專利名稱：載置臺構造以及熱處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體晶片等的被處理體的熱處理裝置以及載置臺構造。
背景技術：
通常，在制造半導體集成電路時，在半導體晶片等的被處理體上， 反復進行成膜處理、蝕刻處理、熱處理、改質處理、結晶化處理等各 種熱處理，形成所希望的集成電路。在進行上述各種處理時，對應處 理的種類將必要的處理氣體，例如成膜處理時的成膜氣體、改質處理 時的臭氧氣體等、結晶化處理時的氮氣等不活潑氣體和氧氣等分別導 入處理容器內。例如以對每一塊半導體晶片進行熱處理的單片式熱處理裝置為 例，在能抽真空的處理容器內，例如設置內置有電阻加熱器的載置臺， 在其上表面載置有半導體晶片的狀態(tài)下，流過規(guī)定的處理氣體，在規(guī) 定的工藝條件下對晶片進行各種熱處理。可是，通常上述載置臺由氮化鋁(A1N)等不透明的陶瓷材料形成， 或者，為了防止來自陶瓷材料的污染，提高耐清潔性，可以代替陶瓷 材料用透明石英形成載置臺(專利文獻1 3)。而且，在通過上述透明 石英形成載置臺的情況下，為了防止電阻加熱器的加熱線的形狀原封 不動地投影到晶片背面，在晶片面內形成過大的溫度的不均勻分布， 在載置臺的上表面例如設置薄的不透明陶瓷板作為均熱板，在該均熱 板的上表面載置晶片。這里，上述均熱板具有在吸收從加熱線放射的 熱線使溫度分布均勻的功能的基礎上還具有向晶片傳導熱量的功能。專利文獻1日本特開平06-260430號公報專利文獻2日本特開2004-356624號公報專利文獻3日本特開2007-335425號公報發(fā)明內容但是，在對半導體晶片實施處理的一般處理裝置中，以防止處理 中半導體晶片在載置其的載置臺上移動而產生錯位為目的，存在設置作為基板保持部件的夾緊環(huán)部件的情況。該夾緊環(huán)部件例如由A1N等 不透明陶瓷材料形成環(huán)狀、使夾緊環(huán)部件的內周側的下面接觸晶片周 邊部的上表面?zhèn)?斜面部)、輕輕壓住、防止晶片W的錯位。但是、在這種情況下、接觸晶片的上述夾緊環(huán)部件、距離載置臺 上表面僅有一點距離、例如只距離載置臺上表面幾mm左右、那么就 可能比晶片的溫度低。因此、通過向夾緊環(huán)部件的熱移動、晶片周邊 部(斜面部)的溫度、與其內側部分相比存在變低的傾向。因此，存 在晶片溫度的面內均一性下降、產生對晶片進行成膜處理等熱處理的 面內均一性惡化的問題。本發(fā)明著眼于上述問題點、可以有效解決上述問題。本發(fā)明的發(fā) 明目的、是提供一種載置臺構造以及熱處理裝置、其可以在被處理體 和夾緊環(huán)部件接觸時、提高被處理體面內溫度的均一性、提高熱處理 的面內均一性。本發(fā)明的第一方面的載置臺構造，其為了在處理容器內對被處理 體實施規(guī)定的熱處理而載置上述被處理體，其特征在于，包括載置 臺，其由透明材料構成，在內部收容有加熱上述被處理體的加熱單元； 均熱板，其由不透明材料構成，設置在上述載置臺的上表面，并且其 直徑設定得比上述載置臺的直徑小，在上表面直接載置上述被處理體； 和夾緊機構，其能夠升降地設置在上述載置臺的周邊部的上方，具有 向上述載置臺側擠壓上述被處理體的由不透明材料構成的夾緊環(huán)部 件。這樣，由于載置臺由透明材料構成，在其上表面設置的由不透明 材料構成的均熱板的直徑設定得比載置臺的直徑小，因此通過來自加 熱單元的熱線直接加熱夾緊環(huán)部件，可以將其溫度升溫至和被處理體 同樣的溫度。因此，即使被處理體和夾緊環(huán)部件接觸，也可以提高被 處理體的面內溫度的均一性，提高熱處理的面內均一性。在這種情況下，例如第二方面所記載的那樣，上述載置臺通過支 柱支撐。此外，例如第三方面所記載的那樣，上述加熱單元，被設置成遍 及比載置有上述被處理體的載置區(qū)域的直徑大的直徑的加熱區(qū)域。此外，例如第四方面所記載的那樣，上述加熱單元的上述加熱區(qū) 域的直徑被設定成比上述均熱板的直徑大。此外，例如第五方面所記載的那樣，上述均熱板的外周端，與上 述夾緊環(huán)部件的內周端的位置相同，或者與其相比位于半徑方向的外此外，例如第六方面所記載的那樣，上述夾緊環(huán)部件通過支撐桿 支撐，上述支撐桿與升起或降低上述被處理體的提升銷連接而一體地 上下移動。此外，例如第七方面所記載的那樣，在上述夾緊環(huán)部件與上述載 置臺的上表面之間形成的空間部設置有供給吹掃氣體的吹掃氣體供給 單元。此外，例如第八方面所記載的那樣，上述吹掃氣體供給單元，包 括沿著上述載置臺的周邊部設置的多個吹掃氣體噴射孔，和與上述各 吹掃氣體噴射孔連通的吹掃氣體供給流路。此外，例如第九方面所記載的那樣，上述透明材料，由選自透明 石英玻璃、透明藍寶石中的一種材料構成。此外，例如第十方面所記載的那樣，上述不透明材料，由選自陶 瓷材料、不透明石英玻璃、鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、碳、碳和金屬 的復合材料中的一種材料構成。本發(fā)明的第十一方面的熱處理裝置，其對被處理體實施規(guī)定的熱 處理，其特征在于，包括作成能夠排氣的處理容器；第一方面 第十方面中任一項所記載的載置臺構造；和向上述處理容器內導入氣體 的氣體導入單元。根據(jù)本發(fā)明涉及的載置臺構造以及熱處理裝置，能夠發(fā)揮以下那 樣的優(yōu)異的作用效果。由于載置臺構造的載置臺由透明材料構成，在其上表面設置的由 不透明材料構成的均熱板的直徑設定得比載置臺的直徑小，因此通過 來自加熱單元的熱線直接加熱夾緊環(huán)部件，可以將其溫度升溫至和被 處理體同樣的溫度。因此，即使被處理體和夾緊環(huán)部件接觸，也可以提高被處理體的面內溫度的均一性，提高熱處理的面內均一性。


圖1是表示使用本發(fā)明涉及的載置臺構造的熱處理裝置的一個例 子的截面構成圖。圖2是表示載置臺構造的載置臺的平面圖。圖3是表示載置臺構造的載置臺的重要部分的局部放大圖。圖4是簡化表示載置臺的簡略圖。圖5是表示均熱板的變形例的重要部分的局部放大圖。符號說明2熱處理裝置4處理容器6噴淋頭部(氣體導入單元) 29載置臺構造 30支柱 32載置臺38加熱器(加熱單元) 42均熱板43吹掃氣體供給單元 44吹掃氣體噴射孔 46吹掃氣體供給流路 48夾緊環(huán)機構 50夾緊環(huán)部件 68提升銷 70空間部W半導體晶片(被處理體)具體實施方式
以下，基于附圖對本發(fā)明涉及的載置臺構造以及熱處理裝置的一 個實施方式進行詳細說明。圖1是表示使用本發(fā)明涉及的載置臺構造的熱處理裝置的一個例子的截面構成圖，圖2是表示載置臺構造的載置臺的平面圖，圖3是 表示載置臺構造的載置臺的重要部分的局部放大圖，圖4是簡化表示
載置臺的簡略圖。
如圖示的那樣，該熱處理裝置2，例如具有截面的內部作成大致圓 形的鋁制或者鋁合金制的處理容器4。該處理容器4內的頂部設有導入 必要的規(guī)定氣體，例如導入成膜氣體的作為氣體導入單元的噴淋頭部 6，從在其下面的氣體噴射面8上設置的多個氣體噴射孔10A、 IOB向 處理空間S噴射處理氣體。
在該噴淋頭部6內，形成有中空狀的分割成2個的氣體擴散室 12A、 12B，在此導入的處理氣體向平面方向擴散后、從分別與各氣體 擴散室12A、 12B連通的各氣體噴射孔IOA、 IOB噴出。整個噴淋頭部 6、例如可以由鎳、哈斯特鎳合金(hastelloy)(注冊商標)等鎳合金、 鋁、或者鋁合金形成。此外、作為噴淋頭部6也可以具有1個氣體擴 散室。而且，在該噴淋頭部6和處理容器4的上端開口部的接合部、 存在例如由O形環(huán)等構成的密封部件14，維持處理容器4內的氣密性。
而且、在處理容器4的側壁設置有相對于該處理容器4內搬入搬 出作為被處理體的半導體晶片W的搬入搬出口 16，并且在該搬入搬出 口 16上設置有能夠氣密地開閉的閘閥18。
而且，在該處理容器4的底部20形成有排氣空間22。具體來說， 在該容器底部20的中央部形成有大的開口 24，該開口 24與向其下方 延伸的有底圓筒狀的圓筒分割壁26連接，在其內部形成有上述排氣空 間22。而且，在分割該排氣空間22的圓筒分割壁26的底部28設置有 作為本發(fā)明特征的載置臺構造29，通過使其立起來載置作為被處理體 的半導體晶片W。具體來說，該載置臺構造29，例如在由透明石英玻 璃等的透明材料構成的圓筒狀的支柱30的上端部接合等而固定載置臺 32。該載置臺構造29的詳細情況稍后論述。
而且，上述排氣空間22的開口 24，設定得比載置臺32的直徑小， 流過上述載置臺32的周緣部外側的處理氣體在載置臺32的下方蔓延， 流入開口24。而且，在上述圓筒分割壁26的下部側壁，面對該排氣空 間22形成排氣口 34，該排氣口 34與設有未圖示的排氣泵的排氣管36 連接，能夠對處理容器4和排氣空間22的氣氛進行排氣。而且，在該排氣管36的途中設有可以控制開度的未圖示的壓力調
整閥，通過自動調整該閥開度，將上述處理容器4內的壓力維持在一
定值，或者能迅速地向規(guī)定的壓力轉換。
此外，上述載置臺32，例如主要由透明石英玻璃等透明材料形成。 如上所述，該載置臺32在圓筒狀的支柱30的上端部，通過例如焊接 等接合。作為加熱單元，按規(guī)定圖案形狀配置的加熱器38，例如以埋 入的方式被收容在該載置臺32的內部。在這種情況下，該加熱器38， 被設置成至少遍及比載置半導體晶片W的載置區(qū)域的直徑Dl大的直 徑D2 (參照圖4)的加熱區(qū)域，也就是說，被設置成遍及載置臺32的
平面方向的大致整個區(qū)域。
另外，載置區(qū)域的直徑D1與晶片W的直徑相同，該加熱器38， 可以埋入構成載置臺32的透明石英玻璃內，也可以以在由2張玻璃板 形成的載置臺32的構成材料的中間夾持的方式收容，和其構造沒有關 系。該加熱器38與插通上述圓筒狀的支柱30內的供電棒40連接，通
過圖示未示示的加熱電源進行加熱用的供電來進行溫度控制。
此外，上述加熱器38，例如電分割成內側區(qū)域和以同心圓形狀包 圍其外側的外側區(qū)域，能夠分別對每個區(qū)域進行溫度控制(電力控制)。
而且，在該載置臺32的上表面，設置有其直徑設定為比載置臺32 的直徑D0小的由不透明材料構成的薄的均熱板42，在該均熱板42的 上表面直接載置上述晶片W。在這種情況下，上述加熱器38的加熱區(qū) 域的直徑D2設定得比上述均熱板42的直徑D3大。而且，在圖1和 圖4中，表示了晶片W的直徑(載置區(qū)域的直徑D1)和均熱板42的 直徑D3設定為相同的情況。
作為上述不透明材料，可以使用例如厚度是5mm左右的氮化鋁 (A1N)。而且，在該載置臺32上，設置有從該載置臺32的周邊部向 上方噴射吹掃氣體的吹掃氣體供給單元43。具體來說，該吹掃氣體供 給單元43，具有在作為上述載置臺32的周邊部的與直徑D1的載置區(qū) 域相比的外側的區(qū)域，沿著其周方向設置的多個吹掃氣體噴射孔44(參 照圖2)。而且，該各個吹掃氣體噴射孔44與該載置臺32內形成的吹 掃氣體供給流路46連通。
如圖2所示，該吹掃氣體供給流路46，由與上述各個吹掃氣體噴射孔44共同連通且形成環(huán)狀的環(huán)狀流路46A和以與上述環(huán)狀流路46A 連通的方式沿著上述載置臺32的半徑方向形成的2條連接路46B構 成，該連接路46B，在載置臺32的中心部通過連通孔46C與支柱30 內連通。
而且，在該支柱30的下部，形成有用于向支柱30內供給作為吹 掃氣體的不活潑性氣體的不活潑性氣體導入孔46D、根據(jù)需要從上述 各個吹掃氣體噴射孔44噴射不活潑性氣體、例如N2氣體等。作為上 述不活潑性氣體，可以使用Ar、 He等稀有氣體代替N2氣體。
而且，在該載置臺32上，設有用于固定上述晶片W的夾緊環(huán)機 構48。具體來說，該夾緊環(huán)機構48，可升降地設在上述載置臺32的 周邊部的上方，具有將上述晶片W向載置臺32側擠壓的夾緊環(huán)部件 50。
艮口，上述夾緊環(huán)部件50，通過不透明材料形成具有規(guī)定寬度的環(huán) 狀，在其內周側的端部形成向下傾斜的錐面52 (參照圖3)。而且，該 錐面52接觸晶片W的周邊部(也稱為"斜面部")，將其向下方按壓。 作為上述不透明材料，可以使用例如氮化鋁(A1N)等。
在這種情況下，也如圖3所示，上述均熱板42的外周端P1，與上 述夾緊環(huán)部件50的內周端P2的位置相同，或者與此相比位于半徑方 向的外側。在圖3表示的情況下，上述外周端P1 (與晶片W的外周端 相同的位置)，位于比上述內周端P2僅幾毫米程度的半徑方向外側。
上述夾緊環(huán)部件50，被向下方延伸的幾根、例如3根支撐桿54(圖 1只表示了 2根)支撐，該各個支撐桿54的下端部與圓形環(huán)狀的例如 氧化鋁那樣的陶瓷制的提升環(huán)56連結。而且，該提升環(huán)56，通過貫通 容器底部20而設置的升降桿60的上端部支撐，該升降桿60通過致動 器62可以升降。由此，通過使該升降桿60向上下方向移動，從而能 夠使上述夾緊環(huán)部件50升降，擠壓晶片W的周邊部。
而且，在與致動器62連結的上述升降桿60的容器底部的貫通部， 設有可伸縮的波紋管64，上述升降桿60能夠一邊維持處理容器4內的 氣密性一邊升降。而且，在上述載置臺32以及上述均熱板42上，形 成在其上下方向貫通的多個，例如3個銷插通孔66 (圖1只表示了 2 個)，在上述各個銷插通孔66中配置彎曲成L字形狀且以游嵌狀態(tài)插通的提升銷68。
上述各個提升銷68，以與支撐上述夾緊環(huán)部件50的支撐桿54有 關聯(lián)的方式連接成一體。因此，可以與上述夾緊環(huán)部件50的升降移動 一體的上下移動來升起或降低晶片W。這里，在上述夾緊環(huán)部件50與 晶片W的周邊部的上表面接觸通過自重來擠壓晶片W的情況下(參 照圖3)，在該夾緊環(huán)部件50的下面與載置臺32的上表面之間形成微 小的空間部70，從上述吹掃氣體噴射孔44向該微小空間部70供給吹 掃氣體。
而且，這樣構成的熱處理裝置2的全體的動作控制，例如各個氣 體的供給開始和供給停止、流量控制、工藝壓力的控制、晶片溫度的 控制等，是通過由計算機等構成的裝置控制部72的指示來進行的。 接著，對上述那樣構成的熱處理裝置的動作進行說明。 首先，未處理的半導體晶片W，保持在未圖示的搬送臂上，通過 處于開放狀態(tài)的閘閥18、搬出搬入口 16搬入到處理容器4內，該晶片 W，交接到與夾緊環(huán)機構48的夾緊環(huán)部件50 —起上升的提升銷68后， 使該提升銷68下降，從而將晶片W載置在載置臺32的上表面并對其 進行支撐。
這時，因為上述夾緊環(huán)部件50和提升銷68互相連接而一體地上 下移動，所以上述提升銷68下降的同時上述夾緊環(huán)部件50也下降， 其內周部的錐面52與晶片W的周邊部(斜面部)接觸，通過上述夾 緊環(huán)部件50的自重向下方擠壓晶片W。
這樣，在通過上述擠壓將晶片W固定在載置臺32的均熱板42上 的狀態(tài)下，從作為氣體導入單元的噴淋部6， 一邊對規(guī)定的氣體、例如 成膜氣體進行流量控制一邊向處理空間S供給，將處理容器4的內部 維持在規(guī)定的工藝壓力。例如，在形成TiN膜的情況下，作為成膜氣 體供給TiCU氣體和NH3氣體。
向設置在上述載置臺32的作為加熱單元的加熱器38供給電力， 通過載置臺32，晶片W被加熱到規(guī)定的工藝溫度、例如幾百度左右。 這樣，在晶片W的表面通過熱處理形成例如規(guī)定的薄膜。在這種情況 下，來自加熱器38的熱量碰到由不透明材料構成的均熱板42時，熱 量向平面方向均勻擴散的同時，在其上表面載置的晶片W通過熱傳導加熱。
在此為現(xiàn)有的載置臺構造的時候，由于上述的均熱板的直徑大，
而且擠壓晶片W的夾緊環(huán)部件50從載置臺32的上表面分離，所以從 加熱器38放射的熱線被均熱板吸收，不能充分到達夾緊環(huán)部件50，因 此，該夾緊環(huán)部件50的溫度有比晶片的溫度低的傾向，結果，晶片W 的周邊部的溫度有比晶片中心部低的傾向。
針對這種情況，在本發(fā)明中，上述均熱板42的直徑設定成與晶片 W的直徑大致相同，結果，從位于均熱板42的外側的加熱器38放射 的熱線(輻射熱)，通過由透明材料構成的載置臺32的構成材料以及 空間部70、到達上方的由不透明材料構成的夾緊環(huán)部件50、直接加熱 該夾緊環(huán)部件50。因此，該夾緊環(huán)部件50和載置臺32沒有直接接觸， 在它們之間雖然形成阻礙熱傳導的空間部70，上述夾緊環(huán)部件50也能 被加熱至與晶片W大致相同的溫度。
因此，雖然夾緊環(huán)部件50的內周部與晶片W的周邊部相接觸， 但晶片W的周邊部的溫度沒有降低，能較高地維持晶片溫度的面內均 一性。換言之，均熱板42的直徑D3設定成比設有加熱器38的加熱區(qū) 域的直徑D2小，其上方的夾緊環(huán)部件50通過來自上述加熱器38的熱 線直接加熱，能夠將夾緊環(huán)部件50加熱至比現(xiàn)有構造高的溫度。
在這種情況下，如表示圖5所示的均熱板大小的變形例那樣，與 晶片W的外周端(邊緣)相比均熱板42的直徑能夠增大的長度Ll (參 照圖5 (A))，例如為3mm左右，與此相比長度Ll如果過長，那么通 過加熱器38直接接受熱線的夾緊環(huán)部件50的面積過小，夾緊環(huán)部件 50的溫度就不能充分升溫至晶片W的溫度。
與此相反，如圖5 (B)所示的均熱板42的直徑的最小值(下限)， 是到與夾緊環(huán)部件50的內周端對應的位置為止，在這種情況下，與晶 片W的外周端(邊緣)之間的長度L2為3mm左右。
此外，在這種情況下，如果成膜氣體侵入上述夾緊環(huán)部件50和載 置臺52之間形成的空間部70 (參照圖3)，那么在此形成不需要的附 著膜，從加熱器38直接加熱上述夾緊環(huán)部件50的熱線被上述不需要 的附著膜遮斷。
但是，在本發(fā)明中，因為設置吹掃氣體供給單元43，從設置在載置臺32周邊部的吹掃氣體噴射孔44向上述空間部70內供給例如N2 氣體這樣的不活潑性氣體，所以可以防止成膜氣體侵入該空間部70內。 具體來說，該空間部70的厚度是0.2mm左右，此外，由于該夾緊環(huán)部 件50和載置臺32的周邊部的重疊部分的長度是2 3 cm左右，所以能 夠通過上述吹掃氣體確實阻止成膜氣體侵入該空間部70。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，因為由透明材料形成載置臺32，在其上表面 設置的由不透明材料構成的均熱板42設定得比載置臺32的直徑小， 所以通過來自作為加熱單元的加熱器38的熱線直接加熱夾緊環(huán)部件， 其溫度升溫至與被處理體同樣的溫度。因此，即使被處理體與夾緊環(huán) 部件接觸，也能提高被處理體的面內溫度的均一性，提高熱處理的面 內均一性。
實際上，在使用本發(fā)明涉及的載置臺構造的熱處理裝置中，在形 成TiN膜的薄膜后，相對于在現(xiàn)有裝置的情況下膜厚的面內均一性是 4 5%左右，在本發(fā)明中可以將其提高至2 /。左右。
另外，在上述實施方式中，雖然夾緊環(huán)部件50和支撐桿54直接 連接，但也可以在該支撐桿54的途中設有由線圈彈簧等構成的彈射部 件，通過彈射力向下方擠壓上述夾緊環(huán)部件50。
此外，在上述實施方式中，雖然構成載置臺32的透明材料使用透 明石英玻璃，但并不局限于此，作為上述透明材料，可以使用選自透 明石英玻璃、透明藍寶石中的一種材料。
此外，在上述實施方實中，構成均熱板42和夾緊環(huán)部件50的不 透明材料使用氮化鋁，但并不局限于此，作為上述不透明材料，可以 使用選自陶瓷材料、不透明石英玻璃、鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、碳、 碳和金屬的復合材料中的一種材料。此外，作為上述陶瓷材料，可以 使用A1N、 A1203、 SiC、 SiN等。另外，上述不透明石英玻璃，可以通 過在透明玻璃中混入氣泡來形成。
此外，在此作為熱處理以成膜處理為例進行了說明，但并不局限 于此，本發(fā)明適用于蝕刻處理、氧化擴散熱處理、退火處理、改質處 理、結晶化處理等所有熱處理，而且也適用于使用等離子體的熱處理。 此外，在此作為被處理體以半導體晶片為例進行了說明，但并不局限 于此，本發(fā)明也適用于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。
權利要求
1. 一種載置臺構造，其為了在處理容器內對被處理體實施規(guī)定的熱處理而載置所述被處理體，其特征在于，包括載置臺，其由透明材料構成，在內部收容有加熱所述被處理體的加熱單元；均熱板，其由不透明材料構成，設置在所述載置臺的上表面，并且其直徑設定得比所述載置臺的直徑小，在上表面直接載置所述被處理體；和夾緊機構，其能夠升降地設置在所述載置臺的周邊部的上方，具有向所述載置臺側擠壓所述被處理體的由不透明材料構成的夾緊環(huán)部件。
2. 根據(jù)權利要求l所述的載置臺構造，其特征在于 所述載置臺通過支柱支撐。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的載置臺構造，其特征在于 所述加熱單元被設置在遍及比載置有所述被處理體的載置區(qū)域的直徑大的直徑的加熱區(qū)域。
4. 根據(jù)權利要求1 3中任一項所述的載置臺構造，其特征在于 所述加熱單元的所述加熱區(qū)域的直徑被設定得比所述均熱板的直徑大。
5. 根據(jù)權利要求1 4中任一項所述的載置臺構造，其特征在于 所述均熱板的外周端，與所述夾緊環(huán)部件的內周端位置相同，或者與其相比位于半徑方向的外側。
6. 根據(jù)權利要求1 5中任一項所述的載置臺構造，其特征在于 所述夾緊環(huán)部件通過支撐桿支撐，所述支撐桿與升起或降低所述被處理體的提升銷連接而一體地上下移動。
7. 根據(jù)權利要求1 6中任一項所述的載置臺構造，其特征在于: 在所述夾緊環(huán)部件與所述載置臺的上表面之間形成的空間部設置有供給吹掃氣體的吹掃氣體供給單元。
8. 根據(jù)權利要求7所述的載置臺構造，其特征在于 所述吹掃氣體供給單元，包括沿著所述載置臺的周邊部設置的多個吹掃氣體噴射孔，和與所述各吹掃氣體噴射孔連通的吹掃氣體供給 流路。
9. 根據(jù)權利要求1 8中任一項所述的載置臺構造，其特征在于 所述透明材料由選自透明石英玻璃、透明藍寶石中的一種材料構成。
10. 根據(jù)權利要求1 9中任一項所述的載置臺構造，其特征在于 所述不透明材料，由選自陶瓷材料、不透明石英玻璃、鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、碳、碳和金屬的復合材料中的一種材料構成。
11. 一種熱處理裝置，其對被處理體實施規(guī)定的熱處理，其特征 在于，包括作成能夠排氣的處理容器；權利要求1 10中任一項所述的載置臺構造；和 向所述處理容器內導入氣體的氣體導入單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種載置臺構造，即使被處理體與夾緊環(huán)部件接觸，也能夠提高被處理體的面內溫度的均一性，提高熱處理的面內均一性。在處理容器(4)內為了對被處理體(W)實施規(guī)定的熱處理而載置被處理體的載置臺構造中，包括載置臺(32)，其由透明材料構成，在內部收容有加熱被處理體的加熱單元(38)；均熱板(42)，其由不透明材料構成，設置在載置臺的上表面，并且其直徑設定得比載置臺的直徑小，在上表面直接載置被處理體；和夾緊機構(50)，其能夠升降地設置在載置臺的周邊部的上方，具有向載置臺側擠壓被處理體的由不透明材料構成的夾緊環(huán)部件(48)。
文檔編號H01L21/02GK101533797SQ200910118179
公開日2009年9月16日 申請日期2009年3月11日 優(yōu)先權日2008年3月11日
發(fā)明者田中澄 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社