專利名稱：：制備涂布導(dǎo)體用成形襯底的工藝及使用該襯底的涂布導(dǎo)體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于涂布導(dǎo)體的成形襯底(shapedsubstrate)的制備工藝，具體地涉及允許將襯底例如成形為圓線的改善的自由度并且因此允許涂布導(dǎo)體(coatedconductor)成形的改善的自由度的工藝，以及涉及4吏用該襯底的涂布導(dǎo)體。
背景技術(shù)：
：涂布導(dǎo)體具有長(zhǎng)度大的形狀，例如帶(tape)或條。通常，它們由襯底、高溫超導(dǎo)材料的活性層(activelayer)以及在村底和超導(dǎo)層之間的可變數(shù)目的緩沖層構(gòu)成。緩沖層用于補(bǔ)償所用材料的各種不同性能。盡管不限于此，目前化學(xué)式為REBa20i307-x的稀土鋇銅酸鹽型超導(dǎo)體通常用于涂布導(dǎo)體的制造中。其具體一例是公知標(biāo)記為YBCO-123的超導(dǎo)體，其中數(shù)字組合123代表元素Y、Ba和Cu的化學(xué)計(jì)量比。在涂布導(dǎo)體的制造中的主要問題是超導(dǎo)材料的晶粒的結(jié)晶取向。為了具有良好的超導(dǎo)性能，例如就臨界電流密度(Jc)和臨界電流(Ic)而言，超導(dǎo)材料應(yīng)具有高度的取向或織構(gòu)，單個(gè)的晶?；旧媳舜似叫械厝∠虿⑶蚁鄬?duì)于彼此的傾斜盡可能地小。優(yōu)選地，超導(dǎo)層具有雙軸織構(gòu)，即晶粒既相對(duì)于表面的平面沿相同方向排列(a-b取向)又垂直于該平面(c軸取向)。雙軸織構(gòu)的質(zhì)量通常由結(jié)晶面內(nèi)(in-plane)和面夕卜(out-of-plane)的晶粒間取向差(misorientation)角度來表示，該取向差角度反應(yīng)單個(gè)晶粒相對(duì)于彼此的傾斜程度。取向差角度越小，層的織構(gòu)越好("越明顯")。通常，織構(gòu)的程度由表征一層的晶粒的面內(nèi)和面外取向分布函數(shù)的X射線衍射來確定?；赬射線數(shù)據(jù)，可以獲得面內(nèi)4)掃描(A小)和面外搖擺曲線(Aco)的半高寬(FWHM)的數(shù)值。各個(gè)FWHMlt值越小，織構(gòu)越明顯。待生長(zhǎng)層的取向可以通過外延生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)。外延生長(zhǎng)是指待生長(zhǎng)層采用該待生長(zhǎng)層生長(zhǎng)于其上的襯底或?qū)拥慕Y(jié)晶取向的工藝。有兩種類型的外延同質(zhì)外延是指將層生長(zhǎng)在相同材料的襯底上，而異質(zhì)外延是指將層生長(zhǎng)在不同材料的襯底上。也就是，所生長(zhǎng)的層的結(jié)晶取向與該層沉積在其上的下層的結(jié)晶取向直接相關(guān)。因此，對(duì)于待外延生長(zhǎng)層的取向(織構(gòu))的質(zhì)量，下層即模板層的取向的質(zhì)量是決定性的。目前有兩種主要方法獲得所需的織構(gòu)。根據(jù)第一種方法，高織構(gòu)的緩沖層通過需要高真空的直接物理涂布工藝(例如離子束輔助沉積(IBAD))沉積在多晶隨機(jī)取向的襯底上。高織構(gòu)的緩沖層用于將期望的織構(gòu)轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)在該緩沖層上的超導(dǎo)體層。此高真空沉積工藝需要昂貴的設(shè)備。此外，對(duì)長(zhǎng)度大的襯底的涂布是困難的。根據(jù)第二種方法，使用了高織構(gòu)的襯底，這種高織構(gòu)的村底可以通過機(jī)械加工例如RABiT(村底的軋制輔助雙軸織構(gòu))來獲得。這里，襯底的織構(gòu)轉(zhuǎn)移到緩沖層，然后轉(zhuǎn)移到沉積在其上的超導(dǎo)體層。由于此方法使用了外延生長(zhǎng)，所以不再需要采用用于獲得期望取向的緩沖層的直接沉積工藝(例如IBAD)。本發(fā)明涉及基于適當(dāng)織構(gòu)的襯底的第二種方法。已知有用于在(雙軸)織構(gòu)的襯底上生長(zhǎng)緩沖層的多種沉積方法。示例有例如脈沖激光沉積、物理氣相沉積、電子束沉積和濺射的真空工藝以及例如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和化學(xué)溶液沉積(CSD)的非真空工藝根據(jù)涂布導(dǎo)體制造的這一方法，襯底的織構(gòu)的質(zhì)量是允許形成超導(dǎo)性能良好的高溫超導(dǎo)材料的活性層的基本特征。如果襯底的織構(gòu)差，就無法獲得具有期望的良好排列取向的活性層，而良好的排列取向是超導(dǎo)性能的先決條件。然而，在使用織構(gòu)的襯底時(shí)存在問題，即涂布導(dǎo)體的最終形狀已經(jīng)固定。一旦襯底已經(jīng)被織構(gòu)，無法通過變形和退火使其成形，因?yàn)樵诔尚涡巫兤陂g引入的缺陷在接著的退火期間消失從而破壞了織構(gòu)。然而，如上所述，無法通過外延生長(zhǎng)在具有差的和/或有缺陷的織構(gòu)的襯底或下層上分別生長(zhǎng)良好取向的層、緩沖層和活性層。另外，目前襯底的織構(gòu)通過機(jī)械加工來進(jìn)行，機(jī)械加工需要平坦且規(guī)則的表面。因此，如果一十底在加工之前例如成形為i者如圓形或多角形的彎曲不規(guī)則形狀，則用于織構(gòu)的機(jī)械加工是困難的，或者甚至不再可用。這意味著，在目前工藝中，避免形成一次織構(gòu)的襯底，這將應(yīng)用限制在適于平坦帶狀的襯底并且大大限制了應(yīng)用領(lǐng)域。美國(guó)專利6114287涉及一種用于使在織構(gòu)的表面上外延沉積的可塑的金屬緩沖物機(jī)械變形以最小化或消除表面不規(guī)則并同時(shí)保持緩沖層的雙軸織構(gòu)的方法。該方法包含如下步驟在雙軸織構(gòu)的襯底上沉積金屬緩沖層的外延層；以及在平滑的表面之間使外延層變形。因此，該專利的總的目的是使織構(gòu)襯底上的外延沉積層平滑。該美國(guó)專利的另一目的是提供一種通過在平滑表面之間致密化來制備具有致密的高溫超導(dǎo)體(HTS)的前驅(qū)體(precursor)的方法。為了消除表面粗糙度或致密化，涂布襯底在平滑的表面之間機(jī)械變形，例如，在拋光的輥(roll)之間軋制或在拋光的壓^反(platen)之間按壓。在美國(guó)專利6114287的方法中，經(jīng)處理的涂布襯底保持它們初始的平面幾何形狀。WO03/019589Al涉及一種用于獲得線圈構(gòu)造的涂布導(dǎo)體的工藝。由于層的脆性，所以認(rèn)為難以通過筒單纏繞涂布導(dǎo)體帶獲得此線圏構(gòu)造。根據(jù)WO03/019589Al,此問題可以通過將各層以線圈構(gòu)造直接沉積在樣板(former)上。也就是，線圈構(gòu)造通過沉積工藝(例如IBAD)"寫"在框架上。沒有關(guān)于使涂布襯底成形，即，使涂布的織構(gòu)襯底從第一形狀變形到第二形狀的暗示。而且，沒有使涂布襯底進(jìn)行成形步驟，即，使襯底和緩沖層同時(shí)地成形的暗示。DE19724618Al涉及一種制備具有氧化物陶瓷超導(dǎo)材料層的波紋(corrugated)金屬管的工藝，該波紋金屬管通過使涂布有超導(dǎo)材料的平坦金屬襯底沿其縱軸彎曲以獲得對(duì)開管(sliuube)并焊接狹縫而制備。沒有關(guān)于襯底和/或超導(dǎo)層的任何織構(gòu)的暗示。此外，氧化物陶瓷超導(dǎo)材料非常易于在變形時(shí)損壞。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種使用織構(gòu)襯底制造涂布導(dǎo)體的工藝，該工藝允許形成已織構(gòu)的襯底并仍然允許外延生長(zhǎng)高溫超導(dǎo)材料的良好排列的活性層。具體地，本發(fā)明的目的是提供一種用于外延生長(zhǎng)超導(dǎo)相的成形襯底的制備工藝。根據(jù)本發(fā)明，此目的通過一種用于制備具有彎曲表面的涂布導(dǎo)體的成形襯底的工藝來實(shí)現(xiàn)，該工藝包含以下步驟向具有平坦表面的織構(gòu)襯底提供一個(gè)或多個(gè)織構(gòu)的緩沖層；對(duì)覆蓋有該初始的緩沖層的襯底進(jìn)行成形步驟；以及通過外延生長(zhǎng)將織構(gòu)的第二緩沖層提供到初始的緩沖層上。根據(jù)本發(fā)明，可以獲得就成形而言具有改善自由度的長(zhǎng)度大的涂布導(dǎo)體。此外，根據(jù)本工藝，可以獲得具有大致上圓形或多邊形截面的線形式的涂布導(dǎo)體。具體地，根據(jù)本工藝，該圓線涂布導(dǎo)體可以從扁平襯底帶獲得。例如，才艮據(jù)本工藝，扁平襯底帶可以沿其縱軸彎曲以獲得圓線。根據(jù)本發(fā)明，在形變或成形工藝之前，織構(gòu)襯底涂布有第一緩沖層，第一緩沖層采用村底的織構(gòu)。根據(jù)需要，另外的緩沖層可以通過外延生長(zhǎng)沉積在第一緩沖層上，也即，下層用作生長(zhǎng)于其上的層的才莫板。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，與襯底相反，緩沖層在任何成形或形變工藝期間保持足夠的織構(gòu)記憶性。由此，初始緩沖層可以用于獲得附加緩沖層的織構(gòu)。另一方面，通過附加緩沖層，至少最開始的初始緩沖層的缺陷(例如裂紋、多孔性等)被抑制，這些缺陷可由前述成形處理產(chǎn)生。所涉及的工藝是自外延的，其不依賴于下面金屬襯底的織構(gòu)的質(zhì)量。對(duì)于本發(fā)明，"成形襯底，，表示織構(gòu)的襯底，該織構(gòu)的村底在已經(jīng)織構(gòu)之后，并且具體而言在沉積至少一個(gè)初始緩沖層之后，被變形/成形處理。根據(jù)本發(fā)明，術(shù)語(yǔ)"長(zhǎng)度大，，是指具有顯著超過寬度和高度的縱軸的帶型體或線型體。根據(jù)本發(fā)明，在使涂布有至少一個(gè)初始緩沖層的襯底變形為期望形狀之后，附加緩沖層外延生長(zhǎng)在最開始的初始緩沖層上。優(yōu)選地，所述附加緩沖層具有與最開始的初始緩沖層相同的成份。通過該附加緩沖層，抑制了由于成形工藝至少在最開始的面初始緩沖層中引起的任何缺陷，獲得了具有高質(zhì)量的織構(gòu)的基本上無缺陷的層，該層適于作為超導(dǎo)材料的活性層的外延生長(zhǎng)模板。本發(fā)明提供了超導(dǎo)涂布導(dǎo)體的最終形狀的更多自由度。沒有對(duì)目前使用的帶的平坦形狀的限制。根據(jù)本發(fā)明，可以獲得具有彎曲表面(例如圓形、橢圓形或多邊形截面)的襯底。該成形襯底適于制造具有圓形或橢圓形線的長(zhǎng)度大的涂布導(dǎo)體。例如，圓形或諸如六邊形的多邊形的截面有利于增大電性能的各向同性并促進(jìn)用于特定應(yīng)用的設(shè)計(jì)和制造。襯底的成形/變形可以通過用于獲得期望形狀的任何方法實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的用于使襯底成形的合適工藝的示例是輥軋(rolling)、拉伸(drawing),焊接(welding)等。因此，根據(jù)本發(fā)明，還可以使傳統(tǒng)帶狀襯底進(jìn)行拉伸工藝以減小直徑或?qū)⑵矫鎺纬蔀槔鐚?duì)開管的管形。例如，根據(jù)本發(fā)明，諸如帶的襯底可以通過將帶沿其縱向方向形成為對(duì)開管且縱向邊緣沿變形時(shí)形成的縱向狹縫相互毗鄰，由此形成為管形。從而，可以獲得HTS導(dǎo)線，其可以像傳統(tǒng)線一樣被進(jìn)一步加工。如果需要，狹縫可以被封閉，例如通過焊接。帶的形成可以繞大致上管形或線形的中心核來進(jìn)行。優(yōu)選地，中心核由金屬例如鋼等制成。獲得的具有中心核的管可以被拉伸直到管緊密地鄰接在中心核上。為了成形和拉伸，可以采用通常公知的用于金屬片和金屬帶的加工的成形工藝。管狀涂布導(dǎo)體的制造可從引用結(jié)合于此的EP1916720Al得知。通常對(duì)于本發(fā)明，可以使用具有合適織構(gòu)的任何襯底，優(yōu)選地具有雙軸織構(gòu)的襯底。適于作為用于涂布導(dǎo)體的村底的材料以及用于織構(gòu)這些材料成為可用作涂布導(dǎo)體的襯底的工藝在本領(lǐng)域是眾所周知的。合適村底的特定示例是雙軸織構(gòu)的金屬襯底，其可通過例如使用重冷輥軋和隨后退火的RABiT工藝獲得。合適金屬的示例是Cu、Ni、Ag或基于這些金屬的合金，例如具有從W、Mo、Mn等選出的至少一種合金成份的Ni基合金。在本發(fā)明中，原則上，形成初始緩沖層和附加緩沖層的材料并不受特定的限制，只要可以外延生長(zhǎng)即進(jìn)行織構(gòu)轉(zhuǎn)移即可。可以使用已知的可用作緩沖層并允許外延生長(zhǎng)的任何材料。對(duì)于本發(fā)明，材料應(yīng)當(dāng)能夠外延生長(zhǎng)在襯底上并允許沉積在其上的附加的層的外延生長(zhǎng)。附加緩沖層的材料可以與至少最開始的初始緩沖層的相同，這表明附加緩沖層同質(zhì)外延生長(zhǎng)在最開始的初始緩沖層上。用于附加緩沖層的材料可以不同于第一緩沖層的材料，這表明附加緩沖層異質(zhì)外延生長(zhǎng)在最開始的初始緩沖層上。在此情況下，為了允許織構(gòu)轉(zhuǎn)移，需要最開始的初始緩沖層與附加緩沖層的合適的晶格匹配，從而允許不受干擾的外延生長(zhǎng)。小的晶格失配可以支持無缺陷的層的生長(zhǎng)。然而，當(dāng)失配增大時(shí)，增大的應(yīng)變?cè)谏L(zhǎng)的層中產(chǎn)生，且取向的轉(zhuǎn)移變得越來越差。是眾所周知的。優(yōu)選地，對(duì)于本發(fā)明，附加緩沖層使用與至少最開始的初始緩沖層相同的材料。本發(fā)明至少最開始的初始緩沖層和附加緩沖層可以由RE2B207型的材料制成，其中RE為/人La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Y、Tm、Yb和Lu中選出的至少一種，以及B為從Zr和Hf中選出的至少一種。根據(jù)本發(fā)明，至少最開始的初始緩沖層和附加緩沖層的材料可以具有化學(xué)式RE2-xB2+x07，其中-0.4^x^+0.7,優(yōu)選地-0.3蘭x^0,3。通過改變存在于緩沖層中的RE和B的比例和/或性質(zhì)，可以調(diào)整晶格參數(shù)。晶格參數(shù)的改變可以通過調(diào)整晶格失配來支持外延生長(zhǎng)。例如，考慮到Y(jié)BCO超導(dǎo)體層的外延生長(zhǎng)的晶格匹配，緩沖層La2Zr207(LZO)已被證明是特別有用的。合適的緩沖層材料的另外的示例是MgO、釔穩(wěn)定二氧化鋯(YSZ)、(Cei-ZREz)02(其中以及具有如上定義的RE的REMn03。作為本發(fā)明的超導(dǎo)材料，原則上，可以使用任何氧化物超導(dǎo)體，例如稀土鋇銅酸鹽型超導(dǎo)體、鉍鍶鈣銅酸鹽型超導(dǎo)體(例如已知標(biāo)記為BSCCO-2212和BSCCO-2223的超導(dǎo)體，特別地其中Bi部分被Pb取代的超導(dǎo)體)、或者鉈基和汞基超導(dǎo)體，例如分別為鉈鍶鈣鋇銅酸鹽型超導(dǎo)體和汞鋇鍶鈣銅酸鹽型超導(dǎo)體。優(yōu)選的超導(dǎo)材料是REBCO-123,RE如上所述定義，具體地為YBCO-123，該超導(dǎo)體可以被其它的金屬例如Ag摻雜。對(duì)于本發(fā)明，不存在對(duì)于緩沖層和活性層的沉積方法的特定限制。例如可以使用以上提及的任何方法。然而，考慮到減少成本和較高的沉積速率，化學(xué)非真空工藝?yán)缁瘜W(xué)溶液沉積是優(yōu)選的。通常，根據(jù)CSD，例如化學(xué)式為RE2—xB2+x07的緩沖層的層可以通過形成金屬有機(jī)化合物/人溶液沉積膜在襯底上來制造。在此工藝中，可以Y吏用合適的RE和B前驅(qū)體化合物在有機(jī)溶劑中的化學(xué)計(jì)量的混合物。獲得的新膜通常在20(TC和500。C的溫度之間被進(jìn)一步干燥、熱分解(燒盡有機(jī)物)。接著在高的溫度下進(jìn)行結(jié)晶，例如不超過期望的最終氧化物膜的熔化溫度的一半的溫度表明是有用的。氧化物膜的生長(zhǎng)工藝是固態(tài)生長(zhǎng)工藝，與無定形玻璃中的結(jié)晶相當(dāng)。CSD可以分為三種主要方法1.使用金屬羧酸鹽化合物的金屬有機(jī)分解(MOD);2.在有機(jī)溶劑中使用金屬醇鹽作為前驅(qū)體的溶膠凝膠金屬有機(jī)法；以及3.螯化工藝(chelateprocess),其是金屬有機(jī)方法的變型。金屬有機(jī)分解的子群是使用金屬三氟醋酸鹽作為前驅(qū)體的三氟醋酸鹽(TFA)法。用于獲得超導(dǎo)材料的緩沖層和活性層的這些工藝在本領(lǐng)域是眾所周知的，存在大量與其相關(guān)的文獻(xiàn)。本發(fā)明所使用的緩沖層用于通過外延生長(zhǎng)將取向轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)在其上的層。此外，它們通過防止任何成份擴(kuò)散和金屬襯底氧化而用作化學(xué)阻擋物。在超導(dǎo)材料的活性層之上可以沉積一個(gè)或多個(gè)附加的層，例如金屬分流層、金屬保護(hù)層和絕緣層。金屬分流層和金屬保護(hù)層可以通過電鍍沉積并可以由Ag、Au、Cu等制成。絕緣體可以通過擠壓已知的絕緣體例如聚酯、聚醚醚酮(PEEK)等形成。具體實(shí)施例方式在下文中，本發(fā)明的原理通過參照特定實(shí)施例進(jìn)一步闡明。示例第一La2Zr207緩沖層使用盤繞系統(tǒng)(reel-to-reelsystem)沉積在10mm寬、80pm厚、10m長(zhǎng)的M5。/。WRABIT襯底。基本上，將帶在La和Zr的乙酰丙酮化物在丙酸中的0.45M溶液中浸漬涂布，以常規(guī)的方式干燥溶膠層、使獲得的層熱分解并結(jié)晶。所得的涂布帶被轉(zhuǎn)變?yōu)楣苄?，從而獲得線。為了改變最終的線直徑，帶寬度可以通過切割調(diào)節(jié)到4mm。對(duì)4mm到10mm寬度的帶成形導(dǎo)致約1.3mm到3.2mm直徑的線。由LZO組成的第二緩沖層以與初始第一LZO層基本相同的方式外延生長(zhǎng)在具有第一緩沖層的成形襯底上。初始織構(gòu)的帶襯底(在沉積第一緩沖層和變形步驟之前)以及附加的第二緩沖層的取向(織構(gòu))度利用X射線衍射通過確定111cl)掃描(面內(nèi)織構(gòu))和co掃描(面外織構(gòu))的FWHM來比較。結(jié)果在下面的表中示出。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>這些結(jié)果清楚地表明，在成形具有初始緩沖層的村底之后，沉積的第二緩沖層的織構(gòu)的質(zhì)量不僅與變形之前的襯底的質(zhì)量可比而且一定程度上得到改善。權(quán)利要求1.一種用于制備適于制造涂布導(dǎo)體的具有彎曲表面的成形襯底的工藝，包含以下步驟向具有平坦表面的織構(gòu)襯底提供一個(gè)或多個(gè)織構(gòu)的緩沖層；將覆蓋有初始緩沖層的襯底進(jìn)行成形步驟，其中在所述成形步驟中，所述平坦表面變形為彎曲表面；以及通過外延生長(zhǎng)將織構(gòu)的附加緩沖層提供到所述初始緩沖層上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中使用具有雙軸織構(gòu)的襯底。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的工藝，其中使用相同的材料用于最開始的初始緩沖層和用于附加緩沖層。4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的工藝，其中所述成形步驟是從輥軋、拉伸和焊接中選出的至少一種。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的工藝，其中所述襯底被成形為具有圓形、橢圓形或多邊形的截面。6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的工藝，其中所述襯底是繞縱軸彎曲成圓線形狀的扁平帶。7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的工藝，其中用于所述初始緩沖層和所述附加緩沖層的材料是從MgO、釔穩(wěn)定二氧化鋯、(Cei—zREz)02,0Sz^0,5、REMnO^。RE2.xB2+x07,-0.4^x^+0.7中選出的至少一種，其中RE是從La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Y、Tm、Yb和Lu中選出的至少一種，以及B是從Zr和Hf中選出的至少一種。8.根據(jù)前述權(quán)利要求1到7中的任一項(xiàng)的工藝獲得的具有彎曲襯底的成形村底。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成形襯底，包含外延生長(zhǎng)的超導(dǎo)材料的活性層。10.4艮據(jù)權(quán)利要求8或9所述的成形村底，還包含一個(gè)或多個(gè)附加緩沖層。11.根據(jù)權(quán)利要求8到10中任一項(xiàng)所述的成形襯底，其中用于所述活性層的超導(dǎo)材料是REBa2Cu307.x型，其中RE是從La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Y、Tm、Yb和Lu中選出的至少一種。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的成形村底，其中RE至少是Y。13.根據(jù)權(quán)利要求8到12中任一項(xiàng)所述的成形襯底，還包含一個(gè)或多個(gè)附加金屬保護(hù)層和/或一個(gè)或多個(gè)附加絕緣層。14.根據(jù)權(quán)利要求8到13中的任一項(xiàng)所述的成形襯底，其中所述成形襯底是具有圓形、橢圓形或多邊形截面的線。15.使用根據(jù)權(quán)利要求8到12中的任一項(xiàng)所述的成形村底用于制造涂布導(dǎo)體。16.使用根據(jù)權(quán)利要求15所述的成形襯底用于制造具有保護(hù)層的涂布導(dǎo)體。全文摘要涂布導(dǎo)體用成形襯底的制備工藝及使用該襯底的涂布導(dǎo)體。本發(fā)明涉及適用于涂布導(dǎo)體制造的變形襯底的制備工藝，該工藝允許織構(gòu)緩沖層已經(jīng)形成在其上的織構(gòu)襯底的變形。文檔編號(hào)H01L39/12GK101599526SQ200910143700公開日2009年12月9日申請(qǐng)日期2009年6月2日優(yōu)先權(quán)日2008年6月2日發(fā)明者于爾根·埃倫伯格,馬克·O·里克爾申請(qǐng)人:尼克桑斯公司