專(zhuān)利名稱(chēng)：撓性膜自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的制造方法
撓性膜自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種膜自載板上脫離的方法，特別是關(guān)于一種包含撓性膜(flexible film)自載板上脫離的方法。
背景技術(shù)：
平面顯示器在朝大面積化發(fā)展的同時(shí)，具有更輕、更薄及可撓曲的特性將成為未 來(lái)顯示器主要追求的目標(biāo)。因此，以塑料基板制作平面顯示面板將成為未來(lái)顯示器之發(fā)展 趨勢(shì)。目前可撓式平面顯示器的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，是使用現(xiàn)有玻璃基板 制備設(shè)備來(lái)制作。先將塑料基板粘附在玻璃基板上(或直接在玻璃基板上涂布塑料基板)，再于塑 料基板上進(jìn)行薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)等元件的制造步驟。此種方式雖 能達(dá)到片對(duì)片(Sheet to Sheet)的制作流程，也達(dá)到一般的制備要求，但在完成薄膜晶體 管等元件制作之后，必須面臨的問(wèn)題是如何順利地將此具有薄膜晶體管陣列的塑料基板自 玻璃基板取下。塑料基板會(huì)與玻璃載板之間緊密粘附主要是因?yàn)橛脕?lái)作為塑料基板的高分子材 料(如聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亞胺(PI)等等)其化學(xué)結(jié)構(gòu)上 存在許多電負(fù)性強(qiáng)的氧原子(0)、氮原子(N)、甚至氟原子(F)，而玻璃的表面結(jié)構(gòu)中含有部 分的硅羥基(-Si-OH)結(jié)構(gòu)，電負(fù)性強(qiáng)的原子極易與-OH上的氫原子產(chǎn)生氫鍵而緊密結(jié)合， 如圖1所示。美國(guó)專(zhuān)利US7279401提到將塑料基板的其中一邊先以刀具切割出一道裂口，再以 脫離液從此裂口滲入，慢慢撕離塑料基板。臺(tái)灣專(zhuān)利200712607揭露形成離型層于該塑料基板與玻璃基板之間，于制程完畢 后剝離塑料基板。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明之一實(shí)施方式提出一種撓性膜自載板上脫離的方法，其包括提供載板，其 中該載板具有上表面；對(duì)該載板的上表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性(releasing characteristic)的上表面；在該載板具有防粘特性的上表面上形成撓性膜；以及，對(duì)形成 于該載板上的該撓性膜進(jìn)行切割脫離。本發(fā)明另一實(shí)施方式提出一種撓性膜自載板上脫離的方法，其包括提供載板，其 中該載板具有上表面；對(duì)該載板的上表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的上表面； 在該載板具有防粘特性的上表面上貼附預(yù)先形成的撓性膜；以及，對(duì)形成于該載板上的該 撓性膜進(jìn)行切割脫離。本發(fā)明又一實(shí)施方式亦提供一種可撓式電子裝置的制造方法，其包括提供載板， 其中該載板具有上表面；對(duì)該載板的部份上表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的區(qū)域，而未進(jìn)行表面處理的部份定義為具有附著性的區(qū)域；形成撓性膜于該上表面，其中該撓 性膜覆蓋該具有防粘特性的區(qū)域及該具有附著性的區(qū)域；形成電子元件于該撓性膜的上表 面上；以及，對(duì)形成于該具有防粘特性的區(qū)域內(nèi)的該撓性膜進(jìn)行切割，得到可撓式電子裝置。以下藉由數(shù)個(gè)實(shí)施方式并配合所附圖式，進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但并非用來(lái)限制本 發(fā)明的范圍，本發(fā)明范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

圖1為示意圖，顯示塑料基板的強(qiáng)電負(fù)性原子與玻璃載板的羥基易產(chǎn)生氫鍵，而 使得塑料基板與玻璃載板緊密結(jié)合。圖2a_2e為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述的撓性膜自載板上脫離的 方法。圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述的經(jīng)表面處理的載板，該載板經(jīng)表面處理后其上 的羥基并轉(zhuǎn)換成其他非羥基的官能團(tuán)。圖4a_4e為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述的高分子基材的制造流程。圖5為圖4c所示結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖6顯示本發(fā)明另一實(shí)施方式所述經(jīng)表面處理的載板，其包含經(jīng)圖形化的具有防 粘特性的區(qū)域。圖7為剖面圖，顯示切割所得的高分子基材的尺寸可小于該具有防粘特性的區(qū)域 的尺寸。圖8a_8d為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述以旋轉(zhuǎn)涂布方式將化學(xué)試 劑與載板反應(yīng)，形成具有防粘特性的區(qū)域的制造流程。圖9a_9d為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述以壓印方式將化學(xué)試劑與 載板反應(yīng)，形成具有防粘特性的區(qū)域的制造流程。圖IOa-IOd為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述以輥涂方式將化學(xué)試劑 與載板反應(yīng)，形成具有防粘特性的區(qū)域的制造流程。圖Ila-Ilb為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述以輥式凸版印制技術(shù)將 化學(xué)試劑與載板反應(yīng)，形成圖案化具有防粘特性的區(qū)域的制造流程。圖12a_12b為一系列剖面圖，顯示本發(fā)明一實(shí)施方式所述可撓式電子裝置的制造方法。圖13為剖面圖，顯示功能膜可配置于該撓性膜及該載板之間。圖14為剖面圖，顯示功能膜形成于該撓性膜的下表面，再貼附至該載板。主要元件符號(hào)說(shuō)明10 載板；11 上表面；12 具有防粘特性的區(qū)域；13 化學(xué)試劑；14 具有附著性的區(qū)域；
15 具有防粘特性的上表面；16 撓性膜；17 切割線(xiàn)；19 撓性膜上表面；20 可撓曲基材；21 撓性膜下表面；22 光阻層；24 模板；26 輥；27 涂布方向；28 電子元件；30 可撓式電子裝置；以及32 功能膜。實(shí)施方式以下，請(qǐng)配合圖式，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明之實(shí)施方式所述的撓性膜自載板上脫離的方 法首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2a，提供載板10，其中該載板10具有上表面11。該載板10為一般 具有一定剛性材質(zhì)的硬基板，其可例如為金屬基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓，在 此實(shí)施方式中，可為玻璃基板。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2b及2c，對(duì)該載板10的上表面11進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘 特性的上表面15。在此，該表面處理可包含提供化學(xué)試劑13形成于該載板10的上表面11 上并與該載板10進(jìn)行反應(yīng)(請(qǐng)參照?qǐng)D2b)，得到具有防粘特性的上表面15是載板10 (請(qǐng) 參照?qǐng)D2c)。此外，根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施方式，對(duì)該載板10的上表面11進(jìn)行表面處理可為 等離子體處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理、或上述組合。值得注意的是，該 載板10的上表面11經(jīng)該表面處理后，該上表面11上能與后續(xù)所形成撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的官 能團(tuán)被消耗、覆蓋或置換，導(dǎo)致所得的具有防粘特性的上表面15與后續(xù)所形成撓性膜之間 的附著性大幅降低。在此，該載板上表面的官能團(tuán)與撓性膜可產(chǎn)生的鍵結(jié)包含離子鍵、共價(jià) 鍵、或氫鍵，其中該能與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)包含羥基、羧基、胺基、或酯基。本發(fā)明之實(shí)施方式所使用的化學(xué)試劑13具有與載板10的上表面11的官能團(tuán)進(jìn) 行加成反應(yīng)、消去反應(yīng)或取代反應(yīng)的結(jié)構(gòu)，舉例來(lái)說(shuō)，該化學(xué)試劑13可具有以下結(jié)構(gòu) 其中，w為 C、Si、或 Ge ；X 為 S、或 Se ;Y 為 C 或 S ；R1, R2、及R3各自獨(dú)立，且為氫、烴基、烷基、-OR或其結(jié)合，其中R為碳數(shù)介于1 18的烷基；R4為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、鹵代烷基或其組合；R5 為 Li ；以及R6、R7、及R8各自獨(dú)立且為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、鹵代烷基、
或其組合。在本發(fā)明之實(shí)施方式中，RpRyHR7及R8定義中的“烴基”可包括碳原子數(shù)為 1 6的“烴基”;“烷基”可包括碳原子數(shù)為1 6的直鏈或支鏈烷基，例如甲基、乙基、2-甲 基乙基等；R4、R6定義中的“鹵代烷基”可包括碳原子數(shù)為1 5的鹵代烷基。舉例來(lái)說(shuō)，該化學(xué)試劑13可包含二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、 1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲 基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亞硫酰氯、三乙基氯硅烷、二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫酰氯、叔 丁基氯二甲基硅烷、或其混合。該化學(xué)試劑13的使用形態(tài)并無(wú)限制，可為液態(tài)、氣態(tài)或固態(tài) 試劑，較佳系為液態(tài)試劑，且其沸點(diǎn)可小于200°C，優(yōu)選小于100°C，更優(yōu)選在常溫時(shí)就可以 干燥的液體。請(qǐng)參照?qǐng)D3，該化學(xué)試劑(在此以亞硫酰氯(thionyl chloride)為例)可與 所接觸的載板10 (例如玻璃)上的羥基(-0H)進(jìn)行反應(yīng)，并將其轉(zhuǎn)換成其他非羥基的官能 團(tuán)(不會(huì)與撓性膜產(chǎn)生氫鍵)。在本發(fā)明之一實(shí)施方式中，進(jìn)行反應(yīng)的溫度可為室溫，反應(yīng) 的時(shí)間可為1分鐘。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2d，在該載板10的具有防粘特性的上表面15上形成撓性 膜16。其中該撓性膜可例如為高分子膜，包含聚酰亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯 (polycarbonate, PC)、聚 SIPi (polyethersulfone, PES)、聚 P華 Ji水片；I；希(polynorbornene, PNB)、聚醚酰亞胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二 甲酸乙 二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)或聚對(duì)苯二 甲酸乙二醇酯(polyethylene ter印hthalate，PET)，而形 成方法可為蒸鍍、或是濕式涂布方式形成于該載板10上。在此實(shí)施方式中，由于該載板10 的具有防粘特性的上表面15上能與該撓性膜16產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)(例如羥基(-0H))已 被該化學(xué)試劑13消耗并轉(zhuǎn)換成其他不會(huì)與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)，不會(huì)有在羥基上的 氫原子來(lái)和該撓性膜16來(lái)產(chǎn)生氫鍵。因此，該撓性膜16與經(jīng)表面處理的載板的附著度 (adherence)，與未經(jīng)表面處理的玻璃載板相比，會(huì)大幅下降。最后，請(qǐng)參照?qǐng)D2e，對(duì)該撓性 膜16進(jìn)行切割及分離。在本發(fā)明另一實(shí)施方式中，利用等離子體作為表面處理的手段，主要利用等離子 體來(lái)處理載板之表面，例如以氬氣為載氣，反應(yīng)氣氛可為CF2、CF3或含硅類(lèi)氣體，在大氣壓 的環(huán)境下形成等離子體，使其消耗或取代載板上表面的官能團(tuán)，形成該具有防粘特性的上 表面。此外，本發(fā)明一實(shí)施方式所述撓性膜自載板上脫離的方法，亦可進(jìn)一步用于高分子基材的制造上，請(qǐng)參照以下實(shí)施例。首先，請(qǐng)參照第4a圖，提供載板10，其中該載板10具有上表面11。接著，請(qǐng)參照 圖4b及4c，對(duì)該載板10的部份上表面11進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的區(qū)域12， 而未進(jìn)行表面處理的部份則定義為具有附著性的區(qū)域14，并請(qǐng)參照?qǐng)D5，其為圖4c的俯視 圖。該表面處理包含提供化學(xué)試劑13形成于該載板10的部份上表面11上并與該載板10 進(jìn)行反應(yīng)，形成該具有防粘特性的區(qū)域12 (請(qǐng)參照?qǐng)D4b)，得到包含具有防粘特性的區(qū)域12 的載板10(請(qǐng)參照?qǐng)D4c)。所形成的具有防粘特性的區(qū)域12可以為圖形化的形式(例如矩 形、圓形或其他圖形)；此外，該具有防粘特性的區(qū)域12亦可包含多個(gè)區(qū)塊，如圖6所示。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4d，在該載板10的上表面11上形成撓性膜16，其中該撓性膜16同 時(shí)覆蓋該具有防粘特性的區(qū)域12及該具有附著性的區(qū)域14。值得注意的是，該撓性膜16 與該載板在該具有防粘特性的區(qū)域內(nèi)12的附著度小于該撓性膜與該載板在該具有附著性 的區(qū)域內(nèi)14的附著度，且該具有附著性的區(qū)域14提供該撓性膜16整體在載板10上的固 著性，有利于該撓性膜16的后續(xù)制備過(guò)程。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)該撓性膜16與該載板10在該具 有附著性的區(qū)域14內(nèi)的附著度(adherence)維持在1B-5B時(shí)，該撓性膜16與該載板10在 該具有防粘特性的區(qū)域12內(nèi)的附著度(adherence)介于0B-1B之間；本發(fā)明另一實(shí)施方式 中，當(dāng)該撓性膜16與該載板10在該具有附著性的區(qū)域14內(nèi)的附著度(adherence)維持在 2B-5B時(shí)，該撓性膜16與該載板10在該具有防粘特性的區(qū)域12內(nèi)的附著度(adherence) 介于0B-2B之間。最后，請(qǐng)參照?qǐng)D4e，延切割線(xiàn)17對(duì)形成于該具有防粘特性的區(qū)域12內(nèi)的該撓性 膜16進(jìn)行切割，得到可撓曲基材20。該切割線(xiàn)17可落在該具有防粘特性的區(qū)域12(也就 是經(jīng)過(guò)化學(xué)試劑處理過(guò)的載板10)的邊緣，如此該可撓曲基材20的尺寸則與該具有防粘特 性的區(qū)域12的尺寸相同。此外，請(qǐng)參照?qǐng)D7，該切割線(xiàn)17亦可落在該具有防粘特性的區(qū)域 12 (也就是經(jīng)過(guò)化學(xué)試劑處理過(guò)的載板10)的內(nèi)側(cè)，如此該可撓曲基材20的尺寸則小于該 具有防粘特性的區(qū)域12的尺寸。本發(fā)明一實(shí)施方式所述對(duì)該載板進(jìn)行之表面處理，其所使用的化學(xué)試劑可利用浸 泡技術(shù)、旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)、壓印技術(shù)、刮印技術(shù)、或輥涂技術(shù)形成于該載板10之上。根據(jù)本發(fā)明之一實(shí)施方式，該化學(xué)試劑13系以旋轉(zhuǎn)涂布形成于載板10上。首先， 請(qǐng)參照?qǐng)D8a，利用微影技術(shù)，在該載板10上形成圖形化光阻層22，并露出欲形成該具有防 粘特性的區(qū)域的上表面11 ；接著，請(qǐng)參照?qǐng)D8b，利用旋轉(zhuǎn)涂布方式形成該化學(xué)試劑13于該 露出的上表面11 ；待化學(xué)試劑13與載板10反應(yīng)后即可形成具有防粘特性的區(qū)域12，之后 移除該光阻層22，請(qǐng)參照?qǐng)D8c及8d。此外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，該化學(xué)試劑13系以壓印技術(shù)形于載板10上。首 先，請(qǐng)參照?qǐng)D9a，在模板24上形成化學(xué)試劑13涂層，并將該模板24與該載板10進(jìn)行對(duì)準(zhǔn) (alignment)，使得該化學(xué)試劑13涂層對(duì)準(zhǔn)欲形成該具有防粘特性的區(qū)域的上表面11 ；接 著，請(qǐng)參照?qǐng)D％，將該模板24壓印(imprint)至該載板10 ；待化學(xué)試劑13與載板10反應(yīng) 形成具有防粘特性的區(qū)域12后，移除該模板24，請(qǐng)參照?qǐng)D9c及9d。再者，根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式，該化學(xué)試劑13以刮印或輥涂技術(shù)形成于載板10 上。首先，請(qǐng)參照?qǐng)DIOa及10b，利用輥26 (或刮刀)朝涂布方向27，將化學(xué)試劑13涂布 于欲形成該具有防粘特性的區(qū)域的上表面11，即可得到具有防粘特性的區(qū)域12，請(qǐng)參照?qǐng)D
11IOc 及 IOd0此外，亦可以輥式凸版印制技術(shù)將化學(xué)試劑13圖案化涂布于該載板10的上表面 11，用以形成圖案化的具有防粘特性的區(qū)域12，請(qǐng)參照?qǐng)DIla及l(fā)ib。本發(fā)明之一實(shí)施方式亦提供一種可撓式電子裝置的制造方法，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施 方式所述，在完成圖4d所述將撓性膜16形成于該載板10之上表面的制程后，請(qǐng)參照?qǐng)D 12a，可以將電子元件28形成于該撓性膜16之上表面19，接著在對(duì)形成有電子元件28的 撓性膜16進(jìn)行切割，即可得到可撓式電子裝置30，請(qǐng)參照?qǐng)D12b。其中該電子元件28的種 類(lèi)并無(wú)特別限制，可為已知的任何可形成于高分子基材上的電子元件，包含薄膜晶體管陣 列、記憶體單元、平面顯示元件、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體電路、或其組合。此外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式所述，在形成該撓性膜16于該載板10前，可先形 成功能膜32 (functional film)于該載板10之上，其中該功能膜32同時(shí)覆蓋該具有防粘 特性的區(qū)域12及該具有附著性的區(qū)域14，請(qǐng)參照?qǐng)D13。此外，該功能膜32并非為防粘膜， 相反地，該功能膜32為該可撓式電子裝置30的組成單元之一，因此在對(duì)撓性膜16進(jìn)行切 割并剝離載板后，并不會(huì)將其移除。該功能膜32可以為任何可搭配高分子基材功能需求的 膜層，例如應(yīng)力緩和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻氣膜或其組合。根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式所述，若是該撓性膜16是預(yù)先形成的，再以貼附方式形 成于該載板10上時(shí)，該功能膜32亦可預(yù)先形成于該撓性膜16之下表面21，而當(dāng)該撓性膜 16形成于載板10上時(shí)，以該功能膜32覆蓋該具有防粘特性的區(qū)域12及該具有附著性的區(qū) 域14，如圖14所示。本發(fā)明一實(shí)施方式所述之高分子基材及可撓式電子裝置的制造方法，可使切割后 的撓性膜16完整地由載板10上剝離，該方法利用反應(yīng)使載板表面易與撓性膜形成鍵結(jié)的 官能團(tuán)消耗掉(或是覆蓋、取代，使失去活性)。本發(fā)明實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)在于載板表面處理 之制備過(guò)程簡(jiǎn)單，且載板表面處理之方法便宜、易取得且耐熱性佳，可不需擔(dān)心在后續(xù)制備 過(guò)程中會(huì)因受熱產(chǎn)生形變或釋放出氣體的問(wèn)題。此外，當(dāng)可撓曲基材自載板上剝離后，該已 進(jìn)行表面處理的載板可以回收重復(fù)使用，無(wú)須再給予一次表面處理步驟。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許變動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以 所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種撓性膜自載板上脫離的方法，包含提供載板，其中該載板具有上表面；對(duì)該載板的上表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的上表面；在該載板具有防粘特性的上表面上形成撓性膜；以及對(duì)形成于該載板上的該撓性膜進(jìn)行切割脫離。
2.如權(quán)利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板包含金屬基板、塑料 基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓。
3.如權(quán)利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板的上表面經(jīng)該表面處 理后，其上能與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)被消耗、覆蓋或置換。
4.如權(quán)利要求3所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該能與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的官 能團(tuán)包含羥基、羧基、胺基、或酯基。
5.如權(quán)利要求3所述的撓性膜自載板上脫離的方法，該載板上表面的官能團(tuán)與撓性膜 產(chǎn)生的鍵結(jié)包含離子鍵、共價(jià)鍵、或氫鍵。
6.如權(quán)利要求第1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該表面處理包括 提供化學(xué)試劑與該載板的上表面進(jìn)行反應(yīng)。
7.如權(quán)利要求6所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學(xué)試劑具有以下結(jié)構(gòu) R1RiRiOReR2——W——R3IlII zN\ zx\ ζ \ zp\R4 、R5R2、RqR7、R6R7、R7R6 或〇IlR7 S R6O其中，W為C、Si、或Ge ；X為S、或Se ；Y為C或S ；R1^ R2、及R3各自獨(dú)立地為氫、烴基、烷基、-OR或其結(jié)合，其中R為碳數(shù)介于1 18的燒基；R4為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、鹵代烷基或其組合； R5為L(zhǎng)i ；以及R6、R7、及R8各自獨(dú)立地為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、鹵代烷基、或其 組合。
8.如權(quán)利要求6所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學(xué)試劑包含二甲基氯 硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅 烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亞硫酰氯、三乙基氯硅烷、 二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。
9.如權(quán)利要求6所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學(xué)試劑以浸泡技術(shù)、旋 轉(zhuǎn)涂布技術(shù)、壓印技術(shù)、刮印技術(shù)、或輥涂技術(shù)形成于該載板的上表面。
10.如權(quán)利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該撓性膜包含聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇
11.如權(quán)利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，在該載板的上表面上形成該撓 性膜之前，還包含在該載板上形成功能膜，其中該功能膜包含應(yīng)力緩和膜、抗刮膜、抗反射 膜、阻氣膜或其組合。
12.如權(quán)利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該撓性膜是以濕式涂布或 蒸鍍方式形成于該載板的上表面上的。
13.如權(quán)利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該表面處理包含等離子體 處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理或其組合。
14.一種撓性膜自載板上脫離的方法，包含 提供載板，其中該載板具有上表面；對(duì)該載板的上表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的上表面； 在該載板具有防粘特性的上表面上貼附預(yù)先形成的撓性膜；以及 對(duì)形成于該載板上的該撓性膜進(jìn)行切割脫離。
15.如權(quán)利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板包含金屬基板、塑 料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓。
16.如權(quán)利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板的上表面經(jīng)該表面 處理后，其上能與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)被消耗、覆蓋或置換。
17.如權(quán)利要求16所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該能與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的 官能團(tuán)包含羥基、羧基、胺基、或酯基。
18.如權(quán)利要求16所述的撓性膜自載板上脫離的方法，該載板上表面的官能團(tuán)與撓性 膜產(chǎn)生的鍵結(jié)包含離子鍵、共價(jià)鍵、或氫鍵。
19.如權(quán)利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該表面處理包括 提供化學(xué)試劑與該載板的上表面進(jìn)行反應(yīng)。
20.如權(quán)利要求19所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學(xué)試劑具有以下結(jié)構(gòu) 其中，W為C、Si、或Ge ；X為S、或Se ；Y為C或S ；氏、R2、及R3各自獨(dú)立地為氫、烴基、烷基、-OR或其結(jié)合，其中R為碳數(shù)介于1 18的燒基；R4為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、鹵代烷基或其組合；R5為L(zhǎng)i ；以及R6、R7、及R8各自獨(dú)立地為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、鹵代烷基、或其 組合。
21.如權(quán)利要求19所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學(xué)試劑包含二甲基 氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅 烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亞硫酰氯、三乙基氯硅烷、 二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。
22.如權(quán)利要求19所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學(xué)試劑是以浸泡技 術(shù)、旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)、壓印技術(shù)、刮印技術(shù)、或輥涂技術(shù)形成于該載板的上表面上的。
23.如權(quán)利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該撓性膜包含聚酰亞胺、 聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇
24.如權(quán)利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，在該載板的上表面上貼附該撓 性膜之前，還包含在該載板上形成功能膜，其中該功能膜包含應(yīng)力緩和膜、抗刮膜、抗反射 膜、阻氣膜或其組合。
25.如權(quán)利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該表面處理包含等離子 體處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理或其組合。
26.一種可撓式電子裝置的制造方法，包含 提供載板，其中該載板具有上表面；對(duì)該載板的部份上表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的區(qū)域，而未進(jìn)行表面處 理的部份定義為具有附著性的區(qū)域；形成撓性膜于該上表面，其中該撓性膜覆蓋該具有防粘特性的區(qū)域及該具有附著性的 區(qū)域；形成電子元件于該撓性膜的上表面；以及對(duì)形成于該具有防粘特性的區(qū)域內(nèi)的該撓性膜進(jìn)行切割，得到可撓式電子裝置。
27.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該載板包含金屬基板、塑 料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓。
28.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該載板的上表面經(jīng)該表面 處理后，其上能與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的官能團(tuán)被消耗、覆蓋或置換。
29.如權(quán)利要求28所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該能與撓性膜產(chǎn)生鍵結(jié)的 官能團(tuán)包含羥基、羧基、胺基、或酯基。
30.如權(quán)利要求28所述的可撓式電子裝置的制造方法，該載板上表面的官能團(tuán)與撓性 膜產(chǎn)生的鍵結(jié)包含離子鍵、共價(jià)鍵、或氫鍵。
31.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該表面處理包括 提供化學(xué)試劑與該載板的上表面進(jìn)行反應(yīng)。
32.如權(quán)利要求31所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該化學(xué)試劑具有以下結(jié)構(gòu) 其中，W為C、Si、或Ge ；X為S、或Se ；Y為C或S ；R1^ R2、及R3各自獨(dú)立地為氫、烴基、烷基、-OR或其組合，其中R為碳數(shù)介于1 18之燒基；R4為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、鹵代烷基或其組合； R5為L(zhǎng)i ；以及R6、R7、及R8各自獨(dú)立地為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、鹵代烷基、或其 組合。
33.如權(quán)利要求31所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該化學(xué)試劑包含二甲基 氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅 烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亞硫酰氯、三乙基氯硅烷、 二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。
34.如權(quán)利要求31所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該化學(xué)試劑是以浸泡技 術(shù)、旋轉(zhuǎn)涂布技術(shù)、壓印技術(shù)、刮印技術(shù)、或輥涂技術(shù)形成于該載板的上表面上的。
35.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該撓性膜包含聚酰亞胺、 聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯。
36.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，在該載板的上表面上形成該撓 性膜之前，還包含在該載板上形成功能膜，其中該功能膜包含應(yīng)力緩和膜、抗刮膜、抗反射 膜、阻氣膜或其組合。
37.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該撓性膜是以濕式涂布或 蒸鍍方式形成于該載板的上表面上的。
38.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該撓性膜是預(yù)先形成，并 以貼附方式形成于該載板的上表面上的。
39.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該表面處理包含等離子 體處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理或其組合。
40.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中，該撓性膜與該載板在該 具有防粘特性的區(qū)域內(nèi)的附著度小于該撓性膜與該載板在該具有附著性的區(qū)域內(nèi)的附著 度。
41.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該可撓式電子裝置的尺寸 與該具有防粘特性的區(qū)域的尺寸相同。
42.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該可撓式電子裝置的尺寸小于該具有防粘特性的區(qū)域的尺寸。
43.如權(quán)利要求26所述的可撓式電子裝置的制造方法，其中該電子元件包含薄膜晶 體管陣列、記憶體單元、平面顯示元件、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體電路、或其組合。
全文摘要
本發(fā)明提供撓性膜自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的制造方法。該撓性膜自載板上脫離的方法包含提供載板，其中該載板具有上表面；對(duì)該載板的上表面進(jìn)行表面處理，以形成具有防粘特性的上表面；形成撓性膜于該載板具有防粘特性的上表面；以及，對(duì)形成于該載板上的該撓性膜進(jìn)行切割脫離。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101924067SQ200910146998
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2009年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月9日
發(fā)明者張悠揚(yáng), 江良佑, 陳東森, 魏小芬 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院