專利名稱：顯示裝置、發(fā)光元件的布置方法及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置、發(fā)光元件的布置方法及電子裝置，并具體涉及像 素以矩陣形式二維布置的平板型顯示裝置、在該顯示裝置中發(fā)光元件的布置 方法及具有該顯示裝置的電子裝置。
背景技術(shù)：
近來，在顯示圖像的顯示裝置的領(lǐng)域中，像素(像素電路)以矩陣形式 布置的平板型顯示裝置發(fā)展迅速。作為平板型顯示裝置之一，有一種采用電 流驅(qū)動型電光元件的顯示裝置，其發(fā)光亮度根據(jù)流過作為像素發(fā)光元件的裝
置的電流值而變化。作為電流驅(qū)動型電光元件，已知的有有機(jī)EL(電致發(fā) 光)元件，其利用當(dāng)給有機(jī)薄膜施加電場時發(fā)射光的現(xiàn)象。
采用有機(jī)EL元件作為像素的電光元件的有機(jī)EL顯示裝置具有如下特 征。有機(jī)EL元件可以通過施加10V或者更低的電壓來驅(qū)動，因此消耗的功 率低。因為有機(jī)EL元件為自發(fā)光元件，所以與通過控制來自光源的光在每 個像素的液晶中的強(qiáng)度而顯示圖像的液晶顯示裝置相比，有機(jī)EL顯示裝置 提供了高的圖像可見性，并且因為不需要諸如背光等的照明構(gòu)件而易于減少 重量和厚度。此外，因為有機(jī)EL元件具有很高的大約幾微秒(iLisec)的響 應(yīng)速度，所以在顯示運(yùn)動的圖像時不產(chǎn)生殘留影像。
與液晶顯示裝置相類似，有機(jī)EL顯示裝置可以釆用簡單(無源)矩陣 系統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)作為有機(jī)EL顯示裝置的驅(qū)動系統(tǒng)。然而，盡管具有簡 單的結(jié)構(gòu)，但是簡單矩陣型顯示裝置表現(xiàn)出例如難以獲得尺寸大且清晰度高 的顯示裝置的問題，這是因為掃描線數(shù)目(即像素數(shù)目)的增加減少了電光 元件的發(fā)光時間。
因此，近年來已經(jīng)積極地發(fā)展了有源矩陣型顯示裝置，其通過有源元件 控制流過電光元件的電流，該有源元件例如為設(shè)置在作為電光元件的相同像 素電路內(nèi)的絕緣柵場效應(yīng)晶體管。TFT (薄膜晶體管)通常用作絕緣柵場效 應(yīng)晶體管。有源矩陣型顯示裝置易于實現(xiàn)尺寸大且清晰度高的顯示裝置，因為在一幀的時間段內(nèi)電光元件持續(xù)發(fā)光。
通常已知的是有機(jī)EL元件的I-V特性(電流-電壓特性)隨著時間的流
逝而退化(所謂的經(jīng)久退化(secular degradation))。尤其是在采用N溝道型 TFT作為電流驅(qū)動有機(jī)EL元件的晶體管(在下文，該晶體管將描述為"驅(qū) 動晶體管")的像素電路中，當(dāng)有機(jī)EL元件的I-V特性隨著時間的流逝而退 化時，驅(qū)動晶體管的柵極到源極的電壓變化。結(jié)果，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮 度變化。這是由有機(jī)EL元件連接到驅(qū)動晶體管的源極側(cè)引起的。
這將在后面更詳細(xì)地描述。驅(qū)動晶體管的源極電勢由驅(qū)動晶體管和有機(jī) EL元件的運(yùn)行點(diǎn)決定。當(dāng)有機(jī)EL元件的I-V特性退化時，驅(qū)動晶體管和有 機(jī)EL元件的運(yùn)行點(diǎn)變化。因此，即使當(dāng)給驅(qū)動晶體管的柵極施加相同的電 壓時，驅(qū)動晶體管的源極電勢也變化。從而，驅(qū)動晶體管的柵極到源極的電 壓Vgs變化，并且因此流過驅(qū)動晶體管的電流值變化。結(jié)果，流過有機(jī)EL 元件的電流值也變化，從而有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度變化。
此外，在采用多晶硅TFT的像素電路中，除了有機(jī)EL元件在I-V特性 上的經(jīng)久退化外，驅(qū)動晶體管的晶體管特性也隨著時間的流逝而變化，并且 晶體管特性由于制造工藝中的變化而從像素到像素地變化。就是說，驅(qū)動晶 體管的晶體管特性在各像素之間變化。晶體管特性包括例如驅(qū)動晶體管的閾 值電壓Vth和形成驅(qū)動晶體管的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率(i (在下文，遷
移率(i將簡單地描述為驅(qū)動晶體管的遷移率P)。
當(dāng)驅(qū)動晶體管的晶體管特性在每個像素中不同時，則在每個像素中流過 驅(qū)動晶體管的電流值變化。因此，即使當(dāng)給各像素中的驅(qū)動晶體管的柵極施 加相同的電壓時，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度也在像素間變化。結(jié)果，削弱了 屏幕的均勻性。
因此，為了保持有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度恒定且不受有機(jī)EL元件的I-V 特性的經(jīng)久退化或者驅(qū)動晶體管的晶體管特性的經(jīng)久改變的影響，例如，像 素電路設(shè)置有各種矯正(補(bǔ)償)功能(例如，見日本專利特開No. 2006-133542)。
矯正功能包括例如補(bǔ)償有機(jī)EL元件的特性變化的功能、矯正驅(qū)動晶體 管的閾值電壓Vth變化的功能和矯正驅(qū)動晶體管的遷移率(i變化的功能。在 下文中，對驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth變化的矯正將稱為"閾值矯正"，對 驅(qū)動晶體管的遷移率p變化的矯正將稱為"遷移率矯正"。通過這樣給每個像素電路設(shè)置各種功能，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度可以
保持恒定且不受有機(jī)EL元件的I-V特性的經(jīng)久退化或者驅(qū)動晶體管的晶體 管特性的經(jīng)久改變的影響。因此可以改善有機(jī)EL顯示裝置的顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
形成像素電路的晶體管(該晶體管可以描述為"像素晶體管")例如為 驅(qū)動晶體管，其特性隨著應(yīng)力施加時間(也就是發(fā)光時間)的流逝而變化。 然后，面板電流值改變，具體地講是流過有機(jī)EL元件的電流值改變。結(jié)果， 有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度變化。圖21示出了相對于紅光有機(jī)EL元件的發(fā)光 時間,爻的與初始電流值的電流比。
在用于彩色顯示的顯示裝置中， 一個像素由三個子像素的單元形成，三 個子像素是發(fā)紅光(R)的子像素、發(fā)綠光(G)的子像素和發(fā)藍(lán)光(B)的 子像素。有機(jī)EL元件具有形成在基板上的裝置結(jié)構(gòu)，像素晶體管等形成在 基板上而平坦化膜插設(shè)在有機(jī)EL元件和基板之間(裝置結(jié)構(gòu)稍后將詳細(xì)描 述)。
在這樣的裝置結(jié)構(gòu)中，形成單元的紅綠藍(lán)(RGB)三個子像素布置為彼 此相鄰。因此，某種顏色的有機(jī)EL元件發(fā)射的光的一部分(所謂的泄漏光) 將照射相鄰的其它顏色像素的像素晶體管。所發(fā)射的紅綠藍(lán)光的各部分當(dāng) 中，藍(lán)光具有最高的能量。因此，主要是藍(lán)光對紅綠像素晶體管具有強(qiáng)的作 用。
因此，例如，當(dāng)紅色的相鄰像素的像素晶體管被藍(lán)色有機(jī)EL元件發(fā)射 的藍(lán)光的一部分照射時，紅色像素晶體管的特性改變要比紅色像素晶體管沒 有被照射時更大。由于像素晶體管的特性變化，如圖21所示，發(fā)紅光的有 機(jī)EL元件在藍(lán)光發(fā)射時的電流比低于不發(fā)藍(lán)光時的電流比。
盡管以上已描述了在發(fā)紅光的像素中由于來自B像素的泄漏光的影響 引起像素晶體管特性上的變化，但是對于發(fā)綠光的像素也是如此。像素B中 的像素晶體管也被像素B自身的有機(jī)EL元件發(fā)射的光照射。因此，像素晶 體管的特性上的改變在顏色之間變化。
因此，當(dāng)像素晶體管的特性由于來自相鄰像素的泄漏光的影響而改變并 且特性改變在顏色之間變化時，相對于發(fā)光時間的與初始電流值的電流比在 顏色之間變化。因此，出現(xiàn)取決于要顯示的圖像的白平衡(發(fā)射的紅綠藍(lán)光各部分間的平衡)被擾亂的問題。
附帶地，例如，采用使用了肋等的泄漏光防止結(jié)構(gòu)的方法可以避免相鄰 像素發(fā)射的光的影響。然而，泄漏光防止結(jié)構(gòu)的設(shè)置使裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。
因而，期望提供一種顯示裝置，該顯示裝置能夠減少因來自相鄰像素的 泄漏光的影響而導(dǎo)致的像素晶體管的特性改變在顏色之間變化，并期望提供 該顯示裝置中發(fā)光元件的布置方法以及采用該顯示裝置的電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種顯示裝置，其中包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光 元件的多個顏色的發(fā)光元件形成在基板上的每個像素中，在該基板上為每個 子像素形成晶體管，由多個顏色的子像素作為單元形成的多個像素以矩陣形 式布置，而且包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元 件的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系布置為使得對于各顏色包括藍(lán)光的各發(fā) 光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之間的距離彼 此相等。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種發(fā)光元件的布置方法，用于布 置顯示裝置中的發(fā)光元件，在該顯示裝置中包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的多個 顏色的發(fā)光元件形成在基板上的每個像素中，在該基板上為每個子像素形成 晶體管，由多個顏色的子像素作為單元形成的多個像素以矩陣形式布置，所
述方法包括如下步驟
布置包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件 的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系，使得對于各顏色包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的 子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之間的距離彼此相等。
根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例，提供了一種發(fā)光元件的布置方法，用于布 置顯示裝置中的發(fā)光元件，在該顯示裝置中包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的多個 顏色的發(fā)光元件形成在基板上的每個像素中，在該基板上為每個子像素形成 晶體管，并且由多個顏色的子像素作為單元形成的多個像素以矩陣形式布 置，所述方法包括如下步驟
布置包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件 的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系，使得藍(lán)光的一部分均等地照射其它發(fā)光顏 色的子像素的晶體管。
此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了具有顯示裝置的電子裝置，在該顯 示裝置中包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的多個顏色的發(fā)光元件形成在基板上的每個像素中，在該基板上為每個子像素形成晶體管，由多個顏色的子像素作 為單元形成的多個像素以矩陣形式布置，
其中包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件 的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系布置為使得對于各顏色包括藍(lán)光的各發(fā)光 顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之間的距離彼此 相等。
根據(jù)本發(fā)明，可以減少像素晶體管的特性改變因來自相鄰像素的泄漏光 的作用而在顏色之間變化。因此，可以不依賴于要顯示的圖像而保持白平衡， 從而可以獲得顯示質(zhì)量優(yōu)良的顯示圖像。


圖1是示出應(yīng)用本發(fā)明實施例的有機(jī)EL顯示裝置的構(gòu)造的概略的系統(tǒng) 構(gòu)造示意圖2是示出像素的電路構(gòu)造示例的電路圖3是輔助說明根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示裝置的電路運(yùn)行的時間 波形圖，在根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示裝置中像素具有作為基本構(gòu)造的 2Tr電^各構(gòu)造；
圖4A、 4B、 4C和4D是輔助說明根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示裝置 的電路運(yùn)行的示意圖(1);
圖5A、 5B、 5C和5D是輔助說明根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示裝置 的電路運(yùn)行的示意圖(2);
圖6是輔助說明由驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth變化引起的問題的特性示 意圖7是輔助說明由驅(qū)動晶體管的遷移率p變化引起的問題的特性示意
圖8A、 8B和8C是輔助說明取決于是否執(zhí)行閾值矯正和遷移率矯正的 視頻信號的信號電壓Vsig與驅(qū)動晶體管的漏極到源極電流Ids之間關(guān)系的特 性示意圖9是像素的基本截面結(jié)構(gòu)的截面圖IO是示出某種顏色的有機(jī)EL元件發(fā)射的光的一部分影響相鄰的其它 顏色的像素晶體管的情況的示意圖；圖11是概念性示出根據(jù)第一實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖12是概念性示出根據(jù)第二實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖13是概念性示出根據(jù)第三實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖14是概念性示出根據(jù)第四實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖15是示出具有另 一構(gòu)造的像素的電路構(gòu)造示例的電路圖； 圖16是應(yīng)用本發(fā)明實施例的電視機(jī)的外觀的立體圖； 圖17A和17B是應(yīng)用本發(fā)明實施例的數(shù)碼相機(jī)的外觀的立體圖，圖17A 為數(shù)碼相機(jī)從前側(cè)看的立體圖，而圖17B為數(shù)碼相機(jī)從后側(cè)看的立體圖； 圖18是應(yīng)用本發(fā)明實施例的筆記本個人電腦的外觀的立體圖； 圖19是應(yīng)用本發(fā)明實施例的攝像機(jī)的外觀的立體圖； 圖20A、 20B、 20C、 20D、 20E、 20F和20G是示出應(yīng)用本發(fā)明實施例 的便攜式電話的外觀的示意圖，圖20A為便攜式電話在打開狀態(tài)下的主視 圖，圖20B為便攜式電話在打開狀態(tài)下的側(cè)視圖，圖20C為便攜式電話在 閉合狀態(tài)下的主視圖，圖20D為左視圖，圖20E為右視圖，圖20F為俯視 圖，而圖20G為仰一見圖；以及
圖21是示出相對于紅光有機(jī)EL元件發(fā)光時間段的與初始電流的電流比 的示意圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1是示出應(yīng)用本發(fā)明實施例的有源矩陣型顯示裝置的整體構(gòu)造的系統(tǒng) 構(gòu)造示意圖。通過將采用電流驅(qū)動型電光元件的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝 置作為示例來進(jìn)行下面的描述，該電流驅(qū)動型電光元件的發(fā)光亮度根據(jù)流過 裝置(例如作為像素(像素電路)發(fā)光元件的有機(jī)EL元件)的電流值而變 化。
如圖1所示，根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示裝置IO具有包括發(fā)光元 件的多個像素20、像素20以矩陣形式二維布置的像素陣列部分30和布置在 像素陣列部分30的周圍的驅(qū)動部分。驅(qū)動部分驅(qū)動像素陣列部分30的每個 像素20。驅(qū)動部分包括例如寫入掃描電路40、電源掃描電路50和信號輸出 電路60。在此情況下，有機(jī)EL顯示裝置IO能夠彩色顯示。 一個像素形成有作為 單元的多個子像素，并且各子像素對應(yīng)于像素20。更具體地講，在彩色顯示 的顯示裝置中，如上所述， 一個像素形成有作為單元的三個子像素，該三個 子像素是發(fā)紅光的子像素、發(fā)綠光的子像素和發(fā)藍(lán)光的子像素。
然而， 一個像素不限于RGB三基色的子像素的組合，而是一個像素可 以通過給三基色的子像素進(jìn)一步增加一個顏色的子像素或者多個顏色的子 像素而形成。更具體地講，例如， 一個像素可以通過增加發(fā)白光(W)的子 像素而形成以改善亮度，或者一個像素可以通過增加至少一個發(fā)互補(bǔ)色的光 的子像素而形成以擴(kuò)大顏色再現(xiàn)范圍。
像素陣列部分30具有在m行和n列的像素20的布置中沿著行方向(像 素行的像素的布置方向)為每個像素行布置的掃描線31-1至31-m和電源線 32-1至32-m。此外，沿著列方向(像素列的像素的布置方向)為每個像素 列布置信號線33-l至33-n。
掃描線31-1至31-m分別連接到寫入掃描電路40的對應(yīng)行的輸出端。 電源線32-1至32-m分別連接到電源掃描電路50的對應(yīng)行的輸出端。信號 線33-1至33-n分別連接到信號輸出電路60的對應(yīng)列的輸出端。
像素陣列部分30通常形成在諸如玻璃基板等的透明絕緣基板上。有機(jī) EL顯示裝置10因此具有平面型(平板型)面板結(jié)構(gòu)。像素陣列部分30中 的每個像素20的驅(qū)動電路可以采用非晶硅TFT或者低溫多晶硅TFT形成。 當(dāng)采用低溫多晶硅TFT時，寫入掃描電路40、電源掃描電路50和信號輸出 電路60也可以安裝在形成有像素陣列部分30的顯示面板(基板)70上。
寫入掃描電路40由移位寄存器形成，移位寄存器與時鐘脈沖ck等同步 地依次移動(轉(zhuǎn)移)開始脈沖sp。在給像素陣列部分30的像素20寫入視頻 信號時，寫入掃描電路40依次給掃描線31-1至31-m提供寫入掃描信號WS (WS1至WSm )，并且由此在行單元中順序掃描(逐行掃描(line-sequential scanning ))像素陣列30的像素20。
電源掃描電路50由移位寄存器形成，移位寄存器與時鐘脈沖ck等同步 地依次移動(轉(zhuǎn)移)開始脈沖sp。電源掃描電路50與寫入掃描電路40的逐 行掃描同步地給電源線32-1至32-m提供電源電勢DS (DS1至DSm),電 源電勢DS (DSl至DSm)在第一電源電勢Vccp和低于第一電源電勢Vccp 的第二電源電勢Vini之間變化。通過將電源信號DS改變到Vccp/Vini來控制像素20的發(fā)光/不發(fā)光。
信號輸出電路60適當(dāng)?shù)剡x擇并輸出與從信號供應(yīng)源(未示出)提供亮 度信息對應(yīng)的視頻信號的一個信號電壓Vsig (下面信號電壓Vsig可以簡單 地描述為"信號電壓")和參考電勢Vofs。從信號輸出電路60輸出的信號電 壓Vsig或者參考電壓Vofs經(jīng)由信號線33-1至33-n寫入到像素陣列部分30 在行單元中的像素20。就是說，信號輸出電路60采用信號電壓Vsig在行(線) 單元中被寫入的逐行寫入驅(qū)動模式。 (像素電路)
圖2是示出像素(像素電路)20的電路構(gòu)造示例的電路圖。
如圖2所示，像素20由電流驅(qū)動型電光元件和驅(qū)動有機(jī)EL元件21的 驅(qū)動電路形成，電流驅(qū)動型電光元件的發(fā)光亮度才艮據(jù)流過例如有機(jī)EL元件 21的裝置的電流值而變化。有機(jī)EL元件21具有連接到公共電源線34的陰 ;波電^1, />共電源線34^^共地配線至所有的#>素20 (所謂的固態(tài)配線)。
驅(qū)動有機(jī)EL元件21的驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、 存儲電容器24和輔助電容25。在此情況下，N溝道型TFT用作驅(qū)動晶體管 22和寫入晶體管23。然而，驅(qū)動晶體管22的導(dǎo)電類型和寫入晶體管23的 導(dǎo)電類型的組合僅為示例，本發(fā)明不限于上述組合。
附帶地，當(dāng)N溝道型TFT用作驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23時，可 以采用非晶硅(a-Si)工藝。采用a-Si工藝可以減少制造有TFT的基板的成 本，繼而減少有機(jī)EL顯示裝置10的成本。另外，當(dāng)驅(qū)動晶體管22和寫入 晶體管23為相同的導(dǎo)電類型時，晶體管22和23可以通過相同的工藝制造， 因此有助于成本的下降。
驅(qū)動晶體管22具有連接到有機(jī)EL元件21的陽極電極的一個電極(源 極/漏極電極)，并且具有連接到電源線32 (電源線32-1至32-m)的另一個 電極(漏極/源極電極)。
寫入晶體管23具有連接到信號線33 (信號線33-1至33-n)的一個電極 (源極/漏極電極)，并且具有連接到驅(qū)動晶體管22的柵極電極的另一個電極 (漏極/源極電極)。寫入晶體管23的柵極電極連接到掃描線31(掃描線31-1 至31-m)。
在驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23中， 一個電極是指電連接到源極/漏極 區(qū)域的金屬配線，而另一個電極是指電連接到漏極/源極區(qū)域的金屬配線。根據(jù)一個電極與另 一個電極之間的電勢關(guān)系，該一個電極為源極電極或者漏極 電極，而該另 一個電極為漏極電極或者源極電極。
存儲電容器24具有連接到驅(qū)動晶體管22的柵極電極的一個電極，并且 具有連接到驅(qū)動晶體管22的另 一個電極和有機(jī)EL元件21的陽極電極的另 一個電極。
輔助電容25具有連接到有機(jī)EL元件21的陽極電極的一個電極，并且 具有連接到公共電源線34的另一個電極。輔助電容25才艮據(jù)需要提供，以便 提供有機(jī)EL元件21缺少的電容并增加給存儲電容器24寫入^L頻信號時的 增益(gain)。就是說，輔助電容25不是必需的構(gòu)成元件，并且當(dāng)有機(jī)EL 元件21的等效電容足夠大時可以省略。
盡管輔助電容25的另一個電極在此情況下連接到公共電源線34，但是 輔助電容25的另一個電極連接到的部分不限于公共電源線34,只要輔助電 容25的另一個電極連接到的部分為固定電勢的節(jié)點(diǎn)就足夠了。將輔助電容 25的另一個電極連接到固定電勢可以實現(xiàn)提供有機(jī)EL元件21缺少的電容 并增加給存儲電容器24寫入^L頻信號時的增益的預(yù)定目標(biāo)。
在上述構(gòu)造的像素20中，寫入晶體管23通過響應(yīng)High-active寫入掃描 信號WS而設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)，高有源寫入掃描信號WS經(jīng)由掃描線31從寫 入掃描電路40施加給寫入晶體管23的柵極電極。因此，寫入晶體管23對 視頻信號的與亮度信息對應(yīng)的信號電壓Vsig或者參考電勢Vofs進(jìn)行采樣并 且將信號電壓Vsig或者參考電勢Vofs寫入像素20,信號電壓Vsig或者參 考電勢Vofs經(jīng)由信號線33從信號輸出電路60提供。寫入的信號電壓Vsig 或者寫入的參考電勢Vofs被施加給驅(qū)動晶體管22的柵極電極，并且同時由 存儲電容器24保持。
當(dāng)電源線32 (電源線32-1至32-m)的電勢DS為第一電源電勢Vccp 時，驅(qū)動晶體管22工作在飽和區(qū)并且一個電極用作漏極電極而另一個電極 用作源極電極。因此，驅(qū)動晶體管22提供有來自電源線32的電流，并且通 過電流驅(qū)動來驅(qū)動有機(jī)EL元件21發(fā)光。更具體地講，驅(qū)動晶體管22工作 在飽和區(qū)，并且因此給有機(jī)EL元件21提供電流值與存儲電容器24保存的 信號電壓Vsig的電壓值對應(yīng)的驅(qū)動電流，乂人而通過電流驅(qū)動有才幾EL元件 21而使有機(jī)EL元件21發(fā)光。
此外，當(dāng)電源電勢DS從第 一 電源電勢Vccp變化到第二電源電勢Vini時，驅(qū)動晶體管22運(yùn)行為開關(guān)晶體管并且一個電極用作源極電極而另一個
電極用作漏極電極。驅(qū)動晶體管22因此停止給有機(jī)EL元件21提供驅(qū)動電 流，以將有機(jī)EL元件21設(shè)定在不發(fā)光的狀態(tài)。就是說，驅(qū)動晶體管22也 具有控制有機(jī)EL元件21發(fā)光/不發(fā)光的晶體管的功能。
通過驅(qū)動晶體管22的轉(zhuǎn)換操作而設(shè)置有機(jī)EL元件21處于不發(fā)光狀態(tài) 的時間段(不發(fā)光時間段)，以控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光時間段和不發(fā)光 時間段之間的比率(占空比)。該占空比控制可以減少一幀時間段內(nèi)與像素 發(fā)光有關(guān)的殘留影像模糊，并因此尤其對運(yùn)動的圖像將獲得更加優(yōu)良的圖像
質(zhì)f 。
在此情況下，經(jīng)由信號線33從信號輸出電路60選擇性提供的參考電勢 Vofs是用作視頻信號的與亮度信息對應(yīng)的信號電壓Vsig的參考的電勢(例 如，與視頻信號的黑色電平對應(yīng)的電勢)。
對于經(jīng)由電源線32從電源掃描電路50選擇性提供的第 一電源電勢Vccp 和第二電源電勢Vini，第一電源電勢Vccp是用于給驅(qū)動晶體管22提供驅(qū)動 有機(jī)EL元件21發(fā)光的驅(qū)動電流的電源電勢，第二電源電勢Vini是用于向 有機(jī)EL元件21施加反向偏置的電源電勢。第二電源電勢Vini設(shè)定為低于 參考電勢Vofs，或者例如卩吏得Vth為驅(qū)動晶體管22的闊值電壓，第二電源 電勢Vini設(shè)定為低于Vofs - Vth并優(yōu)選設(shè)定為充分地低于Vofs - Vth。
由上述可見，根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示裝置10中的像素20具有 作為基本構(gòu)造的包括兩個晶體管的電路構(gòu)造，兩個晶體管為驅(qū)動晶體管22 和寫入晶體管23。然而，像素20的基本構(gòu)造不限于包括兩個晶體管的2Tr 電路構(gòu)造。
(有機(jī)EL顯示裝置的電路運(yùn)行)
接下來，將在圖3的時間波形圖的基礎(chǔ)上參考圖4A、 4B、 4C和4D以 及圖5A、 5B、 5C和5D的運(yùn)行說明圖來描述由以矩陣形式二維布置的上述 構(gòu)造的像素20形成的有機(jī)EL顯示裝置10的電路運(yùn)行。附帶地，在圖4A 至4D和圖5A至5D的運(yùn)行說明圖中，寫入晶體管23用開關(guān)的符號表示， 以簡化附圖。
圖3的時間波形圖示出了掃描線31 (31-l至31-m)的電勢(寫入掃描 信號)WS的變化、電源線32 (32-1至32-m)的電勢(電源線電勢)DS的 變化以及驅(qū)動晶體管22的柵極電勢Vg和源極電勢Vs的變化。另外，柵極電勢Vg的波形由長短交替的虛線表示，而源極電勢VS的波形由點(diǎn)線表示，
乂人而兩個波形可以;波此區(qū)分開。
<前幀的發(fā)光時間段>
在圖3的時間波形圖中時間tl之前的時間段是有機(jī)EL元件21在前幀 (域)中的發(fā)光時間段。在前幀的發(fā)光時間段中，電源線32的電勢DS為第 一電源電勢(在下文中描述為"高電勢")Vccp,而寫入晶體管23處于不導(dǎo) 通的狀態(tài)。
此時驅(qū)動晶體管22設(shè)計為在飽和區(qū)中運(yùn)行。因此，如圖4A所示，與驅(qū) 動晶體管22的柵極到源極的電壓Vgs對應(yīng)的驅(qū)動電流(漏極到源極的電流) Ids從電源線32經(jīng)由驅(qū)動晶體管22提供給有機(jī)EL元件21 。由此有機(jī)EL元 件21以與驅(qū)動電流Ids的電流值對應(yīng)的亮度發(fā)光。
<閾值矯正準(zhǔn)備時間段>
逐行掃描的新幀(當(dāng)前幀)在時間tl開始。如圖4B所示，電源線32 的電勢DS從高電勢Vccp改變到第二電源電勢(在下文中稱為"低電勢") Vini,該低電勢Vini相對于信號線33的參考電勢Vofs而言充分地低于Vofs —Vth。
使Vthel為有機(jī)EL元件21的閾值電壓，并使Vcath為公共電源線34 的電勢(陰極電勢)。此時，當(dāng)?shù)碗妱軻ini設(shè)定為Vini < Vthel + Vcath時， 驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs變?yōu)榛旧系扔诘碗妱軻ini，因此有機(jī)EL元 件21設(shè)定為反偏壓狀態(tài)并熄滅。
接下來，在時間t2，掃描線31的電勢WS從低電勢側(cè)轉(zhuǎn)換到高電勢側(cè)， 由此晶體管23設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)，如圖4C所示。此時，因為從信號輸出電路 60給信號線33提供參考電勢Vofs，所以驅(qū)動晶體管22的柵極電勢Vg變?yōu)?參考電勢Vofs。驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs為電勢Vini,其充分地低于參 考電勢Vofs。
此時，驅(qū)動晶體管22的柵極到源極的電壓Vgs為Vofs-Vini。除非Vofs -Vini大于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth,否則不能執(zhí)行稍后描述的閾值矯 正過程。因此，需要設(shè)定Vofs-Vini〉 Vth的電勢關(guān)系。
通過固定(確定)驅(qū)動晶體管22的柵極電勢Vg到參考電勢Vofs以及 驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs到低電勢Vini而初始化驅(qū)動晶體管22的柵極 電勢Vg和源極電勢Vs的過程是在執(zhí)行稍后描述的閾值矯正過程之前的準(zhǔn)備(閾值矯正準(zhǔn)備)過程。因此，參考電勢Vofs和低電勢Vini分別為驅(qū)動 晶體管22的柵極電勢Vg和源極電勢Vs的初始化電勢。 <閾值矯正時間段>
接下來，如圖4D所示，當(dāng)在時間t3電源線32的電勢DS從低電勢Vini 改變到高電勢Vccp時，在驅(qū)動晶體管22的柵極電勢Vg被保持的狀態(tài)下開 始閾值矯正過程。就是說，驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs開始朝著從柵極電 勢Vg減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth而獲得的電勢升高。
在此情況下，為了方便起見，以驅(qū)動晶體管22的柵極電極的初始化電 勢Vofs作為參考，朝著從初始化電勢Vofs減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓 Vth獲得的電勢而改變源極電勢Vs的過程稱為閾值矯正過程。隨著閾值矯 正過程的進(jìn)行，驅(qū)動晶體管22的柵極到源極電壓Vgs最終接近驅(qū)動晶體管 22的閾值電壓Vth。存儲電容24保持與閾值電壓Vth對應(yīng)的電壓。
附帶地，假設(shè)在執(zhí)行閾值矯正過程的時間段(閾值矯正時間段)中，為 了使電流僅流到存儲電容器24側(cè)而不流到有機(jī)EL元件21側(cè)，則公共電源 線34的電勢Vcath設(shè)定為使得有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)。
接下來，在時間t4,掃描線31的電勢WS轉(zhuǎn)變到低電勢側(cè)，由此寫入 晶體管23設(shè)定在圖5A所示的不導(dǎo)通狀態(tài)。此時，驅(qū)動晶體管22的柵極電 極與信號線33電斷開，并且由此而設(shè)定在浮置狀態(tài)。然而，因為驅(qū)動晶體 管22的柵極到源極電壓Vgs等于閾值電壓Vth,所以驅(qū)動晶體管22處于截 止?fàn)顟B(tài)。因此，漏極到源極電流Ids不流過驅(qū)動晶體管22。
<信號寫入和遷移率矯正時間段>
接下來，在時間t5,如圖5B所示，信號線33的電勢從參考電勢Vofs 改變到視頻信號的信號電壓Vsig。然后，在時間t6，掃描線31的電勢WS 轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妱輦?cè)。因此，如圖5C所示，寫入晶體管23設(shè)定在導(dǎo)通狀態(tài)，以 對視頻信號的信號電壓Vsig進(jìn)行采樣并將信號電壓Vsig寫入像素20。
由于通過寫入晶體管23寫入了信號電壓Vsig,驅(qū)動晶體管22的柵極電 勢Vg變?yōu)樾盘栯妷篤sig。在視頻信號的信號電壓Vsig驅(qū)動驅(qū)動晶體管22
壓Vth的電壓抵消。稍后將描述該閾值電壓抵消原理的細(xì)節(jié)。
此時，有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻抗?fàn)顟B(tài))。因此，根據(jù)視頻 信號的信號電壓Vsig從電源線32流到驅(qū)動晶體管22的電流(漏極到源極電流Ids )流入了輔助電容25。因此，開始輔助電容25的充電。
隨著時間的流逝輔助電容25的充電增加了驅(qū)動晶體管22的源極電勢 Vs。此時，每個像素中驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth變化已經(jīng)抵消，驅(qū)動 晶體管22的漏極到源極電流Ids取決于驅(qū)動晶體管22的的遷移率(i。
假設(shè)在此情況下，存儲電容器24保持的柵極到源極電壓Vgs與視頻信 號的信號電壓Vsig的比率，即寫入增益為1 (理想值)。然后，驅(qū)動晶體管 22的源極電勢Vs升高到電勢Vofs-Vth + AV，由此驅(qū)動晶體管22的柵極到 源極電壓Vgs為Vsig — Vofs + Vth — AV。
就是說，驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs的升高AV從存儲電容器24保 持的電壓(Vsig-Vofs +Vth)中減去，或者換言之，驅(qū)動晶體管22的源極 電勢Vs的升高AV使存儲在存儲電容器24中的電荷放出，從而施加了負(fù)反 饋。因此，源極電勢Vs上的升高AV是負(fù)反饋的反饋量。
以與流過驅(qū)動晶體管22的漏極到源極電流Ids對應(yīng)的反饋量AV給柵極 到源極電壓Vgs施加負(fù)反饋可以抵消驅(qū)動晶體管22的漏極到源極電流Ids 對遷移率p的依賴。該抵消過程是矯正每個像素中驅(qū)動晶體管22的遷移率}i 變化的遷移率矯正過程。
更具體地講，寫入驅(qū)動晶體管22的柵極電極的視頻信號的信號振幅Vin (=Vsig - Vofs )越高，漏極到源極電流Ids越大，從而負(fù)反饋的反饋量AV 的絕對值越大。因此，根據(jù)發(fā)光亮度水平來執(zhí)行遷移率矯正過程。
另外，當(dāng)固定^L頻信號的信號振幅Vin時，驅(qū)動晶體管22的遷移率p 越高，負(fù)反饋的反饋量AV的絕對值越大，從而可以消除每個像素中的遷移 率p變化。因此，負(fù)反饋的反饋量AV也可以說成遷移率矯正的矯正量。稍 后將描述遷移率矯正原理的細(xì)節(jié)。
<發(fā)光時間段>
接下來，在時間t7，使得掃描線31的電勢WS轉(zhuǎn)變到低電勢側(cè)，由此 寫入晶體管23設(shè)定在如圖5D所示的不導(dǎo)通狀態(tài)。因此，驅(qū)動晶體管22的 柵極電極與信號線33電斷開，并且因此而設(shè)定在浮置狀態(tài)。
當(dāng)驅(qū)動晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)時，驅(qū)動晶體管22的柵極電 勢Vg以與驅(qū)動晶體管22的源才及電勢Vs的變化4關(guān)動(interlock)的方式變 化，這是因為存儲電容器24連接在驅(qū)動晶體管22的柵極和源極之間。驅(qū)動 晶體管22的柵極電勢Vg以與驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs的變化聯(lián)動的方式而變4b的運(yùn)4亍是存^渚電容器24的自持運(yùn)4亍(bootstrap operation )。
驅(qū)動晶體管22的柵極電極設(shè)定在浮置狀態(tài)，同時驅(qū)動晶體管22的漏極 到源極電流Ids開始流到有機(jī)EL元件21 。因此，有機(jī)EL元件21的陽極電 勢根據(jù)電流Ids而升高。
當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽極電勢超過Vthel + Vcath時，驅(qū)動電流開始流 過有機(jī)EL元件21,因此有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。有機(jī)EL元件21的陽 極電勢的升高正是驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs的升高。當(dāng)驅(qū)動晶體管22 的源極電勢Vs升高時，驅(qū)動晶體管22的柵極電勢Vg也通過存儲電容器24 的自持運(yùn)行以聯(lián)動的方式升高。
此時，假設(shè)自持增益為1 (理想值)，則柵極電勢Vg的升高量等于源極 電勢Vs的升高量。因此，驅(qū)動晶體管22的柵極到源極電壓Vgs在發(fā)光時間 段內(nèi)保持在固定水平Vsig-Vofs +Vth-AV。然后，在時間t8,信號線33 的電勢從^L頻信號的信號電壓Vsig改變到參考電勢Vofs。
在上述系列的電路運(yùn)行中，閾值矯正準(zhǔn)備、閾值矯正、信號電壓Vsig 寫入(信號寫入)和遷移率矯正的各個運(yùn)行過程在一個水平掃描時間段(1H) 中執(zhí)行。在從時間t6到時間t7的時間段中，信號寫入和遷移率矯正的各運(yùn) 行過程4皮此并4亍地4丸行。 (閾值矯正的原理)
下面，將描述驅(qū)動晶體管22的閾值抵消(即閾值矯正)的原理。驅(qū)動 晶體管22設(shè)計為在飽和區(qū)運(yùn)行，從而運(yùn)行為電流恒定源。因此，由下面的 公式(1)給出的恒定的漏極到源極電流(驅(qū)動電流)Ids從驅(qū)動晶體管22 提供給有機(jī)EL元件21。
Ids = ( 1/2 )卞(W/L ) Cox ( Vgs - Vth) 2 ... ( 1 )
其中W是驅(qū)動晶體管22的溝道寬度，L是驅(qū)動晶體管22的溝道長度，而 Cox是每單位面積的柵極電容。
圖6示出了驅(qū)動晶體管22的漏才及到源才及電流Ids相對于驅(qū)動晶體管22 的柵極到源極電壓Vgs的特性。
如該特性示意圖所示，沒有抵消每個像素中驅(qū)動晶體管22的閾值電壓 Vth變化的過程，當(dāng)閾值電壓Vth為Vthl時，與^^及到源極電壓Vgs對應(yīng) 的漏才及到源4及電流Ids為Ids 1 。
另一方面，當(dāng)閾值電壓Vth為Vth2 (Vth2 > Vthl)時，與相同的柵極到源極電壓Vgs對應(yīng)的漏極到源極電流Ids為Ids2 (Ids2 < Idsl )。就是說， 當(dāng)驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth變化時，即使柵極到源極電壓Vgs不變， 漏極到源極電流Ids也變化。
另一方面，在上述構(gòu)造的像素(像素電路)20中，如上所述發(fā)光時驅(qū)動 晶體管22的柵極到源極電壓Vgs為Vsig - Vofs + Vth - AV。因此，當(dāng)將其 代入公式(1)時，漏極到源極電流Ids由下面的公式(2)表示。 Ids = ( 1/2 ) ( W/L ) Cox ( Vsig - Vofs - AV) 2 ... ( 2 ) 就是說，抵消了驅(qū)動晶體管22的闊值電壓Vth項，因此從驅(qū)動晶體管 22給有機(jī)EL元件21提供的漏極到源極電流Ids不取決于驅(qū)動晶體管22的 閾值電壓Vth。結(jié)果，即使驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth因驅(qū)動晶體管22 的制造工藝變化或者因驅(qū)動晶體管22的經(jīng)久改變而在每個像素中變化，漏 極到源極電流Ids也不變化。因此，有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度可以保持不 變
(遷移率矯正的原理)
接下來，將描述驅(qū)動晶體管22的遷移率矯正的原理。圖7示出了對像 素A和像素B進(jìn)行比較的特性曲線，其中像素A的驅(qū)動晶體管22具有相對 高遷移率)i,像素B的驅(qū)動晶體管22具有相對低遷移率p。當(dāng)驅(qū)動晶體管 22由多晶硅薄膜晶體管等形成時，遷移率p將不可避免地在諸如像素A和 像素B的像素之間變化。
將考慮這樣的情況，例如，像素A和像素B都具有以相同水平寫入驅(qū) 動晶體管22的柵極電極的信號振幅Vin ( = Vsig - Vofs ),而遷移率p在像素 A和像素B之間變化。在此情況下，當(dāng)沒有進(jìn)行遷移率p矯正時，在流動于 高遷移率p的像素A中的漏極到源極電流Idsl，和流動于低遷移率|i的像素 B中的漏極到源極電流Ids2，之間產(chǎn)生大的差異。因此，由于每個像素的遷移 率p變化而在像素之間產(chǎn)生的漏極到源極電流Ids的大的差異將削弱屏幕的 均勻性。
正如從作為晶體管特性公式的上述公式(1 )所清楚看到的，當(dāng)遷移率p 高時，漏極到源極電流Ids增加。因此，遷移率p越高，負(fù)反饋的反饋量AV 越大。如圖7所示，高遷移率p的像素A的反饋量AV1大于低遷移率ii的 像素B的反饋量AV2。
因此，遷移率^喬正過程以與驅(qū)動晶體管22的漏極到源極電流Ids對應(yīng)的反饋量AV來給4冊極到源極電壓VgS施加負(fù)反^t貴。因此，當(dāng)遷移率(I增加時 將施加更大的負(fù)反饋量。因此，可以抑制每個像素中遷移率p的變化。
具體地講，當(dāng)高遷移率(i的像素A中施加反饋量AV1的矯正時，漏極 到源極電流Ids從Idsl，顯著地降低到Idsl。另一方面，因為低遷移率p的像 素B的反饋量AV2小，所以漏極到源極電流Ids從Ids2，降到Ids2,且下降 不顯著。從而，像素A的漏極到源極電流Idsl和像素B的漏極到源極電流 Ids2變得基本上彼此相等。因此矯正了各像素中遷移率p的變化。
綜上所述，當(dāng)存在遷移率p不同的像素A和像素B時，高遷移率(a的 像素A的反饋量AV1大于低遷移率p的像素B的反饋量AV2。就是說，像 素的遷移率p越大，反饋量AV越大，漏極到源極電流Ids的減少量越大。
因此，通過以對應(yīng)于驅(qū)動晶體管22的漏極到源極電流Ids的反饋量AV 給柵極到源極電壓Vgs施加負(fù)反饋，均勻化了不同遷移率p的像素中的漏極 到源極電流Ids的電流值。因此，可以矯正每個像素中遷移率p的變化。就 是說，以對應(yīng)于流過驅(qū)動晶體管22的電流(漏極到源極電流Ids)的反饋量 AV給柵極到源極電壓Vgs施加負(fù)反饋的過程是遷移率矯正過程。
下面，將參考圖8A、 8B和8C描述在圖2所示的像素(像素電路)中 取決于是否執(zhí)行閾值矯正和遷移率矯正的視頻信號的信號電壓Vsig和驅(qū)動 晶體管22的漏極到源極電流Ids之間的關(guān)系。
圖8A表示既沒有執(zhí)行閾值矯正也沒有執(zhí)行遷移率矯正的情況；圖8B 表示沒有執(zhí)行遷移率矯正而僅執(zhí)行了閾值矯正的情況；而圖8C表示執(zhí)行了 閾值矯正和遷移率矯正的情況。如圖8A所示，當(dāng)既沒有執(zhí)行閾值矯正也沒 有執(zhí)行遷移率矯正時，像素A和像素B的閾值電壓Vth變化和遷移率n變 化使得像素A和像素B之間的漏極到源極電流Ids具有大的差異。
另一方面，當(dāng)僅執(zhí)行閾值矯正時，如圖8B所示，漏極到源極電流Ids 的變化可以減少到一定程度，但是因像素A和像素B中的遷移率)i變化像 素A和像素B之間漏極到源極電流Ids的差異仍然存在。通過執(zhí)行閾值矯正 和遷移率矯正，如圖8C所示，可以基本上消除因像素A和像素B中的閾值 電壓Vth變化和遷移率[i變化引起的像素A和像素B之間漏極到源極電流 Ids的不同。因此，在任何灰度有機(jī)EL元件21的亮度都不產(chǎn)生變化，從而 可以獲得質(zhì)量優(yōu)良的顯示圖像。
另外，圖2所示的像素20除了閾值矯正和遷移率矯正的各矯正功能外，
19可以通過具有如上所述的存儲電容24的自持運(yùn)行的功能而提供下面的作用 和效果。
即使在驅(qū)動晶體管22的源極電勢Vs隨著有機(jī)EL元件21的I-V特性的 經(jīng)久改變而變化時，驅(qū)動晶體管22的柵極到源極電壓Vgs也可以通過存儲 電容器24的自持運(yùn)行而保持不變。因此，流過有才幾EL元件21的電流不變 且恒定。結(jié)果，有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度也保持不變。因此，即使發(fā)生有 機(jī)EL元件21的I-V特性的經(jīng)久改變時，也可以獲得不具有伴隨著有機(jī)EL 元件21的I-V特性的經(jīng)久改變的亮度退化的圖像顯示。 (像素的基本截面結(jié)構(gòu))
下面，將描述像素(子像素)20的基本截面結(jié)構(gòu)。圖9是像素20的基 本截面結(jié)構(gòu)的截面圖。
如圖9所示，包括諸如驅(qū)動晶體管22等的像素晶體管220的驅(qū)動電路 形成在玻璃基板201上。在此情況下，驅(qū)動電路的構(gòu)成元件中，只有驅(qū)動晶 體管22示于圖中，而省略了其它的構(gòu)成元件。各段配線203形成在形成有 驅(qū)動電路的玻璃基板201上，絕緣膜202插設(shè)在玻璃基板201和配線203之 間，平坦化膜(樹脂膜)204形成在配線203上。由金屬等制造的陽極電極 205形成在平坦化膜204上。陽極電極205與配線203的預(yù)定段進(jìn)行接觸。
窗口絕緣膜206形成在陽極電極205上。紅綠藍(lán)的有機(jī)EL元件21R、 21G和21B設(shè)置在窗口絕緣膜206的凹槽部分206A中。因此，設(shè)置有有機(jī) EL元件21R、 21G和21B的凹槽部分206A的開口成為窗口，各顏色的光經(jīng) 由窗口發(fā)射。就是說，窗口絕緣膜206的窗口也可以說成有機(jī)EL元件21R、 21G和21B的發(fā)光部分。由透明導(dǎo)電膜等制成的陰極電極207形成在窗口絕 緣膜206上以作為所有像素公用的電極。
盡管圖9沒有示出有機(jī)EL元件21R、 21G和21B的細(xì)節(jié)，但是有機(jī)EL 元件21R、 21G和21B是具有在陽極電極205和陰極電極207之間插設(shè)的有 才幾層的結(jié)構(gòu)。有機(jī)層通過在陽極電極205上依次沉積空穴輸運(yùn)層/空穴注入 層、發(fā)光層、電子輸運(yùn)層和電子注入層來形成。在圖2中的驅(qū)動晶體管22 的電流驅(qū)動下，電流從驅(qū)動晶體管22經(jīng)由陽極電極205流到有機(jī)層，從而 在有機(jī)層內(nèi)的發(fā)光層中的電子和空穴復(fù)合時發(fā)射光。
驅(qū)動晶體管220由柵極電極221、設(shè)置在半導(dǎo)體層222的兩個端部上的 源極/漏極區(qū)域223和224、以及作為與半導(dǎo)體層222的柵極電極221相對的
20部分的溝道形成區(qū)域225組成。源極/漏極區(qū)域223經(jīng)由接觸孔電連接到有機(jī) EL元件21的陽極電極205。
在有機(jī)EL元件21R、 21G和21B經(jīng)由絕緣膜202、平坦化膜204和窗 口絕緣膜206而形成在玻璃基板201上的像素單元中后，經(jīng)由SiN等的無機(jī) 密封膜208通過粘合劑209接合密封基板210。通過用密封基板210密封有 機(jī)EL元件21R、 21G和21B來形成顯示面板70。
如上所述，在玻璃基板201 (形成有包括像素晶體管220的像素電路) 上經(jīng)由平坦化膜204形成的像素20的裝置結(jié)構(gòu)中，紅綠藍(lán)的三個像素(子 像素)20R、 20G和20B作為單元布置為4皮此相鄰。當(dāng)有才幾EL元件為面光 源時，例如，從某個顏色的有機(jī)EL元件發(fā)射的光以均勻的分布照射周圍， 如圖10所示。結(jié)果，某個顏色的有機(jī)EL元件發(fā)射的光的一部分(泄漏光) 將照射相鄰的其它顏色的像素晶體管。此時，特別是有最高能量的藍(lán)光對紅 色和綠色的像素晶體管具有很強(qiáng)的作用。
由圖10清楚可見，還是在像素B中，像素B自身的有機(jī)EL元件21B 發(fā)射的光照射像素B中的像素晶體管。如前所述，當(dāng)紅綠藍(lán)色的像素晶體管 被藍(lán)色有機(jī)EL元件21B發(fā)射的藍(lán)光的 一部分照射時，像素晶體管的特性比 晶體管沒有被照射時變化更大(見圖21)。當(dāng)像素晶體管的特性改變在顏色 之間變化時，相對于發(fā)光時間的與初始電流值的電流比在顏色之間變化。因 此，擾亂了依賴于要顯示的圖像的白色平衡。
因此，本發(fā)明采用這樣的結(jié)構(gòu)，其中包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的像素(子 像素)20R、 20G和20B的像素晶體管與發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)EL元件21B的發(fā) 光部分之間的位置關(guān)系布置為使得各種顏色的像素(子像素)20R、 20G和 20B的像素晶體管與有機(jī)EL元件21B的發(fā)光部分之間的距離彼此相等。有 機(jī)EL元件21B的發(fā)光部分是指經(jīng)由前述的窗口絕緣膜206的窗口發(fā)光的部 分。下面將描述布置結(jié)構(gòu)的具體實施例。 (第一實施例)
圖11是概念性示出根據(jù)第一實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖ll所示， 紅綠藍(lán)的有機(jī)EL元件21R、 21G和21B在正方形的^象素形成區(qū)域230 (例 如，作為形成一個像素的區(qū)域)內(nèi)布置為彼此相鄰。
具體地講，紅色和綠色有機(jī)EL元件21R和21G的各窗口 (發(fā)光部分)231R和231G以接近正方形的形狀并排形成在像素形成區(qū)域230的沿列方向 (像素行的像素布置方向)的一側(cè)(本實施例中的下側(cè))。另夕卜，有機(jī)EL元 件21B的窗口 231B以一黃^夸窗口 231R和231G的寬度的矩形形狀形成在1象素 形成區(qū)域230的沿列方向的另 一側(cè)(本實施例中的上側(cè))。
另外，在像素形成區(qū)域230內(nèi)，紅綠藍(lán)像素20R、 20G和20B的各像素 晶體管(例如，圖2中的驅(qū)動晶體管22 )220R、 220G和220B沿著窗口 231B 的長度方向布置在與有機(jī)EL元件21B的窗口 231B以固定距離隔開的位置 處。假設(shè)在此情況下發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)EL元件21B為面光源。當(dāng)有機(jī)EL元 件21B為面光源時，有機(jī)EL元件21B相對于像素晶體管220R、220G和220B 的發(fā)光點(diǎn)可以看作距像素晶體管距離最短且在窗口 231B的中心線O上的三 個點(diǎn)Pr、 Pg和Pb。
結(jié)果，當(dāng)藍(lán)色的有機(jī)EL元件21B為面光源時，各顏色像素晶體管220R、 220G和220B與藍(lán)色的有機(jī)EL元件21B的發(fā)光點(diǎn)Pr、 Pg和Pb之間的距離 彼此相等。附帶地，假設(shè)上述的相等包括因微細(xì)調(diào)節(jié)引起的距離上的某些誤 差或者某些差異。通過這樣的布置結(jié)構(gòu)，由藍(lán)色的有機(jī)EL元件21B發(fā)射的 藍(lán)光的一部分將均等地照射#>素晶體管220R、 220G和220B。
因此，當(dāng)從藍(lán)色的像素20B照射泄漏光時，像素晶體管220R、 220G和 220B —致地變化其晶體管特性，從而可以減少特性改變在顏色之間的變化。 結(jié)果，可以保持白平衡而不依賴于要顯示的圖像，從而可以獲得顯示質(zhì)量優(yōu) 良的顯示圖像。
(第二實施例)
圖12是概念性示出根據(jù)第二實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖12中， 與圖11相同的部分用相同的附圖標(biāo)記表示。由圖12清楚可見，有機(jī)EL元 件21R、 21G和21B的各窗口 (發(fā)光部分)231R、 231G和231B的形狀和 布置關(guān)系與第一實施例相同。
另一方面，在第一實施例中面光源用作發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)EL元件21B, 而在本第二實施例中點(diǎn)光源用作有機(jī)EL元件21B。因為有機(jī)EL元件21B 是點(diǎn)光源，所以有機(jī)EL元件21B的發(fā)光點(diǎn)P可以認(rèn)為是有機(jī)EL元件21B 的窗口 231B的中心。
當(dāng)有機(jī)EL元件21B的發(fā)光點(diǎn)P為窗口 231B的中心時，在第一實施例 的像素晶體管220R、 220G和220B的布置中，像素晶體管220B的位置離發(fā)光點(diǎn)P的距離最短。因此，在第二實施例中，與其他像素晶體管220R和220G 相比像素晶體管220B布置在遠(yuǎn)離窗口 231B位置處，從而對各顏色而言像 素晶體管220R、 220G和220B距發(fā)光點(diǎn)P的距離彼此相等。
因此，當(dāng)有機(jī)EL元件21B為點(diǎn)光源時，像素晶體管220R、220G和220B 布置為使得對各顏色而言像素晶體管220R、 220G和220B距有機(jī)EL元件 21B的發(fā)光點(diǎn)P的距離彼此相等。因此，可以獲得與第一實施例相類似的作 用和效果。就是說，藍(lán)色有機(jī)EL元件21B發(fā)射的藍(lán)光的一部分均等地照射 像素晶體管220R、 220G和220B,因此像素晶體管220R、 220G和220B的 特性一致地變化。因此，可以減少特性改變在顏色之間的變化。結(jié)果，可以 保持白平衡，而不依賴于要顯示的顏色，從而可以獲得顯示質(zhì)量優(yōu)良的顯示 圖像。
(第三實施例)
圖13是概念性地示出根據(jù)第三實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖3中， 與圖ll相同的部分用相同的附圖標(biāo)記表示。
在本第三實施例中，在沿著行方向(像素行的像素的布置方向)重復(fù)布 置的紅綠藍(lán)像素(子像素)20R、 20G和20B的像素布置中，三個像素20G、 20B和20R以像素20B在中間而形成一個像素的單元。有機(jī)EL元件21B 可以為面光源或者點(diǎn)光源。
下面將描述點(diǎn)光源作為有機(jī)EL元件21B的情況。當(dāng)有機(jī)EL元件21B 為點(diǎn)光源時，有機(jī)EL元件21B的發(fā)光點(diǎn)P可以被認(rèn)為是有機(jī)EL元件21B 的窗口 231B的中心。從有機(jī)EL元件21B的發(fā)光點(diǎn)P發(fā)射的藍(lán)光可以被認(rèn) 為以發(fā)光點(diǎn)P作為中心的均勻分布來照射周邊。
假設(shè)在此情況下綠和紅色像素20G和20R的各像素晶體管220G和220R 布置在例如通過發(fā)光點(diǎn)P的中心線O上。此時，藍(lán)色像素20B的像素晶體 管220B布置在遠(yuǎn)離中心線O的位置處，從而對各顏色而言像素晶體管220R、 220G和220B距發(fā)光點(diǎn)P的距離彼此相等。
通過布置像素晶體管220R、 220G和220B使得對各顏色而言像素晶體 管220R、 220G和220B距有機(jī)EL元件21B的發(fā)光點(diǎn)P的距離彼此相等， 可以獲得與第一實施例相類似的作用和效果。就是說，藍(lán)色有機(jī)EL元件21B 發(fā)射的藍(lán)光的一部分均等地照射像素晶體管220R、 220G和220B，因此可 以減少像素晶體管220R、 220G和220B的特性改變在顏色之間的變化。結(jié)果，可以保持白平衡，而不依賴于要顯示的圖像，從而可以獲得顯示質(zhì)量優(yōu) 良的顯示圖像。
附帶地，盡管本第三實施例已經(jīng)描述了假設(shè)點(diǎn)光源用作有機(jī)EL元件
21B,但是第三實施例也可用于面光源用作有才幾EL元件21B的情況。簡而 言之，只要布置有機(jī)EL元件21B的發(fā)光部分與像素晶體管220R、 220G和 220B使得藍(lán)色有機(jī)EL元件21B發(fā)射的藍(lán)光的一部分均等地照射像素晶體 管220R、 220G和220B就足夠了 。 (第四實施例)
圖14是概念性地示出根據(jù)第四實施例的布置結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖14中， 與圖ll相同的部分用相同的附圖標(biāo)記表示。
在本第四實施例中，在沿著行方向重復(fù)布置的紅綠藍(lán)的像素20R、 20G 和20B的像素布置中，發(fā)光部分(即有機(jī)EL元件21R、 21G和21B的窗口 231R、 231G和231B)傾斜地形成。就是說，窗口231R、 231G和231B以 與列方向(像素列的像素的布置方向)成預(yù)定角度的傾斜的狀態(tài)形成。另一 方面，像素20R、 20G和20B的各像素晶體管220R、 220G和220B布置在 例如通過窗口 231R、 231G和231B的中心的中心線O上。
假設(shè)例如面光源用作藍(lán)色的有機(jī)EL元件21B。當(dāng)有機(jī)EL元件21B為 面光源時，如圖14所示，從有機(jī)EL元件21B發(fā)射的藍(lán)光以均勻的分布從 窗口 231B照射窗口 231B的周邊。此時，因為窗口 231R、 231G和231B是 傾斜的，所以有機(jī)EL元件21B發(fā)射的藍(lán)光照射相鄰像素20R和20G的量增 加。因此，可以使得以藍(lán)光照射相鄰像素20R和20G的像素晶體管220R和 220G的量接近于照射像素20B的像素晶體管220B的量。
這樣通過使藍(lán)色有機(jī)EL元件21B發(fā)射的藍(lán)光的一部分照射像素晶體管 220R、 220G和220B的量彼此接近，可以減少特性改變在顏色之間的變化。 結(jié)果，可以保持白平衡，而不依賴于要顯示的圖像，從而可以獲得顯示質(zhì)量 優(yōu)良的顯示圖像。
附帶地，盡管在第四實施例中，像素20R、 20G和20B的各像素晶體管 220R、 220G和220B布置在通過窗口 231R、 231G和231B的中心的中心線 O上，但是本發(fā)明的實施例不限于這樣的布置。例如，關(guān)于圖14所示的藍(lán) 光的照射分布，像素晶體管220G沿圖中向下的方向移動，像素晶體管220R 沿圖中向上的方向移動。因此，可以-使得藍(lán)光照射相鄰像素20R和20G的像素晶體管220R和220G的量更接近于照射像素20B的像素晶體管220B的量。
盡管已經(jīng)以有機(jī)EL元件21的驅(qū)動電路具有由兩個晶體管組成的2Tr 電路構(gòu)造的基本構(gòu)造(如圖2所示)作為示例描述了前述的實施例，其中兩 個晶體管為驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23，但是本發(fā)明不限于應(yīng)用至該電 路構(gòu)造。
作為示例，如圖15所示，已知像素20，為由五個晶體管組成的5Tr電路 構(gòu)造來作為基本構(gòu)造的像素，五個晶體管為發(fā)光控制晶體管28、兩個開關(guān)晶 體管29和30以及驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23 (見日本專利特開No. 2005-345722)。在此情況下，P溝道晶體管用作發(fā)光控制晶體管28，而N溝 道晶體管用作開關(guān)晶體管29和30。然而，這些晶體管的導(dǎo)電類型的組合是 任意的。
發(fā)光控制晶體管28與驅(qū)動晶體管22串聯(lián)連接。發(fā)光控制晶體管28給 驅(qū)動晶體管22選擇性地提供高電勢Vccp，由此控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光 /不發(fā)光。開關(guān)晶體管29給驅(qū)動晶體管22的柵極電極選擇性地提供參考電勢 Vofs，由此將驅(qū)動晶體管22的柵極電勢Vg初始化到參考電勢Vofs。開關(guān)晶 體管30給驅(qū)動晶體管22的源極電極選擇性地提供低電勢Vini，由此將驅(qū)動 晶體管22的源極電勢Vs初始化到低電勢Vini。
盡管上面以5Tr電路構(gòu)造作為另一個像素構(gòu)造的示例，但是各種像素構(gòu) 造都是可能的，例如包括經(jīng)由信號線33提供參考電勢Vofs且通過寫入晶體 管23寫入?yún)⒖茧妱軻ofs而省略開關(guān)晶體管29的構(gòu)造。
光元件的有機(jī)EL顯示裝置作為示例描述了前述實施例，但是本發(fā)明不限于 這樣的應(yīng)用示例。具體地講，本發(fā)明可應(yīng)用于通常采用電流驅(qū)動型電光元件 (發(fā)光元件)的顯示裝置，其發(fā)光亮度根據(jù)流過諸如無機(jī)EL元件、LED元
件或者半導(dǎo)體激光元件等的裝置的電流值而變化。 [應(yīng)用示例]
根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置可應(yīng)用于各領(lǐng)域中的電子裝置的顯示裝 置，以將給其輸入的視頻信號或者在其內(nèi)部產(chǎn)生的視頻信號作為圖像或者視 頻顯示。例如，^f艮據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置可以應(yīng)用于圖16至20G所示的各種電子裝置的顯示裝置，例如數(shù)碼相機(jī)、筆記本個人電腦、諸如便攜式 電話等的便攜式終端裝置和攝像機(jī)。
通過采用根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置作為所有領(lǐng)域中的電子裝置的 顯示裝置，可以在各種電子裝置中進(jìn)行高質(zhì)量的圖像顯示。具體地講，由前 述實施例的描述清楚可見，根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置可以提供高質(zhì)量的 顯示圖像，這是因為根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置可以減少像素晶體管的特 性改變在顏色之間的變化，保持白平衡而不依賴于顯示圖像。
根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置包括密封模塊形式的顯示裝置。例如，諸
如透明玻璃等的對向部分(counterpart)粘合到^象素陣列部分而形成的顯示 模塊對應(yīng)于密封模塊形式的顯示裝置。該透明對向部分可以提供有如上所述 的濾色器、保護(hù)膜等以及遮光膜。附帶地，顯示模塊可以提供有用于向像素 陣列部分外部輸入或輸出信號等的電路部分、FPC (柔性印刷電路)等。 下面，將描述應(yīng)用本發(fā)明的電子裝置的具體示例。
圖16是應(yīng)用本發(fā)明的電視機(jī)的外觀的立體圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的電視 機(jī)包括一見頻顯示屏部分101,該顯示屏部分101由前面板102和濾色器玻璃
顯示屏部分101來制造。
圖17A和17B是應(yīng)用本發(fā)明的數(shù)碼相機(jī)的外觀的立體圖。圖17A是從 前側(cè)看數(shù)碼相機(jī)的立體圖，而圖17B是從背面看數(shù)碼相機(jī)的立體圖。根據(jù)本 應(yīng)用示例的數(shù)碼相機(jī)包括用于閃光的發(fā)光部分111、顯示部分112、菜單轉(zhuǎn) 換113和快門按鈕114等。該數(shù)碼相機(jī)采用根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置作 為顯示部分112來制造。
圖18是應(yīng)用本發(fā)明的筆記本個人電腦的外觀的立體圖。根據(jù)本應(yīng)用示 例的筆記本個人電腦包括在主單元121中被操作以輸入字符等的鍵盤122和 用于顯示圖像的顯示部分123等。該筆記本個人電腦通過采用根據(jù)本發(fā)明實 施例的顯示裝置作為顯示部分123來制造。
圖19是應(yīng)用本發(fā)明的攝像機(jī)的外觀的立體圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的攝像 機(jī)包括主單元131、在朝前的側(cè)面中用于拍攝目標(biāo)的鏡頭132、攝像時的開 始/停止開關(guān)133和顯示部分134等。該攝像機(jī)通過采用根據(jù)本發(fā)明實施例的 顯示裝置作為顯示部分134來制造。
圖20A、 20B、 20C、 20D、 20E、 20F和20G是示出應(yīng)用本發(fā)明實施例的例如便攜式電話的便攜式終端的外觀的示意圖，圖20A為便攜式電話在打 開狀態(tài)下的主視圖，圖20B為便攜式電話在打開狀態(tài)下的側(cè)視圖，圖20C 為便攜式電話在閉合狀態(tài)下的主視圖，圖20D為左視圖，圖20E為右視圖， 圖20F為俯視圖，而圖20G為仰視圖。根據(jù)本應(yīng)用示例的便攜式電話包括上 側(cè)殼體141、下側(cè)殼體142、連接部分(在此情況下的鉸鏈部分)143、顯示 器144、副顯示器145、圖片燈146和照相機(jī)147等。根據(jù)本應(yīng)用示例的便 攜式電話通過釆用根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置作為顯示器144和副顯示器 145來制造。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在所附權(quán)利要求或其等同特征的范圍內(nèi)， 可以根據(jù)設(shè)計要求和其他因素來進(jìn)行各種修改、組合、部分組合及替換。
本申請包含2008年5月21日提交至日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請 JP 2008-132854所涉及的主題，將其全部內(nèi)容引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1、一種顯示裝置，其中包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的多個顏色的發(fā)光元件形成在基板上的每個像素中，在該基板上為每個子像素形成晶體管，由多個顏色的子像素作為單元形成的多個像素以矩陣形式布置，并且包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系布置為使得對于各顏色包括所述藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之間的距離彼此相等。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中該發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件為面光源，并且所述各發(fā)光顏色的子像素的晶體管距發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光元件的面發(fā) 光部分的對應(yīng)發(fā)光點(diǎn)的距離設(shè)置為相等。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中在由所述多個顏色的子像素作為單元形成的一個像素的像素形成 區(qū)域中，藍(lán)光之外的發(fā)光顏色的發(fā)光元件的發(fā)光部分并排設(shè)置在所述像素形 成區(qū)域的沿列方向的一側(cè)，并且該發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分橫跨該藍(lán)光之外的發(fā)光顏色的發(fā)光 元件的發(fā)光部分的寬度而布置在所述像素形成區(qū)域的沿列方向的另 一側(cè)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中該發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件為點(diǎn)光源，并且所述各發(fā)光顏色的子像素的晶體管距發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光 點(diǎn)的距離設(shè)置為相等。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中當(dāng)所述多個顏色的發(fā)光元件布置為該發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件設(shè)置在 所述多個顏色的發(fā)光元件的中間時，該發(fā)射藍(lán)光的子像素的晶體管布置為使 得該發(fā)射藍(lán)光的子像素的晶體管距該發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光點(diǎn)的距離 等于發(fā)射其它發(fā)光顏色的發(fā)光元件的晶體管距該發(fā)光點(diǎn)的距離。
6、 一種發(fā)光元件的布置方法，用于布置顯示裝置中的發(fā)光元件，在該 顯示裝置中，包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的多個顏色的發(fā)光元件形成在基板上 的每個像素中，在該基板上為每個子像素形成晶體管，由多個顏色的子像素作為單元形成的多個像素以矩陣形式布置，所述方法包括如下步驟布置包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光 元件的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系，使得對于各顏色包括所述藍(lán)光的各發(fā)離彼此相等。
7、 一種發(fā)光元件的布置方法，用于布置顯示裝置中的發(fā)光元件，在該 顯示裝置中，包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的多個顏色的發(fā)光元件形成在基板上 的每個像素中，在該基板上為每個子像素形成晶體管，由多個顏色的子像素 作為單元形成的多個像素以矩陣形式布置，所述方法包括如下步驟布置包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光 元件的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系，使得該藍(lán)光的一部分均等地照射其它 發(fā)光顏色的子像素的晶體管。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件的布置方法，其中當(dāng)所述多個顏色的發(fā)光元件布置為該發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件設(shè)置在 所述多個顏色的發(fā)光元件的中間時，各發(fā)光顏色的子像素的發(fā)光部分形成為 相對于列方向傾存牛。
9、 一種具有顯示裝置的電子裝置，在該顯示裝置中，包括發(fā)射藍(lán)光的 發(fā)光元件的多個顏色的發(fā)光元件形成在基板上的每個像素中，在該基板上為 每個子像素形成晶體管，由多個顏色的子像素作為單元形成的多個像素以矩 陣形式布置，其中包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光 元件的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系布置為使得對于各顏色包括所述藍(lán)光 的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射所述藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之 間的距離彼此相等。
全文摘要
本發(fā)明提供了顯示裝置、發(fā)光元件的布置方法及電子裝置，在該顯示裝置中包括發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的多個顏色的發(fā)光元件形成在基板上的每個像素中，在該基板上為每個子像素形成晶體管，由多個顏色的子像素作為單元形成的多個像素以矩陣形式布置，其中包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之間的相對位置關(guān)系布置為使得對于各顏色包括藍(lán)光的各發(fā)光顏色的子像素的晶體管與發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光部分之間的距離彼此相等。
文檔編號H01L21/82GK101587681SQ20091013898
公開日2009年11月25日 申請日期2009年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月21日
發(fā)明者三并徹雄, 內(nèi)野勝秀 申請人:索尼株式會社