專利名稱：液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display, LCD)具備輕薄、節(jié)能、無(wú)輻射 等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)顯示器。目前液晶 顯示器廣泛應(yīng)用于高清晰數(shù)字電視、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、筆記 本電腦、移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)等電子設(shè)備中。
液晶顯示裝置根據(jù)液晶顯示面板的反射方式可以分為透射型 (transmissive )、反射型(reflective)以及半透反型(transflective )三種基本 類型。透射型液晶顯示裝置的液晶顯示面板具有背光光源，可以達(dá)到穿透顯 示，因此在正常光線及暗光線下仍能維持良好的顯示效果，但是功耗較高。 反射型液晶顯示裝置的液晶顯示面板沒(méi)有背光光源，其可以利用環(huán)境周圍的 光線，因此可以節(jié)省功耗，但是其對(duì)外界環(huán)境光線的依賴性較強(qiáng)，在外界光 線充足的環(huán)境下均有良好的顯示效果，在外界光線不足的環(huán)境下則不易辨識(shí) 顯示內(nèi)容。半透反型液晶顯示裝置則結(jié)合了透射型與反射型二者的優(yōu)點(diǎn)。
目前的半透反型液晶顯示面板有兩種類型單盒間隙(single cell gap )和 雙盒間隙(dualcellgap)，分別如圖1和圖2所示。圖l為常規(guī)的單盒間隙半透反 型液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為常規(guī)的雙盒間隙半透反型液晶顯示 面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
在單盒間隙半透反型液晶顯示裝置的顯示面板中，如圖1所示，第一基板 IO和第二基板20相對(duì)放置，在第一基板10和第二基板20之間具有多個(gè)液晶分 子的液晶層30。第一基板10包括下透明基板ll,形成于下透明基板ll上表 面的保護(hù)層12,形成于保護(hù)層12上表面的下透明電極13,在該液晶顯示面板 的反射區(qū)對(duì)應(yīng)的下透明電極13上表面覆蓋有金屬鋁形成的鋁反射層16,在鋁 反射層16上表面和該液晶顯示面板的透射區(qū)對(duì)應(yīng)的下透明電極13上表面覆蓋 有下配向膜14。其中，保護(hù)層12、下透明電極13、鋁反射層16以及下配向膜14在反射區(qū)的對(duì)應(yīng)位置具有凸起和凹陷，如圖l中虛線框內(nèi)所示。第二基板20 包括上透明基板21,設(shè)置于上透明基板21下表面的彩膜層25,以及依次形 成于彩膜層25下表面的上透明電極23和上配向膜24。其中，圖l中箭頭所示為 光線的照射方向。
在雙盒間隙半透反型液晶顯示裝置的顯示面板中，如圖2所示，第一基板 40和第二基板50相對(duì)放置，在第一基板40和第二基板50之間具有多個(gè)液晶分 子的液晶層60,該液晶層在透射區(qū)具有厚度2d，在反射區(qū)具有厚度d。第一基 板40包括下透明基板41，形成于下透明基板41上表面的下保護(hù)層42,形成 于下保護(hù)層42上表面的下透明電極43,在該液晶顯示面板的反射區(qū)對(duì)應(yīng)的下 透明電極43上表面覆蓋有金屬鋁形成的鋁反射層46,在鋁反射層46上表面和 該液晶顯示面板的透射區(qū)對(duì)應(yīng)的下透明電極43上表面覆蓋有下配向膜44。其 中，下保護(hù)層42、下透明電極43、鋁反射層46以及下配向膜44在反射區(qū)的對(duì) 應(yīng)位置具有凸起和凹陷，如圖2中虛線框內(nèi)所示。第二基板50包括上透明基 板51，設(shè)置于上透明基板51下表面的彩膜層55，在反射區(qū)設(shè)置于彩膜層55下 表面的厚度為d的上保護(hù)層52,形成于上保護(hù)層52下表面和透射區(qū)彩膜層55的 下表面的上透明電才及53，以及形成于上透明電極53下表面的上配向膜54。其 中，圖2中箭頭所示為光線的照射方向。
上述圖1和圖2所示的常規(guī)的單、雙盒間隙半透反型液晶顯示面板為使入 射液晶顯示面板反射區(qū)的外界環(huán)境光從不同方向反射出去，在常規(guī)的單、雙 盒間隙半透反型液晶顯示面板的反射區(qū)，鋁反射層均要被做成具有凸起與凹 陷的表面，如圖1和圖2中所示。該凸起與凹陷給摩擦配向工藝也帶來(lái)一定程 度上的困難，從而導(dǎo)致該凸起與凹陷的表面使得在該表面附近的液晶分子的 配向發(fā)生異常，例如在常黑(normal black)狀態(tài)下，少數(shù)配向發(fā)生異常的液 晶分子會(huì)導(dǎo)致漏光現(xiàn)象的發(fā)生。
進(jìn)一步的，該凸起通常是利用有機(jī)材料做成，這樣就需要采用單獨(dú)的工 藝步驟完成，使得工藝步驟復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示面板及其制造方法，降低了在液晶顯 示面板反射區(qū)進(jìn)行液晶分子配向的難度，提高了液晶顯示面板的質(zhì)量。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，包括相對(duì)放置的第 一基板和第二基板，在所述第一基板和所述第二基板之間具有液晶層，所述 第 一基板具有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述第 一基板的透射區(qū)具有薄膜晶體管， 所述薄膜晶體管具有第一金屬層形成的柵極，非晶硅形成的溝道層，第二金 屬層形成的源極和漏極，以及位于柵極和溝道層之間的絕緣層和位于溝道層 以及源極和漏極上表面的鈍化層，
在所述第 一基板朝向所述第二基板側(cè)的反射區(qū)具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊；
在所述凸塊的朝向所述第二基板的表面、所述凸塊的側(cè)壁，以及所述凸 塊的間隙處覆蓋有反射層；
在所述反射層和透射區(qū)的朝向所述第二基板的表面覆蓋有彩膜層，所述 彩膜層朝向所述第二基板的表面為平坦表面；
所述彩膜層的朝向所述第二基板的表面覆蓋有下透明電極；
所述下透明電極的朝向所述第二基板的表面覆蓋有液晶層。
優(yōu)選的，所述凸塊的形狀為楔形，其中楔形底面位于所述第一基板上， 楔形頂端朝向所述第二基板。
優(yōu)選的，所述楔形凸塊的側(cè)面與底面的夾角為8° ~12。。
優(yōu)選的，所述凸塊包括層疊的復(fù)數(shù)層子凸塊，其中靠近第一基板的子凸 塊的平行于第一基板的截面面積大于靠近第二基板的子凸塊的平行于所述第 一基纟反的截面面積。
優(yōu)選的，所述凸塊為疊層結(jié)構(gòu)；所述疊層結(jié)構(gòu)包括從第一基板向第二基 板方向依次層疊的第 一金屬層，覆蓋于所述第 一金屬層朝向第二基板表面以 及所述第一金屬層側(cè)壁的絕緣層，覆蓋于所述絕緣層朝向第二基板表面的所 述第 一金屬層對(duì)應(yīng)位置的非晶硅層，覆蓋于所述非晶硅層朝向第二基板表面 的第二金屬層，覆蓋于所述第二金屬層朝向第二基板表面、所述第二金屬層側(cè)壁及部分所述絕緣層上表面的鈍化層。
優(yōu)選的，所述凸塊的高度為彩膜層厚度的1/2。
相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板的制造方法，包括步驟
提供下透明基板，在所述下透明基板上表面的透射區(qū)和反射區(qū)分別同時(shí) 形成薄膜晶體管和復(fù)數(shù)個(gè)凸塊；
形成反射層，所述反射層覆蓋所述凸塊的上表面、所述凸塊的側(cè)壁，以 及所述凸塊的間隙處；
形成彩膜層，所述彩膜層覆蓋所述透射區(qū)和反射區(qū)，且所述彩膜層的上 表面為平坦表面；
形成下透明電極，所述下透明電極覆蓋所述彩膜層的上表面；
所述下透明電極、彩膜層、反射層、凸塊以及下透明基板構(gòu)成第一基板；
將第二基板在第一基板上方相對(duì)放置，并在所述第一基板和所述第二基 板之間填充液晶層。
優(yōu)選的，所述薄膜晶體管和所述凸塊的形成方法包括步驟
形成第一金屬層，所述第一金屬層位于所述下透明基板上表面的反射區(qū) 和透射區(qū)，且所述第一金屬層為分立的結(jié)構(gòu)；
形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋于所述第 一金屬層上表面以及所述第 一金 屬層側(cè)壁；
形成非晶硅層，所述非晶硅層覆蓋于所述絕緣層上表面的所述第一金屬 層對(duì)應(yīng)位置；
形成第二金屬層，所述第二金屬層覆蓋于所述非晶硅層上表面； 形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋于所述第二金屬層上表面、所述第二金屬 層側(cè)壁及部分所述絕緣層上表面。
所述透射區(qū)的第一金屬層、絕緣層、非晶硅層和第二金屬層以及鈍化層 形成薄膜晶體管的柵極、柵極絕緣層、溝道層、源極和漏極以及覆蓋于薄膜晶體管上的鈍化層；所述反射區(qū)的第一金屬層、絕緣層、非晶硅層和第二金 屬層以及^^化層形成凸塊的堆疊結(jié)構(gòu)。
在上述方案中，將彩膜層設(shè)置在第一基板的鋁反射層和透射區(qū)的上表面， 因?yàn)椴誓有纬蓵r(shí)可以對(duì)凸塊的上表面、凸塊的側(cè)壁以及凸塊的間隙進(jìn)行填 充，從而使得形成彩膜層后的第一基板的上表面為平坦表面，這樣在后續(xù)的 形成電極層時(shí)，電極層的上表面為平坦表面，這樣在第一基板的摩擦配向工 藝中方便配向，從而使得在第一基板和第二基板之間灌注液晶分子后，液晶 分子具有良好的配向。又因?yàn)殇X反射層與第二基板之間均為透明物質(zhì)，所以 反射光線可以被鋁反射層的凹凸表面向各個(gè)方向反射，形成較好的漫反射效 果，進(jìn)一步的因?yàn)榈谝换迳媳砻鏋槠教贡砻?，因此和第一基板接觸的液晶 層的液晶分子不會(huì)因?yàn)榈谝换灏纪沟谋砻娑l(fā)生漏光。


通過(guò)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說(shuō)明，本發(fā)明的上述及 其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同 的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的 主旨。
圖1為常規(guī)的單盒間隙半透反型液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為常規(guī)的雙盒間隙半透反型液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3a為圖3中凸塊120的局部放大圖； 圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4a為圖4中凸塊120的局部放大圖5為本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法流程示意圖6為圖5中薄膜晶體管和凸塊的形成方法流程圖7a-13a為本發(fā)明液晶顯示面板的制造方法的示意圖，圖7b-13b分別為 圖7a-13a對(duì)應(yīng)的平面示意圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖 對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明， 表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí) 例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、 寬度及深度的三維空間尺寸。
第一實(shí)施例
參照?qǐng)D3，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。下 面為了描述方便，將從第一基板向第二基板方向定義為從下到上。本實(shí)施例 的液晶顯示面板為單盒間隙半透反型。該液晶顯示面板包括相對(duì)放置的第 一基板100和第二基板200以及兩個(gè)基板之間的液晶層300,所述第一基板IOO 具有透射區(qū)100a和反射區(qū)100b。其中，第一基板100包括下透明基板IIO, 在下透明基板11 O上表面且對(duì)應(yīng)第 一基板1 OO反射區(qū)1 OOb處設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊 120。在凸塊120的上表面及其側(cè)壁、以及凸塊120之間的間隙處，覆蓋有鋁反 射層126，并且該鋁反射層的上表面為凹凸表面。在鋁反射層126和透射區(qū)100a 的上表面覆蓋有彩膜層130。彩膜層130的上表面覆蓋有下透明電極140，該彩 膜層130及該下透明電極140的上表面均為平坦表面。其中，鋁反射層126覆蓋 的區(qū)域形成該半透反型液晶顯示面^l的反射區(qū)100b。其中，鋁反射層126還可 以是其它材料的反射層。
第一基板100還包括依次層疊設(shè)置于下透明基板110下表面的第一下補(bǔ) 償膜、第二下補(bǔ)償膜以及下偏振片。第二基板200包括上透明基板210,設(shè) 置于該上透明基板210下表面的上透明電極240,以及依次層疊設(shè)置于該上透 明基板210上表面的第一上補(bǔ)償膜、第二上補(bǔ)償膜以及上偏振片。所述上透明 基板210和下透明基板110的材料可以為玻璃。在圖3所示的液晶顯示面板中， 所述第一下補(bǔ)償膜和所述第一上補(bǔ)償膜為入/4波片，所述第二下補(bǔ)償膜和所述 第二上補(bǔ)償膜為人/2波片。在本實(shí)施例中，利用與液晶顯示面板連接的驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)來(lái)調(diào)節(jié)
加在液晶層300 (液晶電容)兩側(cè)的電壓，從而可以調(diào)節(jié)進(jìn)入液晶層300的透 射光線300a (透射區(qū)對(duì)應(yīng)的光線)和反射光線300b (反射區(qū)對(duì)應(yīng)的光線)的 光程，佳:得進(jìn)入液晶層300的透射和反射光線的光程略相等。
當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，液晶顯示面板也可以為雙盒間隙半透反型，不 通過(guò)加在液晶層300 (液晶電容)兩側(cè)的電壓來(lái)調(diào)節(jié)進(jìn)入的液晶層透射光線和 反射光線的光程，而通過(guò)在第一基板200的下表面設(shè)置凸臺(tái)來(lái)調(diào)節(jié)進(jìn)入的液晶 層透射光線和反射光線的光程，例如反射區(qū)凸臺(tái)的厚度為透射區(qū)的液晶層的 1/2，使得進(jìn)入的液晶層透射光線和反射光線的光程略相等。
在上述方案中，通過(guò)將彩膜層130設(shè)置在第一基板100的鋁反射層126和透 射區(qū)100a的上表面，因?yàn)椴誓?30形成時(shí)可以對(duì)凸塊120的上表面及其側(cè)壁 以及凸塊之間的間隙進(jìn)行填充，從而使得形成彩膜層130后的第一基板100的 上表面為平坦表面，這樣在后續(xù)的形成下透明電4及140時(shí)，下透明電才及140的 上表面為平坦表面，這樣第一基板100的摩擦配向工藝方便，從而使得在第一 基板100和第二基板200之間灌注液晶分子后，液晶分子具有良好的配向。
又因?yàn)殇X反射層126與第二基板200之間均為透明物質(zhì)，所以反射光線可 以被鋁反射層126的凹凸表面向各個(gè)方向反射，形成較好的漫反射效果，進(jìn)一 步的因?yàn)榈?一基板1 OO上表面為平坦表面，因此和第 一基板1 OO接觸的液晶層 300的液晶分子不會(huì)因?yàn)榈?一基板100凹凸的表面而發(fā)生漏光。
參考圖3a，其為圖3中凸塊120的局部放大圖，下面結(jié)合圖3甜上述方案的 優(yōu)選方案進(jìn)行說(shuō)明。優(yōu)選的，所述凸塊120包括層疊的復(fù)數(shù)層子凸塊，例如子 凸塊120a和120b,其中靠近第一基板100的子凸塊120a的平行于第一基板100 的截面面積大于靠近第二基板200的子凸塊120b的平行于所述第二基板200的
截面面積。
由于子凸塊120a包括的部分疊層結(jié)構(gòu)和子凸塊120b包括的部分疊層結(jié)構(gòu) 可以在相同的步驟中形成，因此為了描述方便，下面從疊層結(jié)構(gòu)的角度，不區(qū)分子凸塊120a和120b對(duì)本實(shí)施例的凸塊120進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。優(yōu)選的，凸塊120 從下到上依次包括設(shè)置于下透明基板110上的第一金屬層121、覆蓋于該第 一金屬層121上表面以及側(cè)壁的絕緣層122、覆蓋于該絕緣層122上表面的第一 金屬層121對(duì)應(yīng)位置的非晶硅層123、覆蓋于該非晶硅層123上表面的第二金屬 層124、覆蓋于該第二金屬層124上表面及其側(cè)壁和部分絕緣層上表面的鈍化 層125。鋁反射層126覆蓋于鈍化層125上表面及其側(cè)壁，形成所述凸塊120的 反射表面。
通常，在第一基板100上具有薄膜晶體管(TFT, thin film transistor),而該 TFT的形成過(guò)程中通常需要形成第一金屬層121、絕緣層122、非晶硅層123、 第二金屬層124和鈍化層125。所述TFT的制造工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的， 因此不再贅述。
采用上述優(yōu)選的方案可以使凸塊的制造過(guò)程兼容在TFT的制造過(guò)程中。在 現(xiàn)有技術(shù)中為了在第二基板上形成凹凸表面的反射層，通常需要在反射層下 形成凹凸結(jié)構(gòu)，所述凹凸結(jié)構(gòu)通常是有機(jī)物材料，因此需要利用和TFT制造過(guò) 程不同的步驟來(lái)形成，但本發(fā)明就可以在形成TFT的同時(shí)形成凸塊，從而形成 凹凸結(jié)構(gòu)的反射層表面，因此節(jié)省了工藝步驟，簡(jiǎn)化了工藝，降低了成本。
優(yōu)選的，該凸塊120的高度為彩膜層130厚度的1/2,這樣，反射光線在彩 膜層中的光程與透射光線在彩膜層中的光程約略相等，又因?yàn)榉瓷涔饩€在液 晶層中的光程與透射光線在液晶層中的光程約略相等，這樣在該單盒間隙半 透反型液晶顯示面板中具有均一的光穿透率，從而提高對(duì)比度。
第二實(shí)施例
在本實(shí)施例中所述液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)和實(shí)施例一的液晶顯示面板結(jié)構(gòu) 近似，但在本實(shí)施例中的凸塊120的形狀和實(shí)施例一中不同，區(qū)別在于
參考圖4和4a,圖4為本發(fā)明的液晶顯示顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖 4a為圖4中凸塊120的放大結(jié)構(gòu)示意圖。凸塊120為楔形，也就是垂直于底面的 截面為三角形。具體的，凸塊120的側(cè)面120c與凸塊底面120d的夾角范圍為8
12° ~12° ,該角度范圍使得液晶顯示面板在人眼垂直于該液晶顯示面板時(shí)， 反射入人眼的反射光形成漫反射，因此具有最大的穿透率。
優(yōu)選的，該凸塊120為正棱錐，凸塊120的高度為1.25)im，凸塊120的底面 邊長(zhǎng)為12~ 18|iim，這一高度和長(zhǎng)度使得反射入人眼的反射光具有最大的穿透 率。
當(dāng)然，在上述兩個(gè)實(shí)施例中，圖3a及4a中所示的凸塊120的結(jié)構(gòu)僅為舉例 說(shuō)明，在其它實(shí)施例中，該凸塊120也可以是其他結(jié)構(gòu)，例如為圓錐型或者垂 直于底面的截面為梯形的部分錐型結(jié)構(gòu)，或側(cè)面與底面夾角在8。 ~12°范圍 的其它錐形或柱形結(jié)構(gòu)。
圖5為本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法流程示意圖。圖6為圖5 中薄膜晶體管和凸塊的形成方法流程圖。圖7a-13a為本發(fā)明液晶顯示面板的 制造方法的示意圖，圖7b-13b分別為圖7a-13a對(duì)應(yīng)的平面示意圖。
下面參考圖5~圖13對(duì)本發(fā)明的液晶顯示面板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明，所 述液晶顯示面板的制造方法包括步驟
Sl:提供下透明基板IIO,在下透明基板IIO上表面的透射區(qū)和反射區(qū)分 別同時(shí)形成薄膜晶體管和復(fù)數(shù)個(gè)凸塊120。
參考圖6,所述薄膜晶體管和所述凸塊120的形成方法包括步驟
S10:在下透明基板IIO上表面的透射區(qū)和反射區(qū)形成第一金屬層121, 第一金屬層121為分立的圖形。
第一金屬層121通過(guò)PECVD(電漿輔助化學(xué)氣相沉積)法或?yàn)R鍍法等已經(jīng) 公知的氣相沉積法形成。第一金屬層121所采用的物質(zhì)例如可以是鋁、4艮、 銅、鉬或其它金屬或合金，例如本實(shí)施例中采用的是AlNd(鋁釹合金)。然后， 依公知的曝光、蝕刻等技術(shù)將反射區(qū)的該第一金屬層(AlNd)圖案化，從而 形成分立圖形的第一金屬層121,例如可以為如圖7a和7b所示的分立的間隔 排列的圓形圖形。
同時(shí)，還可以在透射區(qū)形成由第一金屬層121構(gòu)成的TFT的柵極(未圖示)。
13S20:在第一金屬層121上表面及其側(cè)壁形成絕緣層122,在絕緣層122 上表面形成非晶硅層123，非晶硅層123位于絕緣層122上表面與第一金屬層 121對(duì)應(yīng)位置。
具體的，可以在第一金屬層121上表面及其間隙處的下透明基板110上 表面形成絕緣層122，絕緣層122可以是SiOx或SiNx物質(zhì)，可以利用本領(lǐng)域 技術(shù)人員熟知的方法形成，例如PECVD(電漿輔助化學(xué)氣相沉積)法或?yàn)R鍍法 等。
然后，再在該絕緣層122的上表面通過(guò)利用PECVD法或?yàn)R鍍法等形成非 晶硅層，然后，依公知的曝光、蝕刻等技術(shù)將該非晶硅層在與第一金屬層對(duì) 應(yīng)的位置形成分立圖形。該分立圖形分別形成如圖8a、. 8b中所示的非晶硅層 123和位于透射區(qū)中與第一金屬層對(duì)應(yīng)位置處的非晶硅層(未圖示)。當(dāng)然在 其它實(shí)施例中也可以在蝕刻位于反射區(qū)的非晶硅層123的同時(shí)將絕緣層122 位于反射區(qū)的部分一起蝕刻。
同時(shí)，還可以在透射區(qū)的第一金屬層(未圖示)上形成由絕緣層122構(gòu) 成的TFT的柵絕緣層(未圖示)，在絕緣層122上形成由非晶硅層123構(gòu)成的 溝道層(未圖示)。
S30:在非晶硅層123上表面形成第二金屬層124。
具體的，先利用PECVD法或?yàn)R鍍法等在非晶硅層123上表面及其間隙處 的絕緣層122的上表面形成第二金屬層。如圖9a所示,然后用曝光、蝕刻等 技術(shù)，分別形成如圖9a、 9b中所示的與非晶硅層123對(duì)應(yīng)的分立的第二金屬 層124和位于透射區(qū)的第二金屬層。
其中該位于透射區(qū)的第二金屬層與同樣位于透射區(qū)的非晶硅層被同時(shí)進(jìn) 行曝光、蝕刻等工藝，形成TFT的溝道層和源/漏極。
S40:在非晶硅層123和第二金屬層形成的分立圖形的上表面及其側(cè)壁、 以及該分立圖形之間的間隙形成鈍化層125。
具體的，利用PECVD法或?yàn)R鍍法等，形成鈍化層125,并利用曝光、蝕 刻等技術(shù)，將位于反射區(qū)的鈍化層形成如圖10a、 10b所示的與同樣位于該反 射區(qū)的第二金屬層124上表面及其側(cè)壁以及絕緣層122上表面及其側(cè)壁對(duì)應(yīng)的分立圖形。
上述步驟S10 S40在反射區(qū)形成復(fù)數(shù)個(gè)分立的凸塊120,該凸塊120包 括依次層疊的第一金屬層121、絕緣層122、非晶硅層123、第二金屬層124 以及4屯化層125。
同時(shí)，上述步驟S10 S40在透射區(qū)形成薄膜晶體管(TFT)以及覆蓋于 該薄膜晶體管上的鈍化層。因?yàn)樾纬傻脑摫∧ぞw管以及形成該薄膜晶體管 的方法同公知技術(shù)，故此處未作贅述與圖示。
S2:在凸塊的上表面及其間隙處形成鋁反射層126。
具體的，參考圖iia、 lib,利用PECVD法或?yàn)R鍍法等在位于反射區(qū)的鈍 化層125上表面及其側(cè)壁以及間隙處的下透明基板110上表面形成鋁反射層 126。在其它實(shí)施例中如果所述鈍化層125被蝕刻成和非晶硅層相同的形狀， 那么就在所述凸塊的側(cè)壁，以及所述凸塊的間隙處形成鋁反射層126。
S3:在第一基板100的透射區(qū)和反射區(qū)形成彩膜層130。
具體的，參考圖12a、 12b，該彩膜層130設(shè)置于第一基板IOO上，并且 覆蓋鋁反射層126的上表面，以及透射區(qū)的鈍化層125，換言之，覆蓋整個(gè)透 射區(qū)和反射區(qū)。并且該彩膜層130具有平坦的上表面。
優(yōu)選的，該彩膜層130的厚度為凸塊120的高度的2倍，其形成方法與 公知技術(shù)的在陣列基板上形成彩膜層的方法相同(COA: color filter on array), 此處不作贅述。然后，在一個(gè)像素區(qū)域中的彩膜層一次形成R、 G、 B彩膜層。
S4:在彩膜層130的上表面形成下透明電極140。
如圖13a、 13b所示，具體的，該下透明電極140所采用的物質(zhì)為透明導(dǎo) 電物質(zhì)，如可以是氧化鋅、二氧化錫、氧化銦錫等，如本實(shí)施例中采用的是 氧化銦錫(ITO: Indium Tin Oxides )。
在完成以上步驟SI ~步驟S4后，完成的單盒間隙半透反型液晶顯示面板 的第一基板100后，將第二基板200與第一基板100相對(duì)放置(請(qǐng)參閱圖3 ), 再分別在該第一基板的上表面、第二基板的下表面涂敷配向膜(PI),在第一、 第二基板間具有單一的盒間隙，并且，在第一基板100的反射區(qū)具有平坦表
15面，故對(duì)之后的摩擦配向工藝方便配向，從而使得在第一、第二基板之間灌 注液晶分子之后，液晶分子具有良好的配向。又因彩膜層130與下透明電極
140均為透明物質(zhì)，所以反射光線反射至鋁反射層126后仍可以向各個(gè)方向反
射，并且與第一基板接觸的液晶分子也不會(huì)因?yàn)橥蛊鸷桶枷莸谋砻娑l(fā)生漏 光。
在以上步驟S10 步驟S40中，在凸塊中分別形成第一金屬層121、絕緣 層122、非晶硅層123以及第二金屬層124,在依次形成各該層的同時(shí)，該第 一金屬層121、絕緣層122、非晶硅層123以及第二金屬層124在下透明基板 110的透射區(qū)上依次形成薄膜晶體管的柵極、柵極絕緣層，溝道層以及薄膜晶 體管的源、漏極。因該部分的形成為公知的技術(shù)，故未作贅述。該凸塊的形 成與薄膜晶體管的形成可以在相同的工藝中同時(shí)完成，故對(duì)該單盒間隙半穿 反型液晶顯示面板的制造并未增加額外的工藝，具有簡(jiǎn)單的工藝流程。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例4皮露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何 熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上 述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或 修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，
均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示面板，包括相對(duì)放置的第一基板和第二基板，在所述第一基板和所述第二基板之間具有液晶層，所述第一基板具有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述第一基板的透射區(qū)具有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有第一金屬層形成的柵極，非晶硅形成的溝道層，第二金屬層形成的源極和漏極，以及位于柵極和溝道層之間的絕緣層和位于溝道層以及源極和漏極上表面的鈍化層，其特征在于，在所述第一基板朝向所述第二基板側(cè)的反射區(qū)具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊；在所述凸塊的朝向所述第二基板的表面、所述凸塊的側(cè)壁，以及所述凸塊的間隙處覆蓋有反射層；在所述反射層和透射區(qū)的朝向所述第二基板的表面覆蓋有彩膜層，所述彩膜層朝向所述第二基板的表面為平坦表面；所述彩膜層的朝向所述第二基板的表面覆蓋有下透明電極；所述下透明電極的朝向所述第二基板的表面覆蓋有液晶層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述凸塊的形狀 為楔形，其中楔形底面位于所述第一基板上，楔形頂端朝向所述第二基^1。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述楔形凸塊的 側(cè)面與底面的夾角為8。 ~12° 。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述凸塊包括層 疊的復(fù)數(shù)層子凸塊，其中靠近第一基板的子凸塊的平行于第一基板的截面面 積大于靠近第二基板的子凸塊的平行于所述第 一基板的截面面積。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述凸塊為疊層 結(jié)構(gòu)；所述疊層結(jié)構(gòu)包括從第 一基板向第二基板方向依次層疊的第 一金屬層， 覆蓋于所述第 一金屬層朝向第二基板表面以及所述第 一金屬層側(cè)壁的絕緣 層，覆蓋于所述絕緣層朝向第二基板表面的所述第一金屬層對(duì)應(yīng)位置的非晶 硅層，覆蓋于所述非晶硅層朝向第二基板表面的第二金屬層，覆蓋于所述第 二金屬層朝向第二基板表面、所述第二金屬層側(cè)壁及部分所述絕緣層上表面 的鈍化層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述凸塊的高度為彩膜層厚度的1/2。
7、 一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括步驟提供下透明基板，在所述下透明基板上表面的透射區(qū)和反射區(qū)分別同時(shí) 形成薄膜晶體管和復(fù)數(shù)個(gè)凸塊；形成反射層，所述反射層覆蓋所述凸塊的上表面、所述凸塊的側(cè)壁，以 及所述凸塊的間隙處；形成彩膜層，所述彩膜層覆蓋所述透射區(qū)和反射區(qū)，且所述彩膜層的上 表面為平坦表面；形成下透明電極，所述下透明電極覆蓋所述彩膜層的上表面；將第二基板在第一基板上方相對(duì)放置，并在所述第一基板和所述第二基 板之間填充液晶層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述 薄膜晶體管和所述凸塊的形成方法包括步驟形成第一金屬層，所述第一金屬層位于所述下透明基板上表面的反射區(qū) 和透射區(qū)，且所述第一金屬層為分立的結(jié)構(gòu)；形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋于所述第一金屬層上表面以及所述第 一金 屬層側(cè)壁；形成非晶硅層，所述非晶硅層覆蓋于所述絕緣層上表面的所述第一金屬 層對(duì)應(yīng)位置；形成第二金屬層，所述第二金屬層覆蓋于所述非晶硅層上表面；形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋于所述第二金屬層上表面、所述第二金屬 層側(cè)壁及部分所述絕緣層上表面。所述透射區(qū)的第一金屬層、絕緣層、非晶硅層和第二金屬層以及鈍化層 形成薄膜晶體管的柵極、柵極絕緣層、溝道層、源極和漏極以及覆蓋于薄膜 晶體管上的鈍化層；所述反射區(qū)的第一金屬層、絕緣層、非晶硅層和第二金屬層以及鈍化層形成凸塊的堆疊結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，包括相對(duì)放置的第一基板和第二基板，在所述第一基板和所述第二基板之間具有液晶層，所述第一基板具有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述第一基板朝向所述第二基板側(cè)的反射區(qū)具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊；在所述凸塊的朝向所述第二基板的表面、所述凸塊的側(cè)壁，以及所述凸塊的間隙處覆蓋有反射層；在所述反射層和透射區(qū)的朝向所述第二基板的表面覆蓋有彩膜層，所述彩膜層朝向所述第二基板的表面為平坦表面；所述彩膜層的朝向所述第二基板的表面覆蓋有下透明電極；所述下透明電極的朝向所述第二基板的表面覆蓋有液晶層，降低了在液晶顯示面板反射區(qū)進(jìn)行液晶分子配向的難度，提高了液晶顯示面板的質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101551535SQ20091013593
公開日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2009年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者廖家德, 鐘德鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:昆山龍騰光電有限公司