專利名稱：半導體接觸四極管電荷數(shù)密度差式熱電轉(zhuǎn)換裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于熱電轉(zhuǎn)換裝置的，更具體地說，本發(fā)明是關(guān)于利用半導體接觸回路 中同一種半導體之間的電荷數(shù)密度差工作的熱電轉(zhuǎn)換裝置。
背景技術(shù)：
目前，市場上只能見到利用半導體接觸回路中的溫差電動勢工作的熱電轉(zhuǎn)換裝 置，尚未見到利用半導體接觸回路中同一種半導體之間的電荷數(shù)密度差工作的熱電轉(zhuǎn)換裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單的熱電轉(zhuǎn)換裝置。本發(fā)明的技術(shù)方案是由二塊N型半導體板和二塊P型半導體板相互接觸構(gòu)成，二 塊N型半導體板分別是N型半導體板1和N型半導體板3，二塊P型半導體板分別是P型半 導體板2和P型半導體板4。N型半導體板1與N型半導體板3的形狀和大小一樣，P型半 導體板2與P型半導體板4的形狀和大小一樣。N型半導體板1與N型半導體板3的材料 為同一種N型半導體材料，P型半導體板2與P型半導體板4的材料為同一種P型半導體 材料。N型半導體板1的右表面與P型半導體板2的左表面接觸在一起，P型半導體板2的 右表面與N型半導體板3的左表面接觸在一起，N型半導體板3的右表面與P型半導體板4 的左表面接觸在一起。N型半導體與P型半導體接觸在一起時，在接觸處要發(fā)生電子和空穴的傳遞，表現(xiàn) 在N型半導體要向P型半導體傳遞電子，P型半導體要向N型半導體傳遞空穴。本發(fā)明中， N型半導體板1只有右表面與P型半導體板2的左表面接觸，N型半導體板3的左右二個表 面分別與P型半導體板2的右表面和P型半導體板4的左表面接觸，P型半導體板2的左 右二個表面分別與N型半導體板1的右表面和N型半導體板3的左表面接觸，P型半導體 板4只有左表面與N型半導體板3的右表面接觸，而N型半導體板1與N型半導體板3的 形狀和大小一樣，P型半導體板2與P型半導體板4的形狀和大小一樣，因此，本發(fā)明能產(chǎn) 生如下的有益效果(1)從N型半導體板1傳遞到P型半導體板2中的電子數(shù)少于從N型半導體板3 傳遞到P型半導體板2和P型半導體板4中的電子數(shù)，或者說從N型半導體板1中傳遞出 去的電子數(shù)少于從N型半導體板3中傳遞出去的電子數(shù)。(2)從P型半導體板2傳遞到N型半導體板1和N型半導體板3中的空穴數(shù)多于 從P型半導體板4傳遞到N型半導體板3中的空穴數(shù)，或者說從P型半導體板2中傳遞出 去的空穴數(shù)多于從P型半導體板4中傳遞出去的空穴數(shù)(3)N型半導體板1中的電子數(shù)多于N型半導體板3中的電子數(shù)，N型半導體板1 中的電子數(shù)密度大于N型半導體板3中的電子數(shù)密度，在N型半導體板1與N型半導體板 3之間存在著電子數(shù)密度差。
(4) P型半導體板2中的空穴數(shù)多于P型半導體板4中的空穴數(shù)，P型半導體板2 中的空穴數(shù)密度大于P型半導體板4中的空穴數(shù)密度，在P型半導體板2與P型半導體板 4之間存在著空穴數(shù)密度差。(5)由于在N型半導體板1與N型半導體板3之間存在著電子數(shù)密度差，因此，如 果在N型半導體板1與N型半導體板3之間接上負載后就能輸出電能，就能將熱能轉(zhuǎn)換成 電能。(6)由于在P型半導體板2與P型半導體板4之間存在著空穴數(shù)密度差，因此，如 果在ρ型半導體板2與P型半導體板4之間接上負載后就能輸出電能，就能將熱能轉(zhuǎn)換成 電能。


圖1為熱電轉(zhuǎn)換裝置示意圖；圖2為熱電轉(zhuǎn)換裝置第一種實施例示意圖；圖3為熱電轉(zhuǎn)換裝置第二種實施例示意圖；圖4為熱電轉(zhuǎn)換裝置第三種實施例示意圖；圖5為熱電轉(zhuǎn)換裝置第四種實施例示意圖；圖6為熱電轉(zhuǎn)換裝置第五種實施例示意圖；圖7為熱電轉(zhuǎn)換裝置第六種實施例示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細描述圖1中，N型半導體板1的右表面與P型半導體板2的左表面接觸在一起，P型半 導體板2的右表面與N型半導體板3的左表面接觸在一起，N型半導體板3的右表面與P型 半導體板4的左表面接觸在一起。圖2所示的實施例中，用導線將負載5連接在N型半導體板1與N型半導體板3 之間，使負載5上有電能輸出，使熱能轉(zhuǎn)換成電能。圖3所示的實施例中，用導線將負載6連接在P型半導體板2與P型半導體板4 之間，使負載6上有電能輸出，使熱能轉(zhuǎn)換成電能。圖4所示的實施例中，將二個熱電轉(zhuǎn)換裝置中的N型半導體板1與N型半導體板 3串聯(lián)在一起，使負載7上輸出更多的電能，使更多的熱能轉(zhuǎn)換成電能。圖5所示的實施例中，將二個熱電轉(zhuǎn)換裝置中的P型半導體板2與P型半導體板 4串聯(lián)在一起，使負載8上輸出更多的電能，使更多的熱能轉(zhuǎn)換成電能。圖6所示的實施例中，將多個熱電轉(zhuǎn)換裝置中的N型半導體板1與N型半導體板 3串聯(lián)在一起，使負載9上輸出更多的電能，使更多的熱能轉(zhuǎn)換成電能。圖7所示的實施例中，將多個熱電轉(zhuǎn)換裝置中的P型半導體板2與P型半導體板 4串聯(lián)在一起，使負載10上輸出更多的電能，使更多的熱能轉(zhuǎn)換成電能?？梢酝ㄟ^二個熱電轉(zhuǎn)換裝置并聯(lián)或多個熱電轉(zhuǎn)換裝置并聯(lián)的方式，使負載上輸出 更多的電能，使更多的熱能轉(zhuǎn)換成電能。可以通過多個熱電轉(zhuǎn)換裝置串并聯(lián)的方式，使負載上輸出更多的電能，使更多的熱能轉(zhuǎn)換成電能。
權(quán)利要求
一種半導體接觸四極管電荷數(shù)密度差式熱電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，它由二塊N型半導體板和二塊P型半導體板相互接觸構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體接觸四極管電荷數(shù)密度差式熱電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在 于，N型半導體板(1)與N型半導體板(3)的形狀和大小一樣，P型半導體板(2)與P型半 導體板(4)的形狀和大小一樣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體接觸四極管電荷數(shù)密度差式熱電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在 于，N型半導體板(1)與N型半導體板(3)的材料為同一種N型半導體材料，P型半導體板 (2)與P型半導體板(4)的材料為同一種P型半導體材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體接觸四極管電荷數(shù)密度差式熱電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在 于，N型半導體板(1)的右表面與P型半導體板(2)的左表面接觸在一起，P型半導體板(2) 的右表面與N型半導體板(3)的左表面接觸在一起，N型半導體板(3)的右表面與P型半 導體板(4)的左表面接觸在一起。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種利用半導體接觸回路中同一種半導體之間的電荷數(shù)密度差工作的熱電轉(zhuǎn)換裝置，它由二塊N型半導體板和二塊P型半導體板相互接觸構(gòu)成，N型半導體板1的右表面與P型半導體板2的左表面接觸在一起，P型半導體板2的右表面與N型半導體板3的左表面接觸在一起，N型半導體板3的右表面與P型半導體板4的左表面接觸在一起。在N型半導體板1與N型半導體板3之間接上負載，或在P型半導體板2與P型半導體板4之間接上負載，負載中有電能輸出，實現(xiàn)將熱能轉(zhuǎn)換成電能。
文檔編號H01L37/00GK101887944SQ20091009852
公開日2010年11月17日 申請日期2009年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月14日
發(fā)明者馮建明 申請人:馮建明