專利名稱：雙極性裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS),特別是有關(guān)于一種具有 改良性能以及利用標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體制程的雙極性裝置。
背景技術(shù)：
由于互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor;以下簡(jiǎn)稱CMOS)具有低功率損耗以及高噪聲容 忍度，因此經(jīng)常被設(shè)計(jì)成輸入/輸出(I/0)裝置以及電路，用以承受 高電壓信號(hào)。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制程中，在制造這些輸入/輸出裝置 以及電路時(shí)，需增加額外的遮罩(mask)。
為簡(jiǎn)化半導(dǎo)體制程，已知的做法是使用雙極性裝置(例如雙極 性晶體管)來(lái)作為輸入/輸出裝置。雙極性裝置能夠承受較高的電 壓，并較容易相容于傳統(tǒng)的CMOS制程技術(shù)中另外，在模擬電路 中，雙極性裝置比CMOS具有更多的優(yōu)點(diǎn)。因此較佳的做法是將 雙極性裝置連同CMOS裝置一起應(yīng)用在某些電路中，用以達(dá)到較 佳的效能，而又不會(huì)額外增加成本。
圖l及圖2顯示已知PNP雙極性晶體管的剖面圖。PNP雙極性 晶體管10可相容于CMOS制程技術(shù)。區(qū)域硅氧化(LOCal Oxidation of Silicon;以下簡(jiǎn)稱LOCOS)絕緣層ll設(shè)置半導(dǎo)體基 底中，并在N阱15之上，其分隔主動(dòng)區(qū)12- 14。在主動(dòng)區(qū)12及13 中，摻雜P型雜質(zhì)，用以分別形成射才及(emitter) 16及集極 (collector) 17。在射極16及集極17的間絕緣層11中，可定義出本質(zhì)基極18，其是在N阱15之中。外質(zhì)基極(extrinsic base)19透過(guò) N阱15電性連接至本質(zhì)基極18。外質(zhì)基極19是摻雜N型的雜質(zhì)， 以改善其導(dǎo)電性。當(dāng)施加正確的偏壓至射才及16、集才及17以及外質(zhì) 基極19時(shí)，則將會(huì)增加在射極16以及集才及17之間流動(dòng)的載流子。 PNP雙極性晶體管10的效能是取決于本質(zhì)基極18寬度以及本質(zhì)基 極18與外質(zhì)基極19的相隔距離。由于已知的電流增益B太小(其約 在4- 10)，故無(wú)法實(shí)際應(yīng)用PNP雙極性晶體管IO。另外，若使用 淺溝絕緣層(Shallow Trench Isolation;以下簡(jiǎn)稱STI)來(lái)隔離 LOCOS絕緣層時(shí)，則幾乎沒(méi)有載流子在集極與射極間流動(dòng)，因而 降低雙極性晶體管的效能。
為改善效能，使用相容于C M O S技術(shù)的雙極性裝置是必需的。 若一基極的寬度是由一復(fù)晶硅柵極(poly gate)所決定，而不是由 STI或是LOCOS的間隔所決定時(shí)，則可得到大的電流增益。在目 前的技術(shù)中，恰好是深次微米(deep submicron)技術(shù)。若集極與 外質(zhì)基極之間并沒(méi)有STI時(shí)，則在集極與外質(zhì)基極之間流動(dòng)的電流 是沒(méi)有任何阻礙的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭露一種雙極性裝置。 一射極形成在半導(dǎo)體基底中。 一集極在半導(dǎo)體基底中與射極側(cè)向的分隔。 一柵極終端形成在半 導(dǎo)體基底上，用以定義射極與集極間的距離。 一外質(zhì)基極形成在 半導(dǎo)體基底上，與射極或集極具有預(yù)設(shè)距離，其中外質(zhì)基極、射 極、集極、以及柵極終端均設(shè)置在主動(dòng)區(qū)中，通過(guò)在半導(dǎo)體基底 中的圍繞的絕緣層結(jié)構(gòu)來(lái)定義主動(dòng)區(qū)。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，該雙極性裝置包括一本質(zhì)基極， 形成在該半導(dǎo)體基底中，在該柵極終端之下，以及在該射極與該 集極之間。
5本發(fā)明所述的雙極性裝置，該外質(zhì)基極透過(guò)該半導(dǎo)體基底耦 接該本質(zhì)基極。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，該預(yù)設(shè)距離的寬度足以避免該外 質(zhì)基極的空乏區(qū)與該集極的空乏區(qū)相互重疊。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，更包括一分隔區(qū)，設(shè)置在該半導(dǎo) 體基底之上，以及在該外質(zhì)基極與該集極之間，用以分隔該集極 與該外質(zhì)基極。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，該分隔區(qū)是為一阻礙層，用以阻
礙硅化物的形成。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，該分隔區(qū)是為一虛柵極。 本發(fā)明所述的雙極性裝置，該絕緣層結(jié)構(gòu)是為區(qū)域硅氧化層
結(jié)構(gòu)、或是淺溝絕緣層結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，該圍繞的絕緣層結(jié)構(gòu)是為N阱。 本發(fā)明還提供一種雙極性裝置，形成在一基底的一主動(dòng)區(qū)之
中，該雙極性裝置，包括 一第一射極，形成在該基底之中；一 第一集極，形成在該半導(dǎo)體基底中，并與該第一射極側(cè)向的分隔； 一第一柵極終端，設(shè)置在一第一間隔之上，該第一間隔是在該第 一射極與該第一集極之間； 一第一本質(zhì)基極，定義在該第一柵極 終端之下，并與該第 一射極與該第 一集極形成一第 一雙極性結(jié)； 一第二射極，形成在該基底之中； 一第二集極，形成在該半導(dǎo)體 基底中，并與該第二射極側(cè)向的分隔； 一第二柵極終端，設(shè)置在 一第二間隔之上，該第二間隔是在該第二射極與該第二集極之間； 一第二本質(zhì)基極，定義在該第二柵極終端之下，并與該第二射極 與該第二集極形成一第二雙極性結(jié)；以及一共外質(zhì)基極，用以調(diào) 整并分隔該第一及第二集極，并且透過(guò)該基底耦接該第 一及第二 本質(zhì)基極。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，更包括一第一分隔區(qū)以及一第二分隔區(qū)，該第一分隔區(qū)用以分隔該第一集極與共外質(zhì)基極，該第 二分隔區(qū)用以分隔該第二集極與共外質(zhì)基極。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，該第 一 分隔區(qū)以及第二分隔區(qū)均 為一阻礙層，用以阻礙硅化物的形成。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，該第一分隔區(qū)以及第二分隔區(qū)均 為一虛柵極。
本發(fā)明又提供一種雙極性裝置，利用 一互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體
制程而形成在一基底的一主動(dòng)區(qū)，該雙極性裝置，包括 一共射 極； 一第一集極，形成在該半導(dǎo)體基底中，并與該共射極側(cè)向的 分隔； 一第一柵極終端，設(shè)置在一第一間隔之上，該第一間隔在 該共射極與該第一集極之間； 一第一本質(zhì)基極，定義在該第一一冊(cè) 極終端之下，并與該共射極以及該第 一 集極形成 一 第 一 雙極性結(jié)； 一第一外質(zhì)基極，用以調(diào)整并分隔該第一集極，并且透過(guò)該基底 耦接該第一本質(zhì)基極； 一第二集極，形成在該半導(dǎo)體基底中，并 與該共射極側(cè)向的分隔； 一第二柵極終端，設(shè)置在一第二間隔之 上，該第二間隔在該共射極與該第二集極之間； 一第二本質(zhì)基極， 定義在該第二柵極終端之下，并與該共射極以及該第二集極形成 一第二雙極性結(jié)；以及一第二外質(zhì)基才及，用以調(diào)整并分隔該第二 集極，并且透過(guò)該基底耦接該第二本質(zhì)基極。
本發(fā)明所述的雙極性裝置，更包括 一 第 一 分隔區(qū)以及 一 第二 分隔區(qū)，該第一分隔區(qū)用以分隔該第一集極與該第一外質(zhì)基極， 該第二分隔區(qū)用以分隔該第二集極與該第二外質(zhì)基極。
本發(fā)明提供一種雙極性裝置，其優(yōu)點(diǎn)在于具有改善過(guò)的效能、 相容于CMOS技術(shù)、簡(jiǎn)潔的布局、步驟的簡(jiǎn)化、以及額外增加一 終端，用以調(diào)整本身。


圖l顯示已知雙極性晶體管的剖面圖2顯示如圖l所示的已知側(cè)向雙極性晶體管的俯視圖3A顯示本發(fā)明的雙極性裝置的一實(shí)施剖面圖3B顯示本發(fā)明的雙極性裝置的另 一 實(shí)施剖面圖4顯示如圖3A所示的雙極性裝置的俯視圖5顯示本發(fā)明的雙極性裝置的另 一可能實(shí)施剖面圖6顯示如圖5所示的雙極性裝置的俯視圖7至圖12顯示本發(fā)明的雙極性裝置的另 一實(shí)施例的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂， 下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)"i兌明如下
本發(fā)明可降低側(cè)向雙極性晶體管的基極寬度及阻抗。為了使 電流不會(huì)被隔離層所阻隔，本發(fā)明將基極與集極設(shè)置在相同的主 動(dòng)區(qū)。另外，本發(fā)明的基極及集極并不會(huì)在PN結(jié)處產(chǎn)生電容。在 今天的自行對(duì)準(zhǔn)硅化物(self aligned silicide; salicide)制程中， 需避免形成在表面的集極與外質(zhì)基極，透過(guò)硅化物而相互短路。 本發(fā)明所揭露的側(cè)向雙極性裝置可平衡基極與集極的相對(duì)位置， 用以改善其效能。
圖3A、圖3B以及圖4是本發(fā)明的側(cè)向雙極性裝置的實(shí)施例。 圖3A為PMOS PNP型態(tài)，而圖3B為NMOS NPN雙極性裝置，其 中，相同的元件將以相同的符號(hào)表示。在圖3A中，通過(guò)STI31所 圍繞的區(qū)域，可定義出形成在N阱36之上的主動(dòng)區(qū)32,其包括射 極33、集極34、以及外質(zhì)基極35。外質(zhì)基才及35形成于基底之上， 并與射極33或是與集極34之間具有一預(yù)設(shè)距離。本質(zhì)基極37被定 義在柵極38之下，以及在射極33與集極34之間。本質(zhì)基極37透過(guò) 外質(zhì)基極35與N阱36接收外部偏壓。柵極38具有柵極氧化層382，用以分隔復(fù)晶硅柵才及381與N阱36。 4冊(cè)極38是作為一額外的終端 (terminal),用以接收一控制電壓。該控制電壓能夠調(diào)整本質(zhì)基極 37的電壓電平。本實(shí)施例可應(yīng)用在許多電^各中，例如在電壓控制 振蕩器(Voltage Controlled Oscillator; VCO)電路。事實(shí)上，這 個(gè)雙極性裝置的射極、本質(zhì)基極以及集極分別與P M O S的源極、 柵極以及漏極共有。
外質(zhì)基極35與集極34均位于相同的主動(dòng)區(qū)域32,因此，沒(méi)有 任何絕緣層(例如，LOCOS以及STI)來(lái)阻礙電流在它們之間流動(dòng)， 便可有效地降低基極的阻抗，并改善雙極性裝置30的效能。
如上所述，若外質(zhì)基極35與集極34太接近時(shí)，則在它們之間 的容值將增加，因而影響它們的PN結(jié)。當(dāng)外質(zhì)基極35與集極34 具有足夠的距離時(shí)，則可避免增加它們之間的容值。外質(zhì)基極35 與集極34之間的距離應(yīng)足以避免本身的空乏區(qū)相互重疊。外質(zhì)基 極35與集極34之間的距離至少需0.2um 0.3um。集極與外質(zhì)基極 亦需被分隔開來(lái)，用以防止上方的硅化物將它們短路在一起。因 此將分隔區(qū)39設(shè)置在N阱36的上方，用以定義出外質(zhì)基極35與集 極34之間的距離。分隔區(qū)39可以為 一 反抗保護(hù)氧化層(Resist Protection Oxide;以下簡(jiǎn)稱RPO)， 或是為 一 虛柵極(dummy gate)。 RPO是為一遮罩物，用以預(yù)防硅化物形成在復(fù)晶硅柵極 (poly gate)或是在主動(dòng)區(qū)的上方。虛柵極的結(jié)構(gòu)與已知的柵極結(jié) 構(gòu)相同，但不具有已知柵極的功能，例如導(dǎo)通或是截止溝道。在 本實(shí)施例中，分隔區(qū)39是為RPO，其寬度足以避免外質(zhì)基極35與 集極34的空乏區(qū)相互重疊，并且可破壞形成在外質(zhì)基極35與集極 34之間的^圭化物。
圖4是為圖3A的布局俯視圖。圖3B相似于圖3A,不同之處在 于，圖3B是顯示NMOS NPN雙極性裝置。圖3B以P型基底36'取 代圖3A中的N阱36。有基極的P區(qū)被N阱311所圍繞，并且在N阱311的表面。N阱311內(nèi)建在P型基底中，其中，N阱311耦接到在P 型基底之下的深N阱(deep N well;未圖示)。圖3B的NPN雙極性 裝置與圖3A中的PNP雙極性裝置一樣，主動(dòng)區(qū)亦被STI 31'所圍繞。
圖5及圖6顯示本發(fā)明的側(cè)向雙極性裝置的另 一實(shí)施例。雙極 性裝置40具有P型的射極41、 P型的集極42、 N型的本質(zhì)基極43、 以及N型的外質(zhì)基極44。射極41、集極42、本質(zhì)基極43以及外質(zhì) 基極44均形成在主動(dòng)區(qū)46之中。圍繞的STI 47用以定義出主動(dòng)區(qū) 46?？刂茤艠O48定義本質(zhì)基極43的寬度。本質(zhì)基極43設(shè)置在N阱 45之中，并在射極41及集才及42之間。柵極氧化層482分隔復(fù)晶硅 柵極481與N阱45。本質(zhì)基極43可能透過(guò)外質(zhì)基極44及N阱45而接 收一外部偏壓。
虛復(fù)晶硅柵極(dummy poly gate)49定義外質(zhì)基極44與集極 42之間的一距離。如上所述，該距離應(yīng)足以避免外質(zhì)基才及44與集 極42的空乏區(qū)相互重疊。虛復(fù)晶硅柵極49亦預(yù)防任何硅化物形成 在外質(zhì)基極44與集極42之間的距離上。與圖3B—樣，本領(lǐng)域技術(shù) 人員可利用上述的說(shuō)明，將PNP雙極性裝置替換成NPN雙極性裝 置。
上述的雙極性裝置均可適用于CMOS技術(shù)。分隔區(qū)可利用一 般的制程所制成，用以形成一柵極或自行對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide), 而不需額外增加遮罩的次數(shù)。由于上述的雙極性裝置可比已知的 CMOS裝置操作在較高的電壓電平，故本發(fā)明可作為高電壓容忍 輸入/輸出裝置。由于已知的輸入/輸出裝置是利用CMOS，因而需 要額外增加制造的步驟。由于本發(fā)明的雙極性裝置使用較少的遮 罩程序，故若將本發(fā)明的雙極性裝置作為輸入/輸出裝置時(shí)，則可 簡(jiǎn)化制造的步驟。
本發(fā)明的雙極性裝置亦解決溝道的漏電流及柵極氧化層擊穿的問(wèn)題。反觀已知的做法，當(dāng)集成電路的柵極寬度變窄時(shí)，便會(huì) 增加MOS裝置的溝道漏電流以及柵極氧化層擊穿的問(wèn)題。當(dāng)已知
的MOS裝置與本發(fā)明的雙極性裝置需消耗相同的待機(jī)電流時(shí)，則
在裝置的體積以及成本的考量下，本發(fā)明的雙極性裝置比已知的
MOS更為適合。
另外，為代替已知三終端(terminal)雙極性裝置，復(fù)多硅柵極 作為本發(fā)明的雙極性裝置的額外增加的終端。由于柵極的電壓電 平可以被調(diào)整，故在射極、集極以及基極流動(dòng)的電流亦可被調(diào)整。 合并MOS裝置與雙極性裝置便可形成四終端(terminal)裝置。通 過(guò)控制柵極電壓，便可改善雙極性裝置的效能。若本發(fā)明的雙極 性裝置被設(shè)計(jì)成某些電路(例如V C O電路)時(shí)，則可利用該電路中的 固定節(jié)點(diǎn)提供控制電壓。
圖7至圖12是為本發(fā)明的雙極性裝置的其它實(shí)施例，其中，分 隔區(qū)可具有許多種形狀，但其功能仍然在于分隔基極與集極。分 隔區(qū)可為RPO或是虛柵極，以下將簡(jiǎn)單敘述分隔區(qū)的實(shí)施例。
圖7顯示本發(fā)明的雙極性裝置的一實(shí)施例的俯:枧圖。雙才及性裝 置50形成于N阱51之上。復(fù)晶硅柵極52分隔射極53及集極54。本 質(zhì)基極(未顯示)在復(fù)晶硅柵極52之下，并且位于射極53及集極54 之間。分隔區(qū)55分隔集極54以及外質(zhì)基極56,并具有一凹形 (saddle shape),因ot匕，夕卜質(zhì)基底56的邊鄉(xiāng)彖吾卩分5624交中間4p分564 更接近復(fù)晶硅柵極5 2 。分隔區(qū)5 5通過(guò)中間的 一 個(gè)或更多的集極接 觸窗(contact)58以及兩端的外質(zhì)基極接觸窗59來(lái)減小凹形的寬 度。
圖8顯示本發(fā)明的雙極性裝置的另 一 實(shí)施例。雙極性裝置60 大致上相似于圖7所示的雙極性裝置，不同處在于雙極性裝置60 的分隔區(qū)61的形狀不同于分隔區(qū)55。外質(zhì)基極62的中間部分622 比邊緣部分624更接近復(fù)晶硅柵極63。分隔區(qū)61通過(guò)中間的外質(zhì)基極接觸窗64以及兩端的集極接觸窗66來(lái)減小凹形的寬度。
圖9顯示本發(fā)明的雙極性裝置的另一實(shí)施例，其中，兩個(gè)雙極 性裝置被整合在同 一個(gè)裝置中。雙極性裝置70具有第一雙極性裝 置71以及第二雙極性裝置72。第 一復(fù)晶硅柵極711分隔第 一射極 712與第一集極713。第二復(fù)晶硅柵極721分隔第二射極722與第二 集極723。第 一雙極性裝置71以及第二雙極性裝置72共享同 一個(gè) 外質(zhì)基極73。外質(zhì)基極73是由第一分隔區(qū)714以及第二分隔區(qū)724 所定義。外質(zhì)基4及73的中間部分732較邊緣部分734更接近第一復(fù) 晶硅柵極711以及第二復(fù)晶硅4冊(cè)極721 。由于本實(shí)施例的第 一 雙極 性裝置71以及第二雙極性裝置72共享同 一個(gè)外質(zhì)基極73，故可使 雙極性裝置70更簡(jiǎn)潔。分隔區(qū)的凹形容許更較好的集極接觸窗與 基極接觸窗的排列。此可稱為雙基極結(jié)構(gòu)，其可降低基極的阻抗 以及增加射極的效能。
圖10顯示本發(fā)明的雙極性裝置80的另 一實(shí)施例。復(fù)晶^圭柵才及 81、 82以及分隔區(qū)83、 84定義出第一射極85、第二射極86、第一 集極87、第二集極88以及共享的外質(zhì)基極89。雙極性裝置80不同 于圖9的雙極性裝置的地方在于，共享的外質(zhì)基底89的邊緣部分 892較中間部分894更接近復(fù)晶硅柵極81、 82,故外質(zhì)基極接觸窗 與集極接觸窗可分別被設(shè)置在兩端與中間。本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于 可降低基極的阻抗，改善射極的效能，并具有簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu)。
圖ll顯示上述兩個(gè)雙極性裝置的示意圖，其中，兩個(gè)雙極性 裝置被整合在射極對(duì)射極(emitter to emitter),或是同一射極結(jié) 構(gòu)中。復(fù)晶硅4冊(cè)極91、 92以及分隔區(qū)93、 94定義第一外質(zhì)基極95、 第二外質(zhì)基極96、第一集極97、第二集極98以及共享的射極99。 夕卜質(zhì)基才及95、 96的邊》彖4卩分952、 962分另'J車交中間告卩分954 、 964 更接近復(fù)晶硅柵極91、 92。
圖12顯示本發(fā)明的雙極性裝置的另 一實(shí)施例，其中，雙極性裝置100大體上相似于圖ll所示的雙極性裝置，不同之處在于，外
質(zhì)基極IOI、 102的中間部分IOIO、 1020分另'J壽交邊鄉(xiāng)彖部分1012、 1022更接近復(fù)晶硅柵極103、 104。圖ll、圖12所示的雙極性裝置 均可降低基極的阻抗、改善射極效能、以及具有簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu)。
上述的實(shí)施例是使用PNP雙極性裝置來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，同樣地 亦可改變成NPN雙極性裝置，其亦具有相同的優(yōu)點(diǎn)，例如相容于 CMOS技術(shù)、改善裝置的效能、簡(jiǎn)化制程、簡(jiǎn)潔的結(jié)構(gòu)、以及增 加調(diào)整終端。
雖然本發(fā)明已通過(guò)較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，^旦該較佳實(shí)施例并 非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此 本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下
10: PNP雙極性晶體管
11:絕緣層
12~14、 32、46:主動(dòng)區(qū)
15、36、 311、45、 51: N阱
16、33、 41、53、 99:射極
17、34、 42、54:集極
18、37、 43:本質(zhì)基極
19、35、 44、56、 62、 73、 89、 101、 102:夕卜質(zhì)基極
30、40、 50、60、 70、 80、 100:雙極性裝置
31、31，、 47:STI
38:柵極
381、 481、 52、 63、 81、 82、 91、 92、 103、 104:復(fù)晶石圭
柵極
382、 482:柵極氧化層39、 55、 61、 83、 84、 93、 94:分P鬲區(qū) 36': P型基底 48:控制柵-極
562、 624、 734、 892、 952、 962、 1012、 1022:邊緣部分 564、 622、 732、 894、 954、 964、 1010、 1020:中間部分
58、 66:集極接觸窗
59、 64:外質(zhì)基極接觸窗 71:第一雙極性裝置
72:第二雙極性裝置 711:第一復(fù)晶硅柵極
712、 85:第一射極
713、 87、 97:第一集極 714:第一分隔區(qū)
721:第二復(fù)晶硅柵極
722、 86:第二射極
723、 88、 98:第二集極 724:第二分隔區(qū)
95:第一外質(zhì)基極 96:第二外質(zhì)基極
權(quán)利要求
1.一種雙極性裝置，其特征在于，形成在一基底的一主動(dòng)區(qū)之中，該雙極性裝置，包括一第一射極，形成在該基底之中；一第一集極，形成在該半導(dǎo)體基底中，并與該第一射極側(cè)向的分隔；一第一柵極終端，設(shè)置在一第一間隔之上，該第一間隔是在該第一射極與該第一集極之間；一第一本質(zhì)基極，定義在該第一柵極終端之下，并與該第一射極與該第一集極形成一第一雙極性結(jié)；一第二射極，形成在該基底之中；一第二集極，形成在該半導(dǎo)體基底中，并與該第二射極側(cè)向的分隔；一第二柵極終端，設(shè)置在一第二間隔之上，該第二間隔是在該第二射極與該第二集極之間；一第二本質(zhì)基極，定義在該第二柵極終端之下，并與該第二射極與該第二集極形成一第二雙極性結(jié)；以及一共外質(zhì)基極，用以調(diào)整并分隔該第一及第二集極，并且透過(guò)該基底耦接該第一及第二本質(zhì)基極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙極性裝置，其特征在于，更包括 一第一分隔區(qū)以及一第二分隔區(qū)，該第一分隔區(qū)用以分隔該第一 集極與共外質(zhì)基極，該第二分隔區(qū)用以分隔該第二集極與共外質(zhì)基極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙極性裝置，其特征在于，該第一 分隔區(qū)以及第二分隔區(qū)均為 一 阻礙層，用以阻礙硅化物的形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙極性裝置，其特征在于，該第一 分隔區(qū)以及第二分隔區(qū)均為 一虛4冊(cè)極。
5. —種雙極性裝置，其特征在于，利用一互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體制程而形成在一基底的一主動(dòng)區(qū)，該雙極性裝置，包括 一共射極；一第一集極，形成在該半導(dǎo)體基底中，并與該共射極側(cè)向的 分隔；一第一柵極終端，設(shè)置在一第一間隔之上，該第一間隔在該 共射極與該第 一 集極之間；一第一本質(zhì)基極，定義在該第一柵極終端之下，并與該共射 極以及該第 一 集極形成一第 一雙極性結(jié)；一第一外質(zhì)基^f及，用以調(diào)整并分隔該第一集^^,并且透過(guò)該 基底耦接該第一本質(zhì)基極；一第二集極，形成在該半導(dǎo)體基底中，并與該共射極側(cè)向的分隔；一第二柵極終端，設(shè)置在一第二間隔之上，該第二間隔在該 共射極與該第二集極之間；一第二本質(zhì)基極，定義在該第二柵極終端之下，并與該共射 極以及該第二集極形成一第二雙極性結(jié)；以及一第二外質(zhì)基極，用以調(diào)整并分隔該第二集極，并且透過(guò)該基底耦接該第二本質(zhì)基極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙極性裝置，其特征在于，更包括 一第一分隔區(qū)以及一第二分隔區(qū)，該第一分隔區(qū)用以分隔該第一 集極與該第一外質(zhì)基極，該第二分隔區(qū)用以分隔該第二集極與該 第二外質(zhì)基極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種雙極性裝置，包括一射極形成在半導(dǎo)體基底中；一集極在半導(dǎo)體基底中與射極側(cè)向的分隔；柵極終端形成在半導(dǎo)體基底上，用以定義射極與集極間的距離；以及外質(zhì)基極形成在半導(dǎo)體基底上，與射極或集極具有預(yù)設(shè)距離，其中外質(zhì)基極、射極、集極以及柵極終端均設(shè)置在主動(dòng)區(qū)中，通過(guò)在半導(dǎo)體基底中的圍繞的絕緣層結(jié)構(gòu)來(lái)定義主動(dòng)區(qū)。本發(fā)明所述雙極性裝置，具有改善過(guò)的效能、相容于互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體技術(shù)、簡(jiǎn)潔的布局、步驟的簡(jiǎn)化、以及額外增加一終端，用以調(diào)整本身。
文檔編號(hào)H01L29/08GK101599490SQ20091014235
公開日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2006年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月7日
發(fā)明者莊建祥 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司