和漏極組成。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是本發(fā)明的兼容性好，最大化了漏極區(qū)域，應(yīng) 用的電流范圍大，生產(chǎn)成本低。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本發(fā)明直接敷銅基板(DBC)的布局圖。 圖3是本發(fā)明的電路原理圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。 如圖l所示，本發(fā)明包括基板l、門極電阻2、 MOSFET芯片3、 S極引線4、連接橋5、直接敷銅基板(DBC) 6、門極連接橋7、 門極引線8、功率端子3號(hào)9、 S極引線10、功率端子2號(hào)11、連 接橋12、功率端子l號(hào)13、門極連接橋14、門極引線15?；錶 和直接敷銅基板(DBC) 6通過釬焊結(jié)合，MOSFET芯片3、門極電阻2和直接敷銅基板(DBC) 6之間通過釬焊結(jié)合。基板1上釬 焊有兩組四塊呈方形排布直接敷銅基板(DBC) 6，四塊直接敷銅 基板(DBC)之間用lmm寬的溝道隔開。如圖2，每塊直接敷銅基 板(DBC) 6都由門極16、漏極18和源極17組成。
所述的四塊直接敷銅基板(DBC)中，左上直接敷銅基板
(DBC)和右上直接敷銅基板(DBC)、左下直接敷銅基板(DBC) 和右下直接敷銅基板(DBC )的結(jié)構(gòu)相同。左上直接敷銅基板(DBC ) 和右上直接敷銅基板(DBC)是鏡像對(duì)稱，左下直接敷銅基板(DBC) 和右下直接敷銅基板(DBC)是鏡像對(duì)稱。
直接敷銅基板(DBC) 6的邊側(cè)區(qū)域?yàn)殚T極。左上直接敷銅基 板(DBC)的門極16和左下直接敷銅基板(DBC)的門極通過橋 14連接，并通過引線15引出。右上直接敷銅基板(DBC)的門極 和右下直接敷銅基板(DBC)的門極通過橋7連接，并通過引線8 引出。直接敷銅基板(DBC) 6的中間區(qū)域是漏極，直接敷銅基板
(DBC) 6通過釬焊和MOSFET芯片3漏極連接在一起。左邊兩塊 直接敷銅基板(DBC)的源極，通過功率端子11引出，構(gòu)成模塊的 負(fù)極輸入。右邊兩塊直接敷銅基板(DBC)的漏極，通過功率端子 9引出，構(gòu)成模塊的正極輸入。MOSFET芯片3通過直接敷銅基板
(DBC) 6上的門極電阻2，再通過門極引線15引出去。
直接敷銅基板(DBC) 6的左邊區(qū)域是源極，直接敷銅基板
(DBC) 6和MOSFET芯片上表面源極連接在一起。左邊兩塊直接敷銅基板(DBC)的源極是通過橋12、橋5和右邊兩塊直接敷銅基 板(DBC)的漏極連接在一起，再由功率端子1引出去。源極區(qū)域還 通過引出信號(hào)與門極組成信號(hào)控制端。直接敷銅基板(DBC) 6上還 設(shè)有信號(hào)引線S極引線4和S極引線10。
如圖2所示的4塊直接敷銅基板(DBC)布局結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了圖3 所示的電路。在圖3電路原理圖中17、 18、 6分別為輸出、負(fù)極輸入 和正極輸出；電路原理圖中8、 10分別為上管門極和S極信號(hào)輸入； 電路原理圖中15、 4分別為下管門極和S極信號(hào)輸入。
權(quán)利要求
1、一種帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，包括基板、直接敷銅基板、功率MOSFET芯片和功率端子，基板和直接敷銅基板通過釬焊結(jié)合，門極電阻、功率MOSFET芯片和直接敷銅基板之間通過釬焊結(jié)合，基板和直接敷銅基板通過釬焊結(jié)合，其特征在于基板上釬焊有兩組四塊直接敷銅基板，每塊直接敷銅基板都由門極、源極和漏極組成。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊， 其特征在于基板上的四塊直接敷銅基板呈方形排布，其中左上直接敷 銅基板和右上直接敷銅基板、左下直接敷銅基板和右下直接敷銅基板(DBC)的結(jié)構(gòu)相同。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊， 其特征在于直接敷銅基板的邊側(cè)區(qū)域?yàn)殚T極，左上直接敷銅基板的門 極和左下直接敷銅基板的門極、右上直接敷銅基板的門極和右下直接 敷銅基板的門極分別通過橋連接，且分別通過弓戰(zhàn)引出。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊， 其特征在于直接敷銅基板的邊側(cè)區(qū)域?yàn)殚T極，功率MOSFET芯片的 門極通過一個(gè)門極電阻和直接敷銅基板的門極區(qū)域連接在一起，再通 過引線引出。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模i央， 其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極，直接敷銅基板通過釬焊 和功率MOSFET芯片連接在一起，左上、左下兩塊直接敷銅基板的漏極和右上、右下兩塊直接敷銅基板源極通過橋連在一起，共同組成模塊的輸出，通過功率端子引出。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極，直接敷銅基板通過釬焊和功率MOSFET芯片連接在一起，左上和左下兩塊直接敷銅基板源 極共同組成半橋模塊的負(fù)極輸入，通過功率端子引出。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊， 其特征在于直接敷銅基板的中間區(qū)域是漏極，直接敷銅基板和功率 MOSFET芯片連接在一起，右上和右下直接敷銅基板的中間區(qū)域作 為模塊的正極輸入，通過功率端子引出去。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊， 其特征在于直接敷銅基板上還設(shè)有信號(hào)弓I線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊，它主要包括基板、直接敷銅基板(DBC)、功率MOSFET晶體管芯片、門極電阻和功率端子，基板和直接敷銅基板(DBC)通過釬焊結(jié)合，門極電阻，功率MOSFET晶體管芯片和直接敷銅基板(DBC)之間通過釬焊結(jié)合，基板和直接敷銅基板(DBC)通過釬焊結(jié)合。基板上釬焊有兩組四塊直接敷銅基板(DBC)，每塊直接敷銅基板(DBC)都由門極、源極和漏極組成。本發(fā)明具有兼容性好，應(yīng)用的電流范圍大，均流性能好，生產(chǎn)成本低的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/12GK101582394SQ20091009741
公開日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2009年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月2日
發(fā)明者劉志宏, 翔 朱, 馮 李, 華 沈, 胡少華, 金曉行 申請(qǐng)人:嘉興斯達(dá)微電子有限公司