專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對液晶顯示裝置(LCD)等平板顯示器(FPD)制造用 的玻璃基板等基板實施干蝕刻等處理的基板處理裝置。
背景技術：
在以液晶顯示器(LCD)為代表的平板顯示器(FPD)的制造過程 中具有在真空下對在玻璃基板上形成的規(guī)定的膜進行等離子體蝕刻的 處理。
作為對這樣的玻璃基板進行等離子體蝕刻處理的基板處理裝置， 在能夠保持真空的腔室內(nèi)配置作為下部電極起作用的基板載置臺以及 與該載置臺相對并作為上部電極起作用的氣體導入用的噴淋頭，在下 部電極上連接有施加高頻電力的高頻電源，將腔室內(nèi)進行真空排氣， 經(jīng)由噴淋頭向腔室內(nèi)導入處理氣體，并且對載置臺施加高頻電力，通 過由此形成的處理氣體的等離子體來蝕刻玻璃基板上的規(guī)定膜。
其中，在LCD中存在蝕刻鋁(AO膜的工序，在這樣的Al膜的 蝕刻中，作為處理氣體使用含有氯氣(Cl2)的氣體，但是由于處理氣 體的供給量和蝕刻量成正比，所以由負載效應而產(chǎn)生基板的外周部的 蝕刻率比中央部的蝕刻率極快的現(xiàn)象。S卩，根據(jù)作為等離子體中的蝕 刻種的C1自由基，在基板的最外周區(qū)域，單位量的C1自由基需蝕刻 的基板面積為中央?yún)^(qū)域的大約一半，以與供給中央?yún)^(qū)域的流量相同的 流量對最外周區(qū)域供給處理氣體，則最外周區(qū)域的蝕刻率為中央?yún)^(qū)域 的蝕刻率的大約兩倍。
因此，提出有這樣的技術，以包圍載置臺上的基板的周圍的方式 設置整流部件，由此遮蔽從玻璃基板的外周區(qū)域附近朝向基板外周的 處理氣體的流動，從而減少供給基板的最外周區(qū)域的C1自由基的量， 提高基板面內(nèi)的蝕刻率的均勻性(專利文獻l)。
在實施該技術時，整流部件成為玻璃基板的搬入搬出的阻礙，所以玻璃基板的搬入搬出時需要將整流部件退避到不妨礙搬入搬出的位 置。并且，根據(jù)空間等關系，將整流部件退避到上方。
但是，若在將整流部件退避到基板的上方的狀態(tài)下進行基板的搬 入搬出，則附著在整流部件上的顆粒等會向玻璃基板落下而污染玻璃 基板。
專利文獻1:日本特開2000—315676號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而研發(fā)的，其目的在于提供一種基板處理 裝置，其能夠在由整流部件包圍基板的周圍的狀態(tài)下進行等離子體處 理，在基板的搬入搬出時難以產(chǎn)生因顆粒等對基板造成的污染。
為了實現(xiàn)上述課題，本發(fā)明的基板處理裝置，其特征在于，包括 收容基板的處理容器；形成在上述處理容器的側壁上的用于搬入搬出 基板的基板搬入搬出部；在上述處理容器內(nèi)載置基板的載置臺；向上 述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給機構；在上述處理容器內(nèi) 生成處理氣體的等離子體的等離子體生成機構；對上述處理容器內(nèi)進 行排氣的排氣機構；和以圍繞上述載置臺上的基板的方式設置在上述 載置臺上的整流部件，上述基板處理裝置對上述載置臺上的基板進行 等離子體處理，其中，上述整流部件至少在與上述基板搬入搬出部對 應的位置上具有可動部件，該可動部件設置成能夠移動到退避位置， 以能夠相對于上述載置臺進行基板的搬入搬出。
在本發(fā)明中，上述整流部件具有由四個側板構成的方筒形，這些
側板中位于與上述基板搬入搬出部對應的位置的側板起到作為能夠移 動到退避位置，以使能夠對于上述載置臺進行基板的搬入搬出的可動 部件的作用。在這種情況下，能夠構成為使與位于與上述基板搬入搬 出部對應的位置上的側板相對置的側板也起到作為能夠退避的可動部 件的作用。
上述作為可動部件發(fā)揮功能的側板，通過使旋轉軸旋轉在處理時 的處理位置和上述退避位置之間進行轉動。在這種情況下，上述作為 可動部件發(fā)揮功能的側板，通過使在水平方向上延伸的旋轉軸旋轉而 能夠在垂直方向上轉動。能夠構成為上述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在上述處理位置與 鄰接的側板貼緊。此外，能夠構成為上述作為可動部件發(fā)揮功能的側 板在上述處理位置在與上述其它側板之間形成有間隙，處理氣體通過 上述間隙的路徑采用彎曲的迷宮結構。
能夠構成為上述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在上述處理位置與 上述載置臺貼緊。此外，能夠構成為上述作為可動部件發(fā)揮功能的側 板在上述處理位置在與上述載置臺之間形成有間隙，在上述載置臺中 的上述作為可動部件發(fā)揮功能的側板的附近位置沿著該側板的寬度方 向設置有不阻礙基板的搬入搬出的高度的抵抗部件。
能夠構成為上述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在上下方向被分割 成多個，該多個側板能夠折疊地連接，在轉動到退避位置上時被折疊。 此外，能夠構成為上述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在上下方向上被 分割成多個，該多個側板能夠滑動地連接，在轉動到退避位置上時分 割片滑動而重疊。
能夠構成為上述作為可動部件發(fā)揮功能的側板從上述退避位置向 上述處理位置轉動時，由驅動機構驅動直到其與上述其它側板之間形 成間隙的狀態(tài)，之后由自重而使其與上述其它側板之間貼緊。
上述旋轉軸能夠經(jīng)由密封部件延伸到上述處理容器的外側，由設 置在上述處理容器的外側的旋轉電機旋轉。在這種情況下，作為上述 密封部件能夠使用O形環(huán)密封件或彈簧負載式密封件。此外，上述旋 轉軸利用經(jīng)由波紋管設置在上述處理容器的外側的氣缸機構的驅動， 通過齒條齒輪機構被旋轉。
在本發(fā)明中，能夠構成為上述基板搬入搬出部具有設于上述處理 容器的基板搬入搬出口和開閉該基板搬入搬出口的閘閥，還具有使上 述閘閥的開放和上述可動部件向退避位置的移動同步進行的控制部。
根據(jù)本發(fā)明，整流部件至少在與上述基板搬入搬出部對應的位置 上具有可動部件，該可動部件設置成能夠移動到退避位置，以能夠對 于上述載置臺進行基板的搬入搬出，所以當搬入搬出基板時通過使可 動部件移動到退避位置，從而整流部件不上升到比基板高度高的位置 而能夠進行基板的搬入搬出。因此，能夠避免顆粒從整流部件向基板 落下，能夠抑制基板的污染。


圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的垂直截面圖。
圖2是本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的水平截面圖。 圖3是表示圖1的基板處理裝置的整流部件的要部的側面圖。 圖4是表示圖1的基板處理裝置的整流部件的要部的立體圖。 圖5 (a) (f)是用于說明本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置 的動作的概略圖。
圖6是用于說明整流部件的變形例的模式圖。
圖7是表示整流部件的其它變形例的模式圖。
圖8是表示整流部件的另一變形例的模式圖。
圖9是表示整流部件的另一變形例的動作的模式圖。
圖10是表示用于轉動整流部件的側板的驅動系統(tǒng)的其它例的圖。
圖11是表示用于轉動整流部件的側板的驅動系統(tǒng)的另一例的圖。
圖12是用于說明整流部件的另一變形例的模式圖。
圖13是用于說明整流部件的再一變形例的模式圖。
圖14是用于說明整流部件的另一變形例的模式圖。
符號說明
1基板處理裝置
2腔室
3載置臺
5基材
6靜電卡盤
7 屏蔽環(huán)
9整流部件
9a側壁
14高頻電源
20噴淋頭
28處理氣體供給源
30排氣裝置
33 觀察41陶瓷噴鍍膜
42電極
44直流電源
45連接部件
47旋轉軸
48旋轉電機
50控制部
G玻璃基板
62抵抗部件
63切口部
67余隙
80旋轉波紋管機構
82凸緣部件
84旋轉軸保持部件
85旋轉軸47的彎曲部
86波紋管
88旋轉軸
90操縱(handle)部件
具體實施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實施方式。圖1是表示本發(fā)明的一
實施方式的基板處理裝置的垂直截面圖，圖2是其水平截面圖。該等 離子體處理裝置1是進行FPD用玻璃基板G的規(guī)定處理的裝置的截面 圖，構成為電容耦合型等離子體蝕刻裝置。在此，作為FPD例如液晶 顯示器(LCD)、電致發(fā)光元件(Electro Luminescence: EL)顯示器、 等離子體顯示面板(PDP)等。
該等離子體處理裝置1具有例如由表面被氧化鋁處理(陽極氧化 處理)的鋁構成的成形為方筒形的腔室2。在該腔室2內(nèi)的底部設有用 于載置作為被處理基板的玻璃基板G的載置臺3。
載置臺3具有經(jīng)由絕緣部件4支承在處理腔室2的底部、靜電 吸附金屬制的凸型的基材5和設于基材5的凸部5a之上的玻璃基板G的靜電卡盤6;設于靜電卡盤6以及基材5的凸部5a的周圍的、由絕
緣性陶瓷例如氧化鋁構成的框架狀的屏蔽環(huán)7;包圍基材5而設于屏蔽
環(huán)7之下的由絕緣性陶瓷例如氧化鋁構成的環(huán)狀的絕緣環(huán)8。另外，在 屏蔽環(huán)7上以包圍玻璃基板G的方式設有方筒形的整流部件9。
以貫通腔室2的底壁、絕緣部件4以及載置臺3的方式能夠升降 地插通有用于進行向其上裝載和卸載玻璃基板G的升降銷10。該升降 銷10當搬送玻璃基板G時，上升到載置臺3的上方的搬送位置，此外 的期間處于沒入載置臺3內(nèi)的狀態(tài)。
在載置臺3的基材5上連接有用于供給高頻電力的供電線12，在 該供電線12上連接有匹配器13以及高頻電源14。從高頻電源14向載 置臺3的基材5供給例如13.56MHz的高頻電力。因此，載置臺3作為 下部電極起作用。
在所述載置臺3的上方與該載置臺3平行相對設有作為上部電極 起作用的處理氣體導入用的噴淋頭20。噴淋頭20支承在處理腔室2 的上部，在內(nèi)部具有空間21，并且在與載置臺3相對的面上形成有多 個噴出處理氣體的多個噴出孔22。該噴淋頭20接地，與作為下部電極 起作用的載置臺3 —起構成一對平行平板電極。
在噴淋頭20的上面設置有氣體導入口 24，在該氣體導入口 24上 連接有處理氣體供給管25，該處理氣體供給管25與處理氣體供給源 28連接。另外，在處理氣體供給管25的中途存在開閉閥26和質量流 量控制器27。從處理氣體供給源28供給等離子體處理、例如等離子體 蝕刻用的處理氣體。作為處理氣體能夠使用Cl2氣體等鹵類氣體、02 氣體、Ar氣體等通常該領域使用的氣體。
在處理腔室2的底部的四角形成有排氣管29，在該排氣管29上連 接有排氣裝置30。排氣裝置30具有渦輪分子泵等真空泵，由此能夠將 處理腔室2內(nèi)抽真空到規(guī)定的真空氣氛。另外，在處理腔室2的側壁 上設有基板搬入搬出口 31，該基板搬入搬出口 31能夠通過閘閥32開 閉。并且，在該閘閥32打開的狀態(tài)下由搬送裝置(未圖示)搬入搬出 玻璃基板G。另一方面，在腔室2的與基板搬入搬出口 31相對一側的 側壁上形成有觀察腔室2的內(nèi)部的觀察窗33。觀察窗33由耐熱性高的 透明材料、例如石英或藍寶石構成。上述靜電卡盤6，表面具有陶瓷噴鍍膜41，內(nèi)部埋設有電極42。 電極42構成比玻璃基板G小一些的矩形，例如通過噴鍍形成。在電極 42上連接有供電線43，在供電線43上連接有直流電源44，向電極42 施加來自直流電源44的直流電壓，從而通過庫倫力等靜電吸附力吸附 玻璃基板G。
上述整流部件9由氧化鋁等陶瓷形成，該整流部件9是用于通過 圍繞玻璃基板G的周圍而遮蔽從玻璃基板G的外周區(qū)域附近朝向基板 的外周的處理氣體的流動，從而減小供給到基板的最外周區(qū)域的C1自 由基，提高玻璃基板G的面內(nèi)的蝕刻率的均勻性，從發(fā)揮其功能的觀 點來看例如需要有100 150mm左右的高度。該整流部件9作為基板 搬入搬出口 31側以及與其相對的一側的一對側板9a相對于在水平方 向上延伸的旋轉軸能夠向外側轉動的可動部件起作用，在玻璃基板G 的搬入搬出時側板9a向外側退避。剩下的側壁9b通過固定托架(未 圖示)固定在載置臺3上。
基板搬入搬出口 31側的側板9a向外側轉動而退避，從而在玻璃 基板G的搬入搬出時避免阻礙整流部件9。另外，這時將與基板搬入 搬出口 31相對的一側的側板9a也向外側轉動，從而能夠從上述觀察 窗33觀察到玻璃基板G的搬送狀態(tài)和載置狀態(tài)。
如圖3的側面圖和圖4的立體圖所示，在該側板9a的外側利用螺 栓45a將一對連接部件45隔著在水平方向上延伸的陶瓷制的擋板46 固定在起兩端部上。另外，側板9a如圖4所示被縱向二分割，利用擋 板46加固。
在一對連接部件45的下部，安裝有沿著側板9a的長邊方向水平 延伸的旋轉軸47。旋轉軸47延伸至腔室2的外部而與旋轉電機48連 接。并且，通過旋轉電機48使旋轉軸47旋轉，從而側板9a經(jīng)由連接 部件45和擋板46能夠在圖3的實線所示的包圍玻璃基板G的處理位 置和虛線所示的玻璃基板G的能夠搬入搬出的退避位置之間在垂直方 向上轉動。旋轉軸47的插通在腔室2的壁部上的部分安裝有密封部件 49。作為密封部件49能夠使用O形環(huán)密封件或彈簧負荷負載式密封件、 典型的為彈簧負載式特氟隆(注冊商標)密封件(奧姆尼密封件(商
品名))。
11控制部50進行基板處理裝置1的各構成要素的控制。例如進行閥
26的控制、閘閥32的控制、高頻電源14的控制、直流電源44的控制、 排氣裝置30的控制、側板9a的控制、升降銷IO的升降控制等?？刂?部50具備存儲有程序方案的存儲部、輸入單元以及顯示器等，根據(jù)被 選擇的方案控制基板處理裝置1。
接著，參照圖5說明這樣構成的基板處理裝置1的處理動作。 首先，打開閘閥32，通過電機48 (圖4)使整流部件9的側板9a 向外側轉動而移動至退避位置，將作為蝕刻對象膜例如形成有Al膜的 玻璃基板G通過搬送臂81經(jīng)由基板搬入搬出口 31搬入到腔室2內(nèi)(圖 5的(a))。
接著，使升降銷10向上方突出而位于支承位置上，將搬送臂上的 玻璃基板G交接到升降銷10的上面，使升降銷10下降而將玻璃基板 G載置在載置臺3的靜電卡盤6 (參照圖1)的上面(圖5的(b))。
之后，關閉閘閥32，將整流部件9的側板9a轉動到圍繞玻璃基板 G的處理位置(圖5的(c))。
在該狀態(tài)下，通過排氣裝置30將腔室2內(nèi)抽真空至規(guī)定真空度， 從直流電源44向靜電卡盤6的電極42施加電壓，從而靜電吸附玻璃 基板G，打開閥26，從處理氣體供給源28例如將Cl2氣體等處理氣體 通過質量流量控制器27調(diào)整其流量，并同時通過處理氣體供給管25、 氣體導入口 24導入噴淋頭20的內(nèi)部空間21，進而通過噴出孔22向基 板G均勻噴出， 一邊調(diào)節(jié)排氣量一邊將腔室2內(nèi)控制為規(guī)定壓力。并 且，在該狀態(tài)下從高頻電源14經(jīng)由匹配器13將等離子體生成用的高 頻電力供給到載置臺3的基材5，在作為下部電極的載置臺3和作為上 部電極的噴淋頭20之間產(chǎn)生高頻電場，生成處理氣體的等離子體，通 過該等離子體對作為玻璃基板G的被蝕刻對象膜的Al膜實施等離子體 蝕刻(圖5的(d))。
在這種情況下，通過整流部件9遮蔽從玻璃基板G的外周區(qū)域附 近朝向基板的外周的處理氣體的流動，供給到基板的最外周區(qū)域的Cl 自由基量減少，所以玻璃基板的外周區(qū)域的蝕刻率降低，能夠對玻璃 基板G的Al膜實施高均勻的等離子體蝕刻。
這樣進行等離子體蝕刻處理后，停止處理氣體的供給，為了玻璃基板G的搬出而調(diào)整腔室2內(nèi)的壓力，打開閘閥32，并且使整流部件 9的側板9a向外側轉動而移動到退避位置，通過升降銷10抬起玻璃基 板G (圖5的(e))。
接著，在腔室2內(nèi)插入搬送臂81，搬送臂81接受蝕刻處理后的玻 璃基板G并從腔室2搬出(圖5的(f))。
在以上的處理動作中，在玻璃基板G的搬入搬出時，同時進行閘 閥32的開放和整流部件9的側板9a向退避位置的轉動，同時進行閘 閥32的閉塞和側板9a向處理位置的轉動，所以從控制部50同步輸出 開放閘閥32的信號和側板9a向退避位置轉動的信號，同步輸出閉塞 閘閥32的信號和側板9a向處理位置轉動的信號。由此，能夠比依次 進行這些動作時縮短動作時間。
如以上那樣，在本實施方式中，整流部件9的搬入搬出口31側的 側板9a轉動而能夠向外側轉動，玻璃基板G的搬入搬出時側板9a能 夠向外側退避，所以整流部件9不上升到比玻璃基板G的高度高的位 置而能夠進行玻璃基板G的搬入搬出。因此，能夠避免顆粒從整流部 件9向玻璃基板G落下，能夠抑制玻璃基板G的污染。
另外，在基板搬入搬出口 31側的側板9a向外側轉動并退避的同 時，與其相對的側板9a也向外側轉動而退避，所以能夠從腔室2側壁 的觀察窗33看到玻璃基板G的搬送狀態(tài)和玻璃基板G的載置狀態(tài)， 當玻璃基板G的搬入搬出時發(fā)生異常的情況下能夠迅速應對。當然， 從不提升整流部件9而能夠進行玻璃基板G的搬入搬出的觀點來看， 僅基板搬入搬出口 31側的側板9a能夠轉動即可。
其中，整流部件9優(yōu)選形成在遮蔽從玻璃基板的外周區(qū)域附近朝 向基板外周的處理氣體的流動的同時，抑制玻璃基板外周區(qū)域的處理 氣體的流動的結構。從該觀點來看，優(yōu)選側板9a和側板9b之間貼緊。 但是，在使側板9a和側板9b之間貼緊的情況下，使側板9a向外側轉 動而退避后，返回貼緊狀態(tài)的處理位置時，存在側板9a抵接側板9b 而產(chǎn)生顆粒的可能性。
從在盡量維持整流部件9的功能的狀態(tài)下來防止這樣顆粒的觀點 來看，如圖6所示，當側板9a位于處理位置的情況下，優(yōu)選在側板9a 和側板9b之間形成0.5mm左右的微小間隙，以從側板9a夾著側板9b而突出的方式將板材9c安裝在側板9a上，處理氣體通過的側板9a和 側板9b之間的路徑形成彎曲的迷宮結構。通過設置成這樣，能夠使處 理氣體通過的側板9a和側板9b之間的路徑的傳導充分小，能夠抑制 處理氣體從側板9a和側板9b之間穿過，能夠維持整流部件9的功能。 在這種情況下，板材9c和側板9b之間的重疊(overlap)長度(圖6 中D所示的部分的長度)能夠為20 30mm左右。
另外，同樣地，側板9a和屏蔽環(huán)7之間也優(yōu)選貼緊，但是若要在 側板9a從退避位置返回處理位置時形成貼緊狀態(tài)，則側板9a和屏蔽 環(huán)7之間產(chǎn)生摩擦，還是會產(chǎn)生顆粒。
因此，如圖7所示，在側板9a位于處理位置的情況下，優(yōu)選在側 板9a和屏蔽環(huán)7之間形成0.5mm程度的微細間隙，在與側板9a接近 的位置沿著側板9a的寬度方向設置不阻礙玻璃基板G的搬入搬出的高 度的抵抗部件61 ，使處理氣體通過側板9a的下面的路徑形成彎曲的迷 宮結構，使該路徑的傳導充分小。在這種情況下，能夠將抵抗部件61 的高度設為10mm以上。
圖8是表示整流部件的另一變形例的模式圖。圖9是表示圖8所 示的整流部件的動作的模式圖。
圖7所示的其它變形例的整流部件9a形成為，在屏蔽環(huán)7上設置 抵抗部件61 ，成為彎曲通過側板9a的下面的處理氣體的路徑的迷宮結 構。
相對于此，圖8所示的另一的變形例的整流部件9a中，在屏蔽環(huán) 7上設置不阻礙玻璃基板G的搬入搬出的高度的抵抗部件62，如圖9 所示，側板9a向屏蔽環(huán)7側轉動時，側板9a的下部載置于抵抗部件 62的上部。
這樣，當側板9a轉動時，通過將側板9a的下部載置于抵抗部件 62的上部，從而能夠使處理氣體不通過側板9a的下面。
另外，在圖8所示的變形例中，在側板9a的下部設置與抵抗部件 62 —致的切口部63，該切口部63的上面64載置于抵抗部件62的上 面。另夕卜，關于切口部63的側面65以及側板9a的最下面66，設定為 在抵抗部件62的側面以及屏蔽環(huán)7的上面之間設定余隙67的尺寸， 側面65以及最下面66不接觸抵抗部件62的側面以及屏蔽環(huán)7的上面而構成。由此，側板9a和抵抗部件62之間的接觸能夠抑制到最小限 度，不產(chǎn)生無用的顆粒。
另外，在使旋轉軸47旋轉的旋轉電機48 (參照圖4)中通常具有 無效沖程(backlash)。在使側板9a的下部接觸抵抗部件62的上部時， 利用該無效沖程使其接觸，則與直接接觸的情況相比，能夠使側板9a 的下部緩緩地柔和地接觸抵抗部件62的上部。
這樣，關于由于側板9a的下部和抵抗部件62接觸而產(chǎn)生的顆粒， 當側板9a的下部接觸抵抗部件62的上部時，通過利用旋轉電機48的 無效沖程而能夠將顆粒減弱到不影響處理的量。
另外，從使轉動整流部件9的側板9a時的驅動系統(tǒng)側的真空密封 更可靠的觀點看，如圖10所示，優(yōu)選在腔室2的與旋轉軸47對應的 部分上設置盒體70，在此設置齒條齒輪機構(rack and pinion) 71，將 氣缸73的活塞74經(jīng)由波紋管72插入盒體70，通過氣缸73使活塞74 直行，從而經(jīng)由齒條齒輪機構71使旋轉軸47旋轉。齒條齒輪機構71 具有安裝在活塞74的前端的齒條75、安裝在旋轉軸47上的與齒條75 嚙合的小齒輪76和、按壓齒條75的背面?zhèn)鹊某薪虞S承77。另外，附 圖標記78表示連接器(coupling), 79表示軸承。這樣，通過使用齒條 齒輪機構71，從而能夠用波紋管72進行驅動系統(tǒng)側的真空密封，所以 能夠更可靠地進行真空密封。
圖11是表示轉動整流部件的側板的驅動系統(tǒng)的其它例的圖。
從使轉動側板9a時的驅動系統(tǒng)側的真空密封的觀點來看，如圖11 所示，也能夠利用旋轉波紋管機構80。
在旋轉波紋管機構80中，旋轉軸47例如在腔室2的外側(大氣 側)，以規(guī)定的角度e折曲。從旋轉軸47的腔室2的內(nèi)側(真空側) 向外側(大氣側)經(jīng)由外壁而通過的直線部設于腔室2的外側(大氣 側)，由通過軸承81而能夠旋轉地保持旋轉軸47的凸緣部件82保持。
另外，旋轉軸47的腔室的外側(大氣側)的前端由通過軸承83 能夠旋轉地保持的旋轉軸保持部件84保持。另外，旋轉軸47的以角 度9折曲的折曲部85由分別與凸緣部件82和旋轉軸保持部件84連接 的波紋管86包圍。波紋管86與旋轉軸47的彎曲一致而撓曲。
在凸緣部件82上安裝有收容保持部件84、以及波紋管86的例如
15筒狀的殼部件87。另外，殼部件87通過軸承89能夠旋轉地保持旋轉 電機48的旋轉軸88。旋轉軸88的旋轉中心與旋轉軸47的直線部的旋 轉中心一致。在旋轉軸88的殼部件87的內(nèi)部的前端設有操縱部件90。 操縱部件90將旋轉軸保持部件84在從旋轉軸88的旋轉中心偏心的位 置上以上述角度e傾斜的狀態(tài)且由軸承91能夠旋轉地保持。
旋轉電機48使旋轉軸88旋轉。旋轉軸88若旋轉，則操縱部件90 使保持在從旋轉軸88的旋轉中心偏心的位置上的旋轉軸保持部件84 搖頭旋轉。旋轉軸47的前端以角度e傾斜保持在旋轉軸保持部件84 上，所以旋轉軸47隨著旋轉軸保持部件84的搖頭(首振Q )旋轉而 旋轉。波紋管86隨著保持部件84的搖頭旋轉，使撓曲的部分以旋轉 軸47的直線部的旋轉中心為中心移動。
這樣，旋轉電機48使旋轉軸47旋轉。
即使使用這樣的旋轉波紋管機構80，在腔室2的內(nèi)側(真空側) 和外側(大氣側)的真空密封也能夠使用波紋管86進行，所以與圖10 所示的齒條齒輪機構71同樣地，能夠更可靠地進行真空密封。
另夕卜，整流部件9的側板9a由于向腔室2的壁部側轉動，所以整 流部件9的高度被整流部件9的側板9a和腔室2的壁部的距離限制。 即，在側板9a和腔室2的壁部的距離小的情況下，不能夠充分得到整 流部件9的高度。
在這樣的情況下，如圖12的(a)所示，將側板9a上下二分割為 上部件9d和下部件9e，將它們能夠折疊地連接，使側板9a向外側的 退避位置轉動時，如圖12的(b)所示，使上部件9d相對于下部件9e 轉動折疊，從而能夠減小側板9a的退避位置的腔室壁部方向的長度。 另外，也可以將側板9a分割為3個以上進行折疊。
另外，如圖13的(a)所示，將側板9a分割為下側的基部9g和 能夠相對于基部9g滑動的上側的滑動部9f，當側板9a轉動到外側的 退避位置上時，如圖13的(b)所示，通過使滑動部9f相對于基部9g 滑動，從而能夠減小側板9a的退避位置的腔室壁部方向的長度。另外， 也可以將側板9a分割為3個以上進行滑動。
另外，如圖14所示，以側板9b的與側板9a貼緊的端面9h為斜 面，在端面9h的下部形成引導斜面9i，在側板9a的內(nèi)側面9j的下部設置與引導斜面9i對應的切口面9k，側板9a從退避位置返回處理位 置時，如圖14的(a)所示，通過驅動機構使側板9a轉動到其切口面 9k碰到引導斜面9i的位置，以在側板9b的端面9h和側板9a的內(nèi)面 9j之間有間隙的狀態(tài)下切斷驅動機構的傳遞，如圖14的(b)所示， 側板9a的切口面9k被引導斜面9i引導，側板9a可以由自重而與側板 9b貼緊。由此，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生，同時能夠使側板9b和側板9a 貼緊。
另外，本發(fā)明不限于上述實施方式，能夠進行各種變形。例如， 在上述實施方式中，整流部件9的側板9a的轉動通過閘閥32的驅動 機構以外的驅動機構進行，但是也能夠將閘閥32的驅動機構的動力機 械地通過傳動機構利用。另外，本發(fā)明適用于蝕刻裝置，但是不限于 蝕刻處理，也能夠適用于成膜等其它等離子體處理。另外，在上述實 施方式中，形成使整流部件的基板搬入搬出口側的側板向外側退避的 結構，但是不限于此，也可以形成向下側退避等的其它退避結構。
另外，在上述的實施方式中，由四個側板構成整流部件，基板搬 入搬出口側的側板起到作為可動部件的作用，但是不限于此。
另外，在上述實施方式中，作為基板使用FPD用玻璃基板的例子， 但是不限于此，也可以是半導體晶片等其它基板。
權利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括收容基板的處理容器；形成在所述處理容器的側壁上的用于搬入搬出基板的基板搬入搬出部；在所述處理容器內(nèi)載置基板的載置臺；向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給機構；在所述處理容器內(nèi)生成處理氣體的等離子體的等離子體生成機構；對所述處理容器內(nèi)進行排氣的排氣機構；和以圍繞所述載置臺上的基板的方式設置在所述載置臺上的整流部件，所述基板處理裝置對所述載置臺上的基板進行等離子體處理，其中所述整流部件至少在與所述基板搬入搬出部對應的位置上具有可動部件，該可動部件設置成能夠移動到退避位置，以能夠相對于所述載置臺進行基板的搬入搬出。
2. 如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于 所述整流部件具有由四個側板構成的方筒形，這些側板中位于與所述基板搬入搬出部對應的位置的側板起到作為能夠移動到退避位 置，以使能夠對于所述載置臺進行基板的搬入搬出的可動部件的作用。
3. 如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于 與位于與所述基板搬入搬出部對應的位置上的側板相對置的側板也起到作為能夠退避的可動部件的作用。
4. 如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于-所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板，通過使旋轉軸旋轉在處理時的處理位置和所述退避位置之間進行轉動。
5. 如權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于 所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板，通過使在水平方向上延伸的旋轉軸旋轉而能夠在垂直方向上轉動。
6. 如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于 所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在所述處理位置與鄰接的側板貼緊。
7. 如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在所述處理位置在與所述其它 側板之間形成有間隙，處理氣體通過所述間隙的路徑采用彎曲的迷宮 結構。
8. 如權利要求4 7任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在所述處理位置與所述載置臺 貼緊。
9. 如權利要求4 7任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在所述處理位置在與所述載置 臺之間形成有間隙，在所述載置臺中的所述作為可動部件發(fā)揮功能的 側板的附近位置沿著該側板的寬度方向設置有不阻礙基板的搬入搬出 的高度的抵抗部件。
10. 如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在上下方向被分割成多個，該 多個側板能夠折疊地連接，在轉動到退避位置上時被折疊。
11. 如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板在上下方向上被分割成多個， 該多個側板能夠滑動地連接，在轉動到退避位置上時分割片滑動而重
12. 如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于-所述作為可動部件發(fā)揮功能的側板從所述退避位置向所述處理位置轉動時，由驅動機構驅動直到其與所述其它側板之間形成間隙的狀 態(tài)，之后由自重而使其與所述其它側板之間貼緊。
13. 如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于 所述旋轉軸經(jīng)由密封部件延伸到所述處理容器的外側，由設置在所述處理容器的外側的旋轉電機旋轉。
14. 如權利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于所述密封部件為O形環(huán)密封件或彈簧負載式密封件。
15. 如權利要求4或5所述的基板處理裝置，其特征在于-所述旋轉軸利用經(jīng)由波紋管設置在所述處理容器的外側的氣缸機構的驅動，通過齒條齒輪機構被旋轉。
16. 如權利要求1 15中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述基板搬入搬出部具有設于所述處理容器的基板搬入搬出口和 開閉該基板搬入搬出口的閘閥，還具有使所述閘閥的開放和所述可動部件向退避位置的移動同步 進行的控制部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠在由整流部件包圍基板的周圍的狀態(tài)下進行等離子體處理的基板處理裝置，在基板的搬入搬出時難以產(chǎn)生因顆粒等對基板造成的污染。在腔室(2)的載置臺(3)上載置基板(G)，在將該基板(G)由整流部件(9)圍繞的狀態(tài)下，在腔室(2)內(nèi)形成處理氣體的等離子體，對基板(G)進行等離子體處理。在基板處理裝置(1)中，整流部件(9)，至少存在于與基板搬入搬出口(31)對應的位置上的作為可動部件的側板(9a)設置成能夠移動到退避位置，以能夠對于載置臺(3)搬入搬出基板(G)。
文檔編號H01L21/00GK101556911SQ200910133378
公開日2009年10月14日 申請日期2009年4月7日 優(yōu)先權日2008年4月7日
發(fā)明者伊藤毅, 大森貴史, 田中善嗣 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社