專利名稱：無(wú)核心封裝基板的制造方法
無(wú)核心封裝基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種無(wú)核心封裝基板的制造方法，特別是有關(guān)于一種利用可移除 式臨時(shí)核心層進(jìn)行增層程序的無(wú)核心封裝基板的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型 式的封裝構(gòu)造，其中常見(jiàn)具有基板(substrate)的封裝構(gòu)造包含球柵陣列封裝構(gòu)造(ball grid array，BGA)、針腳陣列封裝構(gòu)造(pin grid array，PGA)、接點(diǎn)陣列封裝構(gòu)造(land grid array,LGA)或基板上芯片封裝構(gòu)造(board onchip,B0C)等。在上述封裝構(gòu)造中，所 述基板的一上表面承載有至少一芯片，并通過(guò)打線(wire bonding)或凸塊(bumping)程 序?qū)⑿酒臄?shù)個(gè)接墊電性連接至所述基板的上表面的數(shù)個(gè)焊墊。同時(shí)，所述基板的一下表 面亦必需提供大量的焊墊，以焊接數(shù)個(gè)輸出端。通常，所述基板是一多層電路板，其除了在 上、下表面提供表面電路層以形成所需焊墊之外，其內(nèi)部亦具有至少一內(nèi)電路層及數(shù)個(gè)導(dǎo) 通孔，以重新安排上、下表面的焊墊的連接關(guān)系。因此，如何制造具有多層電路的封裝用基 板，亦為封裝產(chǎn)業(yè)的一重要關(guān)鍵技術(shù)。舉例而言，請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，其揭示一種現(xiàn)有封裝基板10的構(gòu)造，其中所述封裝基 板10是以一核心層(core layer) 11為中心，并通過(guò)增層法(build-up)在所述核心層11 的兩側(cè)分別向外依序形成一第一電路層12、一第一介電層13、一第二電路層14、一第二介 電層15、一表面電路層16及一防焊層17。再者，在增層期間，所述核心層11另可能形成數(shù) 個(gè)電鍍通孔(plating throughholeUll貫穿其間，以電性連接兩側(cè)的所述第一電路層12。 所述第一介電層13可能形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔(conductive via) 131貫穿其間，以電性連接所述 第一及第二電路層12、14。所述第二介電層15亦可形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔151貫穿其間，以電性 連接所述第二電路層14及表面電路層16。最后，所述防焊層16形成數(shù)個(gè)開(kāi)口 161，以裸露 一部分的所述表面電路層16，以提供數(shù)個(gè)焊墊(即圖號(hào)16位置)，以便結(jié)合金屬線、凸塊或 錫球等電性連接構(gòu)造(未繪示)。上述現(xiàn)有封裝基板10大量應(yīng)用在目前的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程中。然而，為了符合 半導(dǎo)體封裝的小型化需求，因此有必要進(jìn)一步設(shè)法減少所述封裝基板10的整體厚度。然 而，所述封裝基板10在增層期間不可避免的必需使用具有足夠厚度的所述核心層11，以 確保能提供足夠的支撐強(qiáng)度，及防止因熱應(yīng)力(thermal stress)不均勻所發(fā)生的翹曲等 (warpage)缺陷。但是，使用所述核心層11卻也會(huì)占用過(guò)多厚度空間，導(dǎo)致不利于降低所述 封裝基板10的整體厚度。另一方面，當(dāng)整體厚度不變時(shí)，也難以通過(guò)減少所述核心層11的 厚度，以將省下來(lái)的厚度空間用來(lái)增加電路層的總層數(shù)，因此使用所述核心層11亦不利于 提高電路集成度。故，有必要提供一種封裝基板的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種無(wú)核心封裝基板的制造方法，其是利用臨時(shí)核心 層在增層期間提供足夠支撐強(qiáng)度，并可在增層后移除臨時(shí)核心層，進(jìn)而有利于降低基板厚 度及提高電路集成度。本發(fā)明的次要目的在于提供一種無(wú)核心封裝基板的制造方法，其是利用臨時(shí)核心 層進(jìn)行增層，以同時(shí)在其兩側(cè)制做二組無(wú)核心封裝基板，進(jìn)而提高生產(chǎn)速度、降低制造成本 及確保增層良率。本發(fā)明的另一目的在于提供一種無(wú)核心封裝基板的制造方法，其是利用臨時(shí)核心 層進(jìn)行增層，臨時(shí)核心層的表面具有可撕除的金屬箔層，可直接轉(zhuǎn)用做為無(wú)核心封裝基板 的表面電路層，進(jìn)而簡(jiǎn)化增層程序、提高增層效率及降低備料成本。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種無(wú)核心封裝基板的制造方法，其包含提供一臨 時(shí)核心層；在所述臨時(shí)核心層的二側(cè)分別依序堆疊一第一金屬箔層、一第一介電層及第二 金屬箔層，其中所述第一金屬箔層具有一平坦表面及一粗糙表面，所述平坦表面朝向所述 臨時(shí)核心層，及所述粗糙表面朝向所述第一介電層；對(duì)每一所述第二金屬箔層進(jìn)行圖案化， 以分別形成一第二電路層；在每一所述第二電路層外堆疊至少一增層結(jié)構(gòu)，所述增層結(jié)構(gòu) 包含一增層介電層及一增層金屬箔層；以及，移除所述臨時(shí)核心層，以得到二無(wú)核心封裝基 板，每一所述無(wú)核心封裝基板至少包含所述第一金屬箔層、第一介電層、第二電路層及至少 一增層結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在提供所述臨時(shí)核心層的步驟中，所述臨時(shí)核心層為含 有B階段熱固性樹(shù)脂的核心層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在提供所述臨時(shí)核心層及壓合所述第一金屬箔層的步驟 中，所述臨時(shí)核心層的每一側(cè)具有一臨時(shí)粘性表面，以結(jié)合于所述第一金屬箔層的平坦表面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在堆疊所述第一金屬箔層、第一介電層及第二金屬箔層 的步驟后，進(jìn)行加熱處理，以永久性去除所述臨時(shí)核心層的臨時(shí)粘性表面的粘性。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在提供所述臨時(shí)核心層及壓合所述第一金屬箔層的步驟 中，所述臨時(shí)核心層的每一側(cè)具有一金屬支撐層，所述金屬支撐層具有一粗糙表面及一平 坦表面，所述金屬支撐層的粗糙表面結(jié)合于所述臨時(shí)核心層的表面，及所述金屬支撐層的 平坦表面結(jié)合于所述第一金屬箔層的平坦表面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述臨時(shí)核心層的金屬支撐層的厚度大于所述第一金屬 箔層的厚度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在堆疊所述增層結(jié)構(gòu)的步驟后及移除所述臨時(shí)核心層的 步驟前，另對(duì)所述增層結(jié)構(gòu)的增層介電層及增層金屬箔層進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化，以形成 數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔及一增層電路層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在得到所述無(wú)核心封裝基板的步驟后，另對(duì)所述無(wú)核心 封裝基板的第一金屬箔層及第一介電層進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化，以形成一第一電路層及 數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成所述第一電路層的步驟后，在所述第一電路層上 形成一防焊層(solder mask)，并對(duì)所述防焊層進(jìn)行圖案化，以形成數(shù)個(gè)開(kāi)口，裸露一部分 的所述第一電路層，以提供數(shù)個(gè)焊墊。
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在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在得到所述無(wú)核心封裝基板的步驟后，另對(duì)所述增層結(jié) 構(gòu)的增層介電層及增層金屬箔層進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔及一增層電路層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成所述增層電路層的步驟后，在所述增層電路層上 形成一防焊層，并對(duì)所述防焊層進(jìn)行圖案化，以形成數(shù)個(gè)開(kāi)口，裸露一部分的所述增層電路 層，以提供數(shù)個(gè)焊墊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成所述防焊層及焊墊的步驟后，在所述焊墊的表面 形成一助焊層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述助焊層選自電鍍鎳層、電鍍金層、無(wú)電鍍鎳化金層 (electroless Ni/Au)、浸鍍銀(immersion silver)、浸鍍錫(immersiontin)或有機(jī)保護(hù)膜 (organic solderability preservatives, 0SP)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一金屬箔層、第二金屬箔層及增層金屬箔層的厚 度分別實(shí)質(zhì)介于10至35微米之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一介電層及增層介電層的厚度分別實(shí)質(zhì)介于30 至55微米之間。

圖1 現(xiàn)有封裝基板的示意圖。圖2A至2H 本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法的流程示意圖。圖3 本發(fā)明第二實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法的示意圖。
具體實(shí)施方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實(shí)施例，并配 合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下請(qǐng)參照?qǐng)D2A至2H所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法主要包 含下列步驟提供一臨時(shí)核心層20 ；在所述臨時(shí)核心層20的二側(cè)分別依序堆疊一第一金屬 箔層21、一第一介電層22及第二金屬箔層23，其中所述第一金屬箔層21具有一平坦表面 211及一粗糙表面212，所述平坦表面211朝向所述臨時(shí)核心層20，及所述粗糙表面212朝 向所述第一介電層22 ；對(duì)每一所述第二金屬箔層23進(jìn)行圖案化，以分別形成一第二電路層 230 ；在每一所述第二電路層230外堆疊至少一增層結(jié)構(gòu)30，所述增層結(jié)構(gòu)30包含一增層 介電層31及一增層金屬箔層32 ；以及，移除所述臨時(shí)核心層20，以得到二無(wú)核心封裝基板 200，每一所述無(wú)核心封裝基板200至少包含所述第一金屬箔層21、第一介電層22、第二電 路層230及至少一增層結(jié)構(gòu)30。請(qǐng)參照?qǐng)D2A所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法第一步驟是 提供一臨時(shí)核心層20。在本步驟中，所述臨時(shí)核心層20優(yōu)選是選自含有B階段熱固性樹(shù)脂 (B-stage thermosetting resin)的核心層，例如含有B階段環(huán)氧樹(shù)脂的核心層，另外亦可 能含有雙順丁烯二酸酰亞胺三氮樹(shù)脂(bismaleimide triazine, BT)等熱固性樹(shù)脂。上述 含有B階段熱固性樹(shù)脂的核心層是通過(guò)將玻璃纖維(glass fiber)布等填充材料預(yù)浸在生 漆(varnish)狀態(tài)的A階段熱固性樹(shù)脂半干后并經(jīng)加熱軟化所制成。因此，所述臨時(shí)核心
6層20的每一側(cè)皆具有一臨時(shí)粘性表面201、202，以提供一預(yù)定程度的臨時(shí)粘性。在本實(shí)施 例中，所述臨時(shí)核心層20可選自玻纖布基材環(huán)氧樹(shù)脂銅箔基板，例如FR-4或FR-5等，但并 不限于此。所述臨時(shí)核心層20用以提供增層程序所需的足夠支撐強(qiáng)度，因此必需具備足夠 厚度，但在具備足夠支撐強(qiáng)度的前題下，本發(fā)明并不限制所述臨時(shí)核心層20的厚度范圍。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2A所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法第二步驟 是在所述臨時(shí)核心層20的二側(cè)分別依序堆疊一第一金屬箔層21、一第一介電層22及第 二金屬箔層23。在本步驟中，所述第一金屬箔層21及第二金屬箔層23是可預(yù)先通過(guò)電鍍 法(electroplating)或輾軋法(rolling)加以制成備用，其中至少所述第一金屬箔層21 必需具有一平坦表面211及一粗糙表面212，所述平坦表面211朝向所述臨時(shí)核心層20，及 所述粗糙表面212朝向所述第一介電層22。上述堆疊排列關(guān)系的作用將另于下文加以詳細(xì) 說(shuō)明。再者，所述第一金屬箔層21及第二金屬箔層23可取材自銅、鋁、鎳、金、銀等金屬或 合金，但并不限于此。所述第一金屬箔層21及第二金屬箔層23的厚度優(yōu)選實(shí)質(zhì)介于10至 35微米之間。值得注意的是，當(dāng)所述臨時(shí)核心層20選用FR-4或FR-5等玻纖布基材環(huán)氧樹(shù) 脂銅箔基板時(shí)，所述臨時(shí)核心層20每一側(cè)的臨時(shí)粘性表面201、202已預(yù)先粘附有一平坦表 面朝內(nèi)的金屬箔層，其可直接用以做為所述第一金屬箔層21，因而有利于減少備料成本或 簡(jiǎn)化堆疊步驟。所述第一介電層22實(shí)質(zhì)包含具備臨時(shí)粘性的B階段熱固性樹(shù)脂等絕緣材 料，例如B階段的環(huán)氧樹(shù)脂或雙順丁烯二酸酰亞胺三氮樹(shù)脂(BT)等，必要時(shí)，亦可加入玻璃 纖維布等填充材料。所述第一介電層22的厚度優(yōu)選實(shí)質(zhì)介于30至55微米之間。在進(jìn)行 本發(fā)明第二步驟時(shí)，可在完成堆疊之后，進(jìn)行加熱處理，使所述臨時(shí)核心層20的臨時(shí)粘性 表面201、202永久性去除其黏性。此時(shí)，所述臨時(shí)粘性表面201、202仍可暫時(shí)性結(jié)合于所 述第一金屬箔層21的平坦表面211，而所述第一金屬箔層21的粗糙表面212將會(huì)永久性結(jié) 合于所述第一介電層22，同時(shí)所述第二金屬箔層23亦會(huì)永久性結(jié)合于所述第一介電層22。請(qǐng)參照?qǐng)D2B所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法第三步驟是 對(duì)每一所述第二金屬箔層23進(jìn)行圖案化，以分別形成一第二電路層230。在本步驟中，本 發(fā)明可通過(guò)現(xiàn)有的涂布光刻膠、掩膜曝光及顯影液顯影等程序?qū)λ龅诙饘俨瓕?3進(jìn) 行圖案化，以去除一部分的所述第二金屬箔層23，因而形成所述第二電路層230。必要時(shí)， 本發(fā)明亦可在圖案化之前(或之后)，選擇進(jìn)行鉆孔及填孔的程序，以在所述第一介電層22 中形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔(未繪示)，所述鉆孔程序可選自激光或機(jī)械鉆孔，而所述填孔程序是通 過(guò)電鍍方式加以完成。惟，在本實(shí)施例中，本發(fā)明是在第五步驟之后，才在所述第一介電層 22中形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔221 (如圖2G所示)。上述導(dǎo)通孔的形成時(shí)機(jī)并非用以限制本發(fā)明。請(qǐng)參照?qǐng)D2C、2D及2E所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法第四 步驟是在每一所述第二電路層230外堆疊至少一增層結(jié)構(gòu)30、40。在本實(shí)施例中，本發(fā)明 是設(shè)置二組所述增層結(jié)構(gòu)30、40，但其數(shù)量并不限于此，其亦可設(shè)置一組、三組或三組以上。 所述增層結(jié)構(gòu)30包含一增層介電層31及一增層金屬箔層32。所述增層介電層31實(shí)質(zhì)相 同于所述第一介電層22，同樣實(shí)質(zhì)包含具備臨時(shí)粘性的B階段熱固性樹(shù)脂等絕緣材料，及 其厚度優(yōu)選實(shí)質(zhì)介于30至55微米之間。所述增層金屬箔層32實(shí)質(zhì)相同于所述第二金屬 箔層23，同樣可取材自銅、鋁、鎳、金、銀等金屬或合金，及其厚度優(yōu)選實(shí)質(zhì)介于10至35微米 之間。在本實(shí)施例中，如圖2C所示，本發(fā)明先在每一所述第二電路層230外堆疊所述增層 結(jié)構(gòu)30，并適當(dāng)加熱處理，以使所述增層介電層31結(jié)合于所述第二電路層230，并使所述增
7層金屬箔層32朝向外側(cè)。接著，如圖2D所示，對(duì)所述增層結(jié)構(gòu)30的增層介電層31及增層 金屬箔層32進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化等處理，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔311及一增層電路層320。 再者，如圖2E所示，以類似圖2C的做法，進(jìn)一步在每一所述增層電路層320外再堆疊另一 所述增層結(jié)構(gòu)40，所述增層結(jié)構(gòu)40包含一增層介電層41及一增層金屬箔層42，其實(shí)質(zhì)相 同于所述增層介電層31及增層金屬箔層32。必要時(shí)，本發(fā)明亦可在對(duì)所述增層介電層41 及增層金屬箔層42選擇進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化的程序，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔(未繪示)及 另一增層電路層(未繪示)。惟，在本實(shí)施例中，為了使堆疊結(jié)構(gòu)具有對(duì)稱性以防止熱應(yīng)力 (thermal stress)不均勻造成翹曲(warpage)缺陷，本發(fā)明是在第五步驟之后，才使所述 增層介電層41及增層金屬箔層42形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔411及另一增層電路層420 (如圖2G所 示)°請(qǐng)參照?qǐng)D2F、2G及2H所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法第五 步驟是移除所述臨時(shí)核心層20，以得到二無(wú)核心封裝基板200。在本實(shí)施例中，所述臨時(shí) 核心層20的臨時(shí)粘性表面201、202已在上述數(shù)次堆疊加熱過(guò)程中永久性去除其粘性。此 時(shí)，所述平坦表面211與臨時(shí)粘性表面201、202的最終結(jié)合強(qiáng)度將明顯小于所述粗糙表面 212與第一介電層22的最終結(jié)合強(qiáng)度。因此，如圖2F所示，本發(fā)明可輕易通過(guò)人工或簡(jiǎn)易 機(jī)具移除所述臨時(shí)核心層20，并留下二組所述無(wú)核心封裝基板200，其中每一所述無(wú)核心 封裝基板200至少包含所述第一金屬箔層21、第一介電層22、第二電路層230及至少一增 層結(jié)構(gòu)30、40。在本實(shí)施例中，每一所述無(wú)核心封裝基板200包含二組所述增層結(jié)構(gòu)30、40， 但并不限于此。接著，如圖2G所示，在移除所述臨時(shí)核心層20之后，可對(duì)每一所述無(wú)核心封 裝基板200的第一金屬箔層21及第一介電層22進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化，以形成一第一電 路層210及數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔221。同時(shí)，對(duì)所述增層結(jié)構(gòu)40的增層介電層41及增層金屬箔層42 進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔411及一增層電路層420。隨后，如圖2H所示， 則可在所述第一電路層210上形成一防焊層(solder mask) 50，并對(duì)所述防焊層50進(jìn)行圖 案化，以形成數(shù)個(gè)開(kāi)口 51，裸露一部分的所述第一電路層210，以提供數(shù)個(gè)焊墊(未標(biāo)示)。 同時(shí)，在所述增層電路層420上形成另一防焊層50，并對(duì)所述防焊層50進(jìn)行圖案化，以形成 數(shù)個(gè)開(kāi)口 51，裸露一部分的所述增層電路層420，以提供數(shù)個(gè)焊墊(未標(biāo)示)。最后，依產(chǎn)品 需求，選擇性的在所述第一電路層210 (或增層電路層420)的焊墊的表面形成一助焊層60， 所述助焊層60是可選自電鍍鎳層、電鍍金層、無(wú)電鍍鎳化金層(electroless Ni/Au)、浸鍍 銀(immersion silver)、浸渡錫(immersion tin)或有機(jī)保護(hù)膜(organic solderability preservatives, 0SP)0通過(guò)上述第一至第五步驟，本發(fā)明第一實(shí)施例即可利用所述臨時(shí)核心層20提供 足夠支撐強(qiáng)度，以便順利進(jìn)行增層程序，并可在增層后移除所述臨時(shí)核心層20，故有利于降 低所述無(wú)核心封裝基板200的整體厚度及提高所述無(wú)核心封裝基板200的電路集成度。由 于可同時(shí)在所述臨時(shí)核心層20的兩側(cè)制做二組無(wú)核心封裝基板200，因此不但可相對(duì)提高 生產(chǎn)速度及降低制造成本，亦可通過(guò)二側(cè)對(duì)稱進(jìn)行增層，以確實(shí)防止熱應(yīng)力不均勻所造成 的翹曲缺陷，進(jìn)而確保增層良率。請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，本發(fā)明第二實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法是相似于本發(fā) 明第一實(shí)施例，但所述第二實(shí)施例使用的臨時(shí)核心層70不同于所述第一實(shí)施例的臨時(shí)核 心層20。在第二實(shí)施例中，在預(yù)先制備所述臨時(shí)核心層70時(shí)，所述臨時(shí)核心層70的每一
8側(cè)已具有一金屬支撐層71及一第一金屬箔層72。例如，所述臨時(shí)核心層70可選用特殊的 FR-4或FR-5等玻纖布基材環(huán)氧樹(shù)脂銅箔基板，亦即所述臨時(shí)核心層70每一側(cè)的表面已預(yù) 先依序粘附有所述金屬支撐層71及第一金屬箔層72，因而有利于減少備料成本或簡(jiǎn)化堆 疊步驟。更詳言之，所述金屬支撐層71具有一粗糙表面711及一平坦表面712，同時(shí)所述 第一金屬箔層72具有一平坦表面721及一粗糙表面722。在本發(fā)明中，所述金屬支撐層71 的粗糙表面711結(jié)合于所述臨時(shí)核心層70，其中所述臨時(shí)核心層70可具有臨時(shí)粘性表面 (未標(biāo)示)，但亦可不具有臨時(shí)粘性表面。再者，所述金屬支撐層71的平坦表面712結(jié)合于 所述第一金屬箔層72的平坦表面721，所述第一金屬箔層72的粗糙表面722則用以依序堆 疊結(jié)合一第一介層電73及一第二金屬箔層74。因此，所述金屬支撐層71與臨時(shí)核心層70 的最終結(jié)合強(qiáng)度會(huì)大于所述金屬支撐層71與第一金屬箔層72的最終結(jié)合強(qiáng)度。當(dāng)?shù)诙?shí) 施例完成增層并欲移除所述臨時(shí)核心層70時(shí)，所述臨時(shí)核心層70將連同所述金屬支撐層 71 一起被移除，僅由所述第一金屬箔層72、第一介層電73、第二金屬箔層74及至少一增層 結(jié)構(gòu)(未繪示)構(gòu)成二組無(wú)核心封裝基板(未繪示)。值得注意的是，由于所述臨時(shí)核心層70的金屬支撐層71僅用以提供支撐作用，因 此本發(fā)明并不限制所述金屬支撐層71的厚度，但其厚度優(yōu)選大于所述第一金屬箔層72的 厚度。所述第一金屬箔層72的厚度優(yōu)選實(shí)質(zhì)介于10至35微米之間。除了所述臨時(shí)核心層 70的構(gòu)造不同之外，所述第二實(shí)施例的無(wú)核心封裝基板的制造方法是實(shí)質(zhì)相同于所述第一 實(shí)施例，故本發(fā)明不再另予詳細(xì)說(shuō)明所述第二實(shí)施例的各個(gè)步驟。如上所述，相較于圖1的現(xiàn)有封裝基板10在增層時(shí)使用所述核心層11，導(dǎo)致不利 于降低整體厚度或提高電路集成度等缺點(diǎn)，圖2A至2H及3的本發(fā)明利用所述臨時(shí)核心層 20在增層期間提供足夠支撐強(qiáng)度，并可在增層后移除所述臨時(shí)核心層20，因而有利于降低 所述無(wú)核心封裝基板200的整體厚度及提高所述無(wú)核心封裝基板200的電路集成度。再者， 由于可同時(shí)在所述臨時(shí)核心層20的兩側(cè)制做二組無(wú)核心封裝基板200，因此不但可相對(duì)提 高生產(chǎn)速度及降低制造成本，亦可通過(guò)二側(cè)對(duì)稱進(jìn)行增層，以確實(shí)防止熱應(yīng)力不均勻所造 成的翹曲缺陷，進(jìn)而確保增層良率。此外，如圖3所示，當(dāng)所述臨時(shí)核心層70的表面具有可 撕除的第一金屬箔層72時(shí)，所述第一金屬箔層72可直接轉(zhuǎn)用做為后續(xù)無(wú)核心封裝基板的 表面電路層，因此能簡(jiǎn)化增層程序、提高增層效率及降低備料成本。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神 及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于所述制造方法包含提供一臨時(shí)核心層；在所述臨時(shí)核心層的二側(cè)分別依序堆疊一第一金屬箔層、一第一介電層及第二金屬箔層，其中所述第一金屬箔層具有一平坦表面及一粗糙表面，所述平坦表面朝向所述臨時(shí)核心層，及所述粗糙表面朝向所述第一介電層；對(duì)每一所述第二金屬箔層進(jìn)行圖案化，以分別形成一第二電路層；在每一所述第二電路層外堆疊至少一增層結(jié)構(gòu)，所述增層結(jié)構(gòu)包含一增層介電層及一增層金屬箔層；及移除所述臨時(shí)核心層，以得到二無(wú)核心封裝基板，每一所述無(wú)核心封裝基板至少包含所述第一金屬箔層、第一介電層、第二電路層及至少一增層結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在提供所述臨時(shí)核 心層的步驟中，所述臨時(shí)核心層為含有B階段熱固性樹(shù)脂的核心層。
3.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在提供所述臨時(shí)核 心層及壓合所述第一金屬箔層的步驟中，所述臨時(shí)核心層的每一側(cè)具有一臨時(shí)粘性表面， 以結(jié)合于所述第一金屬箔層的平坦表面。
4.如權(quán)利要求3所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在堆疊所述第一金 屬箔層、第一介電層及第二金屬箔層的步驟后，進(jìn)行加熱處理，以永久性去除所述臨時(shí)核心 層的臨時(shí)粘性表面的粘性。
5.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在提供所述臨時(shí)核 心層及壓合所述第一金屬箔層的步驟中，所述臨時(shí)核心層的每一側(cè)具有一金屬支撐層，所 述金屬支撐層具有一粗糙表面及一平坦表面，所述金屬支撐層的粗糙表面結(jié)合于所述臨時(shí) 核心層的表面，及所述金屬支撐層的平坦表面結(jié)合于所述第一金屬箔層的平坦表面。
6.如權(quán)利要求5所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于所述臨時(shí)核心層的 金屬支撐層的厚度大于所述第一金屬箔層的厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在堆疊所述增層結(jié) 構(gòu)的步驟后及移除所述臨時(shí)核心層的步驟前，另對(duì)所述增層結(jié)構(gòu)的增層介電層及增層金屬 箔層進(jìn)行鉆孔、填孔及圖案化，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔及一增層電路層。
8.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在得到所述無(wú)核心 封裝基板的步驟后，另對(duì)所述無(wú)核心封裝基板的第一金屬箔層及第一介電層進(jìn)行鉆孔、填 孔及圖案化，以形成一第一電路層及數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔。
9.如權(quán)利要求8所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在形成所述第一電 路層的步驟后，在所述第一電路層上形成一防焊層，并對(duì)所述防焊層進(jìn)行圖案化，以形成數(shù) 個(gè)開(kāi)口，裸露一部分的所述第一電路層，以提供數(shù)個(gè)焊墊。
10.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在得到所述無(wú)核心 封裝基板的步驟后，另對(duì)所述增層結(jié)構(gòu)的增層介電層及增層金屬箔層進(jìn)行鉆孔、填孔及圖 案化，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通孔及一增層電路層。
11.如權(quán)利要求10所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在形成所述增層 電路層的步驟后，在所述增層電路層上形成一防焊層，并對(duì)所述防焊層進(jìn)行圖案化，以形成 數(shù)個(gè)開(kāi)口，裸露一部分的所述增層電路層，以提供數(shù)個(gè)焊墊。
12.如權(quán)利要求9或11所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于在形成所述 防焊層及焊墊的步驟后，在所述焊墊的表面形成一助焊層。
13.如權(quán)利要求12所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于所述助焊層選自 電鍍鎳層、電鍍金層、無(wú)電鍍鎳化金層、浸鍍銀、浸鍍錫或有機(jī)保護(hù)膜。
14.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于所述第一金屬箔 層、第二金屬箔層及增層金屬箔層的厚度分別介于10至35微米之間。
15.如權(quán)利要求1所述的無(wú)核心封裝基板的制造方法，其特征在于所述第一介電層及 增層介電層的厚度分別介于30至55微米之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種無(wú)核心封裝基板的制造方法，其是在一臨時(shí)核心層的二側(cè)分別依序堆疊一第一金屬箔層、一第一介電層及第二金屬箔層，所述第一金屬箔層具有一平坦表面及一粗糙表面，所述平坦表面朝向所述臨時(shí)核心層，及所述粗糙表面朝向所述第一介電層。接著，對(duì)每一所述第二金屬箔層進(jìn)行圖案化，并堆疊至少一增層結(jié)構(gòu)。在上述增層期間，所述臨時(shí)核心層暫時(shí)提供支撐作用。在完成增層之后，移除所述臨時(shí)核心層，以得到二無(wú)核心封裝基板。
文檔編號(hào)H01L23/498GK101924037SQ200910150829
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2009年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月16日
發(fā)明者李明錦, 王建皓 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司