專(zhuān)利名稱(chēng)：具焊墊反射層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種具焊墊反射層的發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今發(fā)光二極管產(chǎn)業(yè)為光電產(chǎn)業(yè)中最為發(fā)展蓬勃的其中之一產(chǎn)業(yè)，發(fā)光二極管依 據(jù)電極設(shè)置的位置分類(lèi)包含垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管與橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管等， 不論是垂直電極結(jié)構(gòu)或是橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其焊墊(bond pad)或電極皆會(huì)吸收 發(fā)光層所發(fā)出的光線，如此會(huì)降低原本發(fā)光二極管應(yīng)該有的發(fā)光效能，且光線被焊墊或電 極吸收后會(huì)轉(zhuǎn)成熱能而導(dǎo)致焊墊或電極會(huì)溫度逐漸升高，甚至發(fā)生過(guò)熱的情況。以下為公 知發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，以用于說(shuō)明垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)與橫向電極 結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)于光線被焊墊或電極吸收的情況。圖1A為公知橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，公知發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)的一發(fā)光二極管芯片100包含有一第一反射層102、一基板104、一 N型半導(dǎo)體 層106、一發(fā)光層108、一 P型半導(dǎo)體層110、一透明導(dǎo)電層112、一正電極114與一負(fù)電極 116，其中基板104為基底，N型半導(dǎo)體層106設(shè)置于基板104之上，發(fā)光層108設(shè)置于N型 半導(dǎo)體層106之上，P型半導(dǎo)體層110設(shè)置于發(fā)光層108之上，透明導(dǎo)電層112設(shè)置于P型 半導(dǎo)體層110之上，正電極114設(shè)置于透明導(dǎo)電層112之上，負(fù)電極116設(shè)置于N型半導(dǎo)體 層106之上。N型半導(dǎo)體層106與P型半導(dǎo)體層110皆為氮化鎵系半導(dǎo)體，且發(fā)光層108亦 為氮化鎵系半導(dǎo)體。一偏壓電壓從正電極進(jìn)入，通過(guò)透明導(dǎo)電層112、P型半導(dǎo)體層110、發(fā)光層108與 N型半導(dǎo)體層106，以傳導(dǎo)至負(fù)電極116而導(dǎo)出，如此形成一電壓回路于發(fā)光二極管芯片100 中。偏壓電壓于工作電壓下所產(chǎn)生的電壓回路會(huì)衍生工作電流，以用于驅(qū)使發(fā)光層通過(guò)由 工作電流所帶動(dòng)的電子電洞于PN接合面的發(fā)光層108結(jié)合而發(fā)光。第一反射層102設(shè)置 于基板104之下，以讓發(fā)光層108所發(fā)出的光線通過(guò)基板104后經(jīng)由第一反射層102反射 出去。如圖1B所示，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的一發(fā)光二極管芯片100設(shè)置于一封裝體118 中。由于發(fā)光層108氮化鎵系半導(dǎo)體所以發(fā)光層108所發(fā)出的光線為藍(lán)光，因此發(fā)光二極 管芯片100通過(guò)由封裝體118的材料包含熒光粉，以使藍(lán)光轉(zhuǎn)化為黃光，用于藍(lán)光混合黃光 而形成白光。但正電極114與負(fù)電極116會(huì)吸收發(fā)光層108所發(fā)射的光線，如此將使設(shè)置 于發(fā)光二極管芯片100外部的封裝體118因部分藍(lán)光被電極吸收而降低藍(lán)光轉(zhuǎn)化成黃光的 效能，且因部分藍(lán)光被電極吸收，所以藍(lán)光的強(qiáng)度也降低了。如此發(fā)光二極管芯片100將會(huì) 因?yàn)椴糠炙{(lán)光被電極吸收而降低發(fā)白光的效能。如圖1C所示，發(fā)光二極管芯片100于發(fā)光 層108發(fā)光時(shí)將會(huì)有部分光線反射或發(fā)射至正電極114與負(fù)電極116而被正電極114與負(fù) 電極116所吸收。圖2A為公知垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖2A與圖1A的最大的不同在于圖1A設(shè)置正電極114與負(fù)電極116于發(fā)光二極管芯片100的左右兩側(cè)， 圖2A設(shè)置N型電極與P型電極于發(fā)光二極管芯片200的上下兩側(cè)，且圖2A的導(dǎo)電基板204 由絕緣材料更換為非絕緣材料。公知垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)見(jiàn)于發(fā)明人「賴(lài)穆人」 所發(fā)明的中國(guó)臺(tái)灣專(zhuān)利，其專(zhuān)利證書(shū)號(hào)為「M277111」，專(zhuān)利名稱(chēng)為「白光發(fā)光二極管的垂直 電極結(jié)構(gòu)」，其中所揭露的內(nèi)容為一發(fā)光二極管芯片200，其包含有一第一電極202、一導(dǎo)電 基板204、一金屬反射層206、一透明導(dǎo)電層208、一 P型接觸層210、一發(fā)光層212、一 N型接 觸層214、一 N型透明導(dǎo)電接合層216、一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板218與一第二電極220。其中發(fā)光 層212為氮化鎵系半導(dǎo)體，光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板218為摻雜N型硒化鋅或N型碲化鋅。導(dǎo)電基板204為基底，其它各層依金屬反射層206、透明導(dǎo)電層208、P型接觸層 210、發(fā)光層212、N型接觸層214與N型透明導(dǎo)電接合層216的順序，以設(shè)置于導(dǎo)電基板204 之上。光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板218經(jīng)由熱接合技術(shù)，以與N型透明導(dǎo)電接合層216接合，第一電極 202設(shè)置于導(dǎo)電基板204之下，第二電極220設(shè)置于光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板218之上。發(fā)光層212 為一多重量子井(Multiple Quantun Well，MQW)活化層，其通過(guò)由第一電極202與第二電 極220連接適當(dāng)?shù)钠珘弘妷?，設(shè)置于PN接合面的發(fā)光層212則因此發(fā)出藍(lán)光。光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換 基板218將會(huì)吸收到藍(lán)光，并將藍(lán)光轉(zhuǎn)化為黃光，以混合藍(lán)光為白光。發(fā)光二極管芯片200 的光行進(jìn)路線的示意圖如圖2B所示。雖然不論垂直電極結(jié)構(gòu)或橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)皆設(shè)置有一層反射層 于發(fā)光二極管芯片的下半部，但是設(shè)置于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)上側(cè)的電極仍然會(huì)吸收部份發(fā)光 層所發(fā)出的光線或部份反射層所反射的光線。如此仍然會(huì)因?yàn)殡姌O吸收部份發(fā)光層所發(fā)出 的光線或部份反射層所反射的光線，進(jìn)一步導(dǎo)致發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)降低發(fā)光效能。因此，針對(duì)上述問(wèn)題，需開(kāi)發(fā)一種具焊墊反射層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，以避免電極吸 收發(fā)光層所發(fā)出的光線，增加發(fā)光二極管的發(fā)光效能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種具焊墊反射層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其一發(fā) 光二極管芯片設(shè)置焊墊反射層于電極會(huì)吸收光線的部分，通過(guò)由焊墊反射層將光線反射， 用于避免發(fā)光二極管芯片所設(shè)置的電極或焊墊吸收光線，并提高發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效 能。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一種具焊墊反射層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包含有 一發(fā)光二極管芯片、一第一焊墊反射層與一第二焊墊反射層。發(fā)光二極管芯片包含有一基 板、一 N型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、一 P型半導(dǎo)體層、一透明導(dǎo)電層、一第三電極與一第四電極， 其中基板為基底，N型半導(dǎo)體層設(shè)置于基板之上，發(fā)光層設(shè)置于部分N型半導(dǎo)體層之上，其 它依P型半導(dǎo)體層與透明導(dǎo)電極層之順序設(shè)置于發(fā)光層之上，且第三電極與第四電極分別 設(shè)置于透明導(dǎo)電層與N型半導(dǎo)體層之上。第一焊墊反射層設(shè)置于第三電極與透明導(dǎo)電層 于之間，第二焊墊反射層設(shè)置于第四電極與N型半導(dǎo)體層之間，并更設(shè)置一第一反射層于 基板之下或基板與N型半導(dǎo)體層之間，以讓焊墊反射層所反射的光線經(jīng)第一反射層反射出 去，以提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效能。本發(fā)明另外提供一種具焊墊反射層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包含有一發(fā)光二極管芯 片與一第三焊墊反射層。發(fā)光二極管芯片包含一第五電極、一基板、一 P型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、一 N型半導(dǎo)體層、一透明導(dǎo)電層與一第六電極，其中第五電極為最底層，其它依基板、 P型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、N型半導(dǎo)體層、透明導(dǎo)電層與第六電極所述的順序，以設(shè)置于第五電 極之上。第三焊墊反射層設(shè)置于第六電極與透明導(dǎo)電層之間，為了反射焊墊反射層所反射 的光線，因此由設(shè)置一第二反射層于基板與第五電極之間或基板與N型半導(dǎo)體層之間，以 讓第三焊墊反射層所反射的光線經(jīng)第二反射層反射出去，用于提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光 效能。由于采用上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明不僅可避免電極吸收發(fā)光層所發(fā)出的光線，又可增加 發(fā)光二極管的發(fā)光效能。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1A是公知橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1B是公知橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1C是圖1A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖2A是公知垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B是圖2A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖3A是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3B是圖3A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖4A是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B是圖4A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖5A是本發(fā)明的再一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5B是圖5A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖6A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6B是圖6A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖7A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7B是圖7A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖8A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8B是圖8A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖9A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9B是圖9A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖10A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10B是圖10A的光行進(jìn)路線的示意圖；圖11A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11B是圖11A的光行進(jìn)路線的示意圖。圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明100為發(fā)光二極管芯片， 102為第一反射層， 104為基板，106為N型半導(dǎo)體層， 108為發(fā)光層， 110為P型半導(dǎo)體層，112為透明導(dǎo)電層， 114為正電極， 116為負(fù)電極，118為封裝體， 200為發(fā)光二極管芯片， 202為第一電極，
204為導(dǎo)電基板， 206為金屬反射層， 208為透明導(dǎo)電層，210為P型接觸層， 212為發(fā)光層， 214為N型接觸層，216為N型透明導(dǎo)電接合層， 218為光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板，220為第二電極， 300為發(fā)光二極管芯片， 302為基板，304為N型半導(dǎo)體層， 306為發(fā)光層， 308為P型半導(dǎo)體層，310為透明導(dǎo)電層， 312為第一電極， 314為第二電極，316為第一焊墊反射層， 318為第二焊墊反射層， 320為第一反射層，400為發(fā)光二極管芯片， 402為基板， 404為N型半導(dǎo)體層，406為發(fā)光層， 408為P型半導(dǎo)體層， 410為透明導(dǎo)電層，412為第一電極， 414為第二電極， 416為第一焊墊反射層，418為第二焊墊反射層，420為第一反射層，500為發(fā)光二極管芯片，502為第三電極， 504為第二反射層， 506為基板，508為P型半導(dǎo)體層， 510為發(fā)光層， 512為N型半導(dǎo)體層，514為透明導(dǎo)電層， 516為第三焊墊反射層， 518為第四電極，600為發(fā)光二極管芯片，602為第三電極， 604為基板，606為金屬反射層， 608為透明導(dǎo)電層， 610為P型接觸層，612為發(fā)光層，614為N型接觸層，616為N型透明導(dǎo)電接合層，618為光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板，620為第四電極，622為第三焊墊反射層。
具體實(shí)施例方式首先，參閱圖3A，它是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明的發(fā) 光二極管芯片300包含一基板302、一 N型半導(dǎo)體層304、一發(fā)光層306、一 P型半導(dǎo)體層 308、一透明導(dǎo)電層310、一第一電極312、一第二電極314、一第一焊墊反射層316與一第二 焊墊反射層318，其中基板302為發(fā)光二極管芯片300的基底，N型半導(dǎo)體層304設(shè)置于基 板302之上，發(fā)光層306設(shè)置于部分N型半導(dǎo)體層304之上，發(fā)光層306之上依P型半導(dǎo)體 層308與透明導(dǎo)電層310所述的順序設(shè)置于發(fā)光層306之上。第一焊墊反射層316與第二 焊墊反射層318分別設(shè)置于透明導(dǎo)電層310與N型半導(dǎo)體層304之上；第一電極312與第 二電極314分別設(shè)置于第一焊墊反射層316與第二焊墊反射層318。其中N型半導(dǎo)體層304為N型氮化鎵系半導(dǎo)體，且P型半導(dǎo)體層308為P型氮化鎵 系半導(dǎo)體，另外發(fā)光層306可為多重量子井(Multiple Quantun Well，MQW)結(jié)構(gòu)。發(fā)光二 極管芯片300通過(guò)由第一焊墊反射層316與第二焊墊反射層318，用以反射發(fā)光層306所發(fā) 出的光線，用于避免發(fā)光層306所發(fā)出的光線被第一電極312與第二電極314所吸收。由 于焊墊反射層會(huì)將光線反射至基板302，因此發(fā)光二極管芯片300還可設(shè)置一第一反射層 320，其如圖4A與圖5A所示。第一反射層320用以反射第一焊墊反射層316與第二焊墊反 射層318所反射的光線，如圖4B與圖5B所示，其中第一焊墊反射層316、第二焊墊反射層 318與第一反射層320的材料同為選自于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉬、 鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意組合的其中之一。對(duì)于圖3A而言，圖4A與圖5A都還包含一層第一反射層320，其中圖4A的第一反 射層320設(shè)置于基板302之下，以及圖5A的第一反射層320設(shè)置于基板302與N型半導(dǎo)體層304之間，以讓焊墊反射層所反射的光線為往基板302反射時(shí)可經(jīng)由第一反射層320反 射。以上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片300通過(guò)由第一焊墊反射層316與第二焊墊 反射層318將發(fā)光層306所發(fā)出的光線反射，以避免第一電極312與第二電極314吸收發(fā) 光層306所發(fā)出的光線，且更經(jīng)由第一反射層320進(jìn)一步將焊墊反射層所反射的光線反射 出去，如此更可提升發(fā)光二極管芯片300的發(fā)光效能。圖6A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖6A與圖3A的不同在于圖 3A的第二焊墊反射層318僅反射第二電極314下方的入射光，圖6A的第二焊墊反射層418 還反射發(fā)光層406發(fā)射至第二電極414側(cè)面的光線。本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片400設(shè)置第 二焊墊反射層418設(shè)置為L(zhǎng)字型，以反射從第二電極414的下方與側(cè)面入射的光線。其中 發(fā)光二極管芯片400僅用第一焊墊反射層416與第二焊墊反射層418用以反射發(fā)光層406 所發(fā)出的光線，如圖6B所示。發(fā)光二極管芯片400還可設(shè)置一第一反射層420，如圖7A與 圖8A所示，以使第一焊墊反射層416與第二焊墊反射層418所反射的光線經(jīng)由第一反射層 420反射出去。圖7A的第一反射層420設(shè)置于基板402之下，以用于基板402為光穿透率 高的材料時(shí)，如圖7B所示。圖8A的第一反射層420設(shè)置于基板402與N型半導(dǎo)體層404 之間，以用于基板402為非透光材料或光穿透率低的材料時(shí)，如圖8B所示。圖9A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖9A與圖3A的不同在于 圖3A屬于橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片300，圖9A屬于垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯 片500。本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片500包含有一第三電極502、一第二反射層504、一基板 506、一 P型半導(dǎo)體層508、一發(fā)光層510、一 N型半導(dǎo)體層512、一透明導(dǎo)電層514、一第三焊 墊反射層516與一第四電極518，其中第三電極502為最底層，其它各層依第二反射層504、 基板506、P型半導(dǎo)體層508、發(fā)光層510、N型半導(dǎo)體層512與透明導(dǎo)電層514所述的順序 設(shè)置于第三電極502之上，第四電極518設(shè)置于透明導(dǎo)電層514之上，第三焊墊反射層516 設(shè)置于第四電極518與透明導(dǎo)電層514之間?；?06的材料為非絕緣材料，且更可為透光性材料，以讓發(fā)光層510所發(fā)出的光 線與第三焊墊反射層516所反射的光線，其皆經(jīng)由通過(guò)基板506并由第二反射層504反射 出去，如圖9B所示。第二反射層504亦為非絕緣材料，如此即可讓第三電極502透過(guò)第二 反射層504與基板506形成電性相接的狀態(tài)。另外第三焊墊反射層516亦為非絕緣材料， 以讓透明導(dǎo)電層514透過(guò)第三焊墊反射層516與第四電極518形成電性相接的狀態(tài)。為了 因基板506的材料具不同光穿透率，因此當(dāng)基板506的材料為非透光材料或光穿透率低的 材料時(shí)，將使第二反射層504所設(shè)置的位置與基板506所設(shè)置的位置調(diào)換，如圖10A所示。 其中圖10A的光行進(jìn)路線的示意圖如圖10B所示。圖11A是本發(fā)明的又一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖11A與圖2A的不同在 于圖11A的發(fā)光二極管芯片600還包含一第三焊墊反射層622。本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片 600還設(shè)置一第三焊墊反射層622于光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板618與第四電極620之間，如此發(fā)光 層612所發(fā)出的光線通過(guò)光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板618后，將由第三焊墊反射層622將光線反射至 一金屬反射層606，以讓光線在經(jīng)金屬反射層606反射出去，如圖11B所示。如此第三焊墊 反射層622用以避免第四電極620吸收通過(guò)光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基板618的光線，所以更提升發(fā)光 二極管芯片600的發(fā)光效能。
綜上所述，本發(fā)明為一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其可為橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)，或?yàn)榇怪彪姌O結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含有一發(fā)光二極管芯片與至 少一焊墊反射層；發(fā)光二極管芯片包含一基板、一 N型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、一 P型半導(dǎo)體 層、一透明導(dǎo)電層與復(fù)數(shù)電極；若發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為橫向電極結(jié)構(gòu)，則焊墊反射層設(shè)置于第 三電極與N型半導(dǎo)體層之間，以及第四電極與透明導(dǎo)電層之間，若發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)為垂直 電極結(jié)構(gòu)，則焊墊反射層設(shè)置于第六電極之下。如此用以避免各電極吸收發(fā)光層所發(fā)出的 光線或其它反射層所反射的光線，并由焊墊反射層透過(guò)其它反射層將光線反射出去，以提 高發(fā)光二極管的發(fā)光效能。以上通過(guò)實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。 在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視 為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于包含有一發(fā)光二極管芯片，其包含有一基板；一N型半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板之上；一發(fā)光層，設(shè)置于部分該N型半導(dǎo)體層之上；一P型半導(dǎo)體層，設(shè)置于該發(fā)光層之上；一透明導(dǎo)電層，設(shè)置于部分該P(yáng)型半導(dǎo)體層之上；一第三電極，設(shè)置于該透明導(dǎo)電層之上；一第四電極，設(shè)置于該N型半導(dǎo)體層之上；一第一焊墊反射層，設(shè)置于該透明導(dǎo)電層與該第三電極之間；及一第二焊墊反射層，設(shè)置于該N型半導(dǎo)體層與該第四電極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含一第一反射層，其設(shè)置于 該基板之下或該基板與該N型半導(dǎo)體層之間。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一反射層的材料為選自 于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉬、鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意組合的 其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板為絕緣材料。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述N型半導(dǎo)體層為N型氮化 鎵系半導(dǎo)體。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述P型半導(dǎo)體層為P型氮化 鎵系半導(dǎo)體。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一焊墊反射層與該第二 焊墊反射層的材料為選自于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉬、鈦、鈀、鍺、 銅、鋅、鎳及上述任意組合的其中之一。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二焊墊反射層還設(shè)置為L(zhǎng) 字型結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光層為多重量子井結(jié)構(gòu)。
10.一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于包含有一發(fā)光二極管芯片，其包含有一第三電極；一基板，設(shè)置于該第三電極之上；一P型半 導(dǎo)體層，設(shè)置于該基板之上；一發(fā)光層，設(shè)置于該P(yáng)型半導(dǎo)體層之上；一 N型半導(dǎo)體層，設(shè)置 于該發(fā)光層之上；一透明導(dǎo)電層，設(shè)置于該N型半導(dǎo)體層之上；一第四電極，設(shè)置于該透明 導(dǎo)電層之上；一第三焊墊反射層，設(shè)置于該透明導(dǎo)電層與該第四電極之間。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含一第二反射層，其設(shè)置 于該基板與該第三電極之間或該基板與該P(yáng)型半導(dǎo)體層之間。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二反射層為選自于鋁、 錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉬、鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意組合的其中 之一。
13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板為非絕緣材料。
14.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述N型半導(dǎo)體層為N型氮 化鎵系半導(dǎo)體。
15.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述P型半導(dǎo)體層為P型氮 化鎵系半導(dǎo)體。
16.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第三焊墊反射層的材料 為選自于鋁、錫、銀、金、金錫合金、金鈹合金、金鍺合金、鉬、鈦、鈀、鍺、銅、鋅、鎳及上述任意 組合的其中之一。
17.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光層為多重量子井結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種具焊墊反射層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包含一基板、一N型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、一P型半導(dǎo)體層、一透明導(dǎo)電層、一第一焊墊反射層、一第二焊墊反射層、一第三電極與一第四電極。當(dāng)一偏壓電壓提供至發(fā)光二極管的第三電極與第四電極，且偏壓電壓為工作電壓時(shí)，將使發(fā)光層發(fā)出光線，其中發(fā)光層發(fā)射至電極的光線將由第一焊墊反射層與第二焊墊反射層反射，以避免第三電極與第四電極吸收到發(fā)光層所發(fā)出的光線，如此更進(jìn)一步提升發(fā)光二極管的發(fā)光效能。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101859838SQ20091013154
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2009年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月7日
發(fā)明者朱胤丞, 潘錫明, 簡(jiǎn)奉任 申請(qǐng)人:裕星企業(yè)有限公司