專利名稱：：配線電路基板用基材的制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及配線電路基板用基材的制造方法。
背景技術：
：近年來，數(shù)字家電和移動電話等電子設備的高功能化、小型化和輕量化不斷得到發(fā)展。與此相伴，設置在電子設備內的配線電路基板的配線圖案的密度變得越來越大。在制造配線電路基板時，例如使用疊層有樹脂膜等絕緣層和銅笵等金屬層的配線電路基板用基材。而且，通過以規(guī)定的圖案對配線電路基板用基材的金屬層進行蝕刻，形成配線圖案。可是，伴隨著配線電路基板的配線圖案的高密度化，迫切希望實現(xiàn)配線電路基板用基材的金屬層的薄膜化。配線電路基板用基材通過將金屬層熱壓接在絕緣層上而被制造。但是，在使金屬層薄膜化至例如12um以下的情況下，在制造配線電路基板用基材時，容易在金屬層中形成皺折或使金屬層破裂。因此，提出了以下提案，即，使用在由例如銅構成的支承體層上設置有例如12um以下的極薄的金屬層的疊層體(以下，稱為復合金屬層)(例如日本特開2002-292788號公報)。通過使用這種復合金屬層，配線電路基板用基材的制造變得容易。在使用上述的復合金屬層制造配線電路基板用基材的情況下，使復合金屬層的金屬層朝向絕緣層的一面并使絕緣層和復合金屬層重合，使它們通過一對高溫的疊層輥之間。之后，從金屬層剝離復合金屬層的支承體層。這里，在利用疊層輥進行熱壓接之前，存在由于熱沖擊而使得復合金屬層的支承體層從金屬層剝離的情況。當在此狀態(tài)下進行絕緣層和金屬層的熱壓接時，在絕緣層和金屬層之間進入氣體，使配線電路基板用基材的外觀不良好。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供能夠防止發(fā)生外觀不良好的配線電路基板用基材的制造方法。(1)本發(fā)明的一個方面的配線電路基板用基材的制造方法包括準備由支承體層和導體層構成的疊層體的工序；和通過使疊層體和絕緣層在重合的狀態(tài)下通過一對加熱輥之間，將疊層體的導體層熱壓接在絕緣層上的工序，在將疊層體的導體層熱壓接在絕緣層上的工序中，令加熱輥對疊層體進行加熱的加熱溫度在300°C以上360°C以下，并且令加熱輥對疊層體進行加熱的加熱時間在0.1秒以上0.8秒以下。在該制造方法中，由于使熱壓接時的疊層體的加熱溫度在300°C以上并且加熱時間在0.1秒以上，因此如果絕緣層的表面是熱可塑性，則通過使絕緣層的表面融化，能夠可靠地使絕緣層和疊層體的導體層粘接。此外，由于熱壓接時的疊層體的加熱溫度在360。C以下并且加熱時間在0.8秒以下，因此能夠防止由于熱沖擊而使疊層體的支承體層和導體層剝離。由此，能夠防止在絕緣層和導體層之間進入氣體。結果是，能夠防止在配線電路基板用基材上發(fā)生外觀的不良。(2)在將疊層體的導體層熱壓接在絕緣層上的工序中，也可以在疊層體的支承體層和加熱輥之間配置樹脂層。在此情況下，通過樹脂層，能夠緩和從加熱輥施加到疊層體上的負荷。此外，通過利用加熱輥將疊層體加熱到300。C以上，使得樹脂層的彈性模量(elasticmodulus)充分地降低。由此，通過樹脂層，能夠更充分地緩和從加熱輥施加到疊層體上的負荷。(3)絕緣層也可以含有聚酰亞胺(polyimid)。在此情況下，在熱壓接時絕緣層的彈性模量充分地降低。由此，從絕緣層施加到疊層體上的負荷被緩和。此外，如果絕緣層的表面是熱可塑性的聚酰亞胺，則在熱壓接時能夠可靠地使絕緣層的表面融化，能夠以足夠的強度將疊層體的導體層粘接在絕緣層上。由此，能夠更可靠地防止配線電路基板用基材發(fā)生外觀的不良。(4)導體層也可以含有銅。在此情況下，在熱壓接時，能夠可靠地防止氣體進入絕緣層和導體層之間。由此，能夠可靠地防止配線電路基板用基材發(fā)生外觀的不良。根據(jù)本發(fā)明，能夠以足夠的強度將疊層體的導體層粘接在絕緣層上，并且能夠防止配線電路基板用基材發(fā)生外觀的不良。圖1是在本實施方式的配線電路基板的制造方法中使用的復合金屬層的示意的截面圖。圖2是表示使用復合金屬層的配線電路基板的制造方法的概要的示意的截面圖。圖3是表示使用復合金屬層的配線電路基板的制造方法的概要的示意的截面圖。圖4是用于詳細地說明將復合金屬層和保護膜疊層到絕緣層上的疊層工序的概略側面圖。具體實施例方式以下，參照附圖，對本發(fā)明的一個實施方式的配線電路基板用基材的制造方法進行說明。(1)復合金屬層圖1是在本實施方式的配線電路基板用基材的制造方法中使用的復合金屬層的示意的截面圖。如圖1所示，復合金屬層10在支承體層11上隔著剝離層12疊層有金屬層13。支承體層11和金屬層13例如由電解銅箔等金屬材料構成。支承體層11的厚度例如在10pm以上150pm以下，優(yōu)選在15pm以上lOO(im以下。金屬層13的厚度例如在9pm以下，優(yōu)選在lpm以上5pm以下。剝離層12包括第一擴散防止層、剝離功能層和第二擴散防止層。第一擴散防止層配置在支承體層11偵'J，第二擴散防止層配置在金屬層13側，剝離功能層配置在第一和第二擴散防止層之間。第一和第二擴散防止層包含例如由鎳(Ni)和磷(P)構成的耐熱性合金。剝離功能層包含例如鎳、鉻(Cr)或鉬(Mo)等的金屬氧化物。第一和第二擴散防止層防止包含在支承體層11和金屬層13中的金屬原子擴散。剝離功能層以能夠剝離的方式保持金屬層13。剝離層12的第一擴散防止層的厚度例如在0.005pm以上5pm以下，優(yōu)選在0.01^im以上lpm以下。剝離層12的剝離功能層的厚度例如為數(shù)埃數(shù)十埃，極薄。剝離層12的第二擴散防止層的厚度例如在0.005pm以上5pm以下，優(yōu)選在O.Ol)im以上lpm以下。(2)配線電路基板用基材的制造(2-1)概要接著，對使用上述的復合金屬層IO的配線電路基板用基材的制造方法進行說明。圖2是表示使用復合金屬層10的配線電路基板的制造方法的概要的示意的截面圖。首先，如圖2(a)所示地，準備由聚酰亞胺構成的絕緣層1。絕緣層1的結構為，在一面?zhèn)群土硪幻鎮(zhèn)扰渲糜袩峥伤苄跃埘啺穼?，在它們之間夾著熱固化性聚酰亞胺膜。絕緣層1的熱固化性聚酰亞胺膜的厚度例如在5pm以上50pm以下，優(yōu)選在7nm以上38nm以下。熱可塑性聚酰亞胺層的厚度例如在0.5pm以上3pm以下，優(yōu)選在l^im以上2.5pm以下。接著，如圖2(b)所示，在絕緣層1的一面上疊層復合金屬層10A和例如由聚酰亞胺構成的保護膜15A。此外，在絕緣層1的另一面上疊層復合金屬層10B和例如由聚酰亞胺構成的保護膜15B。復合金屬層IOA、10B具有與圖1所示的復合金屬層10相同的結構。在此情況下，在絕緣層1的一面和另一面上分別粘貼復合金屬層IOA、10B的金屬層13，在復合金屬層IOA、10B的支承體層11上分別粘貼保護膜15A、15B。保護膜15A、15B的厚度分別優(yōu)選在75拜以上。當保護膜15A、15B的厚度比75阿薄時，不能夠充分地得到疊層時的緩沖效果和復合金屬層IOA、IOB的保護效果。接著，如圖3(a)所示，在絕緣層1的一面?zhèn)?，從復合金屬?0A的支承體層11剝離保護膜15A，與剝離層12—起從金屬層13剝離復合金屬層10A的支承體層11。此外，在絕緣層1的另一面?zhèn)?，從復合金屬?0B的支承體層11剝離保護膜15B，與剝離層12—起從金屬層13剝離復合金屬層10B的支承體層11。這樣，如圖3(b)所示，完成配線電路基板用基材IOO。通過以規(guī)定的圖案對配線電路基板用基材100的一面和另一面的金屬層13進行蝕刻，形成配線圖案和接地圖案。從而，制作成配線電路基板。(2-2)疊層接著，對圖2(b)所示的將復合金屬層IOA、10B和保護膜15A、15B疊層到絕緣層1上的疊層工序進行說明。圖4是用于詳細地說明將復合金屬層IOA、10B和保護膜15A、15B疊層到絕緣層1上的疊層工序的概略側面圖。如圖4所示，在絕緣層1的一面?zhèn)扰渲脧秃辖饘賹?0A和保護膜15A，在絕緣層1的另一面?zhèn)扰渲脧秃辖饘賹?0B和保護膜15B。其中，保護膜15A、15B分別通過傳送輥21a、21b被傳送。絕緣層1和復合金屬層IOA、10B通過未圖示的傳送輥被分別傳送。然后，將它們在重合的狀態(tài)下通過一對疊層輥20a、20b之間。由此，復合金屬層10A、10B和保護膜15A、15B分別被熱壓接在絕緣層1的一面?zhèn)群土硪幻鎮(zhèn)?。在此情況下，通過將保護膜15A、15B分別配置在復合金屬層IOA、10B與疊層輥20a、20b之間，能夠緩和從疊層輥20a、20b施加在復合金屬層IOA、IOB上的負荷。在本實施方式中，將疊層輥20a、20b對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱溫度調整在300°C以上360°C以下。此處，對復合金屬層IOA、IOB進行加熱的加熱溫度(也稱為復合金屬層IOA、10B的加熱溫度)為疊層輥20a、20b的表面溫度。此外，以使得疊層輥20a、20b對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱時間在0.1秒以上0.8秒以下的方式進行調整。這里，對復合金屬層IOA、IOB進行加熱的加熱時間(也稱為復合金屬層IOA、10B的加熱時間)為復合金屬層10A、10B的任意一點隔著保護膜15A、15B與疊層輥20a、20b接觸的時間。具體而言，在圖4的位置Al處，復合金屬層10A與處于疊層輥20a的外周面上的保護膜15A的表面接觸。此外，在位置B1處，粘貼在復合金屬層10A上的保護膜15A開始從疊層輥20a離開。在此情況下，復合金屬層IOA從位置Al移動至位置B1所需的時間相當于對復合金屬層IOA進行加熱的加熱時間。7同樣，在圖4的位置A2處，復合金屬層10B與處于疊層輥20b的外周面上的保護膜15B的表面接觸。此外，在位置B2處，與復合金屬層10B接觸的保護膜15B的部分開始從疊層輥20b離開。即，復合金屬層10B從位置A2移動到位置B2所需的時間相當于對復合金屬層10B進行加熱的加熱時間。復合金屬層IOA、10B的加熱時間，根據(jù)疊層輥20a、20b的大小，疊層輥20a、20b的旋轉速度，以及復合金屬層10A、10B與絕緣層1的角度01、92等而變化。而且，在圖4中，絕緣層l以與連結疊層輥20a、20b的軸心Pl、P2的直線垂直的方式配置。(3)效果在本實施方式中，在將復合金屬層10A、10B和保護膜15A、15B層疊到絕緣層1上的疊層工序中，將對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱溫度調整在300°C以上360°C以下，將對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱時間調整在0.1秒以上0.8秒以下。在此情況下，復合金屬層IOA、10B的加熱溫度在300。C以上并且復合金屬層10A、IOB的加熱時間在O.I秒以上，因此，能夠可靠地使絕緣層1的熱可塑性聚酰亞胺層融化，能夠以足夠的強度使絕緣層1和復合金屬層10A、10B的金屬層13粘接。進一步，因為能夠適度地降低絕緣層1和保護膜15A、15B的彈性模量，所以能夠充分地緩和從疊層輥20a、20b施加到復合金屬層10A、10B上的負荷。此外，復合金屬層IOA、10B的加熱溫度在360°C以下并且復合金屬層10A、10B的加熱時間在0.8秒以下，因此，能夠防止由于熱沖擊而使得在到達圖4的位置Bl、B2前復合金屬層IOA、10B的支承體層11從金屬層13剝離。由此，在疊層輥20a、20b進行熱壓接時，能夠防止氣體進入絕緣層1和金屬層13之間。這樣，能夠將復合金屬層IOA、10B的金屬層13良好地粘貼在絕緣層1的兩面上，能夠防止配線電路基板用基材IOO發(fā)生外觀的不良。(4)實施例和比較例通過將對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱溫度和加熱時間設定為種種不同的值，將復合金屬層IOA、10B和保護膜15A、15B疊層在絕緣層1上，制作成配線電路基板用基材100。在表l中，表示實施例18和比較例14中的對復合金屬層10A、IOB進行加熱的加熱溫度，疊層輥20a、20b的旋轉速度，圖4的角度01、e2,從圖4的位置Al、A2到Bl、B2的長度，和對復合金屬層IOA、IOB進行加熱的加熱時間的設定值。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>其中，使用了直徑為380mm的疊層輥20a、20b。此外，使用了具有由電解銅構成的支承體層11和金屬層13的復合金屬層IOA、IOB。此外，使用了由聚酰亞胺構成的保護膜15A、15B。令絕緣層1的熱固化性聚酰亞胺層的厚度為14pm，令熱可塑性聚酰亞胺層的厚度為2pm。令復合金屬層IOA、10B的支承體層11的厚度為18pm，令剝離層12的厚度為0.015|iim，令金屬層13的厚度為2pm。(4-1)實施例在實施例18中，將復合金屬層IOA、10B的加熱溫度設定在300。C360。C的范圍內。此外，以使得對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱時間為0.10.8秒的方式，調整疊層輥20a、20b的旋轉速度，角度ei、e2和從位置Al、A2到位置B1、B2的長度。(4-2)比較例在比較例l、2中，將對復合金屬層10A、IOB進行加熱的加熱溫度分別設定在280°C和290°C，將加熱時間分別設定在0.3秒。在比較例3、4中，將對復合金屬層10A、IOB進行加熱的加熱溫度分別設定在360°C和370°C，將加熱時間分別設定在1.6秒和0.4秒。(4-3)評價在表1中，表示在實施例18和比較例14中制作的配線電路基板用基材100的外觀的良否。在實施例18中，能夠將復合金屬層IOA、10B的金屬層13良好地粘貼在絕緣層1的兩面上，制作成的配線電路基板用基材100未發(fā)生外觀的不良。另一方面，在比較例l、2中，絕緣層1和保護膜15A、15B的彈性模量不充分地降低，從疊層輥20a、20b施加在復合金屬層IOA、10B上的負荷未被充分地緩和。此外，由于保護膜15A、15B的彈性模量高，使得未向復合金屬層IOA、10B和絕緣層1均勻地施加壓力。因此，在制作成的配線電路基板用基材100上發(fā)生了外觀的不良。在比較例3、4中，在復合金屬層10A、10B到達圖4的位置B1、B2之前，由于熱沖擊，使得復合金屬層10A、10B的支承體層ll從金屬層13剝離。由此，氣體進入絕緣層1和金屬層13之間，制作成的配線電路基板用基材100發(fā)生了外觀不良。由此可知，在將復合金屬層10A、10B和保護膜15A、15B層疊到絕緣層1上的疊層工序中，通過令對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱溫度在300°C以上360°C以下，令對復合金屬層IOA、10B進行加熱的加熱時間在0.1秒以上0.8秒以下，能夠將復合金屬層IOA、10B的金屬層13良好地粘貼在絕緣層1的兩面上，能夠防止配線電路基板用基材IOO發(fā)生外觀的不良。(5)其它實施方式在上述實施方式中，對將金屬層13粘貼在絕緣層1的兩面上的例子進行了說明，但是也可以僅在絕緣層1的單面上粘貼金屬層13。此外，在上述的實施方式中，為了緩和從疊層輥20a、20b向復合金屬層10A、IOB施加的負荷，使用保護膜15A、15B，但是如果能夠充分地緩和從疊層輥20a、20b向復合金屬層IOA、IOB施加的負荷，則也可以不使用保護膜15A、15B。在此情況下，復合金屬層IOA、10B的任意一點與疊層輥20a、20b直接接觸的時間相當于復合金屬層10A、10B的加熱時間。作為絕緣層l，也可以代替聚酰亞胺，使用環(huán)氧樹脂等其它絕緣材料。此外，作為保護膜15A、15B，也可以代替聚酰亞胺，使用在疊層時的加熱溫度下不會融化的非熱可塑性的耐熱性塑料。此外，作為復合金屬層10A、10B的支承體層ll或金屬層13，不限于銅，也可以使用金(Au)、鋁等其它金屬或銅合金、鋁合金等合金。(6)權利要求項的各構成要素與實施方式的各部分的對應關系以下，對權利要求項的各構成要素與實施方式的各要素的對應的例子進行說明，但是本發(fā)明不限定于下述的例子。在上述實施方式中，復合金屬層IOA、10B是疊層對的例子，金屬層13是導體層的例子，疊層輥20a、20b是加熱輥的例子，保護膜15A、15B是樹脂層的例子。作為權利要求項的各構成要素，也能夠使用具有權利要求項所記載著的結構或功能的其它的各種要素。權利要求1.一種配線電路基板用基材的制造方法，其特征在于，包括準備由支承體層和導體層構成的疊層體的工序；和通過使所述疊層體和絕緣層在重合的狀態(tài)下通過一對加熱輥之間，將所述疊層體的所述導體層熱壓接在所述絕緣層上的工序，在將所述疊層體的所述導體層熱壓接在所述絕緣層上的工序中，令所述加熱輥對所述疊層體進行加熱的加熱溫度在300℃以上360℃以下，并且令所述加熱輥對所述疊層體進行加熱的加熱時間在0.1秒以上0.8秒以下。2.根據(jù)權利要求1所述的配線電路基板用基材的制造方法，其特征在于在將所述疊層體的所述導體層熱壓接在所述絕緣層上的工序中，將樹脂層配置在所述疊層體的所述支承體層與所述加熱輥之間。3.根據(jù)權利要求1所述的配線電路基板用基材的制造方法，其特征在于所述絕緣層包含聚酰亞胺。4.根據(jù)權利要求1所述的配線電路基板用基材的制造方法，其特征在于所述導體層包含銅。全文摘要本發(fā)明提供配線電路基板用基材的制造方法。在絕緣層的一面?zhèn)扰渲脧秃辖饘賹雍捅Ｗo膜，在絕緣層的另一面?zhèn)扰渲脧秃辖饘賹雍捅Ｗo膜。使它們在重合的狀態(tài)下通過一對疊層輥之間。在此情況下，將疊層輥對復合金屬層進行加熱的加熱溫度調整在300℃以上360℃以下。將疊層輥對復合金屬層進行加熱的加熱時間調整在0.1秒以上0.8秒以下。文檔編號H01L21/48GK101625979SQ20091014952公開日2010年1月13日申請日期2009年7月2日優(yōu)先權日2008年7月7日發(fā)明者三宅康文,徐競雄申請人:日東電工株式會社